一种厚膜电阻的制作方法

文档序号:1639836 发布日期:2019-12-20 浏览:44次 >En<

阅读说明:本技术 一种厚膜电阻的制作方法 (Method for manufacturing thick film resistor ) 是由 黄正信 刘复强 林育民 顾明德 于 2019-07-19 设计创作,主要内容包括:本发明公开了一种厚膜电阻的制作方法,包括在半成品电阻中陶瓷基板的背面贴覆膜片;对所述半成品电阻进行切割,形成若干个顺次贯穿所述正面电极层、陶瓷基板和背面电极层第一切割槽,且保证膜片完整;在各第一切割槽内分别制作侧面电极层;对各侧面电极层进行切割,形成第二切割槽,同时沿着与所述第二切割槽相垂直的方向切割,形成粒状半成品,且保证膜片完整;去掉膜片,取出独立的粒状半成品;在各粒状半成品的背面电极层、正面电极层和侧面电极层表面顺次形成镍层和锡层。使用本发明的制作方法制作厚膜电阻,可将产品的合格率提升30%左右,实现大大降低产品的生产成本,符合当今社会的节约、环保的主题。(The invention discloses a manufacturing method of a thick film resistor, which comprises the steps of pasting a diaphragm on the back surface of a ceramic substrate in a semi-finished resistor; cutting the semi-finished resistor to form a plurality of first cutting grooves which sequentially penetrate through the front electrode layer, the ceramic substrate and the back electrode layer and ensure the integrity of the diaphragm; respectively manufacturing side electrode layers in the first cutting grooves; cutting each side electrode layer to form a second cutting groove, and simultaneously cutting along the direction vertical to the second cutting groove to form a granular semi-finished product and ensure the integrity of the membrane; removing the membrane and taking out the independent granular semi-finished product; a nickel layer and a tin layer are sequentially formed on the surfaces of the back electrode layer, the front electrode layer and the side electrode layer of each granular semi-finished product. The thick film resistor manufactured by the manufacturing method can improve the qualification rate of products by about 30 percent, greatly reduce the production cost of the products and meet the theme of saving and environmental protection in the current society.)

一种厚膜电阻的制作方法

技术领域

本发明属于电阻制作技术领域,具体涉及一种厚膜电阻的制作方法。

背景技术

近年来,随着消费者对超小型、高性能、多功能、便携性及可穿戴式电子产品的不断需求,促使各类电子产品趋向于“轻”、“薄”、“短”、“小”的方向飞速发展,从而使得微型厚膜芯片电阻得以推广应用。目前行业中的生产工艺的产品合格率较低,为此,需要一种更精湛的电阻制作工艺,以满足微型厚膜芯片电阻的设计及生产,大大降低了产品的生产成本。

发明内容

针对上述问题,本发明提出一种厚膜电阻的制作方法,使用该制作方法制作厚膜电阻,可将产品的合格率提升30%左右,实现大大降低产品的生产成本,符合当今社会的节约、环保的主题。

为了实现上述技术目的,达到上述技术效果,本发明通过以下技术方案实现:

一种厚膜电阻的制作方法,包括以下步骤:

在半成品电阻中陶瓷基板的背面贴覆膜片;所述半成品电阻包括陶瓷基板,所述陶瓷基板的背面和正面分别设有若干个相对设置的背面电极层和正面电极层;相邻正面电极层之间设有阻体层,所述阻体层上顺次设有玻璃保护层和树脂保护层;所述阻体层和玻璃保护层上对应位置处均设有调阻线;

对所述半成品电阻进行切割,形成若干个顺次贯穿所述正面电极层、陶瓷基板和背面电极层第一切割槽,且保证膜片完整;

在各第一切割槽内分别制作侧面电极层;

对各侧面电极层进行切割,形成第二切割槽,同时沿着与所述第二切割槽相垂直的方向切割,形成粒状半成品,且保证膜片完整;

去掉膜片,取出独立的粒状半成品;

在各粒状半成品的背面电极层、正面电极层和侧面电极层表面顺次形成镍层和锡层。

作为本发明的进一步改进,所述半成品电阻通过以下步骤制成:

在陶瓷基板的背面和正面分别形成若干个相对设置的背面电极层和正面电极层;

在相邻正面电极层之间形成阻体层;

在所述阻体层上形成玻璃保护层;

对所述阻体层和玻璃保护层进行切割调阻,形成调阻线;

在所述玻璃保护层上形成树脂保护层。

作为本发明的进一步改进,所述在陶瓷基板的背面和正面分别形成若干个相对设置的背面电极层和正面电极层,具体为:

通过丝网厚膜印刷方式将电极材料印刷于陶瓷基板背面和正面的对称两边,再进行烧结,烧结温度为850±5℃,从而形成背面电极层和正面电极层;

所述在相邻正面电极层之间形成阻体层,具体为:通过丝网厚膜印刷方式将阻体材料印刷于相邻正面电极层之间,再进行烧结,烧结温度为850±5℃,从而形成阻体层;

所述在所述阻体层上形成玻璃保护层,具体为:通过丝网厚膜印刷方式印刷将玻璃浆料印刷于阻体层之上,再进行烧结,烧结温度为600±5℃,形成玻璃保护层。

作为本发明的进一步改进,所述树脂保护层通过以下方式形成:

在玻璃保护层上表面通过丝网印刷机印刷一层树脂浆料,并进行烧结,烧结温度为: 200±10℃,从而形成树脂保护层。

作为本发明的进一步改进,所述树脂保护层通过以下方式形成:

在玻璃保护层上表面通过喷墨机喷涂一层树脂浆料,并进行烧结,烧结温度为:200 ±10℃,从而形成树脂保护层。

作为本发明的进一步改进,所述膜片为蓝膜。

作为本发明的进一步改进,所述侧面电极层通过以下方式形成:

采用溢流方式,在所述第一切割槽内,通过丝网印刷机溢流印刷一层树脂银浆料,连接导通对应的背面电极和正面电极层,从而形成侧面电极层。

作为本发明的进一步改进,所述侧面电极层通过以下方式形成:

采用喷墨方式,在所述第一切割槽内,通过喷墨机喷涂一层树脂银浆料,连接导通对应的背面电极层和正面电极层,从而形成侧面电极层。

作为本发明的进一步改进,所述侧面电极层通过以下方式形成:

采用真空溅射方式,在所述第一切割槽内,通过真镀机真空溅射一层镍铬合金层,连接导通对应的背面电极层和正面电极层,从而形成侧面电极层。

作为本发明的进一步改进,所述第一切割槽和第二切割槽均通过镭射激光方式形成。

与现有技术相比,本发明的有益效果:

本发明提出一种厚膜电阻的制作方法,在产品制作过程中,通过在陶瓷基板背面张贴膜片的方法,保证切割后的微型厚膜电阻仍然为一个整体,便于进行整体的侧面电极层加工,同时在制作树脂保护层和侧面电极层时采用特殊的工艺方法,从而可以达到节省人工、缩短工时、可多个电阻同时制作的目的,大幅的降低微型厚膜电阻的整个制造成本。可以将产品的合格率提升30%左右,符合当今社会的节约、环保的主题,同时也满足了客户应用端对微型厚膜芯片电阻的应用需求,具有良好的应用前景。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本发明作进一步详细的说明,其中:

图1是本发明的一种应用于微型厚膜芯片电阻的剖面结构示意图;

图2是本发明中完成步骤(1)后的结构示意图;

图3是本发明中完成步骤(2)后的结构示意图;

图4是本发明中完成步骤(3)后的结构示意图;

图5是本发明中完成步骤(4)后的结构示意图;

图6是本发明中完成步骤(5)后的结构示意图;

图7是本发明中完成步骤(6)中的(方法1)后的结构示意图;

图8是本发明中完成步骤(6)中的(方法2)后的结构示意图;

图9是本发明中完成步骤(6)中的(方法3)后的结构示意图;

图10是本发明中完成步骤(7)后的半成品结构示意图;

图11是本发明中完成步骤(8)后的粒状半成品结构示意图;

图12是本发明中完成步骤(9)后的镍层制作结构示意图;

图13是本发明中完成步骤(10)后的锡层制作结构示意图。

结合附图,作以下说明:

01-陶瓷基板02-背面电极层;03-正面电极层;04-阻体层;05-玻璃保护层;06-调阻线; 07-树脂保护层;08-膜片;09-第一切割槽;10-侧面电极层;11-第二切割槽;12-折粒线;13-镍层;14-锡层。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明的保护范围。

下面结合附图对本发明的应用原理作详细的描述。

本发明提供了一种厚膜电阻的制作方法,包括以下步骤:

步骤(1)在半成品电阻中陶瓷基板1的背面贴覆膜片8,优选地,所述膜片8为蓝膜,具体参见图5;所述半成品电阻包括陶瓷基板1,所述陶瓷基板1的背面和正面分别设有若干个相对设置的背面电极层2和正面电极层3;相邻正面电极层3之间设有阻体层4,所述阻体层4上顺次设有玻璃保护层5和树脂保护层7;所述阻体层4和玻璃保护层5上对应位置处均设有调阻线6;

在本发明的一种具体实施例中,所述半成品电阻通过以下步骤制成:

在陶瓷基板1的背面和正面分别形成若干个相对设置的背面电极层2和正面电极层3;在本发明实施例的一种具体实施方式中,所述在陶瓷基板1的背面和正面分别形成若干个相对设置的背面电极层2和正面电极层3,具体为:通过丝网厚膜印刷方式将电极材料印刷于陶瓷基板1的背面和正面的对称两边,再进行烧结,烧结温度为850±5℃,从而形成背面电极层2和正面电极层3,具体参见图2;

在相邻正面电极层3之间形成阻体层4;在本发明实施例的一种具体实施方式中,具体为:通过丝网厚膜印刷方式将阻体材料印刷于相邻正面电极层3之间,再进行烧结,烧结温度为850±5℃,从而形成阻体层4;

在所述阻体层4上形成玻璃保护层5;在本发明实施例的一种具体实施方式中,具体为:通过丝网厚膜印刷方式印刷将玻璃浆料印刷于阻体层4之上,再进行烧结,烧结温度为600±5℃,形成玻璃保护层5。

对所述阻体层4和玻璃保护层5进行切割调阻,形成调阻线6;在本发明实施例的一种具体实施方式中,具体为:将经过上述步骤的半成品放入镭射激光调阻机中对其中的阻体层4进行精度修正,以满足产品规格和精度要求,具体参见图3;

在所述玻璃保护层5上形成树脂保护层7,具体参见图4;在本发明的一种具体实施例中,所述树脂保护层7通过以下方式形成:

在玻璃保护层5上表面通过丝网印刷机印刷一层树脂浆料,并进行烧结,烧结温度为: 200±10℃,从而形成树脂保护层7。

在本发明的另一种具体实施例中,所述树脂保护层7通过以下方式形成:

在玻璃保护层5上表面通过喷墨机喷涂一层树脂浆料,并进行烧结,烧结温度为:200 ±10℃,从而形成树脂保护层7。

步骤(2)对所述半成品电阻进行切割,形成若干个顺次贯穿所述正面电极层3、陶瓷基板1和背面电极层2第一切割槽9,且保证膜片8完整,具体参见图6;具体实施时,将经过上述步骤后的半成品固定在切割机的平台上,采用镭射激光方式对陶瓷基板1进行正面切割,只是将陶瓷基板1进行条状切割,背面膜片8保持完整,形成第一切割槽9,以便后续进行侧面电极的制作;

步骤(3)在各第一切割槽9内分别制作侧面电极层10;

在本发明的第一种具体实施例中,所述侧面电极层10通过以下方式形成:

采用溢流方式,在所述第一切割槽9内通过丝网印刷机溢流印刷一层树脂银浆料,连接导通对应的背面电极和正面电极层3,从而形成侧面电极层10,具体参见图7;

在本发明的第二种具体实施例中,所述侧面电极层10通过以下方式形成:

采用喷墨方式,在所述第一切割槽9内通过喷墨机喷涂一层树脂银浆料,连接导通对应的背面电极层2和正面电极层3,从而形成侧面电极层10,具体参见图8;

在本发明的第三种具体实施例中,所述侧面电极层10通过以下方式形成:

采用真空溅射方式,在所述第一切割槽9内,通过真镀机真空溅射一层镍铬合金层,连接导通对应的背面电极层2和正面电极层3,从而形成侧面电极层10,具体参见图9;

步骤(4)对各侧面电极层10进行切割,形成第二切割槽11,同时沿着与所述第二切割槽11相垂直的方向切割,形成折粒线12,最终形成粒状半成品,且保证膜片8完整,具体参见图10和11;

步骤(5)去掉膜片8,取出独立的粒状半成品;具体实施时,可以使用脱模机去掉膜片8;

步骤(6)在各粒状半成品的背面电极层2、正面电极层3和侧面电极层10表面顺次形成镍层13和锡层14,在具体实施过程中,顺次使用电镀机在所述粒状半成品的背面电极层2、正面电极层3和侧面电极层10表面进行电镀镍和电镀锡处理,形成镍层13和锡层14,具体参见图1、图12和图13。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

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