具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

请参照图4，一种纳米晶带材接头工艺，包括如下步骤，

将一段纳米晶带材的端部叠放到另一段纳米晶带材的上方，形成一重叠区域，并对两段纳米晶带材分别进行第一次固定；

从所述重叠区域剪断两段纳米晶带材，使两段纳米晶带材形成相吻合的新端头；

在两段纳米晶带材的新端头的下方垫上支撑块以使两段纳米晶带材的新端头支撑于所述支撑块上；

用第一胶带在所述新端头处粘接两段纳米晶带材的第一保护盖膜；

解除对两段纳米晶带材的第一次固定，将两段纳米晶带材翻面并对两段纳米晶带材进行第二次固定；

从两段纳米晶带材的新端头处分别掀起两段纳米晶带材的第二保护盖膜；

利用第二胶带在所述新端头处将两段纳米晶带材的材料层连接；

将掀起的所述第二保护盖膜复位，并利用第三胶带在所述新端头处将两段纳米晶带材的第二保护盖膜连接，完成两段纳米晶带材的接头。

从上述描述可知，本发明的有益效果在于：采用本纳米晶带材接头工艺的两段纳米晶带材能够形成相吻合的新端头，可以让两段纳米晶带材的新端头紧实、平顺的过渡，大大降低了气泡、褶皱产生的几率，有效的提高了纳米晶带材接头质量及一致性，从而减少后续测试工站的不良，降低了材料的浪费，提高了生产良率。

进一步的，“对两段纳米晶带材分别进行第一次固定”时，每段纳米晶带材至少有两个固定区域，一个固定区域位于纳米晶带材的端部，另一个固定区域位于所述重叠区域远离所述端部的一侧。

由上述描述可知，两段纳米晶带材重叠区域的两侧分别被固定，能够保证在重叠区域的剪切质量。

进一步的，“对两段纳米晶带材分别进行第一次固定”时，采用磁吸方式或夹持方式对纳米晶带材进行固定。

进一步的，“对两段纳米晶带材进行第二次固定”时，采用磁吸方式或夹持方式对纳米晶带材进行固定。

由上述描述可知，纳米晶带材的固定方式可按需选择。

进一步的，所述重叠区域的下方是空心区域，“在两段纳米晶带材的新端头的下方垫上支撑块”时，将支撑块放入所述空心区域中。

进一步的，在“从所述重叠区域剪断两段纳米晶带材”时，使用工业铁皮剪刀对重叠区域剪切一次。

由上述描述可知，一次性剪断重叠区域能够有效地保证剪切质量，确保两段纳米晶带材的新端头能够有效吻合。

进一步的，步骤“用第一胶带在所述新端头处粘接两段纳米晶带材的第一保护盖膜”之前，还包括步骤，微调纳米晶带材位置，令两段纳米晶带材的新端头的端面贴合。

由上述描述可知，微调纳米晶带材的位置能够进一步提高接头质量。

进一步的，步骤“从两段纳米晶带材的新端头处分别掀起两段纳米晶带材的第二保护盖膜”时，先利用两个第三胶带分别从所述新端头将两段纳米晶带材的第二保护盖膜粘住，然后提拉所述第三胶带以将两段纳米晶带材的第二保护盖膜掀开；最后将第三胶带暂时粘连到第二保护盖膜未掀开区域或其他结构件上。

进一步的，“将掀起的所述第二保护盖膜复位，并利用第三胶带在所述新端头处将两段纳米晶带材的第二保护盖膜连接”时，先松开第三胶带与第二保护盖膜未掀开区域或其他结构件的粘连，然后撕除掉一个第三胶带，最后利用另一个第三胶带将两段纳米晶带材的第二保护盖膜连接。

由上述描述可知，第三胶带既是掀起第二保护盖膜的辅助工具，又是连接固定两段纳米晶带材的第二保护盖膜的连接件，如此，不仅可以节省原料，还能够简化工序。

进一步的，所述第一胶带的宽度为5cm。

实施例一

请参照图1至图3，本发明的实施例一为：一种纳米晶带材接头治具，用于辅助连接两段纳米晶带材，可设于测试工站之前。

纳米晶带材接头治具包括沿一排依次设置的磁台1、第一夹持组件、支撑组件、第二夹持组件和第三夹持组件；

所述第一夹持组件、第二夹持组件及第三夹持组件分别包括转动连接的固定座与压板，所述固定座的顶面与所述磁台1的顶面平齐，其中，所述压板与固定座通过转轴转动连接；具体的，所述第一夹持组件包括转动连接的第一固定座21与第一压板22，所述第二夹持组件包括转动连接的第二固定座31与第二压板32，所述第三夹持组件包括转动连接的第三固定座41与第三压板42，其中所述第一固定座21的顶面、第二固定座31的顶面、第三固定座41的顶面及所述磁台1的顶面四者平齐。

所述支撑组件包括转动连接的安装座51与支撑块52，所述安装座51的顶面低于所述固定座的顶面设置，所述支撑块52扣合在所述安装座51上时，所述支撑块52的顶面与所述磁台1的顶面平齐，其中，所述支撑块52与安装座51通过转动轴转动连接。

为方便操作，可选的，如图1和图3所示，所述磁台1的一侧具有间隔设置的至少两个挡条6，所述挡条6的一端与所述磁台1转动连接，本实施例中，所述挡条6整体呈L字型。虽然本实施例中，挡条6是以翻转的方式与磁台1实现靠近/远离的，在其他实施例中，所述挡条6还可以是以其他形式靠近/远离所述磁台1的，例如，滑动、升降等。

如图2所示，所述磁台1的顶面和固定座的顶面分别设有用于限位纳米晶带材的限位槽7，所述支撑块52扣合在所述安装座51上时，所述支撑块52的顶面与所述限位槽7的底面平齐，可选的，所述支撑块52上也可以设置所述限位槽7。为方便利用第一胶带粘接两段纳米晶带材的第一保护盖膜，所述限位槽7的深度等于或小于所述纳米晶带材的厚度。

为确保压块能够稳定地压紧纳米晶带材，所述固定座上设有锁定结构8，所述压板的一端与所述固定座转动连接，所述压板的另一端设有与所述锁定结构8配合的配合结构。

如图3所示，作为一种优选的实施方式，所述支撑块52上设有减重结构521，所述减重结构521可以是设于所述支撑块52上的凹槽或镂空结构。本实施例中，所述减重结构521为设于所述支撑块52上的豁口。

如图1所示，具体的，所述磁台1包括外壳体11、设于所述外壳体11内的电磁铁(图未示)及用于控制所述电磁铁启闭的控制开关12。可选的，所述外壳体11内还设有电源，所述电源、所述控制开关12及所述电磁铁三者串联。当然，所述电磁铁直接连接市电也是可行的。

如图3所示，为保证压板对纳米晶带材的压紧效果，所述压板靠近所述固定座的顶面的一侧设有缓冲垫9，所述缓冲垫9的材质可选硅胶等。

如图1所示，本实施例中，纳米晶带材接头治具还包括底座10，所述磁台1、第一夹持组件、支撑组件、第二夹持组件和第三夹持组件分别固定在所述底座10上，如此，可令纳米晶带材接头治具成为一整体式结构，从而方便搬运、转移。

实施例二

请参照图4，本发明的实施例二为：一种纳米晶带材接头工艺，用于实现两段纳米晶带材的接头作业。

本纳米晶带材接头工艺包括如下步骤，

S1、将一段纳米晶带材的端部叠放到另一段纳米晶带材的上方，形成一重叠区域，并对两段纳米晶带材分别进行第一次固定；

S2、从所述重叠区域剪断两段纳米晶带材，使两段纳米晶带材形成相吻合的新端头；

S3、在两段纳米晶带材的新端头的下方垫上支撑块以使两段纳米晶带材的新端头支撑于所述支撑块上；

S4、用第一胶带在所述新端头处粘接两段纳米晶带材的第一保护盖膜；

S5、解除对两段纳米晶带材的第一次固定，将两段纳米晶带材翻面并对两段纳米晶带材进行第二次固定；

S6、从两段纳米晶带材的新端头处分别掀起两段纳米晶带材的第二保护盖膜；

S7、利用第二胶带在所述新端头处将两段纳米晶带材的材料层连接；

S8、将掀起的所述第二保护盖膜复位，并利用第三胶带在所述新端头处将两段纳米晶带材的第二保护盖膜连接，完成两段纳米晶带材的接头。

实施步骤S1时，每段纳米晶带材至少有两个固定区域，一个固定区域位于纳米晶带材的端部，另一个固定区域位于所述重叠区域远离所述端部的一侧。容易理解的，靠近所述纳米晶带材的端部的固定区域在所述重叠区域之内，而另一个所述固定区域在所述重叠区域之外。

步骤S1中“对两段纳米晶带材分别进行第一次固定”时，采用磁吸方式或夹持方式对纳米晶带材进行固定。

由于本实施例是使用工业铁皮剪刀对重叠区域剪切一次从而实现“从所述重叠区域剪断两段纳米晶带材”的，因此，所述重叠区域的下方是空心区域，步骤S3中，“在两段纳米晶带材的新端头的下方垫上支撑块”时，需将支撑块放入所述空心区域中。

在步骤S4之前，还包括步骤S4’，微调纳米晶带材位置，令两段纳米晶带材的新端头的端面贴合，如此可进一步提高纳米晶带材的接头精度。

步骤S5中“对两段纳米晶带材进行第二次固定”时，采用磁吸方式或夹持方式对纳米晶带材进行固定。

在实施步骤S6时，先利用两个第三胶带分别从所述新端头将两段纳米晶带材的第二保护盖膜粘住，然后提拉所述第三胶带以将两段纳米晶带材的第二保护盖膜掀开；最后将第三胶带暂时粘连到第二保护盖膜未掀开区域或其他结构件上。

在实施步骤S8时，先松开第三胶带与第二保护盖膜未掀开区域或其他结构件的粘连，然后撕除掉一个第三胶带，最后利用另一个第三胶带将两段纳米晶带材的第二保护盖膜连接。

可选的，所述第一胶带的宽度为5cm；所述第二胶带的宽度为5cm；所述第三胶带的宽度为5cm。

实施例三

为让阅者更充分地理解本技术方案中的纳米晶带材接头工艺及纳米晶带材接头治具，本实施例将实施例一与实施例二进行结合阐述。需要说明的是，本技术方案中的纳米晶带材接头工艺并非一定要依托于本技术方案中的纳米晶带材接头治具。

请参照图1至图4，一种纳米晶带材接头治具，用于辅助连接两段纳米晶带材，可设于测试工站之前。将一段纳米晶带材称为第一纳米晶带材，将另一段纳米晶带材称为第二纳米晶带材。

请结合图1至图3，纳米晶带材接头治具包括包括沿一排依次设置的磁台1、第一夹持组件、支撑组件、第二夹持组件和第三夹持组件；

所述第一夹持组件、第二夹持组件及第三夹持组件分别包括转动连接的固定座与压板，所述固定座的顶面与所述磁台1的顶面平齐，其中，所述压板与固定座通过转轴转动连接；具体的，所述第一夹持组件包括转动连接的第一固定座21与第一压板22，所述第二夹持组件包括转动连接的第二固定座31与第二压板32，所述第三夹持组件包括转动连接的第三固定座41与第三压板42，其中所述第一固定座21的顶面、第二固定座31的顶面、第三固定座41的顶面及所述磁台1的顶面四者平齐。

请结合图1和图3，所述支撑组件包括转动连接的安装座51与支撑块52，所述安装座51的顶面低于所述固定座的顶面设置，所述支撑块52扣合在所述安装座51上时，所述支撑块52的顶面与所述磁台1的顶面平齐，其中，所述支撑块52与安装座51通过转动轴转动连接。

如图1和图3所示，为方便操作，可选的，所述磁台1的一侧具有间隔设置的至少两个挡条6，所述挡条6的一端与所述磁台1转动连接，本实施例中，所述挡条6整体呈L字型。

如图2所示，所述磁台1的顶面和固定座的顶面分别设有用于限位纳米晶带材的限位槽7，所述支撑块52扣合在所述安装座51上时，所述支撑块52的顶面与所述限位槽7的底面平齐，可选的，所述支撑块52上也可以设置所述限位槽7。

如图1所示，为确保压块能够稳定地压紧纳米晶带材，所述固定座上设有锁定结构8，所述压板的一端与所述固定座转动连接，所述压板的另一端设有与所述锁定结构8配合的配合结构。

具体的，所述磁台1包括外壳体11、设于所述外壳体11内的电磁铁及用于控制所述电磁铁启闭的控制开关12。

利用上述纳米晶带材接头治具实施纳米晶带材接头工艺(如图4所示)的具体过程如下：

将挡条6、压板及支撑块52全部掀开；

将第一纳米晶带材放入磁台1上的限位槽7中，且第一纳米晶带材需要剪断的端部伸入第二固定座31上的限位槽7中；将第二纳米晶带材放入第三固定座41上的限位槽7中，且第二纳米晶带材需要剪断的端部伸到第一固定座21的上方，从而让第一纳米晶带材与第二纳米晶带材形成重叠区域，此时，在重叠区域中，第一纳米晶带材位于第二纳米晶带材的下方。容易理解的，在实际操作过程中，也可以令第二纳米晶带材位于第一纳米晶带材的下方。

利用控制开关12控制磁台1工作，使磁台1吸附固定第一纳米晶带材，并放下第三压板42，使第三夹持组件夹持固定第二纳米晶带材，利用第三固定座41上的锁定结构8锁定第三压板42；放下第二压板32，使第二夹持组件夹持固定第一纳米晶带材的端部和第二纳米晶带材，利用第二固定座31上的锁定结构8锁定第二压板32；放下第一压板22，使第一夹持组件夹持固定第二纳米晶带材的端部和第一纳米晶带材，利用第一固定座21上的锁定结构8锁定第一压板22，从而完成两段纳米晶带材的第一次固定。需要说明的是，第一压板22、第二压板32、第三压板42及磁台1的开启，四者先后顺序可根据实际需要选择。

接着，利用工业铁皮剪刀从安装座51的上方对所述重合区域进行一次剪切，从而剪断两段纳米晶带材的旧端头，使两段纳米晶带材形成相吻合的新端头；并清理掉第一纳米晶带材的旧端头以及第二纳米晶带材的旧端头。

松开第一压板22和第二压板32，掀起两段纳米晶带材的新端头，放下支撑块52，然后松开两段纳米晶带材的新端头，使得两段纳米晶带材的新端头支撑于所述支撑块52上，此时，可对两段纳米晶带材的位置进行微调，使得两段纳米晶带材的新端头的端面贴合。

然后，利用5cm宽的第一胶带在所述新端头处粘接两段纳米晶带材的第一保护盖膜，使第一纳米晶带材的第一保护盖膜与第二纳米晶带材的第一保护盖膜连接固定；

利用控制开关12关闭磁台1并松开第三压块，取出两段纳米晶带材并将两段纳米晶带材翻面；并将翻面后的两段纳米晶带材放置到磁台1上，然后，利用控制开关12开启磁台1使磁台1吸附固定两段纳米晶带材，完成两段纳米晶带材进行第二次固定，其中，两段纳米晶带材的新端头位于两个挡条6之间。

放下挡条6，使用两个4cm*5cm的第三胶带在所述新端头处分别粘接两段纳米晶带材的第二保护盖膜，并利用所述第三胶带提拉所述第二保护盖膜，从而掀起两段纳米晶带材的第二保护盖膜，掀起两段纳米晶带材的第二保护盖膜后将两个第三胶带分别暂时粘接在两个挡条6上，以令两段纳米晶带材的第二保护盖膜在所述新端头处保持掀起状态，容易理解的，第二保护盖膜掀起后，纳米晶带材的材料层则在所述新端头处外露。

利用5cm宽的第二胶带粘连两段纳米晶带材的材料层。

再接着，从两个挡条6上撕除所述第三胶带，断开第三胶带与挡条6的连接，使纳米晶带材的第二保护盖膜复位，撕除一段纳米晶带材的第二保护盖膜上的所述第三胶带，利用另一所述第三胶带将两段纳米晶带材的第二保护盖膜连接固定。

最后，利用控制开关12关闭磁台1，完成两段纳米晶带材的接头。

综上所述，本发明提供的纳米晶带材接头工艺，能够让两段纳米晶带材形成相吻合的新端头，可以让两段纳米晶带材的新端头紧实、平顺的过渡，大大降低了气泡、褶皱产生的几率，有效的提高了纳米晶带材接头质量及一致性，从而减少后续测试工站的不良，降低了材料的浪费，提高了生产良率。而且，在粘接两段纳米晶带材的第一保护盖膜时，可以微调纳米晶带材的位置，使得两段纳米晶带材的新端头贴合，从而进一步提高接头质量。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。