传感器装置和用于制造传感器装置的方法
阅读说明：本技术 传感器装置和用于制造传感器装置的方法 (Sensor device and method for producing a sensor device ) 是由 H·阿尔特曼 V·森兹 T·弗里德里希 C·赫尔梅斯 P·施莫尔林格鲁贝尔 H·韦伯 于 2020-03-26 设计创作，主要内容包括：本发明实现一种传感器装置(1),包括：衬底(2)；在衬底上的至少一个电气绝缘层(30、31)；边缘结构(RS),该边缘结构设置在该至少一个电气绝缘层(30、31)上且在衬底(2)之上限制内部区域(IB)；隔膜(3),该隔膜锚定在边缘结构(RS)上且至少部分跨越内部区域(IB),其中隔膜(3)在内部区域(IB)中包括通过压力(p)可动的区域(BB)；第一中间载体(ZT1),该第一中间载体在可动的区域(BB)中在隔膜(3)之下延伸且与隔膜(3)通过接触部位(KS)电气和机械连接且包括至少一个间隔元件(3a),该间隔元件由中间载体(ZT1)朝衬底(2)的方向延伸；以及在该至少一个电气绝缘层(30、31)上的第一对应电极(E1),其中该第一对应电极(E1)在中间载体(ZT1)之下延伸,且其中在中间载体(ZT1)与第一对应电极(E1)之间的第一间隔(d12)通过到可动的区域(BB)上的压力(p)是可改变的；且其中第一对应电极(E1)在中间载体(ZT1)之下包括至少一个电气隔离的区域(EB),该电气隔离的区域设置在间隔元件(3a)之下且具有间隔元件(3a)的至少一个横向扩展。(The invention realizes a sensor device (1) comprising: a substrate (2); at least one electrically insulating layer (30, 31) on the substrate; an edge structure (RS) arranged on the at least one electrically insulating layer (30, 31) and bounding an inner region (IB) above the substrate (2); a membrane (3) anchored on the edge structure (RS) and spanning at least partially the internal region (IB), wherein the membrane (3) comprises a region (BB) movable by a pressure (p) in the internal region (IB); a first intermediate carrier (ZT1) which extends in the movable region (BB) below the membrane (3) and is electrically and mechanically connected to the membrane (3) via a contact point (KS) and comprises at least one spacer element (3a) which extends from the intermediate carrier (ZT1) in the direction of the substrate (2); and a first counter electrode (E1) on the at least one electrically insulating layer (30, 31), wherein the first counter electrode (E1) extends below the intermediate carrier (ZT1), and wherein a first spacing (d12) between the intermediate carrier (ZT1) and the first counter electrode (E1) is changeable by a pressure (p) onto the movable region (BB); and wherein the first counter electrode (E1) comprises at least one electrically isolated region (EB) below the intermediate carrier (ZT1), which is arranged below the spacing element (3a) and has at least one lateral extension of the spacing element (3 a).)
技术领域
本发明涉及一种传感器装置和用于制造传感器装置的方法。
背景技术
在电容式压力传感器中，该压力传感器的制造通常可以借助导电层和牺牲层以及隔膜层的沉积实现，隔膜层事后是可裸露的(freistellbar)。大多数情况下，牺牲层的厚度在此限定可运动的电极与处于固定的对应电极的间距。为了提高这样的隔膜传感器的灵敏性，在可运动的电极和对应电极之间的小间距是值得期望的，该隔膜传感器理想地可以平面平行地构型。
为了能够防止可运动的电极与对应电极的机械和电接触，通常将间隔元件布置在电极结构上，该电极结构可以由电极材料组成并且可以构造为粒结(Noppen)。对于未电接触电极的情况，粒结与对应电极的碰触通常是不要紧的(unkritisch)。同样情况也适用于粒结与电极发生碰触，其中粒结和电极位于相同电势上。仅在粒结上和与粒结接触的电极上存在不同电势的情况下可能出现粒结与电极材料的短路和焊接。
在文献DE 10 2006 055 147中说明了如下粒结：附加地例如由氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SixOyNz)或硅化物、如例如硅化钨(WSi)构成的层可以位于所述粒结上。
在文献DE 10 2013 213 065中说明了一种电容式压力传感器，其可以包括在衬底上的对应电极，其中，具有空腔的牺牲层可以被沉积在对应电极上，并且其中，在牺牲层上可以布置有隔膜。隔膜中的腐蚀入口可以布置在对应电极侧面，其中，也可以将空腔用作腐蚀通道。以这种方式可以实现薄的隔膜。
发明内容
本发明实现根据权利要求1的传感器装置和根据权利要求9的用于制造传感器装置的方法。
优选的扩展方案是从属权利要求的内容。
本发明的优点：
本发明所基于的构思在于，给出一种传感器装置以及用于制造该传感器装置的方法，其中，传感器装置的特点在于，间隔元件可以成型在加强隔膜的中间载体(该中间载体是可运动的电极)和衬底(该衬底具有相对于其电绝缘的对应电极)之间，其中，间隔元件可以靠置在将对应电极与衬底电绝缘的层上或靠置在相对于对应电极电绝缘的、具有与隔膜相同电势的区域上。通过这样的间隔元件可以避免在加强隔膜的中间载体与对应电极之间的接触，而且可以避免粒结与对应止挡面的电短路以及焊接。
根据本发明，传感器装置包括：衬底；在衬底上的至少一个电绝缘层；边缘结构，该边缘结构布置在至少一个电绝缘层上并且限界在衬底上方的内部区域；隔膜，该隔膜锚定在边缘结构上并且至少部分跨越内部区域，其中，隔膜在内部区域中包括通过压力可运动的区域；第一中间载体，该第一中间载体在可运动的区域中在隔膜下方延伸并且与隔膜通过接触部位电连接和机械连接并且包括至少一个间隔元件，该间隔元件从中间载体起朝衬底的方向延伸；以及在至少一个电绝缘层上的第一对应电极，其中，第一对应电极在中间载体下方延伸，并且其中，中间载体和第一对应电极之间的第一间距能够通过作用到可运动区域上的压力改变，并且其中，第一对应电极在中间载体下方包括至少一个电隔离的区域，该电隔离的区域布置在间隔元件下方并且具有间隔元件的至少一个横向扩展尺度。
替代地或可选地，第一对应电极构造为至少两个元件，其中，对应电极的相应元件间隔开地布置在至少一个电绝缘层上。这种间隔开在间隔元件下方产生一区域并且具有横向扩展尺度，该横向扩展尺度至少相应于间隔元件的横向扩展尺度。
隔离区域可以没有被对应电极的剩余区域横向地包围、可以被对应电极的剩余区域横向地部分包围或完全地包围。
可运动的电极与衬底上的第一对应电极构成可变的电容。传感器装置可以成型为微机械电容式传感器、有利地成型为压力传感器。
根据传感器装置的一个优选实施方式，第一对应电极在隔离区域中包括至少一个具有底部的凹槽，在该底部中，电绝缘层是裸露的并且该底部与第一对应电极电绝缘，其中，凹槽位于间隔元件下方并且在俯视图中横向地在所有方向上延伸超过间隔元件。
根据传感器装置的一个优选实施方式，间隔元件包括与中间载体相同的材料。
根据传感器装置的一个优选实施方式，间隔元件包括第一高度，该第一高度大于第一对应电极的厚度。
替代地，然而也可以任意选择间隔元件的高度。间隔元件的高度可以小于牺牲层的厚度(在制造时)或小于牺牲层厚度的总和。间隔元件的高度可以小于对应电极的厚度或小于第三和第四牺牲层的总厚度。
根据传感器装置的一个优选实施方式，与第一对应电极电隔离的区域和第一对应电极包括相同材料，其中，在隔离区域上存在的电势等于第一中间载体的电势。
根据传感器装置的一个优选实施方式，间隔元件包括第一高度，该第一高度小于第一对应电极的厚度。
根据传感器装置的一个优选实施方式，间隔元件包括第一高度，该第一高度小于在中间载体的静止位置中的中间载体与第一对应电极的第一间距。
如果在制造中在隔膜下方的内部区域中包含小于周围大气压力的压力，则在制造传感器装置之后隔膜已经可以具有第一偏移并且中间载体具有与第一对应电极的第一间距。中间载体的如此占据的位置可以理解为中间载体的静止位置。
根据传感器装置的一个优选实施方式，第一对应电极的材料沉积在绝缘层上，该绝缘层相对于氟化氢(HF)蒸汽和呈液态形式的氟化氢(HF)是耐腐蚀的。
根据本发明，在用于制造传感器装置的方法中，提供具有至少一个电气绝缘层的衬底并且将能导电的层布置在衬底上的电绝缘层上；将能导电的层构建到在内部区域中的第一对应电极中并且构建第一对应电极，其中，至少一个与第一对应电极电隔离的区域成型在内部区域中。此外，将第一中间载体以第一间距布置在第一对应电极上方，所述第一中间载体具有至少一个间隔元件，该间隔元件从中间载体朝衬底离开地延伸，使得间隔元件位于隔离区域上方并且与该隔离区域间隔开；其中，在电绝缘层上成型有边缘结构，并且隔膜被锚定在边缘结构上并且至少部分地跨越内部区域，其中，隔膜在内部区域中包括通过压力可运动的区域；并且其中，第一中间载体在可运动的区域中在隔膜下方延伸并且与隔膜通过接触部位电连接和机械连接；并且其中，间隔元件具有横向扩展尺度，该横向扩展尺度等于或小于隔离区域的扩展尺度。
有利地，所述方法的特点也在于已经结合传感器装置所述的特征及其优点，并且反之亦可。
根据方法的一个优选实施方式，有利地在布置能导电的层之前，将电气绝缘层布置在衬底上。
根据方法的一个优选实施方式，在将第一对应电极构建到至少一个与第一对应电极电隔离的区域中时引入第一凹槽，在该第一凹槽中去除第一对应电极的材料，并且有利地使电绝缘层裸露，在该电绝缘层上已经沉积有第一对应电极的材料。
根据方法的一个优选实施方式，在布置第一中间载体之前，将第三牺牲层布置在第一对应电极和第一凹槽上，并且在第一凹槽的第三子区域中又去除该第三牺牲层，使得第一对应电极的边缘在第一凹槽中保持被第三牺牲层覆盖。
根据方法的一个优选实施方式，将第四牺牲层布置到第三牺牲层上和在第三子区域中，并且在第三子区域内在第四子区域中成型有凹槽，该凹槽的横向扩展尺度小于第三子区域的横向扩展尺度，其中，第四牺牲层在该凹槽中剩余的厚度限定间隔元件与隔离区域的底部的间距。
根据方法的一个优选实施方式，在布置第一中间载体之前，将第三牺牲层布置在第一对应电极和与该对应电极电隔离的区域上，并且在第三子区域中在隔离区域上方又除去第三牺牲层，该第三子区域具有比隔离区域更小的横向扩展尺度。
根据方法的一个优选实施方式，将第四牺牲层布置到第三牺牲层上并且在第三子区域中有利地布置在与对应电极隔离的区域上，并且在第三子区域内在第四子区域中成型有凹槽，该凹槽的横向扩展尺度小于第三子区域的横向扩展尺度，其中，第四牺牲层在第四子区域中在该凹槽中的剩余厚度限定了间隔元件与隔离区域的表面的间距。
根据方法的一个优选实施方式，将第四牺牲层布置到第三牺牲层上和布置在第三子区域中，并且在第三子区域内在第四子区域中在成型有第四牺牲层中的凹槽，该第四牺牲层的厚度限定了间隔元件与隔离区域的表面的间距。
根据方法的一个优选实施方式，第四牺牲层和/或第三牺牲层通过腐蚀过程部分地或完全地在第三和/或第四子区域内被除去。
根据方法的一个优选实施方式，将接触部位分别竖直地布置在间隔元件上方。
根据方法的一个优选实施方式，第一能导电的层如此构建，使得隔离区域通过在能导电的层中的沟槽成型并且与第一对应电极的其余区域隔离。沟槽可以横向地完全环绕隔离区域。
本发明的实施方式的其它特征和优点由下面参照附图的说明得出。
附图说明
在下面根据在附图的示意图中给出的实施例详细地阐述本发明。
附图示出了：
图1根据本发明的一个实施例的传感器装置的示意性侧视图；
图2根据本发明的一个实施例的在制造方法期间的传感器装置的示意性侧视图；
图3根据本发明的另一实施例的在制造方法期间的传感器装置的示意性侧视图；
图4根据本发明的另一实施例的在制造方法期间的传感器装置的示意性侧视图；
图5根据本发明的另一实施例的在制造方法期间的传感器装置的示意性侧视图；
图6根据本发明的一个实施例的用于制造传感器装置的方法的方法步骤的示意图。
在附图中，相同附图标记标明相同或功能相同的元件。
具体实施方式
图1示出根据本发明的一个实施例的传感器装置的示意性侧视图。
传感器装置1包括衬底2；和可以包括除少量用于制造与衬底的电接触的开口之外完全闭合的电绝缘平面，该电绝缘平面可以由多个电绝缘层30和/或31组成；边缘结构RS，其布置在衬底2上的电绝缘层30和/或31上并且限界在衬底2上方的内部区域IB；隔膜3，该隔膜锚定在边缘结构RS上并且至少部分地跨越内部区域IB，其中，隔膜3在内部区域IB中包括通过压力可运动的区域BB；第一中间载体ZT1，该第一中间载体在可运动的区域BB中在隔膜3下方延伸并且构成可运动的电极，该电极与隔膜3通过接触部位KS电连接和机械连接并且包括至少一个间隔元件3a，该间隔元件从第一中间载体ZT1离开地朝衬底2的方向延伸；以及在衬底2上和在绝缘层30和/或31上的第一对应电极E1，该第一对应电极在第一中间载体ZT1下方延伸。
在第一中间载体ZT1和第一对应电极E1之间的第一间距d12能够通过施加压力p到可运动的区域BB上改变，其中，第一对应电极E1在第一中间载体ZT1下方包括至少一个电隔离(横向地与第一对应电极E1的剩余区域隔离)的区域EB，该电隔离区域布置在间隔元件3a下方并且具有间隔元件3a的至少一个横向扩展尺度。
替代地或可选地，第一对应电极E1构造为至少两个元件，其中，对应电极E1的相应元件间隔开地布置在至少一个电绝缘层30和/或31上。这种间隔开产生在间隔元件3a下方的区域EB，该区域具有横向扩展尺度，其至少相应于间隔元件3a的横向扩展尺度。在此尤其可以设置，对应电极E1的至少两个元件借助电连接相互连接。
在衬底2上可以布置有不能导电的第一绝缘层30，在该第一绝缘层上又可以构造第一能导电的层4、即在图1中的第一对应电极E1。此外可以是，附加的绝缘层、有利地是不能导电的层31(该绝缘层也可以包括多个单个层并且可以相对于呈液态形式以及呈气态形式的氟化氢(HF)具有尽可能高的耐腐蚀性)可以设置在第一绝缘层30和第一能导电的层4之间或代替第一绝缘层30。衬底2还可以包括硅，第一绝缘层30可以包括氧化硅和/或化学计量的氮化硅层，并且附加的绝缘层31可以包括富含硅的氮化物层、碳化硅层或氧化铝层。
第一对应电极E1可以在隔离区域EB中包括至少一个具有底部7a的凹槽7(在图1中的EB)，该凹槽可以与第一对应电极E1电绝缘，在该凹槽中，第一绝缘层30或附加的绝缘层31可以是裸露的。凹槽7在此位于间隔元件3a下方并且可以在俯视图中看去横向地在所有方向上延伸超过间隔元件3a。第一能导电的层4的构建、即第一对应电极E1的成型有利地可以在相同的步骤中不但针对隔离区域EB，而且也针对隔离为第一对应电极E1和一个或多个第二对应电极。
间隔元件3a有利地可以防止，两个对置的具有不同电势的能导电的结构发生接触并且如此可能出现结构的短路和点焊接。在所示的示例中，能导电的层4和/或中间载体ZT1和/或隔膜3例如可以包括n掺杂和/或p掺杂的多晶硅，其中，通过掺杂多晶硅可以改变、例如可以增大其导电能力。所示的结构之间的间距可以针对静止状态存在并且在施加外部压力p的情况下或在过载情况下、例如在压力峰值的作用下减小。通过间隔元件3a有利地可以防止在第一对应电极E1和第一中间载体ZT1上的不同电势之间的接触以及各接触面在此出现的短路或焊接。
间隔元件3a可以具有以下横截面：该横截面在俯视图中例如从第一对应电极E1看去可以具有任意形状，如圆形、矩形、三角形、半圆或其它们的组合。此外，间隔元件3a的侧区域可以是直线的、竖直的侧壁或相对于中间载体ZT1的表面具有角度。同样地，在第一中间载体ZT1下方，间隔元件3a的位置和数量可以是任意的，这取决于以防弯曲的所希望的保护度，因为在高负载下，中间载体ZT1也可以在间隔元件之间弯曲，并且间隔元件3a的密封地布置可以防止与第一对应电极E1接触。此外，在第一中间载体ZT1上的间隔元件3a优选可以位于接触部位KS下方的区域中，该接触部位将第一中间载体ZT1与隔膜3连接。以这种方式可以避免：在高负载下(高的外部压力p)第一中间载体ZT1能够在间隔元件3a之间弯曲。
图2示出根据本发明的一个实施例的在制造方法期间在传感器装置的止挡元件3a的区域中的局部的示意性侧视图。
在该方法中，间隔元件3a的成型可以在与第一对应电极E1隔离的区域EB上方进行，使得间隔元件3a例如包括与第一中间载体ZT1相同的材料。图2a示出一个方法步骤，其中，在衬底2上方布置有第一绝缘层30，其中，在该第一绝缘层上又可以布置有附加的绝缘层31。在第一或附加的绝缘层30、31上可以布置有第一能导电的层4，其可以事后构建，以便产生隔离区域EB，在该隔离区域中可以除去第一能导电的层4直至第一或附加的绝缘层30、31，并且因此形成具有底部7a的第一凹槽7。第一能导电的层4还可以用于形成第一对应电极E1。在布置第一中间载体ZT1之前，根据图2b，可以将第三牺牲层O3沉积在第一对应电极E1上和第一凹槽7的区域中并且在底部7a上在第一凹槽7的第三子区域T1中又可以除去该第三牺牲层，使得第一对应电极E1的边缘可以保持被第三牺牲层O3覆盖。第一凹槽7因此可以包括第一深度t1，该第一深度可以相应于第一能导电的层4和第三牺牲层O3的总厚度。
根据图2b，可以将第四牺牲层O4沉积到第三牺牲层O3上和第三子区域T1中，所述第三牺牲层O3和第三子区域T1的厚度ty可以限定间隔元件3a与隔离区域EB的底部7a的间距。第四牺牲层O4的布置导致在隔离区域EB内的第四子区域A2，该第四子区域A2可以具有比第三子区域T1更小的横向扩展尺度。第三和第四牺牲层O3、O4在隔离区域EB外的总厚度可以限定第一中间载体ZT1与第一对应电极E1的第一间距。该间距可以在中间载体ZT1的静止位置中存在并且在提高的外部压力p的情况下减小。在该应用中所述的第三牺牲层O3在此可以如第四牺牲层O4那样包括氧化硅。
根据图2c，第一中间载体ZT1可以沉积在第四牺牲层O4上和在第四子区域A2中。在此形成间隔元件3a。间隔元件3a可以包括第一高度h1，该第一高度等于第一能导电的层4和第三牺牲层O3的总厚度t1并且可以与底部7a具有一间距，该间距可以相应于第四牺牲层O4的层厚度ty。间隔元件3a的宽度在此有利地小于隔离区域EB的宽度。此外，多个间隔元件3a可以相互相同或不同地成型。
根据图2d，可以通过腐蚀方法在第一对应电极E1和第一中间载体ZT1之间除去第三牺牲层O3和第四牺牲层O4。
图3示出根据本发明的一个实施例的在制造方法期间的传感器装置的示意性侧视图。
图3a至3c示出在中间载体ZT1上制造间隔元件3a的一个替代方案，其中，可以仅利用一个牺牲层、尤其是第三牺牲层O3。图3a的方法步骤基本上与图2a的方法步骤相同，唯一的区别在于，在第三子区域T1中可以将第三牺牲层O3仅除去直至确定的深度，而不达到第一凹槽7的底部7a。在此，在第三牺牲层O3中的凹槽深度可以相应于间隔元件3a的第一高度h1，并且第三牺牲层O3在该区域中和在凹槽7的底部7a上方的剩余厚度可以相应于厚度tx。在此有利地，第一高度h1、即凹槽在第三牺牲层O3中的深度可以大于第一能导电的层4的厚度，该第一能导电的层一起被用于产生第一对应电极E1，使得在过载情况下、即当间隔元件3a靠置在凹槽7的底部7a上时，间隔元件3a与在第一对应电极E1中的凹槽7的深度相比具有更大的第一高度h1，即h1大于对应电极E1的厚度。
在图3b的步骤中，可以将第一中间载体ZT1的材料施加在第三牺牲层O3上和在第三子区域T1中，并且在图3c的步骤中可以除去第三牺牲层O3，随后在第一中间载体ZT1下方的自由空间和在第一凹槽7上方的间隔元件3a可以留下。间隔元件3a可以具有与凹槽的底部7a的间距d3。该间距d3可以在中间载体ZT1的静止位置中存在且在提高的外部压力p的情况下减小。
图4示出根据本发明的一个实施例的在制造方法期间的传感器装置的示意侧视图。
图4a至4c示出在中间载体ZT1上制造间隔元件3a的一个替代方案，其中，图4a的方法步骤与图2a的区别仅在于，构建第一对应电极E1、尤其是第一能导电的层4，并且隔离区域EB可以通过在第一能导电的层4中的沟槽G成型并且可以与第一对应电极E1的其余区域电隔离，其中，可以省去在第一对应电极E1中成型大面积的第一凹槽7。然后，可以将第三牺牲层O3施加在第一对应电极E1上并且在第三子区域T1中在隔离区域EB内除去该第三牺牲层，使得在第三牺牲层O3中形成凹槽的边缘，并且在该凹槽外，沟槽G和对应电极E1可以被第三牺牲层O3覆盖。在图4b中示出，可以将第四牺牲层O4施加在第三牺牲层O3上和该第三牺牲层在隔离区域EB内的凹槽中，其中，凹槽可以在隔离区域EB中成型在第四牺牲层O4中的第四子区域A2中，该凹槽可以具有比第三子区域T1更小的横向扩展尺度。第四牺牲层O4可以覆盖第三牺牲层O3的边缘并且包括在第三牺牲层O3中的凹槽底部7a上的厚度ty。
在图4c中，可以将第一中间载体ZT1施加到第四牺牲层O4上，并且在图4d中，又可以除去牺牲层O3和O4，这可以产生具有间隔元件3a的第一中间载体ZT1。第三和第四牺牲层O3和O4的总厚度在此限定第一中间载体ZT1与第一对应电极E1的第一间距，通过将外部压力施加到隔膜上可以改变该第一间距。为了在间隔元件3a与隔离区域EB接触时不产生短路，间隔元件3a和隔离区域EB可以通过相应的接线而位于相同电势上。
图5示出根据本发明的一个实施例的在制造方法期间的传感器装置的示意性侧视图。
图5a至5c示出在中间载体ZT1上制造间隔元件3a的一个替代方案，其中，图5a的方法步骤与图4a的区别仅在于，在第三牺牲层O3中的凹槽中(在第三子区域T1中)，第三牺牲层O3在隔离区域EB(该隔离区域通过第一能导电的层4中的沟槽G与第一对应电极E1电隔离)内的剩余厚度tx保持存在，该剩余厚度已经可以相应于间隔元件3a与第一能导电的层4所设置的间距。在该情况下可以省去第四牺牲层的沉积。第三牺牲层O3中的凹槽在第三子区域T1中的深度可以相应于事后在图5b中成型的间隔元件3a的第一高度h1。在图5b中，可以将第一中间载体ZT1施加到第三牺牲层O3上，并且在图5c中，又可以除去第三牺牲层O3，这可以产生具有间隔元件3a的第一中间载体ZT1。
在所有在图1至5中所示的变型中还能够实现，通过适合地选择间隔元件3a的第一高度h1与牺牲层O3的剩余厚度tx或与牺牲层O4在第三子区域T1内的厚度ty的比，在间隔元件3a与底部7a接触的情况下可以调整在第一中间载体ZT1和第一对应电极E1之间的限定的第一间距d12。间隔元件3a的高度h1在此相应于第三牺牲层O3的层厚度与第四牺牲层O4的层厚度之和。因为在间隔元件3a与底部7a接触的情况下，可运动的电极、在此为第一中间载体ZT1可以达到非常靠近处于固定的对应电极E1，所以在电容式测量的情况下在电极之间的间距减小时由于作用的测量电压而引起附加的力分量，该测量电压试图将电极相互吸引。为了能够避免这一点，有利的是，在碰撞情况下或在过载情况下，例如由于高的外部压力p，可以将中间载体ZT1相对于对应电极E1保持限定的间距d12。
传感器装置可以包括压力传感器或其它类型的压力传感器、微电子机械(MEMS)麦克风、惯性传感器等，在这些传感器中可以避免，具有不同电势的两个面能够相互接触。
图6示出根据本发明的一个实施例的用于制造传感器装置的方法的方法步骤的示意图。
在用于制造传感器装置的方法中，提供S1具有至少一个电绝缘层的衬底并且在衬底上的电绝缘层上布置S2能导电的层；将能导电的层构建S3到在内部区域中的第一对应电极中并且构建第一对应电极，其中，成型至少一个与第一对应电极电隔离的区域；将第一中间载体以第一间距布置S4在第一对应电极上方，所述第一中间载体具有至少一个间隔元件，该间隔元件从中间载体起朝衬底的方向延伸，使得间隔元件位于隔离区域上方并且与该隔离区域间隔开；其中，边缘结构成型在至少一个电绝缘层上，并且隔膜被锚定在边缘结构上并且至少部分地跨越内部区域，其中，隔膜在内部区域中包括通过压力可运动的区域；并且其中，中间载体在可运动的区域中在隔膜下方延伸并且与隔膜通过接触部位电连接和机械连接；并且其中，间隔元件具有横向扩展尺度，该横向扩展尺度等于或小于隔离区域的扩展尺度。
虽然根据优选实施例在上文中完全说明了本发明，但本发明不限于此，而是能够通过多种方式和方法修改。