阅读说明：本技术 Gm增强型差分压控振荡器（VCO） (Gm enhanced differential Voltage Controlled Oscillator (VCO) ) 是由 殷毅 于 2019-06-24 设计创作，主要内容包括：本申请涉及一种差分考毕兹压控振荡器(VCO)电路,所述差分考毕兹VCO电路包括一对晶体管和一对耦合器,所述一对晶体管具有通过共同偏置电压偏置的控制端,所述一对耦合器被布置成交叉耦合所述晶体管的集电极/漏极和所述差分晶体管的基极/栅极。所述一对耦合器具有耦合因子k<Sub>c</Sub>,所述耦合因子用于增强所述晶体管对的跨导,因此可以用于降低功耗并且最小化相位噪声。(The present application relates to a differential colpitts Voltage Controlled Oscillator (VCO) circuit comprising a pair of transistors having control terminals biased by a common bias voltage and a pair of couplers arranged to cross-couple collectors/drains of the transistors and bases/gates of the differential transistors. The pair of couplers have a coupling factor k c The coupling factor is used to enhance the transconductance of the transistor pair and thus may be used to reduce power consumption and minimize phase noise.)

Gm增强型差分压控振荡器(VCO)

技术领域

本公开总体上涉及一种差分压控(VCO)振荡器。具体地说，本公开涉及一种具有考毕兹(Colpitts)配置的Gm增强型(跨导增强型)差分VCO。

背景技术

在过去几年中，用于实现安全和保障的汽车驾驶辅助系统(ADAS)、高吞吐量短程无线通信和无损扫描系统已经推动了毫米波硅技术的发展。例如，ADAS在W频段(75GHz到110GHz)中利用超宽带(UWB)/调频连续波(FMCW)雷达电路。完整的ADAS设备通常包括针对泊车辅助、盲点检测和碰撞缓解辅助的77-81GHz近程雷达(SRR)UWB传感器和针对前置监测和自适应巡航控制(ACC)的具有FMCW调制的76-77GHz远程雷达(LRR)传感器。目前，IEEE(802.15.TG3c)正针对数据速率为1Gbps及以上的无线个域网(WPAN)通信对57GHz到64GHz频段进行研究。而且，正在太赫兹区域内，具体地说在300GHz到3THz的频率范围内对无线通信进行研究。此外，使用脉冲波的太赫兹时域光谱技术被应用于安全检查。

在这种系统中采用的频率合成器应当提供具有宽频率范围的时钟参考，然而还期望的是功率放大器(PA)的光谱纯度和大输出功率。在基于压控振荡器(VCO)的频率合成器中，功率和带内噪声性能取决于VCO电路，所述VCO电路代表带有高频分频器(即，预分频器)的频率合成器的关键块。尽管取得了过去的发展，但是组合高输出功率振荡信号实施相位噪声(PN)低且调谐范围(TR)宽的毫米波VCO依然是有挑战性的。

已经显示，具有考毕兹配置的现有技术VCO部分地满足上述要求，但启动特性显著较差，这意味着必须接受高功耗以确保可靠启动。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种差分压控振荡器VCO电路，包括：

一对差分晶体管，所述一对差分晶体管具有通过共同偏置电压偏置的控制端；和

一对耦合器，所述一对耦合器被布置成交叉耦合所述一对晶体管的第一电流端和所述控制端，其中所述一对耦合器具有耦合因子。

在一个或多个实施例中，所述一对耦合器中的每一个耦合器包括主路径和耦合路径，

所述一对耦合器中的第一耦合器通过所述主路径耦合到所述一对晶体管中的一个晶体管并且通过所述耦合路径耦合到所述一对晶体管中的另一个晶体管，

所述一对耦合器中的第二耦合器通过所述主路径耦合到所述一对晶体管中的所述另一个晶体管并且通过所述耦合路径耦合到所述一对晶体管中的所述一个晶体管。

在一个或多个实施例中，所述一对耦合器的所述耦合路径通过互连彼此连接，

所述一对耦合器的所述耦合路径形成耦合所述一对晶体管的所述控制端的串联电路。

在一个或多个实施例中，所述共同偏置电压被馈送到所述互连中。

在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括：

偏置电压源，所述偏置电压源被布置成通过偏置电阻器供应所述共同偏置电压。

在一个或多个实施例中，所述一对耦合器是一对耦合变压器和一对基于传输线的耦合器中的一个。

在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括：

差分变压器，所述差分变压器具有初级线圈和次级线圈，所述初级线圈***在所述晶体管的第一电流端之间，所述次级线圈耦合在具有两个变容管的闭合串联电路中，所述两个变容管被布置成通过第一共同调谐电压进行调谐；和

串联电路，所述串联电路包括串联耦合到所述晶体管的第二电流端的两个另外的变容管，其中所述两个另外的变容管被布置成通过第二共同调谐电压进行调谐。

在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括：

反馈电容器，所述反馈电容器中的每一个耦合在所述晶体管中的相应晶体管的所述第一电流端与所述第二电流端之间。

在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括：

偏置电流源，所述偏置电流源耦合在所述一对晶体管的所述第二电流端与参考电位之间。

在一个或多个实施例中，所述电路是考毕兹差分电压控制器振荡器。

在一个或多个实施例中，所述初级线圈具有中心抽头，所述中心抽头被布置成接收电源电压，

所述次级线圈具有中心抽头，所述中心抽头耦合到参考电位。

在一个或多个实施例中，所述晶体管是双极型晶体管，其中所述第一电流端是集电极端，所述第二电流端是发射极端，并且所述控制端是基极端。

在一个或多个实施例中，所述晶体管是金属氧化物半导体MOS晶体管，其中所述第一电流端是漏极端，所述第二电流端是源极端，并且所述控制端是栅极端。

在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括：

第一调谐电压源，所述第一调谐电压源耦合到所述两个变容管的互连并且被布置成供应所述第一共同调谐电压。

在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括：

第二调谐电压源，所述第二调谐电压源耦合到所述两个另外的变容管的互连并且被布置成供应所述第二共同调谐电压。

本发明的这些和其它方面将根据下文中所描述的实施例显而易见，且参考这些实施例予以阐明。

附图说明

结合在本文中并形成本说明书的一部分的附图示出了本发明并且与本说明书一起进一步用于解释本发明的原理并使相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。

图1示意性地示出了用于示出根据本发明的例子的具有耦合变压器的基于双极型晶体管的Gm增强型差分考毕兹压控振荡器(VCO)的配置的电路图；

图2示意性地示出了用于示出根据本发明的另一个例子的具有耦合变压器的基于MOS晶体管的Gm增强型差分考毕兹VCO的配置的电路图；

图3示意性地示出了用于示出根据本发明的例子的具有基于传输线的耦合器的基于双极型晶体管的Gm增强型差分考毕兹压控振荡器(VCO)的配置的电路图；

图4示意性地示出了用于示出根据本发明的另一个例子的具有基于传输线的耦合器的基于MOS晶体管的Gm增强型差分考毕兹VCO的配置的电路图；并且

图5a到图5d示意性地示出了根据本发明的例子的适用于以上具体化的Gm增强型差分考毕兹VCO的示例性的基于传输线的耦合器的布局。

具体实施方式

下文将参照附图详细地描述本公开的实施例。要注意的是，相同的附图标记在附图中用于表示相同或相当的要素，并且将不重复对其进行描述。下文阐述的实施例表示使本领域的技术人员能够实践本发明的必要信息。在根据附图阅读以下说明之后，本领域的技术人员将理解本发明的概念并且将认识到本文未特别提出的这些概念的应用。应当理解的是，这些概念和应用落入本公开和随附权利要求的范围内。

参照图1，示出了用于示出根据本发明的例子的Gm增强型差分压控振荡器(VCO)的配置的电路示意图。差分VCO 100是考毕兹VCO并且采用的是具有正输出端V_out+110和负输出端V_out-115的差分VCO电路的形式。应当注意的是，在本说明书的上下文中，差分信号可以包括幅度相同但相位相反的两个分量。差分信号可以通过两个端提供。

差分VCO包括两个有源装置，在这种情况下为第一晶体管130和第二晶体管135。可以使用任何类型的晶体管或适合的有源装置。分别为晶体管130和135的有源装置的性质可以是相同的以提供对称有源装置。具体地说，所述两个有源装置是双极型晶体管130和135；更具体地说，所述两个有源装置是双极型结型晶体管130和135。可以考虑将适合于高频率的晶体管用于或用作有源装置，具体地说NPN型晶体管。正输出端V_out+110和负输出端V_out-115耦合到晶体管130和135中的相应晶体管的集电极。

在所示配置中，双极型晶体管130和135形成双极型晶体管130和135的平衡差分对。电容器120和125并联耦合到晶体管130和135的集电极-发射极路径。电容器120和电容器125形成反馈电容器，所述反馈电容器中的每一个连接到晶体管130和135中的相应晶体管的集电极和发射极。电容器120和125将正反馈从晶体管130和135中的相应晶体管的发射极提供到集电极。将电容器120和125的电容选择为相等是可行的。

被偏置为处于电源电压V_dd 140的线圈155耦合到晶体管130和135的集电极，使得晶体管130和135的集电极通过线圈155彼此耦合。晶体管130和135的集电极耦合到线圈155的端部抽头中的相应端部抽头。在一个例子中，电源电压V_dd 140供应到线圈155；具体地说，电源电压V_dd 140供应到线圈155的中心抽头。例如，电源电压V_dd可以是2.5V或更低或更高(例如，3.3V或5V)。

晶体管130和135的发射极分别通过变容管170和175另外连接到共同参考接地。变容管170和175的电容可通过调谐电压源200提供以对变容管170和175的互连共同网进行供应的调谐电压V_tune2进行调谐。调谐电压V_tune2由直流电压源提供或以电流镜电压的形式提供，例如，由电流镜电路提供。将变容管170和175的电容选择为相等是可行的。变容管170和175对适当调谐电压范围内的变化的调谐电压V_tune2可以具有基本上相同的电容依赖性。在所示配置中，变容管170和175串联***在晶体管130和135的发射极之间。变容管170和175的电容调谐通过单端调谐电压V_tune2控制实现。

在差分VCO中，偏置电流源190分别为晶体管130和晶体管135提供偏置电流I_b。偏置电流源190可以提供直流偏置电流I_b。在一个例子中，偏置电流源190***在晶体管130和135的发射极与如接地电位等最低参考电位之间。在一个例子中，晶体管130和135两者的发射极通过互连连接在一起，偏置电流源190***在所述互连与最低参考电位之间。

线圈155是变压器150的初级(或主)线圈155，所述变压器150包括与初级线圈155电感耦合的次级线圈156。次级线圈156串联连接到变容管220和225，所述变容管220和225的电容可通过调谐电压源230向变容管220和225的共同互连网提供的调谐电压V_tune1进行调谐。调谐电压V_tune1由直流电压源提供或以电流镜电压的形式提供，例如，由电流镜电路提供。变容管220和225的电容调谐通过单端调谐电压V_tune1控制实现。将变容管220和225的电容选择为相等是可行的。变容管220和225可以响应于适当调谐电压范围内的变化的调谐电压V_tune1而改变电容。在所示配置中，变容管220和225与次级线圈156的端部抽头中的相应端部抽头串联连接。次级线圈156的中心抽头供应到最低参考电位。具体地说，次级线圈156的中心抽头被设定为如接地等最低参考电位以便在给定供应内获得最大调谐范围。

差分VCO的主频率调谐通过变压器耦合的变容管对220和225实现。变压器耦合的变容管对220和225实现对振荡器频率的宽范围调谐，例如，对W频段中的振荡器频率的调谐。例如，变压器耦合的变容管对220和225实现对包括LRR频率范围(76-77GHz)和SRR频率范围(77-81GHz)的频率范围内的振荡器频率的调谐。例如，变压器耦合的变容管对220和225实现对包括IEEE 802.15.TG3c WPAN通信的57-64GHz频段的频率范围内的振荡器频率的调谐。差分VCO的频率调谐范围通过发射极侧布置的变容管对170和175进一步扩大，所述发射极侧布置的变容管对170和175不仅针对例如LRR和SRR应用实现宽调谐范围，而且尤其可以用于补偿由于工艺、供应和温度变化(PVT)造成的振荡频率漂移。

晶体管130和135的基极端和集电极端使用具有耦合因子k_c的耦合变压器180和185交叉耦合。耦合器180和185中的每一个分别包括初级(或主)线圈181和186并且分别包括次级(或耦合)线圈182和187。初级线圈181和186分别形成主(或初级)路径，并且次级线圈182和187分别形成耦合(或次级)路径。耦合变压器180和185中的每一个将主路径上的主信号的电磁功率的限定量耦合到耦合路径上的耦合信号中。所述限定量由耦合因子k_c表示。耦合器180和185的主路径分别串联连接在晶体管130和135的集电极端中的相应集电极端与初级线圈155的端部抽头中的相应端部抽头之间。耦合器180和185的耦合路径交叉耦合到晶体管130和135的基极端。主路径耦合到晶体管130的集电极端的耦合器180通过其耦合路径耦合到晶体管135的基极端，并且主路径耦合到晶体管135的集电极端的耦合器185通过其耦合路径耦合到晶体管130的基极端。因此，耦合器180和185中耦合到晶体管130和135中的一个的集电极端的相应耦合器的耦合信号侧的耦合信号交叉耦合到晶体管130和135中的相应另一个的基极端。

在一个例子中，共同偏置电压V_bias另外供应到晶体管130和135的基极端。例如，偏置电压源160***在最低参考电位(如接地)与耦合器180和185之间。具体地说，偏置电压源160***在最低参考电位与耦合器180和185的耦合路径的共同互连网(例如，连接耦合器180和185的次级线圈182和187的第二端部抽头的共同互连网)之间。可以在偏置电压源160与晶体管130和135的基极端之间布置偏置电阻器165。在一个例子中，耦合器180和185的耦合路径布置在交叉耦合晶体管130和135的基极端的串联电路中。

被布置成交叉耦合晶体管130和135的集电极端和基极端的耦合器180和185使晶体管130和135的集电极端处存在的差分信号耦合到晶体管130和135中的相应另一个的基极端，这有效地将有效跨导修改因子1+A，其中A＝k_c(1+C₁/C_var3)，其中k_c是耦合器180的耦合因子，C₁是电容器120的电容，并且C_var3是变容管170的电容。因此，因为需要更少的偏置电流，所以差分VCO的启动行为得到有效改善。偏置电流的减少带来的另外的效果是源自晶体管对130和135的信道噪声减小并且对噪声的贡献降低。

此外，通过调整耦合因子k_c，可以实现跨电流噪声源的任选电荷摆幅和与噪声源相关联的有效脉冲灵敏度函数(ISF)的最佳RMS(均方根)值，从而实现优化的相位噪声。

关于晶体管的集电极的小信号导纳如下：

其中g_m是晶体管130的集电极跨导，C₁是电容器120的电容，C_var3是变容管170的电容，k_c是耦合器180的耦合因子，并且ω是差分VCO的圆频率。应当注意的是，另外假设的是，晶体管130和135、电容器120和125以及变容管170和175具有相同的性质和规格。这意味着差分VCO的部件的性质和规格关于虚拟接地平面对称。

作为基于耦合器的交叉耦合的贡献的因子1+k_c(1+C₁/C_var3)会增加负小信号电导的量。贡献A＝k_c(1+C₁/C_var3)可以理解为Gm增强因子。

关于图1，示出并描述了Gm增强型差分VCO的例子，所述Gm增强型差分VCO包括作为有源装置的双极型晶体管130和135。具体地说，SiGe双极型晶体管130和135可以提供期望的高频特性。然而，Gm增强型差分VCO的实施方案不应被理解成限制于作为有源装置的双极型晶体管130和135。MOS(金属氧化物半导体)晶体管并且具体地说是NMOS(n型金属氧化物半导体)晶体管也可以用作有源装置。

现在参照图2，示出了用于示出根据本发明的例子的Gm增强型差分VCO并且具体地说是Gm增强型差分考毕兹VCO的另一种配置的电路示意图。性质可以相同以提供对称有源装置的分别为晶体管130和135的有源装置是MOS晶体管130′和135′；更具体地说，所述两个有源装置是采用平衡配置的NMOS晶体管130′和135′。电路的剩余部分基本上对应于参照图1描述的部分。因此，上文的描述基本上同样适用于图2的配置，条件是与双极型晶体管130和135的端相关的技术术语被转换成与MOS晶体管130′和135′的端相关的技术术语。本领域的技术人员将立即理解的是，在双极型晶体管的上下文中使用的术语“集电极”、“发射极”和“基极”转换成MOS晶体管的对应术语“漏极”、“源极”和“栅极”。因此，省略重复。

为了进行说明，集电极端和漏极端还将被称为第一电流端，发射极端和漏极端还将被称为第二电流端，并且基极端和栅极端还将被称为控制端。

关于图1和图2，示出并描述了Gm增强型差分VCO的例子，所述Gm增强型差分VCO包括用于交叉耦合晶体管130/130′和135/135′的基极/栅极端和集电极/漏极端的耦合变压器。然而，Gm增强型差分VCO的实施方案不应被理解成限制于用于交叉耦合的耦合变压器。

现在参照图3和图4，示出了用于示出根据本发明的另外例子的具有基于传输线的耦合器的Gm增强型差分考毕兹VCO的配置的电路示意图。图3示意性地示出了具有作为有源装置的双极型晶体管130和135的Gm增强型差分VCO的例子，而图4示意性地示出了具有作为有源装置的MOS晶体管130′和135′的Gm增强型差分VCO的例子。上文参照图2进行的关于双极型晶体管130和135和MOS晶体管130′和135′的描述同样适用。应当注意的是，下文将对耦合器180和185进行讨论，因为电路的剩余部分基本上对应于分别参照图1和图2描述的部分。

类似于图1和图2，使用具有耦合因子k_c的基于耦合传输线的耦合器180′和185′将晶体管130/130′和135/135′的基极/栅极端和集电极/漏极端交叉耦合。

耦合器180′和185′中的每一个分别包括初级(或主)传输线181′和186′，并且分别包括次级(或耦合)传输线182′和187′。初级传输线181′和186′分别形成主(或初级)路径，并且次级传输线182′和187′分别形成耦合(或次级)路径。耦合器180′和185′中的每一个将主路径上的主信号的电磁功率的限定量耦合到耦合路径上的耦合信号中。所述限定量由耦合因子k_c表示。耦合器180′和185′的主路径分别串联连接在晶体管130/130′和135/135′的集电极/漏极端中的相应集电极/漏极端与初级线圈155的端部抽头中的相应端部抽头之间。耦合器180′和185′的耦合路径交叉耦合到晶体管130/130′和135/135′的基极/栅极端。主路径耦合到晶体管130/130′的集电极/漏极端的耦合器180′通过其耦合路径耦合到晶体管135/135′的基极/栅极端，并且主路径耦合到晶体管135/135′的集电极/漏极端的耦合器185′通过其耦合路径耦合到晶体管130/130′的基极/栅极端。因此，耦合器180′和185′中耦合到晶体管130/130′和135/135′中的一个的集电极/漏极端的相应耦合器的耦合信号侧的耦合信号交叉耦合到晶体管130/130′和135/135′中的相应另一个的基极/栅极端。

在一个例子中，共同偏置电压V_bias另外供应到晶体管130/130′和l35/135′的基极/栅极端。例如，偏置电压源160***在最低参考电位(如接地)与耦合器180′和185′之间。具体地说，偏置电压源160***在最低参考电位与耦合器180′和185′的耦合路径的共同互连网(例如，连接耦合器180′和185′的次级传输线182′和187′的共同互连网)之间。可以在偏置电压源160与晶体管130/130′和135/135′的基极/栅极端之间布置偏置电阻器165。在一个例子中，耦合器180和185的耦合路径布置在交叉耦合晶体管130/130′和135/135′的基极/栅极端的串联电路中。

被布置成交叉耦合晶体管130/130′和135/135′的集电极/漏极端和基极/栅极端的耦合器180′和185′向晶体管130/130′和135/135′中的相应另一个的基极/栅极端提供差分耦合信号(在晶体管130/130′和135/135′的集电极/漏极端处与主信号解耦)。交叉耦合有效地将有效跨导修改因子1+A，其中A＝k_c(1+C₁/C_var3)，k_c是耦合器180的耦合因子，C₁是电容器120的电容，并且C_var3是变容管170的电容。因此，因为需要更少的偏置电流，所以差分VCO的启动行为得到有效改善。偏置电流的减少带来的另外的效果是源自晶体管对130/130′和135/135′的信道噪声减小并且对噪声的贡献降低。

现在参照图5a到图5d，示出了根据本发明的例子的适用于以上描述的Gm增强型差分考毕兹VCO的基于传输线的耦合器的示意性布局。

如例如图5a和图5b所示，耦合器180′和185′可以通过具有共同接地平面的两个顶部金属带实施。在图5a中示出的例子中，金属带的部分被布置成重叠。除了别的之外，耦合因子k_c由所述两个顶部金属带的重叠部分的尺寸决定。因此，调整耦合因子k_c可通过调整重叠部分的尺寸实现。在图5b中示出的另外的例子中，所述两个金属带310和315可以被布置成在共同接地平面330(由绝缘体320分离)上方的共同层中共面。除了别的之外，耦合因子k_c由所述两个顶部金属带的尺寸和间隔决定。因此，调整耦合因子k_c可通过调整共面布置的金属带的尺寸和间隔实现。金属带可以是微波传输带。

在另外的例子中，还可以将混合耦合器用于进行交叉耦合。例如，图5c示出了耦合线耦合器，并且图5d示出了支线耦合器。耦合线耦合器由例如两条传输线构成。支线耦合器例如由通过两条次级分支传输线串联连接的两条主传输线构成。耦合器具有对称的四端口布局。第一端口被称为输入端口，第二端口和第三端口被称为输出端口，并且第四端口被称为隔离端口。第二端口还被称为直接或通过端口，并且第三端口被称为耦合端口。在一个例子中，耦合端口用于将晶体管130/130′和135/135′中的一个的集电极/栅极端交叉耦合到晶体管130/130′和135/135′中的相应另一个的基极/栅极端。隔离端口用于通过共同互连网将耦合器180′和185′耦合，可以将共同偏置电压V_bias馈送到所述共同互连网中。

应当注意的是，本发明不限于上文所述的示例性耦合器。事实上，将来自主路径的信号功率的一部分耦合到次级路径中的任何类型的耦合装置可以与根据本发明的Gm增强型差分VCO的实施例一起使用。

根据本申请的例子，提供了一种差分VCO电路，所述差分VCO电路包括一对晶体管和一对耦合器，所述一对晶体管具有通过共同偏置电压偏置的控制端，并且所述一对耦合器被布置成交叉耦合所述一对晶体管的第一电流端和所述控制端。所述一对耦合器具有耦合因子k_c。

在一个例子中，所述一对耦合器中的每个耦合器包括主路径和耦合路径。所述一对耦合器中的第一耦合器通过所述主路径耦合到所述一对晶体管中的一个并且通过所述耦合路径耦合到所述一对晶体管中的另一个。所述一对耦合器中的第二耦合器通过所述主路径耦合到所述一对晶体管中的所述另一个并且通过所述耦合路径耦合到所述一对晶体管中的所述一个。

在一个例子中，所述一对耦合器的所述耦合路径通过互连彼此连接。所述一对耦合器的所述耦合路径形成耦合所述一对晶体管的所述控制端的串联电路。

在一个例子中，所述共同偏置电压馈送到所述互连中。

在一个例子中，所述电路另外包括偏置电压源，所述偏置电压源被布置成通过偏置电阻器供应所述共同偏置电压。

在一个例子中，所述一对耦合器是一对耦合变压器和一对基于传输线的耦合器中的一个。

在一个例子中，所述电路另外包括差分变压器，所述差分变压器具有初级线圈和次级线圈，所述初级线圈***在所述晶体管的第一电流端之间，并且所述次级线圈耦合在具有两个变容管的闭合串联电路中，所述两个变容管被布置成通过第一共同调谐电压进行调谐。所述电路另外包括串联电路，所述串联电路包括串联耦合到所述晶体管的第二电流端的两个另外的变容管。所述两个另外的变容管被布置成通过第二共同调谐电压进行调谐。

在一个例子中，所述电路另外包括反馈电容器，所述反馈电容器中的每一个耦合在所述晶体管中的相应晶体管的所述第一电流端与所述第二电流端之间。

在一个例子中，所述电路另外包括偏置电流源，所述偏置电流源耦合在所述一对晶体管的所述第二电流端与参考电位之间。

在一个例子中，所述电路是考毕兹差分电压控制器振荡器。

在一个例子中，所述初级线圈具有中心抽头，所述中心抽头被布置成接收电源电压。所述次级线圈具有中心抽头，所述中心抽头耦合到参考电位。

在一个例子中，所述晶体管为双极型晶体管。所述第一电流端是集电极端，所述第二电流端是发射极端，并且所述控制端是基极端。

在一个例子中，所述晶体管为MOS晶体管。所述第一电流端是漏极端，所述第二电流端是源极端，并且所述控制端是栅极端。

在一个例子中，所述电路另外包括第一调谐电压源，所述第一调谐电压源耦合到所述两个变容管的互连并且被布置成供应所述第一共同调谐电压。

在一个例子中，所述电路另外包括第二调谐电压源，所述第二调谐电压源耦合到所述两个另外的变容管的互连并且被布置成供应所述第二共同调谐电压。

在前面的说明书中，已经参考本发明的实施例的具体例子描述了本发明。然而，将明显的是，可以在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的更广的精神和范围的情况下对其做出各种修改和改变。

例如，本文描述的半导体衬底可以是任何半导体材料或材料组合，如砷化镓、硅锗、绝缘体上硅(SOI)、硅、单晶硅等以及上述各项的组合。

本文讨论的连接或耦合可以是适合于例如通过中间装置来往于相应节点、单元或装置传送信号的任何类型的连接或耦合。术语耦合和连接，对应地被耦合和被连接可以互换使用。因此，除非另有暗示或说明，否则连接可以是例如直接连接或间接连接。可以关于单个连接、多个连接、单向连接或双向连接对所述连接进行说明或描述。然而，不同实施例可以改变连接的实施方案。例如，可以使用单独的单向连接而不使用双向连接，并且反之亦然。而且，多个连接可以用连续地或以时分复用的方式传送多个信号的单个连接代替。同样，承载多个信号的单一连接可以被分成承载这些信号的子集的各种不同连接。因此，存在许多用于传送信号的选项。

本文所描述的每个信号可以被设计为差分正模拟信号或负模拟信号。在负模拟信号的情况下，所述信号是相对于与模拟接地电平零相对应的共模DC信号而言的。在正模拟信号的情况下，所述信号比共模DC信号高。注意，本文描述的差分信号中的任何差分信号可以被设计为正信号或负信号。

本领域的技术人员将认识到，功能块之间的界限仅仅是说明性的，并且替代性实施例可能合并功能块或电路元件或向各个块或电路元件添加功能的替代分解。因此，应理解的是，本文描绘的架构仅仅是示例性的，并且实际上可以实施实现相同功能的许多其它架构。例如，感应线圈和电阻器可以被集成到一个元件中。

用于实现相同功能的部件的任何布置被有效“关联”，使得期望功能得以实现。因此，本文中被组合以实现特定功能的任何两个部件可以被视为彼此“相关联”，使得期望功能被实现，而不论架构或中间部件如何。同样，如此关联的任何两个部件也可以被视为彼此“可操作地连接”或“可操作地耦合”以实现期望功能。

另外，本领域的技术人员将认识到，上文所描述的操作之间的界限仅仅是说明性的。可以将多个操作组合成单个操作，可以使单个操作分布于另外的操作中，并且可以在时间上至少部分重叠地执行操作。此外，替代性实施例可以包括特定操作的多个实例，并且在各个其它实施例中可以改变操作的顺序。

而且，在一个实施例中，所示出的例子可以被实施为定位在单个集成电路上或同一装置内的电路系统。例如，可以将振荡器电路的所有部件集成在一个衬底上。可替换的是，所述例子可以被实施为以合适的方式彼此互连的任何数量的单独集成电路或单独装置。例如，可以在与设置振荡器芯的衬底不同的衬底上部分地或完全地设置输出分支中的一个或多于一个。

而且，所述例子、实施例或其部分可以被实施为物理电路系统或可以如以任何合适类型的硬件描述语言转换成物理电路系统的逻辑表示的软表示或代码表示。

而且，本发明不限于在不可编程硬件中实施的物理装置或单元，但也可以应用于能够通过根据合适的程序代码运行来执行期望装置功能的可编程装置或单元中，所述可编程装置或单元如在本申请中被共同表示为“计算机系统”的主机、微型计算机、服务器、工作站、个人计算机、笔记本计算机、个人数字助理、电子游戏、汽车和其它嵌入式系统、手机和各种其它无线装置。

然而，其它修改、变更和替代方案也是可能的。因此，说明书和附图将被视为是说明性的，而不是限制性的。

在权利要求中，括号内的任何附图标记不应解释为限制权利要求。“包括”一词不排除存在除了权利要求中列出的元件或步骤之外的元件或步骤。此外，如本文所用的术语“一个或一种(a或an)”被定义为一个或多于一个。而且，在权利要求中使用如“至少一个”和“一个或多个”等引入性短语不应被解释为暗示通过不定冠词“一个或一种(a或an)”引入的另一权利要求要素将包含这种所引入权利要求要素的任何特定权利要求限于仅包含一个这种要素的发明，甚至是在同一权利要求包括引入性短语“一个或多个”或“至少一个”以及如“一个或一种(a或an)”等不定冠词时也是如此。对于定冠词的使用也是如此。除非另有说明，否则如“第一”和“第二”等术语用于任意区分这种术语描述的要素。因此，这些术语不一定旨在指示这种要素的时间优先次序或其它优先次序。在彼此不同的权利要求中叙述了某些措施的简单事实并不表明这些措施的组合不能被有利地使用。