用于硅异质结太阳能电池的制绒添加剂及其制绒方法

文档序号:1767560 发布日期:2019-12-03 浏览:43次 >En<

阅读说明:本技术 用于硅异质结太阳能电池的制绒添加剂及其制绒方法 (Flocking additive and its etching method for silicon heterogenous solar battery ) 是由 张震华 于 2019-08-31 设计创作,主要内容包括:本发明提供了一种硅异质结太阳能电池的制绒添加剂及其制绒方法,制绒添加剂的原料各组分按质量百分比含量为:羟丙基甲基纤维素0.05%~2%,聚丙烯酸钠0.01%~10%,十二烷基苯磺酸钠0.01%~2%,余量为去离子水。在单晶硅片制绒液中添加本发明的添加剂,可以获得更加均匀且大小在3~8μm的金字塔,有利于提高硅异质结电池的开路电压和电流,从而提升电池效率。(The present invention provides the flocking additives and its etching method of a kind of silicon heterogenous solar battery, the feed components of flocking additive content by mass percentage are as follows: hydroxypropyl methyl cellulose 0.05%~2%, Sodium Polyacrylate 0.01%~10%, neopelex 0.01%~2%, surplus are deionized water.Additive of the invention is added in wool making solution for monocrystalline silicon pieces, can obtain pyramid of the more uniform and size at 3~8 μm, is conducive to the open-circuit voltage and electric current that improve silicon heterogenous battery, to promote battery efficiency.)

用于硅异质结太阳能电池的制绒添加剂及其制绒方法

技术领域

本发明属于太阳能电池生产技术领域,涉及一种用于硅异质结太阳能电池的制绒添加剂及其制绒方法。

背景技术

硅基异质结太阳能电池作为新兴的高效太阳能电池技术,与传统太阳能电池相比,具有转换效率高、温度特性好、工艺温度低等诸多优势,因此硅基异质结太阳能电池具有良好的发展前景。

异质结太阳能电池的关键技术核心是晶体硅衬底和非晶硅界面的钝化,高质量的钝化层能有效的抑制载流子在硅表面的复合,同时提高少子寿命,以提高光电转换效率。传统的晶硅太阳能电池具有80纳米厚度的氮化硅钝化层,而硅基异质结太阳能电池的非晶体硅钝化层厚度只有5~10纳米。因此,非晶体硅薄膜的均匀沉积就十分重要。

晶体硅表面的制绒金字塔的均匀性和金字塔的尺寸对非晶硅薄膜沉积有显著的影响,过小的金字塔由于其底部曲率半径较小,非晶硅薄膜很难在此处有均匀的沉积且由于应力的作用,容易产生微裂纹,造成钝化效果变差。因此,增大金字塔的尺寸可以有效的改善硅异质结电池的开路电压,而良好的金字塔均匀性,可以提高陷光性,提升硅异质结电池的电流,从而提高硅异质结太阳能电池的光电转化效率。

传统硅片制绒添加剂的金字塔大小普遍只有1~3μm,且金字塔不够均匀,反射率较高,不能满足硅异质结太阳能电池生产及发展的需求。因此,一款金字塔更大的且更加均匀的制绒添加剂对于硅异质结太阳能电池的发展则十分重要。

发明内容

本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题,提供了一种硅异质结太阳能电池的制绒添加剂及其制绒方法,在单晶硅片制绒液中添加本发明的添加剂,可以获得更加均匀且大小在3~8μm的金字塔,有利于提高硅异质结电池的开路电压和电流,从而提升电池效率。

本发明的目的可通过下列技术方案来实现:用于硅异质结太阳能电池的制绒添加剂,其特征在于,

原料各组分按质量百分比含量为:

羟丙基甲基纤维素 0.05%~2%,

聚丙烯酸钠 0.01%~10%,

十二烷基苯磺酸钠 0.01%~2%,

余量为去离子水。

本发明还提供一种用于硅异质结太阳能电池的制绒方法,其特征在于,该制绒方法包括如下步骤:

一、配制制绒添加剂:将质量百分比为0.05%~2%的羟丙基甲基纤维素,0.01%~10%的聚丙烯酸钠,0.01%~2%的十二烷基苯磺酸钠,加入到余量的去离子水中,混合均匀配成制绒添加剂;

二、准备碱性溶液:将制绒添加剂倒入到一号混合桶内,将碱性溶液倒入到二号混合桶内,制绒添加剂与碱性溶液的体积百分比为0.25~5:100;

三、配制制绒液:将制绒添加剂分成3~6等份,先将一份制绒添加剂倒入到碱性溶液中,摇晃二号混合桶至溶液均匀后,再倒入第二份,重复操作直至全部制绒添加剂倒完,配置成制绒液;

四、制绒:将单晶硅片浸入到制绒液中进行表面制绒,在单晶硅片表面形成正金字塔绒面。

进一步的,所述的碱性溶液为浓度0.5%~10%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液。

进一步的,所述碱性溶液为无机碱或有机碱的水溶液。

进一步的,所述的制绒液的温度为70~85℃。

进一步的,反应时间为500s~1500s。

与现有技术相比,本用于硅异质结太阳能电池的制绒添加剂及其制绒方法具备以下优点:

1.可以获得更加均匀且大小在3~8μm的金字塔,有利于提高硅异质结电池的开路电压和电流,从而提升电池效率。

2.增大金字塔的尺寸可以有效的改善硅异质结电池的开路电压,而良好的金字塔均匀性,可以提高陷光性。

附图说明

图1为实施例1中制得的硅片金字塔的SEM正视图。

图2为实施例1中制得的硅片金字塔的SEM俯视图。

具体实施方式

以下是本发明的具体实施例并结合附图,对本发明的技术方案作进一步的描述,但本发明并不限于这些实施例。

实施例1

如图1、图2所示,配置硅异质结太阳能电池的制绒添加剂,将1g羟丙基甲基纤维素,0.5g聚丙烯酸钠,0.5g十二烷基苯磺酸钠混合溶解到1L去离子水中,得到硅异质结太阳能电池的制绒添加剂。将2000g氢氧化钠、1L硅异质结太阳能电池的制绒添加剂加入到160L去离子水中,得到制绒液。将制绒液温度升至80°℃,然后将单晶硅片浸入制绒液制绒,反应时间为900s,所得金字塔底座大小为3~8μm。

实施例2

配置硅异质结太阳能电池的制绒添加剂,将2g羟丙基甲基纤维素,1g聚丙烯酸钠,1g十二烷基苯磺酸钠混合溶解到1L去离子水中,得到硅异质结太阳能电池的制绒添加剂。将2500g氢氧化钠、1L硅异质结太阳能电池的制绒添加剂加入到160L去离子水中,得到制绒液。将制绒液温度升至80°℃,然后将单晶硅片浸入制绒液制绒,反应时间为1200s,所得金字塔底座大小为3~8μm。

实施例3

配置硅异质结太阳能电池的制绒添加剂,将1g羟丙基甲基纤维素,50g聚丙烯酸钠,5g十二烷基苯磺酸钠混合溶解到1L去离子水中,得到硅异质结太阳能电池的制绒添加剂。将1500g氢氧化钠、1L硅异质结太阳能电池的制绒添加剂加入到160L去离子水中,得到制绒液。将制绒液温度升至84°℃,然后将单晶硅片浸入制绒液制绒,反应时间为600s,所得金字塔底座大小为3~8μm。

实施例4

配置硅异质结太阳能电池的制绒添加剂,将2g羟丙基甲基纤维素,10g聚丙烯酸钠,1g十二烷基苯磺酸钠混合溶解到1L去离子水中,得到硅异质结太阳能电池的制绒添加剂。将1000g氢氧化钠、1L硅异质结太阳能电池的制绒添加剂加入到160L去离子水中,得到制绒液。将制绒液温度升至78°℃,然后将单晶硅片浸入制绒液制绒,反应时间为1500s,所得金字塔底座大小为3~8μm。

实施例5

配置硅异质结太阳能电池的制绒添加剂,将1g羟丙基甲基纤维素,1g聚丙烯酸钠,1g十二烷基苯磺酸钠混合溶解到1L去离子水中,得到硅异质结太阳能电池的制绒添加剂。将2500g氢氧化钠、1L硅异质结太阳能电池的制绒添加剂加入到160L去离子水中,得到制绒液。将制绒液温度升至82°℃,然后将单晶硅片浸入制绒液制绒,反应时间为1000s,所得金字塔底座大小为3~8μm。

实施例6

配置硅异质结太阳能电池的制绒添加剂,将10g羟丙基甲基纤维素,5g聚丙烯酸钠,1g十二烷基苯磺酸钠混合溶解到1L去离子水中,得到硅异质结太阳能电池的制绒添加剂。将2500g氢氧化钠、1L硅异质结太阳能电池的制绒添加剂加入到160L去离子水中,得到制绒液。将制绒液温度升至82°℃,然后将单晶硅片浸入制绒液制绒,反应时间为1000s,所得金字塔底座大小为3~8μm。

实施例7

配置硅异质结太阳能电池的制绒添加剂,将10g羟丙基甲基纤维素,10g聚丙烯酸钠,10g十二烷基苯磺酸钠混合溶解到1L去离子水中,得到硅异质结太阳能电池的制绒添加剂。将2500g氢氧化钠、1L硅异质结太阳能电池的制绒添加剂加入到160L去离子水中,得到制绒液。将制绒液温度升至82°℃,然后将单晶硅片浸入制绒液制绒,反应时间为1000s,所得金字塔底座大小为3~8μm。

实施例8

配置硅异质结太阳能电池的制绒添加剂,将5g羟丙基甲基纤维素,80g聚丙烯酸钠,1g十二烷基苯磺酸钠混合溶解到1L去离子水中,得到硅异质结太阳能电池的制绒添加剂。将2500g氢氧化钠、1L硅异质结太阳能电池的制绒添加剂加入到160L去离子水中,得到制绒液。将制绒液温度升至82°℃,然后将单晶硅片浸入制绒液制绒,反应时间为1000s,所得金字塔底座大小为3~8μm。

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