本发明公开了一种用于半导体设备的水冷电极,包括铜电极、连接电极、绝缘筒和水冷套,所述铜电极的一端与所述连接电极的一端相连,所述绝缘筒套设于所述连接电极上；所述水冷套套设于绝缘筒的外部,所述水冷套的内部设置有水冷腔,所述水冷套上设有与所述水冷腔连通的进水孔和出水孔。本发明具有结构简单紧凑、工作安全可靠、成本低、拆装维护方便、节能降耗等优点。

碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法。本发明属于第三代半导体材料碳化硅单晶生长及加工领域,具体涉及碳化硅单晶生长及加工过程碳化硅废料的回收处理方法,具体包括按顺序依次焙烧脱除碳单质、混酸处理脱除微量元素和碱氧化处理脱除硅单质三个步骤,其中脱除碳单质的方法为将碳化硅废料磨成粒径小于200微米的粉料后,装入石英舟放入管式炉内,管式炉加热到400℃-600℃,焙烧2h-5h,设定氧气瓶的通气速率以100kPa-200kPa的压力值注入,冷却后取出石英舟,获得脱除碳单质的碳化硅废料,本发明方法脱除了碳化硅废料中含量较多的杂质,经以上步骤提纯后得到高纯碳化硅粉料,再把碳化硅粉料利用于碳化硅单晶的生产,以达到碳化硅废料的综合回收再利用,减少了碳化硅废料对环境的污染。

本申请提供了一种太阳能电池的制备方法与太阳能电池,所述制备方法包括在硅基底的表面制备保护膜,所述硅基底具有相互间隔的至少两个第一区域、位于相邻所述第一区域之间的第二区域；再去除所述第一区域表面的保护膜,并保留所述第二区域表面的保护膜,然后制结使得各所述第一区域形成相互独立的PN结,且所述第二区域在所述保护膜遮蔽下未形成PN结。本申请通过在所述硅基底的第二区域设置保护膜,以在相互间隔的第一区域制得独立的PN结,所述太阳能电池在沿第二区域进行后续分割时,降低相应的子电池片边缘复合,提高填充因子及转换效率。

本发明涉及一种聚噻吩包覆的单晶NCM三元材料,属于化学储能电池领域。首先将噻吩单体分散在有机溶剂中,随后加入单晶NCM三元材料进行分散,再在悬浊液中加入氧化剂于冰水浴环境中进行氧化,最终制备得到一种聚噻吩包覆的单晶NCM三元材料。聚噻吩具有导电聚合物特性,聚噻吩包覆在单晶NCM三元材料表面,能够降低较长迁移路径下的锂离子扩散阻碍,进而增强单晶NCM材料的电子导电性,从而加快材料表面的电化学反应过程以及电荷传输,降低材料在充放电循环过程中的极化现象和电压降,提高材料的循环稳定性。此外聚噻吩包覆层也能够隔绝电解液和单晶NCM材料的接触,降低界面副反应。

本发明涉及多晶硅太阳能电池生产技术领域,尤其涉及一种对金刚线制绒产生的不合格品进行黑硅制绒的方法,包括如下步骤：步骤一,将金刚线制绒产生的不合格品在扩散石英管中以8～12℃/min速率升温至780～820℃,维持2～4分钟,然后以8～12℃/min速率降温至730～760℃,得到高温预处理硅片；步骤二,将所述高温预处理硅片依次经过碱预制槽初抛去损伤层和制绒槽制绒后得到黑硅制绒片。本发明在不增加新设备的情况下,经过高温除杂后的金刚线制绒产生的不合格品不仅可以直接进行黑硅制绒,最后制备得到的黑硅电池的电池效率相比于将金刚线制绒产生的不合格品重新进行金刚线返修后得到的太阳能电池效率提升了至少0.3％。

本申请公开了一种表面清洁度高的籽晶及其清洁方法,属于半导体材料清洁技术领域。使用该清洁方法清洁籽晶后,能够降低籽晶生长面上的颗粒数量,提高籽晶的面型质量,并且使用该籽晶产出的晶体质量好,能够有效减少微管、多型及位错等晶体缺陷。其中籽晶生长面上,颗粒粒径＞1μm的颗粒个数＜10个,粒径在0.5μm-1μm的颗粒个数＜20个,粒径在0.1μm-0.5μm的颗粒个数＜30个,粒径在0.02μm-0.1μm的颗粒个数＜70个。

一种用于深紫外光源的光学元件,包括晶体衬底；位于晶体衬底的外部表面上的涂层,该涂层具有沿着远离外部表面延伸的方向的厚度；以及位于涂层上和/或中的结构,该结构包括沿着该方向远离晶体衬底延伸的多个特征。这些特征包括非晶介电材料并且被布置为使得结构的折射率沿着方向发生变化。

本发明涉及一种氮化硅陶瓷制备方法,包括：S1)多晶硅铸锭：硅粉形核法定向凝固多晶硅铸锭,将80wt％-95wt％高纯硅粉、1-10wt％含镁粉末、1-10％稀土元素粉末混匀后装入底部喷涂有石英砂成核层的石英坩埚内,并装入铸锭炉膛内,铸锭后控制降温速率,形成晶粒大小为0.5μm-100μm的超细微晶多晶硅锭；S2)多晶硅片制备：将硅锭切割制成厚度为0.1mm-1mm的多晶硅片；S3)硅片氮化：将多晶硅片堆叠在烧结炉中,硅片间使用带有BN涂层的石墨板隔开,抽真空后,氮气气氛下在氮化温度为1350℃-1400℃、升温速率为20-100℃/h、保温时间为1h-12h的条件下进行氮化,并随炉冷降温；S4)硅片坯体烧结：经氮化烧结的硅片坯体连同治具放置在烧结炉中,采用氮气气氛,在烧结温度1700-1900℃、氮气压力0.5MPa-20MPa条件下进行烧结。

本发明公开了一种太阳能电池的扩散工艺、制备方法及硅片,该扩散工艺包括：在扩散炉管内,将制绒后的硅片通入携带三氯氧磷的小氮,在第一温度下沉积磷源,并在第二温度下通入氧气和大氮进行高温推进得到PN结；通入携带三氯氧磷的小氮,二次沉积磷源,进而在硅片表面形成含低浓度磷源的磷硅玻璃层；通入大氮对进行吹扫,结束扩散,在硅片表面获得含低浓度磷源的发射极。本发明采用两步通源沉积的方式,使三氯氧磷均在低温环境下沉积,可以使硅片表面浓度充分降低,同时通过控制磷源沉积的大氮、氧气和小氮的气体流量比来保证PN结的均匀性,可以有效提高太阳能电池的转换效率。

本发明涉及一种利用纳米压痕提高压电材料压电系数的方法,该方法对压电晶体施加载荷外力,使压电晶体表面获得周期性纳米级图形化压痕结构,大大提高了压电晶体的压电系数,由17pC/N提高到44pC/N,采用的用纳米压痕技术直接在压电晶体表面制备大面积周期性纳米压痕结构,成本低,操作简便,并且无需昂贵的设备。