一种应用于电子远传水表的eeprom擦写平衡方法

文档序号:1845424 发布日期:2021-11-16 浏览:4次 >En<

阅读说明:本技术 一种应用于电子远传水表的eeprom擦写平衡方法 (EEPROM erasing and writing balancing method applied to electronic remote water meter ) 是由 范建华 徐军然 陈维广 刘永广 石潇龙 刘金亮 窦克森 朱文亚 于津 张公森 韩 于 2021-01-12 设计创作,主要内容包括:本发明公开了一种应用于电子远传水表的EEPROM擦写平衡方法,根据EEPROM特性、数据结构、数据读写频率和使用场景,划分数据存储单元和状态标识单元;然后通过状态标识单元利用位记录擦写信息;其次根据状态标识单元记录的信息判断下一次写入的位置,修改对应的标识并存储数据;最后,状态标识单元和数据存储单元空间资源耗尽后进行一次擦除,如此循环,实现了EEPROM擦写平衡。本发明大幅度提高EEPROM使用寿命,相比传统方法降低了记录信息所用的空间,提高了EEPROM的空间利用率。(The invention discloses an EEPROM erasing balance method applied to an electronic remote water meter, which is characterized in that a data storage unit and a state identification unit are divided according to EEPROM characteristics, a data structure, data reading and writing frequency and a use scene; then, recording erasing information by using the bit through the state identification unit; secondly, judging the position of the next writing according to the information recorded by the state identification unit, modifying the corresponding identification and storing data; and finally, erasing once after the space resources of the state identification unit and the data storage unit are exhausted, and repeating the steps to realize the erasing balance of the EEPROM. The invention greatly prolongs the service life of the EEPROM, reduces the space used for recording information compared with the traditional method and improves the space utilization rate of the EEPROM.)

一种应用于电子远传水表的EEPROM擦写平衡方法

技术领域

本发明涉及延长存储器使用寿命技术领域,尤其涉及一种应用于电子远传水表的EEPROM擦写平衡方法。

背景技术

EEPROM在擦写过程中,电子被氧化物捕获,形成栅栏,导致擦写需要更高的电压。氧化层通道情况恶化后,产生泄漏,使浮置栅极不再100%绝缘,使数据保持时间变得不稳定,擦写寿命(循环周期)一般为10万次,对于一些需要频繁存取数据且要求使用寿命较长的产品来说,擦写次数会成为产品寿命的瓶颈。

擦写平衡是指均衡对EEPROM的擦写,使其使用寿命得以延长。目前一般使用数倍于被存储数据长度的存储空间及相同字节数的空间来记录擦写信息,以实现擦写平衡的目的,有一半的空间用来存储数据无关的状态信息,致使EEPROM的空间利用率较低。

发明内容

本发明针对现有技术存在的不足和缺陷,提供了一种应用于电子远传水表的EEPROM擦写平衡方法,根据数据结构与存取频率以及EEPROM特性,选定合适的存储空间,以位记录擦写信息,在延长EEPROM使用寿命的同时提高了EEPROM的空间利用率。

为实现上述目的,本发明提供了一种EEPROM擦写平衡方法,包括以下步骤:

步骤1:根据EEPROM特性、数据结构、数据读写频率和使用场景,划分数据存储单元的存储空间和状态标识单元的存储空间,状态标识单元使用位记录擦写信息;

步骤2:从EEPROM中读取状态标识单元内容;

步骤3:判断状态标识单元是否全为0;全为0则进入步骤4,不全为0则进入步骤5;

步骤4:擦除状态标识单元和数据存储单元;

步骤5:判断写入位置即状态标识单元第一个不为0的位,改变状态标识并写入数据和状态标识,完成擦写平衡,当再次需要写入数据时,返回步骤2重复运行。

一般以单页作为存储空间,首字节/前两个字节作为状态标识单元,按位记录已写入的位置及下一次应该写入的位置。状态标识单元的位数与存储单元的字节数相同,每循环一次进行一次擦除,如此循环便可实现均衡擦写,延长EEPROM的使用寿命。

进一步的,述步骤1中将存储区域划分为数据存储单元和状态标识单元。

进一步的,步骤5中状态标识单元的第一个不为0的位即为下一次要写入的位置。

本发明的有益技术效果:根据数据块以此方法设计长度为L的存储单元,可使EEPROM的使用寿命提升L-2倍。

附图说明

图1是本发明应用于电子远传水表的EEPROM擦写平衡方法的工作流程图。

图2、图3、图4、图5是本发明应用于电子远传水表的EEPROM擦写平衡方法的EEPROM使用状态示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不限定本发明。

如图1所示,一种应用于电子远传水表的EEPROM擦写平衡方法,包括以下步骤。

步骤1:从EEPROM中读取状态标识单元内容,图2表示存储单元为空,下一个写入位置为第一字节,图3表示下一个写入位置为第二字节,图4表示下一个写入位置为第三字节,图5表示存储单元已满,应擦除,下一个写入位置为第一字节。

步骤2:判断stateBuffer是否全为0,若不全为0则表示存储单元有空间且处在可写状态,进入步骤3,若全为0则表示存储单元已满,此时擦除stateBuffer及存储单元,进入步骤1或步骤3。

步骤3:根据stateBuffer找到第一个1所在位置,既下一个数据写入的位置。

步骤4:修改标识,将对应的1修改为0。

步骤5:写入数据及标识。

上述实施例是对本发明的具体实施方式的说明,而非对本发明的限制,有关技术领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可做出各种变换和变化以得到相对应的等同的技术方案,因此所有等同的技术方案均应归入本发明的专利保护范围。

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