阅读说明：本技术 用于湿法蚀刻氮化硅的组合物 (Composition for wet etching silicon nitride ) 是由 李锡浩 宋定桓 全成植 赵诚一 金炳卓 林娥铉 李浚宇 于 2019-05-30 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种用于湿法蚀刻氮化硅膜的组合物,其包含无机酸、硅化合物和水,但不含氟。该组合物能够选择性地除去氮化硅膜,同时对底层金属膜的损伤和氧化硅膜的蚀刻速率最小化。(The present invention provides a composition for wet etching a silicon nitride film, which contains an inorganic acid, a silicon compound and water, but does not contain fluorine. The composition is capable of selectively removing a silicon nitride film while minimizing damage to an underlying metal film and an etching rate of a silicon oxide film.)

用于湿法蚀刻氮化硅的组合物

相关申请的交叉引用

本发明要求韩国专利申请No.10-2018-0062247的优先权，其公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种用于氮化硅膜的蚀刻剂组合物，更具体地，涉及一种对氮化硅膜具有高选择性的蚀刻剂组合物。该蚀刻剂组合物在半导体工艺中用于蚀刻掉氮化硅膜，并且在高温蚀刻工艺中，相比于氧化硅膜，选择性地对氮化硅膜具有更高的蚀刻速率。

背景技术

半导体制造工艺需要能够通过引入三维结构而连续增加集成密度的堆叠结构形成技术。在半导体制造工艺中，作为代表性绝缘膜的氧化硅膜(SiO₂)和氮化硅膜(SiNx)被单独堆叠或以交替顺序堆叠成一个或多个膜并使用，并且，这种氧化物膜和氮化物膜还可用作硬掩模，以形成诸如金属布线的导电图案。氮化硅膜和氧化硅膜是形成用于形成三维NAND闪存栅极的堆叠结构的主要绝缘膜。

为了形成堆叠结构，可以通过使用例如含有磷酸的蚀刻剂或蚀刻剂组合物的湿法蚀刻工艺来去除氮化硅膜。此外，根据形成包括在半导体器件中的各种图案的需要，可能需要选择性蚀刻氮化硅膜的工艺。需要具有高选择性的蚀刻剂组合物来选择性蚀刻在氧化硅膜上的氮化硅膜。

韩国专利申请公开No.10-2005-0003163公开了一种用于半导体器件氮化物膜的含有磷酸和氢氟酸的蚀刻剂。然而，当蚀刻剂中包含氢氟酸时，这也将导致氧化硅膜的去除，在这种情况下，不可能确保对氧化物膜上的氮化物膜具有足够的蚀刻选择性，并且还存在由于氧化硅膜的损坏、图案的坍塌、氧化硅膜的再生长等，蚀刻剂不能用于具有高度堆叠结构图案中的问题。

另外，在去除氮化物膜的湿法蚀刻工艺中，通常使用磷酸和去离子水的混合物。添加去离子水以防止蚀刻速率的降低和对氧化物膜蚀刻选择性的改变，但是存在即使去离子水量的微小变化也会导致蚀刻氮化物膜过程中缺陷的问题。为了解决该问题，韩国授权专利No.10-1730453中公开了一种通过使用除磷酸之外还包含氢氟酸、硝酸等的蚀刻剂组合物来去除氮化物膜的技术，但这导致氮化物膜和氧化物膜的蚀刻选择性降低。

韩国授权专利No.10-1097275公开了一种用于蚀刻氮化硅膜的组合物，其除磷酸外还含有肟硅烷。然而，由于组合物具有低溶解度，因此存在颗粒在半导体衬底或氧化硅膜上被吸附和产生的问题。

为了解决这些问题，在相关技术中，已研究了通过使用添加剂抑制氧化硅膜的蚀刻来提高选择性蚀刻速率的技术，例如硅酸盐、氟硅酸、氟硅酸盐等的氧化硅膜蚀刻抑制剂，或是氮化硅膜蚀刻增强剂。韩国授权专利No.10-1730454公开了一种含有磷酸、包含硅-氟键的硅-氟化合物、基于磺酰亚胺的吸附抑制剂、基于聚合物的吸附抑制剂和水的蚀刻剂组合物作为基于氮化物的蚀刻剂组合物。然而，存在的问题在于添加剂增加了组合物中的硅浓度，并且氧化硅膜在处理时间内重新生长。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许公开No.1997-045660

专利文献2：韩国授权专利No.10-1730453

专利文献3：韩国授权专利No.10-1097275

专利文献4：韩国授权专利No.10-1730454

发明内容

本发明的目的在于提供一种蚀刻剂组合物，其能够在选择性去除氮化硅膜时使氧化硅膜的蚀刻速率最小化，并且不存在诸如在氧化硅膜的表面上产生颗粒、不希望的氮化硅膜去除等问题。

根据本发明实施例的用于蚀刻的组合物包含无机酸、由化学式1表示的硅基化合物和水，但不含氟：

【化学式1】

(R1)₃-Si-R2-Si-(R1)₃

其中，R1独立地为氢原子、羟基、C1～C10烷基或C1～C10烷氧基，六个R1中的至少两个为羟基或C1～C10烷氧基，R2为可被取代的C2～C10亚烷基，该取代包括用取代基取代官能团中所含的一个H或至少一个H，该取代基可包括选自苄基、联苯基、胺基、二硫化物基及其组合中的取代基。

无机酸可以是选自硫酸、硝酸、磷酸及其混合物中的任意一种。硅基化合物的量可以是组合物的总重量的0.005至1wt％。

用于蚀刻的组合物可以进一步包含基于用于蚀刻的组合物总重量0.01至1wt％的铵基化合物，该铵基化合物可以是选自氨水、乙酸铵及其混合物中的任意一种。

用于蚀刻的组合物在120℃至190℃的温度有效地抑制氧化硅膜的蚀刻，并且在160℃时，具有比氧化硅膜的蚀刻速率快至少200倍的氮化硅膜的蚀刻速率。

根据本发明另一实施例的用于蚀刻的组合物包含无机酸、由化学式2的化合物与磷酸在170℃至220℃下在无水状态下反应得到的硅基产物和水，但不含氟。

【化学式2】

(R3)₃-Si-R4-Si-(R3)₃

其中，R3独立地为氢原子、卤原子、羟基、C1～C6烷基或C1～C6烷氧基，六个R3中的至少两个为卤原子、羟基或C1～C6烷氧基，R4为可被取代的C2～C10亚烷基，该取代包括用取代基取代官能团中所含的一个H或至少一个H，该取代基可包括选自苄基、联苯基、胺基、二硫化物基及其组合中的取代基。

无机酸可以是选自硫酸、硝酸、磷酸及其混合物中的任意一种。硅基产物的量可以是组合物的总重量的0.005至1wt％。用于蚀刻的组合物可以进一步包含基于用于蚀刻的组合物总重量0.01至1wt％的铵基化合物，该铵基化合物可以是选自氨水、乙酸铵及其混合物中的任意一种。

用于蚀刻的组合物在120℃至190℃的温度有效防止氧化硅膜的蚀刻，并且在160℃时，可具有比氧化硅的蚀刻速率快至少200倍的氮化硅膜的蚀刻速率。

根据本发明的用于蚀刻的组合物对氮化硅膜具有比对氧化硅膜更高的蚀刻选择性。另外，由于氧化硅膜的蚀刻速率是可控的，并且对诸如多晶硅的底层的选择性也是优异的，因此在半导体制造工艺中被允许广泛应用，并且氧化硅膜表面上的颗粒吸附以及不希望的氮化硅膜去除的问题可以得到改善。

具体实施方式

本发明实施方式涉及一种蚀刻剂组合物，其包含磷酸、硅基化合物和水，但不含氟。该蚀刻剂组合物能够选择性地蚀刻氮化硅膜，同时抑制对底层金属膜等的损害以及对氧化硅膜的蚀刻。

更具体地，该实施方式涉及一种选择性氮化硅膜蚀刻剂组合物，其能够在半导体、动态随机存取存储器(DRAM)和NAND闪存的制造过程中选择性地湿法蚀刻氮化硅膜，其中该组合物具有至少200倍更高的蚀刻选择性。

在下文中，将描述本发明的具体实施方式。然而，这仅是示例，但本发明不限于此。

无机酸是选自硫酸、硝酸、磷酸及其混合物中的任意一种。优选地，无机酸可以是磷酸。磷酸对于确保氮化硅膜的蚀刻选择性和蚀刻速率是最优选的，并且可以与其他无机酸混合并用于调节氮化硅膜和氧化硅膜的选择性。基于蚀刻剂组合物的总重量，组合物中无机酸的含量优选为80至90wt％。当含量低于80wt％时，存在氮化硅膜的蚀刻速率低的问题，而当其高于90wt％时，则不能获得氮化硅膜对氧化硅膜的高选择性。

硅基化合物具有如下化学式1表示的结构。

【化学式1】

(R1)₃-Si-R2-Si-(R1)₃

在化学式1中，R1独立地为氢原子、羟基、C1～C10烷基或C1～C10烷氧基，六个R1中的至少两个为羟基或C1～C10烷氧基，R2为可被取代的C2～C10亚烷基，该取代包括用取代基取代官能团中所含的一个H或至少一个H，该取代基可包括选自苄基、联苯基、胺基、二硫化物基及其组合中的取代基。

具体地，由化学式1表示的硅基化合物可以是羟基硅烷或烷氧基硅烷化合物。

羟基硅烷化合物可以是选自双三羟甲硅烷基乙烷、双二甲基羟基甲硅烷基乙烷、双甲基二羟基甲硅烷基乙烷、双二羟基甲硅烷基乙烷、双羟基甲硅烷基乙烷、双三羟基甲硅烷基辛烷、双二甲基羟基甲硅烷基辛烷、双甲基二羟基甲硅烷基辛烷、双二羟基甲硅烷基辛烷、双羟基甲硅烷基辛烷、双三羟甲硅烷基苯、双二甲基羟基甲硅烷基苯、双甲基二羟基甲硅烷基苯、双二羟基甲硅烷基苯、双羟基甲硅烷基苯、双三羟基甲硅烷基联苯、双二甲基羟基甲硅烷基联苯、双甲基二羟基甲硅烷基联苯、双二羟基甲硅烷基联苯、双羟基甲硅烷基联苯、双三羟即甲硅烷基丙胺、双二甲基羟基甲硅烷基丙胺、双甲基二羟基甲硅烷基丙胺、双二羟基甲硅烷基丙胺、双羟基甲硅烷基丙胺、双三羟基甲硅烷基丙基二硫化物、双二甲基羟基甲硅烷基丙基二硫化物、双甲基二羟基甲硅烷基丙基二硫化物、双二羟基甲硅烷基丙基二硫化物、双羟基甲硅烷基丙基二硫化物及其混合物中的任意一种。

烷氧基硅烷化合物可以是选自双三甲氧基甲硅烷基乙烷、双二甲基甲氧基甲硅烷基乙烷、双甲基二甲氧基甲硅烷基乙烷、双二乙基甲氧基甲硅烷基乙烷、二乙基二甲氧基甲硅烷基乙烷、双三乙氧基甲硅烷基乙烷、双二甲基乙氧基甲硅烷基乙烷、二甲基二乙氧基甲硅烷基乙烷、双二乙基乙氧基甲硅烷基乙烷、双乙基二乙氧基甲硅烷基乙烷、双三甲氧基甲硅烷基辛烷、双二甲基甲氧基甲硅烷基辛烷、双甲基二甲氧基甲硅烷基辛烷、双二乙基甲氧基甲硅烷基辛烷、双乙基二甲氧基甲硅烷基辛烷、双三乙氧基甲硅烷基辛烷、双二甲基乙氧基甲硅烷基辛烷、双甲基二乙氧基甲硅烷基辛烷、双二乙基乙氧基甲硅烷基辛烷、双乙基二乙氧基甲硅烷基辛烷、双三甲氧基甲硅烷基苯、双二甲基甲氧基甲硅烷基苯、双甲基二甲氧基甲硅烷基苯、双二乙基甲氧基甲硅烷基苯、双乙基二甲氧基甲硅烷基苯、双三乙氧基甲硅烷基苯、双二甲基乙氧基甲硅烷基苯、双甲基二乙氧基甲硅烷基苯、双二乙基乙氧基甲硅烷基苯、双乙基二乙氧基甲硅烷基苯、双三甲氧基甲硅烷基联苯、双二甲基甲氧基甲硅烷基联苯、双甲基二甲氧基甲硅烷基联苯、双二乙基甲氧基甲硅烷基联苯、双乙基二甲氧基甲硅烷基联苯、双三乙氧基甲硅烷基联苯、双二甲基乙氧基甲硅烷基联苯、双甲基二乙氧基甲硅烷基联苯、双二乙基乙氧基甲硅烷基联苯、双乙基二乙氧基甲硅烷基联苯、双三甲氧基甲硅烷基丙胺、双二甲基甲氧基甲硅烷基丙胺、双甲基二甲氧基甲硅烷基丙胺、双二乙基甲氧基甲硅烷基丙胺、双乙基二甲氧基甲硅烷基丙胺、双三乙氧基甲硅烷基丙胺、双二甲基乙氧基甲硅烷基丙胺、双甲基二乙氧基甲硅烷基丙胺、双二乙基乙氧基甲硅烷基丙胺、双乙基二乙氧基甲硅烷基丙胺、双三甲氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双二甲基甲氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双甲基二甲氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双二乙基甲氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双乙基二甲氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双三乙氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双二甲基乙氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双甲基二乙氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双二乙基乙氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双乙基二乙氧基甲硅烷基丙基二硫化物及其混合物中的任意一种。

硅基化合物的含量没有特别限制，但可以在组合物的总重量的0.005至1wt％范围内。当含量低于0.005wt％时，对氧化硅膜的抗蚀刻效果变差，当高于1wt％时，降低了对氮化硅膜和氧化硅膜的选择性改善，并且可能会发生诸如氮化硅膜的蚀刻失败或氧化硅膜表面上残留颗粒的问题。

用于蚀刻的组合物还可以包含基于用于蚀刻的组合物总重量0.01至1wt％的铵基化合物。该铵基化合物可选自氨水、乙酸铵及其混合物。已知铵基化合物随时间推移均匀地蚀刻氮化硅膜。当铵基化合物的加入量低于0.01wt％时，保持选择性的效果可能不足，当加入量高于1wt％时，氮化硅膜的蚀刻速率可能会降低。

用于蚀刻的组合物在120℃至190℃的温度有效防止氧化硅膜的蚀刻，并且在160℃时，可具有比氧化硅膜的蚀刻速率快至少200倍的氮化硅膜的蚀刻速率。

根据本发明另一实施方式的用于蚀刻的组合物包含无机酸、由化学式2的化合物与磷酸在170℃至220℃下在无水状态下反应得到的硅基产物和水，但不含氟。

【化学式2】

(R3)₃-Si-R4-Si-(R3)₃

在化学式2中，R3独立地为氢原子、卤原子、羟基、C1～C6烷基或C1～C6烷氧基，六个R3中的至少两个为卤原子、羟基或C1～C6烷氧基，R4为可被取代的C2～C10亚烷基，该取代包括用取代基取代官能团中所含的一个H或至少一个H，该取代基可包括选自苄基、联苯基、胺基、二硫化物基及其组合中的取代基。

根据本发明另一实施方式的用于蚀刻的组合物包含无机酸、由化学式2表示的化合物与磷酸在无水状态下反应得到的硅基产物和水。无机酸可以是选自硫酸、硝酸、磷酸及其混合物中的任意一种。优选地，无机酸可以是磷酸，并且用于蚀刻的组合物还可以包含硫酸作为添加剂。磷酸对于确保氮化硅膜的蚀刻选择性和蚀刻速率是最优选的，并且可以与其他无机酸混合并用于调节氮化硅膜和氧化硅膜的选择性。组合物中无机酸的含量优选为80至90wt％。当含量低于80wt％时，存在对氮化物膜的蚀刻速率低的问题，而当其高于90wt％时，则不能获得氮化硅膜对氧化硅膜的高选择性。

具体地，由化学式2表示的化合物可以是卤代硅烷或烷氧基硅烷化合物。

卤代硅烷化合物是碘硅烷、溴硅烷、氯硅烷和氟硅烷。具体地，卤代硅烷化合物可以是选自二氯硅烷、甲基二氯硅烷、乙基二氯硅烷、乙基二碘硅烷、乙基二氟硅烷、二氯一氟硅烷、丙基二溴硅烷、异丙基二氯硅烷、异丁基二氯硅烷、异戊基二氯硅烷、苄基二氯硅烷、丙烯基二氯硅烷、萘基二氯硅烷、苯基二氯硅烷、二苯基氯硅烷、甲基乙基氯硅烷、乙烯基甲基氯硅烷、苯基甲基氯硅烷、二苄基氯硅烷、对氯苯基甲基氯硅烷、正己基二氯硅烷、环己基二氯硅烷、二环己基氯硅烷、二异丁基氯硅烷、对甲苯基二氯硅烷、二对甲苯基氯硅烷、对苯乙烯基二氯硅烷、乙炔基二氯硅烷及其混合物中的任意一种。

烷氧基硅烷化合物可以是选自由双三甲氧基甲硅烷基乙烷、双二甲基甲氧基甲硅烷基乙烷、双甲基二甲氧基甲硅烷基乙烷、双二乙基甲氧基甲硅烷基乙烷、双乙基二甲氧基甲硅烷基乙烷、双三乙氧基甲硅烷基乙烷、双二甲基乙氧基甲硅烷基乙烷、双甲基二乙氧基甲硅烷基乙烷、双二乙基乙氧基甲硅烷基乙烷、双乙基二乙氧基甲硅烷基乙烷、双三甲氧基甲硅烷基辛烷、双二甲基甲氧基甲硅烷基辛烷、双甲基二甲氧基甲硅烷基辛烷、双二乙基甲氧基甲硅烷基辛烷、双乙基二甲氧基甲硅烷基辛烷、双三乙氧基甲硅烷基辛烷、双二甲基乙氧基甲硅烷基辛烷、双甲基二乙氧基甲硅烷基辛烷、双二乙基乙氧基甲硅烷基辛烷、双乙基二乙氧基甲硅烷基辛烷、双三甲氧基甲硅烷基苯、双二甲基甲氧基甲硅烷基苯、双甲基二甲氧基甲硅烷基苯、双二乙基甲氧基甲硅烷基苯、双乙基二甲氧基甲硅烷基苯、双三乙氧基甲硅烷基苯、双二甲基乙氧基甲硅烷基苯、双甲基二乙氧基甲硅烷基苯、双二乙基乙氧基甲硅烷基苯、双乙基二乙氧基甲硅烷基苯、双三甲氧基甲硅烷基联苯、双二甲基甲氧基甲硅烷基联苯、双甲基二甲氧基甲硅烷基联苯、双二乙基甲氧基甲硅烷基联苯、双乙基二甲氧基甲硅烷基联苯、双三乙氧基甲硅烷基联苯、双二甲基乙氧基甲硅烷基联苯、双甲基二乙氧基甲硅烷基联苯、双二乙基乙氧基甲硅烷基联苯、双乙基二乙氧基甲硅烷基联苯、双三甲氧基甲硅烷基丙胺、双二甲基甲氧基甲硅烷基丙胺、双甲基二甲氧基甲硅烷基丙胺、双二乙基甲氧基甲硅烷基丙胺、双乙基二甲氧基甲硅烷基丙胺、双三乙氧基甲硅烷基丙胺、双二甲基乙氧基甲硅烷基丙胺、双甲基二乙氧基甲硅烷基丙胺、双二乙基乙氧基甲硅烷基丙胺、双乙基二乙氧基甲硅烷基丙胺、双三甲氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双二甲基甲氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双甲基二甲氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双二乙基甲氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双乙基二甲氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双三乙氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双二甲基乙氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双甲基二乙氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双二乙基乙氧基甲硅烷基丙基二硫化物、双乙基二乙氧基甲硅烷基丙基二硫化物及其混合物中的任意一种。

硅基产物通过磷酸酐与化学式2的化合物反应来制备得到。硅基产物通过将化学式2的化合物加入到磷酸酐中、然后于170℃至220℃下发生反应来制备得到。此外，当化学式2的化合物是氯硅烷时，还需要除去盐酸的过程，并且当该化合物是烷氧基硅烷时，还需要除去烷基醇的过程。当反应温度低于170℃时，反应缓慢进行，导致产率降低，当反应温度等于或高于220℃时，与磷酸之间的反应可能迅速发生。

硅基产物的含量没有特别限制，但可以在组合物的总重量的0.005至1wt％范围内。当含量低于0.005wt％时，对氧化膜的抗蚀刻效果变差，当高于1wt％时，降低了对氮化硅膜和氧化硅膜的选择性改善，并且可能会发生诸如氮化硅膜的蚀刻失败或氧化硅膜表面上残留颗粒的问题。

用于蚀刻的组合物还可以包含基于用于蚀刻的组合物总重量0.01至1wt％的铵基化合物。该铵基化合物可选自氨水、乙酸铵及其混合物。已知铵基化合物随时间推移均匀地蚀刻氮化硅膜。当铵基化合物的加入量低于0.01wt％时，效果可能不足，当加入量高于1wt％时，氮化硅膜的蚀刻速率可能会降低。

硅基产品在120℃至190℃的温度有效抑制氧化硅膜的蚀刻，并且在160℃时，可具有比氧化硅膜的蚀刻速率快至少200倍的氮化硅膜的蚀刻速率。

在下文中，尽管呈现优选实施方式和实验示例以便于理解本发明，但这些实施方式和实验示例是对本发明的说明，并不旨在限制所附权利要求的范围，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，可对实施方式和实验示例进行各种改变和修改。

1.蚀刻剂组合物的制备

通过以表1中所示的组分比将组分添加到每个配有磁棒的实验烧杯中，然后在室温下以500rpm的速度搅拌10分钟来制备组合物。

2.蚀刻速率和蚀刻剂组合物选择性的评价

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜蚀刻速率的测量

为了测量上述实施例和对比例制备的蚀刻溶液的性能，通过使用CVD方法以与半导体制造工艺相同的方式沉积来制备氮化硅膜晶片和氧化硅膜晶片。在开始蚀刻之前，使用扫描电子显微镜和椭圆偏振仪测量蚀刻前的厚度。然后，将氧化硅膜和氮化硅膜的晶片试样浸入到保持在160℃的蚀刻溶液中，在以500rpm的速度搅拌的石英搅拌槽中进行蚀刻处理，完成蚀刻后，用超纯水清洗试样，然后用干燥装置将残留的蚀刻剂和水分完全干燥。在蚀刻之后，使用扫描电子显微镜和椭圆偏振仪测量晶片的干燥试样的薄膜厚度。相应地，使用蚀刻之前和之后用薄膜厚度来测量蚀刻速率。这里使用的蚀刻量和蚀刻速率分别指的是蚀刻前后的薄膜厚度的减少量和减少率。这里使用的蚀刻选择性(氮化硅膜的蚀刻速率/氧化硅膜的蚀刻速率)指的是氮化硅膜的蚀刻速率与氧化硅膜的蚀刻速率的比率：

其中，A表示氮化硅膜的蚀刻速率，B表示氧化硅膜的蚀刻速率，C表示选择性。

[表1]

A-1：磷酸

B-1：双三乙氧基甲硅烷基乙烷

B-2：双三乙氧基甲硅烷基辛烷

B-3：双三氯硅烷乙烷和磷酸酐的产物

B-4：双甲基二氯甲硅烷基乙烷和磷酸酐的产物

B-5：双三乙氧基甲硅烷基乙烷和磷酸酐的产物

B-6：双三氯甲硅烷基辛烷和磷酸酐的产物

B-7：双甲基二氯甲硅烷基辛烷和磷酸酐的产物

B-8：双三乙氧基甲硅烷基辛烷和磷酸酐的产物

B-9：甲基三羟基硅烷

B-10：甲基三甲氧基硅烷

C-1：去离子水

参照上面的表1可以看出，实施例1至13的蚀刻剂组合物具有优异的氮化硅膜对氧化硅膜的选择性蚀刻速率，其通过抑制氧化硅膜的蚀刻来实现。

工业实用性

根据本发明的用于蚀刻的组合物相比氧化硅膜对氮化硅膜具有高蚀刻选择性。另外，由于氧化硅膜的蚀刻速率是可控的，并且对诸如多晶硅的底层的选择性也是优异的，因此在半导体制造工艺中被允许广泛应用，并且诸如氧化硅膜表面上的颗粒吸附以及不希望的氮化硅膜去除等问题可以得到改善。