阅读说明：本技术 一种固态存储ic扩容封装方法及结构 (A kind of solid-state storage IC dilatation packaging method and structure ) 是由 李修录 尹善腾 朱小聪 吴健全 于 2019-09-06 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种固态存储IC扩容封装方法,其包括有如下步骤：步骤S1,构建多个初级DIE单元及一桥接芯片；步骤S2,将多个初级DIE单元连接于所述桥接芯片；步骤S3,所述桥接芯片将多个初级DIE单元转换为多个次级DIE单元,并且所述次级DIE单元的数量少于所述初级DIE单元的数量；步骤S4,将所述桥接芯片与多个次级DIE单元封装为Flash芯片。本发明将多个DIE单元进行叠加后,通过桥接芯片组成新的Flash芯片,在不改变DIE单元的基础上实现容量提升。(The invention discloses a kind of solid-state storage IC dilatation packaging methods comprising has the following steps: step S1, constructs multiple primary DIE units and a bridging chip；Multiple primary DIE units are connected to the bridging chip by step S2；Step S3, multiple primary DIE cell translations are multiple secondary DIE units by the bridging chip, and the quantity of the secondary DIE unit is less than the quantity of the primary DIE unit；The bridging chip and multiple secondary DIE units are encapsulated as Flash chip by step S4.After multiple DIE units are overlapped by the present invention, new Flash chip is made up of bridging chip, realizes capacity boost on the basis of not changing DIE unit.)

一种固态存储IC扩容封装方法及结构

技术领域

本发明涉及固态存储IC，尤其涉及一种固态存储IC扩容封装方法及结构。

背景技术

现有技术中，在SSD存储行业中，要实现大容量的SSD固态硬盘，就必须突破flash本身单颗容量的限制，现有的IC集成电路设计一般是MCU架构，请参见图1，其将CPU、存储器、多种I/O接口等集成在一个芯片上，形成一种芯片级计算，其原理是：通过CPU内的运算器、控制器、寄存器组以及存储器之间的配合实现各种数据的传输。然而，目前的SSD储存行业中，单颗大容量芯片价格贵和市场存库量少，而且单颗大容量芯片的CE数也会很多，导致在SSD固态硬盘的容量上存在限制，无法突破大容量SSD，特别是在未来市场所需8T SSD、16TBSSD甚至更大的容量SSD，现有技术都无法满足这些应用要求。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足，提供一种将多个DIE单元进行叠加后，通过桥接芯片组成新的Flash芯片，在不改变DIE单元的基础上实现容量提升的固态存储IC扩容封装方法及结构。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案。

一种固态存储IC扩容封装方法，其包括有如下步骤：步骤S1，构建多个初级DIE单元及一桥接芯片；步骤S2，将多个初级DIE单元连接于所述桥接芯片；步骤S3，所述桥接芯片将多个初级DIE单元转换为多个次级DIE单元，并且所述次级DIE单元的数量少于所述初级DIE单元的数量；步骤S4，将所述桥接芯片与多个次级DIE单元封装为Flash芯片。

优选地，所述初级DIE单元的数量是所述次级DIE单元的2倍。

优选地，所述初级DIE单元的数量是所述次级DIE单元的多倍。

优选地，所述步骤S4中封装的Flash芯片为BGA芯片。

一种固态存储IC扩容封装结构，其包括有多个初级DIE单元及一桥接芯片，多个初级DIE单元分别连接于所述桥接芯片，借由所述桥接芯片将多个初级DIE单元转换为多个次级DIE单元，并且所述次级DIE单元的数量少于所述初级DIE单元的数量，再将所述桥接芯片与多个次级DIE单元封装为Flash芯片。

本发明公开的固态存储IC扩容封装方法中，通过在所述Flash芯片里面增设一个桥接芯片，然后采用Flash芯片叠DIE单元的方法来增加Flash容量，例如，把两个单颗256G芯片中的DIE单元叠加之后，通过所述桥接芯片转换成一个512G的芯片，不对DIE单元进行实质改进，同时又可以扩充芯片容量，进而实现了Flash芯片容量的提升，满足了应用需求，特别是在未来市场中的8T SSD、16TBSSD甚至更大的容量SSD应用场合中，都具有较好的应用前景。

附图说明

图1为现有固态存储IC集成电路的组成架构图；

图2为Flash芯片封装前后的结构示意图；

图3为固态存储IC扩容封装方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作更加详细的描述。

本发明公开了一种固态存储IC扩容封装方法，结合图2和图3所示，其包括有如下步骤：

步骤S1，构建多个初级DIE单元1及一桥接芯片2；

步骤S2，将多个初级DIE单元1连接于所述桥接芯片2；

步骤S3，所述桥接芯片2将多个初级DIE单元1转换为多个次级DIE单元3，并且所述次级DIE单元3的数量少于所述初级DIE单元1的数量；

步骤S4，将所述桥接芯片2与多个次级DIE单元3封装为Flash芯片4。

上述方法中，通过在所述Flash芯片里面增设一个桥接芯片2，然后采用Flash芯片叠DIE单元的方法来增加Flash容量，例如，把两个单颗256G芯片中的DIE单元叠加之后，通过所述桥接芯片2转换成一个512G的芯片，不对DIE单元进行实质改进，同时又可以扩充芯片容量，进而实现了Flash芯片容量的提升，满足了应用需求，特别是在未来市场中的8TSSD、16TBSSD甚至更大的容量SSD应用场合中，都具有较好的应用前景。

作为一种优选方式，请参见图3，所述初级DIE单元1的数量是所述次级DIE单元3的2倍。或者，所述初级DIE单元1的数量是所述次级DIE单元3的多倍。

本实施例中，所述步骤S4中封装的Flash芯片4为BGA芯片。实际应用中，Flash芯片叠DIE单元后，嵌入桥接芯片并组成一个固态存储IC集成电路，以BGA的形式呈现。

实际应用中，NAND Flash单颗芯片DIE的容量有限，为了获得更高的容量，需要在一个封装片内堆叠几个DIE单元，而本实施例是通过封装桥接芯片，从而提高容量，这也可以突破原本的容量限制，请参见图3，甚至可以将16个初级DIE单元通过桥接芯片转出4个次级DIE单元，然后进行Flash闪存的封装。

为了更好地描述本发明的技术方案，本发明还公开了一种固态存储IC扩容封装结构，结合图2和图3所示，其包括有多个初级DIE单元1及一桥接芯片2，多个初级DIE单元1分别连接于所述桥接芯片2，借由所述桥接芯片2将多个初级DIE单元1转换为多个次级DIE单元3，并且所述次级DIE单元3的数量少于所述初级DIE单元1的数量，再将所述桥接芯片2与多个次级DIE单元3封装为Flash芯片4。

上述结构中，所述初级DIE单元1的数量是所述次级DIE单元3的2倍或者多倍。并且所述Flash芯片4为BGA芯片。

本发明公开的固态存储IC扩容封装方法及结构，其相比现有技术而言的有益效果在于，本发明可以做出大容量16TB、32TB的甚至更高容量的SSD，而且稳定性、可靠性更强。同时，本发明固态存储封装IC集成电路设计方法，在SSD行业取得了突出的进步，适合在本领域推广应用，并具有较好的应用前景。

以上所述只是本发明较佳的实施例，并不用于限制本发明，凡在本发明的技术范围内所做的修改、等同替换或者改进等，均应包含在本发明所保护的范围内。