阅读说明：本技术 一种碱性溶液去除掩模脏污的方法 (Method for removing mask dirt by alkaline solution ) 是由 华卫群 尤春 杨长华 刘维维 顾梦星 刘浩 汪志得 莫金圻 于 2021-08-23 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种碱性溶液去除掩模脏污的方法,包括浸泡装置和清洗液,浸泡装置包括缸、花篮、搅棒,清液液的原料组成包括98％的氢氧化钠、去离子水、SPM溶液和SC1溶液,本发明的有益效果如下：通过使用氢氧化钠溶液浸泡掩模,便于掩模表面的脏污泡软,并将脏污剥离掩模表面,解决现有技术中因去胶不彻底产生的脏污无法去除的难点,降低因为脏污导致的产品报废,节约生产成本,缩减产品交付周期,本发明实施简单、方便；花篮内部卡接有掩模,便于卡接三个不同尺寸的掩模；花篮每四分钟上下移动一次,使得浸泡更加充分。(The invention discloses a method for removing mask dirt by using alkaline solution, which comprises a soaking device and cleaning solution, wherein the soaking device comprises a cylinder, a flower basket and a stirring rod, and the cleaning solution comprises 98% of sodium hydroxide, deionized water, SPM solution and SC1 solution, and has the following beneficial effects: the mask is soaked by the sodium hydroxide solution, so that the dirt on the surface of the mask is conveniently soaked and softened, and the dirt is stripped from the surface of the mask, the difficulty that the dirt cannot be removed due to incomplete photoresist removal in the prior art is solved, the product scrap caused by the dirt is reduced, the production cost is saved, the product delivery cycle is shortened, and the method is simple and convenient to implement; the mask is clamped in the flower basket, so that the masks with three different sizes can be conveniently clamped; the flower basket moves up and down once every four minutes, so that the soaking is more sufficient.)

一种碱性溶液去除掩模脏污的方法

技术领域

本发明公开了一种碱性溶液去除掩模脏污的方法，属于掩模清洗技术领域。

背景技术

掩模是一种用于半导体行业的模具，掩模上承载有设计图形，光线透过掩模，把设计的图形透射在光刻胶上。

掩模制造技术中，去胶工艺通常采用浓硫酸和过氧化氢的混合液，SPM强氧化性可以去除光刻胶，在去胶过程中温度可瞬间达到120℃～150℃，其中部分光刻胶由于接触高温环境导致已经变性，发生碳化现象，碳化后的光刻胶牢牢吸附在掩模表面，采用现有的SPM溶液配合SC1溶液清洗技术，变性的光刻胶及碳化物无法去除，图形透光损失率达80％，严重影响产品品质，需报废处理，在现有的技术基础上，在SPM清洗前，增加氢氧化钠溶液浸泡预处理，可以将附着在掩模表面的脏污泡软，并将脏污剥离掩模表面，达到清洗效果，并且氢氧化钠溶液不会对掩模图形造成损伤。

发明内容

本发明要解决的技术问题是现有的SPM溶液配合SC1溶液清洗技术，变性的光刻胶及碳化物无法去除，图形透光损失率达80％，严重影响产品品质，需报废处理，提供一种碱性溶液去除掩模脏污的方法，从而解决上述问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种碱性溶液去除掩模脏污的方法，包括浸泡装置和清洗液，所述浸泡装置包括缸、花篮、搅棒，所述清液液的原料组成包括98％的氢氧化钠、去离子水、SPM溶液和SC1溶液。

作为优选，所述溶液缸的长宽高尺寸分别为22cm、22cm和25cm，所述98％的氢氧化钠溶液和去离子水在溶液缸中相互混合配制浓度为0.8mol/L—1.5mol/L的混合液，通过使用氢氧化钠溶液浸泡预处理，可以将附着在掩模表面的脏污泡软，并将脏污剥离掩模表面，达到清洗效果。

作为优选，所述混合液静置20-30分钟，所述花篮上设计三个不同尺寸的与掩模尺寸相适应的卡口，所述花篮内部卡接有掩模，便于卡接三个不同尺寸的掩模。

作为优选，所述花篮放置于溶液缸内部，所述花篮每四分钟上下移动一次，所述花篮浸泡时间为25-30分钟，所述掩模放置在去离子水中浸泡10-20分钟，便于清洗表面残留的氢氧化钠溶液。

作为优选，所述掩模通过SPM溶液配合SC1溶液清洗，所述SPM溶液为混合比为4:1的浓硫酸和过氧化氢混合液，便于脏污的去除。

作为优选，所述掩模通过高转速离心机甩干，所述高转速离心机转速转速为1200转/分钟，便于掩模的干燥。

作为优选，包括以下制备步骤：

(1)首先将98％的氢氧化钠溶液和去离子水放入到缸中进行配置，通过使用搅棒进行搅拌；

(2)接着静置混合液至待溶液由浑浊变清，将装有掩模的花篮放置在缸中进行清洗；

(3)然后将掩模放置在去离子水中浸泡，去除残留的氢氧化钠溶液，通过使用SPM溶液配合SC1溶液清洗掩模上的有机物，将其氧化成二氧化碳；

(4)最后通过使用高转速离心机，将掩模甩干。

与现有技术相比，本发明的有益效果如下：

通过使用氢氧化钠溶液浸泡掩模，便于掩模表面的脏污泡软，并将脏污剥离掩模表面，解决现有技术中因去胶不彻底产生的脏污无法去除的难点，降低因为脏污导致的产品报废，节约生产成本，缩减产品交付周期，本发明实施简单、方便；花篮内部卡接有掩模，便于卡接三个不同尺寸的掩模；花篮每四分钟上下移动一次，使得浸泡更加充分。

具体实施方式

下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种碱性溶液去除掩模脏污的方法，包括浸泡装置和清洗液，所述浸泡装置包括缸、花篮、搅棒，所述清液液的原料组成包括98％的氢氧化钠、去离子水、SPM溶液和SC1溶液。

其中，所述溶液缸的长宽高尺寸分别为22cm、22cm和25cm，所述98％的氢氧化钠溶液和去离子水在溶液缸中相互混合配制浓度为0.8mol/L—1.5mol/L的混合液。

其中，所述混合液静置20-30分钟，所述花篮上设计三个不同尺寸的与掩模尺寸相适应的卡口，所述花篮内部卡接有掩模。

其中，所述花篮放置于溶液缸内部，所述花篮每四分钟上下移动一次，所述花篮浸泡时间为25-30分钟，所述掩模放置在去离子水中浸泡10-20分钟。

其中，所述掩模通过SPM溶液配合SC1溶液清洗，所述SPM溶液为混合比为4:1的浓硫酸和过氧化氢混合液。

其中，所述掩模通过高转速离心机甩干，所述高转速离心机转速转速为1200转/分钟。

具体的，本发明首先将98％的氢氧化钠溶液和去离子水在溶液缸中相互混合，并使用搅棒进行搅拌，配制浓度为0.8mol/L—1.5mol/L的混合液，再将混合液静置20-30分钟，使得浑浊的溶液变清，将掩模卡接在花篮上，接着将装有花篮的掩模置于缸中进行浸泡，花篮每四分钟进行一次上下移动，使得浸泡更加均匀，将花篮浸泡25-30分钟，便于掩模表面的脏污泡软，并将脏污剥离掩模表面，接着将掩模放置在去离子水中进行浸泡，10-20分钟后，使得掩模表面残留的氢氧化钠溶液被去除，再将掩模通过SPM溶液配合SC1溶液清洗，SPM溶液可以将掩模上有机物氧化成二氧化碳，SC1溶液可以将掩模表面的细小颗粒去除，最后将掩模放入到高转速离心机中，调节高转速离心机转速转速为1200转/分钟，将水渍甩去，便于掩模的干燥。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。