具体实施方式

下文中将参考附图更充分地描述本发明构思的示例性实施方式。在所有附图中，相同的附图标记可表示相同的元件。

将理解的是，当诸如膜、区域、层或元件的组件被称为在另一组件“上”、“连接至”、“联接至”或“邻近于”另一组件时，该组件可直接地在所述另一组件上、连接至、联接至或邻近于所述另一组件，或可存在中间组件。还将理解的是，当组件被称为“在两个组件之间”时，该组件可以是两个组件之间的唯一组件，或者也可存在一个或多个中间组件。还将理解的是，当组件被称为“覆盖”另一组件时，该组件可以是覆盖所述另一组件的唯一组件，或者一个或多个中间组件也可覆盖所述另一组件。用于描述组件之间的关系的其他词语应该以类似的方式来解释。

术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何组合和所有组合。

将理解的是，在本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等用于将一个元件与另一元件区分开，并且元件不受这些术语的限制。因此，示例性实施方式中的“第一”元件可在另一示例性实施方式中被描述为“第二”元件。此外，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式的术语可包括复数形式。

为了便于描述，本文中可使用诸如“下面”、“下方”、“下部”、“之下”、“上方”、“上部”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包含除了图中描绘的定向之外的装置在使用或操作中的不同定向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”可包含上方和下方两种定向。

“包括(include)”或“包括(comprise)”的含义可指定特性、固定数字、步骤、操作、元件、组件或其组合，但是不排除其它特性、固定数字、步骤、操作、元件、组件或其组合。

在本文中，当两个或更多个元素或值被描述为彼此基本上相同或大约相等时，应当理解，元素或值彼此相同，元素或值在测量误差内彼此相等，或者如果可测量地不相等，则如本领域普通技术人员将理解的，元素或值在值上足够接近以在功能上彼此相等。例如，考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中使用的术语“大约”包括所述值和在本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值。例如，“大约”可意指在本领域普通技术人员所理解的一个或多个标准偏差内。此外，将理解的是，虽然在本文中参数可被描述为具有“大约”某个值，但是根据示例性实施方式，如本领域普通技术人员将理解的，该参数可以是测量误差内的精确的某个值或近似的某个值。

图1是根据本发明构思的示例性实施方式的电子装置的立体图。

参照图1，电子装置1000可以是根据电信号激活的装置。例如，电子装置1000可以是移动电话、平板PC、汽车导航系统、游戏控制台或可穿戴装置。然而，电子装置1000不限于此。图1示出了其中电子装置1000是移动电话的示例。

电子装置1000可通过有效区域1000A显示图像。有效区域1000A可包括由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。有效区域1000A还可包括分别从该平面的至少两侧弯曲的曲化表面。然而，有效区域1000A的形状不限于此。例如，有效区域1000A可仅包括该平面。可替代地，有效区域1000A还可包括至少两个曲化表面，例如，分别从四侧弯曲的四个曲化表面。

电子装置1000的厚度方向可对应于与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的第三方向DR3。因此，可基于第三方向DR3来限定构成电子装置1000的构件中的每个的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)。

图2是根据本发明构思的示例性实施方式的电子装置的示意性剖视图。

参照图2，电子装置1000可包括显示层100、传感器层200和功能层300。

显示层100可生成图像。显示层100可以是发射型显示层。例如，显示层100可以是有机发光显示层、量子点显示层、微型LED显示层或纳米LED显示层。

显示层100可包括基底层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。

基底层110可以是提供基底表面的构件，其中，电路层120设置在该基底表面上。基底层110可以是例如玻璃衬底、金属衬底或聚合物衬底。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施方式，基底层110可以是无机层、有机层或复合层。

基底层110可具有多层结构。例如，基底层110可具有例如由合成树脂层、粘合层和合成树脂层构成的三层结构。例如，合成树脂层可包括聚酰亚胺基树脂。此外，合成树脂层可包括例如丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂或二萘嵌苯基树脂中的至少一种。然而，合成树脂层不限于此。

电路层120可设置在基底层110上。电路层120可包括例如绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体层和导电层可以以诸如例如涂覆或气相沉积的方式形成在基底层110上，并且然后，绝缘层、半导体层和导电层可通过多个光刻工艺选择性地图案化。此后，可提供包括在电路层120中的半导体图案、导电图案和信号线。

发光元件层130可设置在电路层120上。发光元件层130可包括发光元件。例如，发光元件层130可包括有机发光材料、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。

封装层140可设置在发光元件层130上。封装层140可包括例如依次层压的无机层、有机层和无机层。然而，构成封装层140的层不限于此。

无机层可保护发光元件层130免受例如湿气和氧气的影响，以及有机层可保护发光元件层130免受诸如例如灰尘颗粒的外来物质的影响。无机层可包括例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层可包括例如丙烯酸基有机层。然而，本发明构思不限于此。

传感器层200可设置在显示层100上。传感器层200可感测从外部源施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可包括各种类型的外部输入，诸如例如用户的身体的一部分、光、热、笔、压力等。

传感器层200可通过连续工艺设置在显示层100上。在这种情况下，传感器层200可表示为直接地设置在显示层100上。直接设置可意指在传感器层200与显示层100之间未设置第三组件。例如，根据示例性实施方式，当传感器层200直接地设置在显示层100上时，在传感器层200与显示层100之间未设置单独的粘合构件。

可替代地，传感器层200可通过粘合构件结合至显示层100。粘合构件可包括例如普通粘合剂或粘结剂。

功能层300可设置在传感器层200上。功能层300可包括改变光路的光路控制层或降低从外部入射的外部光的反射率的抗反射层中的至少一个。

图3是根据本发明构思的示例性实施方式的电子装置的剖视图。

参照图3，在示例性实施方式中，至少一个无机层设置在基底层110的顶表面上。无机层可包括例如氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆或氧化铪中的至少一种。无机层可设置为多层。多层无机层可构成阻挡层和/或缓冲层。在根据图3的示例性实施方式中，显示层100被示出为包括缓冲层BFL。

缓冲层BFL可提高基底层110与半导体图案之间的结合力。缓冲层BFL可包括例如氧化硅层和氮化硅层，并且氧化硅层和氮化硅层可交替地堆叠。

半导体图案可设置在缓冲层BFL上。半导体图案可包括例如多晶硅。然而，本发明构思不限于此。例如，半导体图案可包括非晶硅或氧化物半导体。

图3示出了半导体图案的一部分，并且将理解的是，半导体图案还可设置在其它区域中。半导体图案可以以特定的规则布置在像素上方。根据半导体图案是否被掺杂，半导体图案具有不同的电特性。半导体图案可包括具有高导电性的第一区和具有低导电性的第二区。第一区可用n型掺杂剂或p型掺杂剂掺杂。p型晶体管可包括用p型掺杂剂掺杂的掺杂区，以及n型晶体管可包括用n型掺杂剂掺杂的掺杂区。第二区可以是非掺杂区或掺杂浓度低于第一区的区。

第一区可具有比第二区的导电率大的导电率。第一区可基本上充当电极或信号线。非掺杂区可基本上对应于晶体管的有源区(或沟道)。例如，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，以及另一部分可以是连接电极或连接信号线。

像素中的每个可具有包括例如七个晶体管、一个电容器和发光元件的等效电路，并且像素的等效电路图可以以各种形式修改。在图3中，示例性地示出了包括在像素中的一个晶体管100PC和发光元件100PE。

晶体管100PC的源极S1、有源区A1和漏极D1可从半导体图案形成。源极S1和漏极D1可在截面中以相对方向从有源区A1延伸。图3示出了从半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。在示例性实施方式中，连接信号线SCL可在平面上连接至晶体管100PC的漏极D1。

第一绝缘层10可设置在缓冲层BFL上。第一绝缘层10公共地与多个像素重叠并覆盖半导体图案。第一绝缘层10可包括无机层和/或有机层，并且可具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可包括例如氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆或氧化铪中的至少一种。在示例性实施方式中，第一绝缘层10可包括单层氧化硅层。稍后将进一步描述的电路层120的绝缘层以及第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可具有单层结构或多层结构。无机层可包括上述材料中的至少一种，但不限于此。

晶体管100PC的栅极G1设置在第一绝缘层10上。每个栅极G1可以是金属图案的一部分。栅极G1与有源区A1重叠。在其中半导体图案被掺杂的工艺中，栅极G1可用作掩膜。

第二绝缘层20可设置在第一绝缘层10上并且可覆盖栅极G1。第二绝缘层20可公共地与像素重叠。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可具有单层结构或多层结构。在示例性实施方式中，第二绝缘层20可包括单层氧化硅层。

第三绝缘层30可设置在第二绝缘层20上。在示例性实施方式中，第三绝缘层30可以是单层氧化硅层。

第一连接电极CNE1可设置在第三绝缘层30上。第一连接电极CNE1可通过穿过第一绝缘层10至第三绝缘层30的接触孔CNT-1连接至连接信号线SCL。

第四绝缘层40可设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以是单层氧化硅层。第五绝缘层50可设置在第四绝缘层40上。第五绝缘层50可以是有机层。

第二连接电极CNE2可设置在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可通过穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔CNT-2连接至第一连接电极CNE1。

第六绝缘层60可设置在第五绝缘层50上，并且可覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层60可以是有机层。

包括发光元件100PE的发光元件层130可设置在电路层120上。发光元件100PE可包括第一电极AE、发射层EL和第二电极CE。

第一电极AE可设置在第六绝缘层60上。第一电极AE可通过穿过第六绝缘层60的接触孔CNT-3连接至第二连接电极CNE2。

像素限定层70可设置在第六绝缘层60上，并且可覆盖第一电极AE的一部分。开口70-OP限定在像素限定层70中。像素限定层70的开口70-OP暴露第一电极AE的至少一部分。在示例性实施方式中，发射区域PXA可对应于第一电极AE的、由开口70-OP暴露的区域的一部分。非发射区域NPXA可围绕发射区域PXA。

发射层EL可设置在第一电极AE上。发射层EL可设置在开口70-OP中。例如，发射层EL可与像素中的每个分离。当发射层EL与像素中的每个分离时，发射层EL中的每个可发射具有蓝色、红色或绿色中的至少一种颜色的光。然而，本发明构思不限于此。例如，发射层EL可公共地提供为连接至像素。在这种情况下，发射层EL可提供蓝光或白光。

第二电极CE可设置在发射层EL上。第二电极CE可具有一体形状，并且可公共地设置在多个像素上。

在示例性实施方式，空穴控制层可设置在第一电极AE与发射层EL之间。空穴控制层可公共地设置在发射区域PXA和非发射区域NPXA中。空穴控制层可包括空穴传输层，并且还可包括空穴注入层。电子控制层可设置在发射层EL与第二电极CE之间。电子控制层可包括电子传输层，并且还可包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可通过使用开口掩膜公共地形成在多个像素中。

封装层140可设置在发光元件层130上。封装层140可保护发光元件层130免受诸如例如湿气、氧气和灰尘颗粒的外来物质的影响。

传感器层200可包括基底层201、第一导电层202、感测绝缘层203、第二导电层204和覆盖绝缘层205。显示层100设置在传感器层200的基底层201下方。

基底层201可以是包括例如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的任一种的无机层。可替代地，基底层201可以是包括例如环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺基树脂的有机层。基底层201可具有单层结构或多层结构，在该多层结构中在第三方向DR3上层压有多个层。

第一导电层202和第二导电层204中的每个可具有单层结构或多层结构，在该多层结构中在第三方向DR3上层压有多个层。

具有单层结构的导电层可包括金属层或透明导电层。金属层可包括例如钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层可包括透明导电氧化物，诸如例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌锡(IZTO)等。此外，透明导电层可包括导电聚合物，诸如例如PEDOT、金属纳米线、石墨烯等。

具有多层结构的导电层可包括金属层。金属层可具有钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。

第二导电层204可具有比第一导电层202的厚度大的厚度。例如，第二导电层204可具有大于第一导电层202的厚度大约1.5倍的厚度。例如，第一导电层202可具有大约1950埃的厚度，以及第二导电层204可具有大约3100埃的厚度。然而，本发明构思不特别限于此。在本发明构思的示例性实施方式中，第一导电层202和第二导电层204可具有基本上相同的厚度。可替代地，第一导电层202可具有比第二导电层204的厚度大的厚度。

感测绝缘层203和覆盖绝缘层205中的至少一个可包括无机层。无机层可包括例如氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆或氧化铪中的至少一种。

感测绝缘层203和覆盖绝缘层205中的至少一个可包括有机层。有机层可包括例如丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂或二萘嵌苯基树脂中的至少一种。

在本发明构思的示例性实施方式中，感测绝缘层203可包括无机层，并且覆盖绝缘层205可包括有机层。感测绝缘层203可具有大约3000埃的厚度，以及覆盖绝缘层205可具有大约17500埃至大约25000埃的厚度。然而，感测绝缘层203的厚度和覆盖绝缘层205的厚度不限于以上值。

开口205-OP可限定在覆盖绝缘层205的一部分中。开口205-OP可与发射区域PXA重叠。感测绝缘层203的顶表面可被开口205-OP暴露。覆盖绝缘层205可覆盖第一导电层202和第二导电层204，并且因此，可覆盖下面参考图4详细描述的第一感测电极210和第二感测电极220。

功能层300可设置在覆盖绝缘层205上，并且被填充到限定在覆盖绝缘层205中的开口205-OP中。此外，功能层300可提供基本上平坦的顶表面。功能层300可具有比覆盖绝缘层205的折射率大的折射率。例如，功能层300的折射率与覆盖绝缘层205的折射率之间的差可以是大约0.1或更大。覆盖绝缘层205的折射率可在从大约1.4至大约1.55的范围内，并且例如，在示例性实施方式中可以是大约1.53。功能层300的折射率可在从大约1.6至大约1.75的范围内。

功能层300可包括硅氧烷基树脂。除了硅氧烷基树脂之外，功能层300可包括例如氧化锆颗粒、氧化铝颗粒或氧化钛颗粒中的至少一种。

从发射层EL提供的光可在相对于第三方向DR3倾斜的横向方向上发射，以及也可在例如第三方向DR3的前方向上发射。光效率可基于在前方向上发射的光来确定。根据本发明构思的示例性实施方式，在横向方向上发射的光可通过限定开口205-OP的覆盖绝缘层205的侧表面与功能层300之间的折射率的差进行折射或全反射。因此，光路可在第三方向DR3上或接近第三方向DR3的方向上改变。由此，可提高电子装置1000的光效率。

在示例性实施方式中，抗反射层还可设置在功能层300上。抗反射层可包括可伸展的合成树脂膜。例如，抗反射层可通过在聚乙烯醇膜(PVA膜)上对碘化合物进行染色来提供。

在本发明构思的示例性实施方式中，抗反射层可包括滤色器。滤色器可具有预定的布置。滤色器的布置可考虑包括在显示层100中的像素的发射颜色来确定。可替代地，抗反射层可包括相消干涉结构。例如，相消干涉结构可包括设置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可相消地干涉，并且因此，可降低外部光的反射率。

图4是根据本发明构思的示例性实施方式的传感器层的平面图。

参照图4，传感器层200可感测从外部源施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可包括各种类型的外部输入，诸如例如用户的身体的一部分、光、热、笔、压力等。传感器层200可包括感测区域200A和外围区域200N。感测区域200A可以是根据电信号激活的区域。例如，感测区域200A可以是感测输入的区域。外围区域200N可围绕感测区域200A。

传感器层200包括多个第一感测电极210、多个第二感测电极220、多条第一感测线230和多条第二感测线240。

第一感测电极210和第二感测电极220可设置在感测区域200A中。传感器层200可通过第一感测电极210与第二感测电极220之间的电容中的变化来获取关于外部输入的信息。

第一感测电极210中的每个可在第二方向DR2上延伸。第一感测电极210可在第一方向DR1上彼此间隔开。第二感测电极220中的每个可在第一方向DR1上延伸。第二感测电极220可在第二方向DR2上彼此间隔开。第一感测电极210和第二感测电极220可彼此交叉。

第一感测电极210中的每个可包括多个第一部分211和设置在第一部分211中相邻的第一部分211之间的第二部分212。第一部分211可被称为感测部分，以及第二部分212可被称为连接部分或交叉部分。

第一部分211和第二部分212可具有彼此连接的一体形状。因此，第二部分212可限定为第一感测电极210的与第二感测电极220交叉的一部分。第一部分211和第二部分212可设置在彼此相同的层上。

第二感测电极220中的每个可包括多个感测图案221和桥接图案222，其中，桥接图案222电连接至感测图案221中两个相邻的感测图案。感测图案221和桥接图案222可设置在彼此不同的层上。在图4中，示出了将两个感测图案221彼此连接的两个桥接图案222作为示例。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施方式，可提供一个桥接图案222或者三个或更多个桥接图案222。

第一部分211和第二部分212可设置在与感测图案221相同的层上。其上设置有桥接图案222的层可不同于其上设置有第一部分211、第二部分212和感测图案221的层。例如，桥接图案222可包括在第一导电层202中(参见图3)，以及第一部分211、第二部分212和感测图案221可包括在第二导电层204中(参见图3)。然而，桥接图案222和第二部分212的设置不限于此，并且可变化，只要桥接图案222和第二部分212设置在彼此不同的层上即可。

第一感测电极210和第二感测电极220中的每个可电连接至第一感测线230和第二感测线240中的相应的感测线。例如，一个第一感测电极210可连接至一条第一感测线230，并且一条第二感测线240可电连接至一个第二感测电极220。然而，第一感测线230或第二感测线240相对于第一感测电极210和第二感测电极220之间的连接关系不限于上述示例。例如，在示例性实施方式中，一个第一感测电极210可连接至两条第一感测线230，一条第一感测线230可电连接至第一感测电极210的一端，并且另一条第一感测线230可电连接至第一感测电极210的另一端。

可将一个第一感测电极210的一部分和一个第二感测电极220的一部分限定为一个感测单元200U。因此，在本文中一个感测单元200U也可被称为感测电极单元。在本文中一个感测单元200U也可被称为触摸感测单元。在图4中，以虚线示出了一个感测单元200U。

一个感测单元200U可在感测区域200A内被划分为围绕彼此交叉的桥接图案222和第二部分212重复的单元。例如，一个感测单元200U可限定为一个第一感测电极210和一个第二感测电极220在其上彼此交叉的区域。

在图4中，示例性地示出了总共24个感测单元200U。然而，本发明构思不限于此。此外，在图4中，包括在传感器层200中的感测单元200U中的所有都示出为具有基本上相同的形状。然而，本发明构思不限于此。例如，根据示例性实施方式，感测单元200U的一部分和感测单元200U的另一部分可具有不同的区域。可替代地，根据示例性实施方式，包括在感测单元200U的一部分中的电浮置图案的数量和包括在感测单元200U的另一部分中的电浮置图案的数量可不同。

图5是根据本发明构思的示例性实施方式的一个感测单元的平面图。

参照图4和图5，感测单元200U可包括第一感测电极210的一部分、第二感测电极220的一部分以及多个图案251、252、253、254、255、256和257。例如，参照图4，一个第一感测电极210可包括在六个感测单元200U中，以及一个第二感测电极220可包括在四个感测单元200U中。例如，一个第一感测电极210可在第二方向DR2上延伸，使得一个第一感测电极210被包括在在第二方向DR2上彼此邻近布置的六个感测单元200U中，以及一个第二感测电极220可在第一方向DR1上延伸，使得一个第二感测电极220被包括在在第一方向DR1上彼此邻近布置的四个感测单元200U中。然而，本发明构思不限于此。

第一感测电极210的一部分可包括多个分支部分211b1、211b2、211b3和211b4、延伸部分211m和第二部分212。多个分支部分211b1、211b2、211b3和211b4以及延伸部分211m可包括在上述第一部分211中。延伸部分211m中的每个可在第二方向DR2上从第二部分212延伸。

多个分支部分211b1、211b2、211b3和211b4可包括第一分支部分211b1、第二分支部分211b2、第三分支部分211b3和第四分支部分211b4。第一分支部分211b1、第二分支部分211b2、第三分支部分211b3和第四分支部分211b4可分别在远离桥接图案222的方向上从延伸部分211m延伸。

例如，第二分支部分211b2和第三分支部分211b3可在与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的第一交叉方向DRx上延伸。第一分支部分211b1和第四分支部分211b4可在与第一方向DR1、第二方向DR2和第一交叉方向DRx交叉的第二交叉方向DRy上延伸。

第二感测电极220的一部分可包括彼此间隔开的多个感测图案221a和221b以及将多个感测图案221a和221b彼此连接的桥接图案222，在多个感测图案221a和221b之间设置有第一感测电极210。

多个感测图案221a和221b可包括第一感测图案221a和第二感测图案221b，并且第一感测图案221a和第二感测图案221b可通过桥接图案222彼此电连接。

第一感测图案221a和第二感测图案221b中的每个可围绕第一感测电极210的一部分。例如，第一感测图案221a可围绕第一分支部分211b1和第三分支部分211b3，以及第二感测图案221b可围绕第二分支部分211b2和第四分支部分211b4。

多个图案251、252、253、254、255、256和257可分别设置在第一分支部分211b1与第一感测图案221a之间、第二分支部分211b2与第二感测图案221b之间、第三分支部分211b3与第一感测图案221a之间，以及第四分支部分211b4与第二感测图案221b之间。多个图案251、252、253、254、255、256和257可由导电材料形成，并且因此，在本文中也可被称为导电图案。

在下文中，将基于设置在第一分支部分211b1与第一感测图案221a之间的多个图案251、252、253、254、255、256和257进行描述。为了便于说明，对于其余分支部分211b2、211b3和211b4以及感测图案221a和感测图案221b，将不会重复该描述，并且将理解的是，以下描述可应用于设置在其余分支部分211b2、211b3和211b4与感测图案221a和感测图案221b之间的多个图案251、252、253、254、255、256和257。

由于在第一感测电极210与第二感测电极220之间提供了多个图案251、252、253、254、255、256和257，因此可减小第一感测电极210与第二感测电极220之间的互电容。然而，即使提供了多个图案251、252、253、254、255、256和257，当与互电容本身的变化相比时，由于触摸事件的发生而引起的互电容的变化也可能不会显著减小。即，当提供了多个图案251、252、253、254、255、256和257时，(互电容的变化)/(互电容)的值可增大。在这种情况下，放大感测信号的放大器的增益可减小。随着放大器的增益减小，可减少或消除在特定情况下发生的重影触摸的现象。即，根据示例性实施方式，由于多个图案251、252、253、254、255、256和257的存在和配置，可减少或消除其中噪声信号(不是由实际触摸产生的信号)被放大并且因此被不正确地识别为触摸的现象。

如果温度由于在特定情况下的重影触摸(例如，低温下在感测区域200A的部分区域上的触摸操作)而升高，则当接通整个感测区域200A时，这可意指即使在感测区域200A的部分区域上没有发生触摸，也像发生了触摸一样。

由于多个图案251、252、253、254、255、256和257的存在，因此可增加第一感测电极210与第二感测电极220之间的距离。例如，如果未设置多个图案251、252、253、254、255、256和257，则第一感测电极210与第二感测电极220之间的距离可以是大约4微米至大约5微米。相反，如果设置有多个图案251、252、253、254、255、256和257，则第一感测电极210与第二感测电极220之间的距离可增加到大约72微米。因此，根据包括多个图案251、252、253、254、255、256和257的示例性实施方式，在其中设置有多个图案251、252、253、254、255、256和257的区域中，第一感测电极210和第二感测电极220可仅被具有大约72微米或更大尺寸的外来物质和残余物短路。因此，通过在第一感测电极210和第二感测电极220之间提供多个图案251、252、253、254、255、256和257，可降低在第一感测电极210与第二感测电极220之间发生短路的概率，并且因此，可增加电子装置1000(参见图1)的制造成品率。

另外，根据本发明构思的示例性实施方式，多个图案251、252、253、254、255、256和257可彼此电绝缘。多个图案251、252、253、254、255、256和257的尺寸可考虑针对每个感测单元200U的互电容和图案可见性来确定。稍后将描述与这种配置相关的详细描述。

在图5中，示出了七个图案251、252、253、254、255、256和257作为示例。然而，本发明构思不限于此。例如，多个图案251、252、253、254、255、256和257也可提供为两个图案至六个图案或多于七个图案。

根据本发明构思的示例性实施方式，由于提供了提供在第一感测电极210与第二感测电极220之间的多个图案251、252、253、254、255、256和257，因此即使多个图案251、252、253、254、255、256和257中的一些电连接至第一感测电极210或第二感测电极220，第一感测电极210与第二感测电极220之间的互电容的变化也可能不大。因此，可降低传感器层200的缺陷率，并且因此，可增加电子装置1000(参见图1)的制造成品率。

此外，即使感测单元200U的一部分的第一感测电极210或第二感测电极220可电连接至多个图案251、252、253、254、255、256和257的一部分，感测灵敏度的变化也可低于预定水平，并且因此，在其中图案251、252、253、254、255、256和257彼此电绝缘的状态下，可提供与其中图案251、252、253、254、255、256和257彼此电连接的情况相比具有均匀的感测灵敏度的电子装置1000(参见图1)。例如，根据示例性实施方式，通过使图案251、252、253、254、255、256和257彼此电绝缘，如果图案251、252、253、254、255、256和257中的一些但不是全部电连接至第一感测电极210或第二感测电极220，则图案251、252、253、254、255、256和257中的其余图案也不会变为电连接至第一感测电极210或第二感测电极220，这可降低传感器层200的缺陷率，以及增加电子装置1000(参见图1)的制造成品率。

多个图案251、252、253、254、255、256和257可被称为第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257。第一图案251和第二图案252可彼此间隔开，在第一图案251与第二图案252之间设置有第一分支部分211b1。第三图案253可面对第一分支部分211b1的端部。第一分支部分211b1的端部可意指第一分支部分211b1在延伸方向上(例如，在第一分支部分211b1的第二交叉方向DRy上)的端部。

第四图案254可设置在第一图案251与第三图案253之间，以及第五图案255可设置在第二图案252与第三图案253之间。第四图案254和第五图案255可彼此间隔开，在第四图案254与第五图案255之间设置有第一分支部分211b1。第六图案256可与第四图案254间隔开，在第六图案256与第四图案254之间设置有第一图案251，以及第七图案257可与第五图案255间隔开，在第七图案257与第五图案255之间设置有第二图案252。第六图案256和第七图案257可彼此间隔开，在第六图案256与第七图案257之间设置有第一分支部分211b1。

感测单元200U还可包括第一伪图案261、第二伪图案262和第三伪图案263。第一伪图案261可限定在第一部分211中并且被延伸部分211m围绕。第二伪图案262可限定在第一感测图案221a和第二感测图案221b中的每个中，并且可被第一感测图案221a和第二感测图案221b围绕。第三伪图案263可限定在彼此邻近的两个第二感测电极220之间。

在示例性实施方式中，第一伪图案261、第二伪图案262和第三伪图案263中的每个不是设置在第一感测电极210与第二感测电极220之间的边界处的图案。因此，即使第一伪图案261、第二伪图案262和第三伪图案263电连接至围绕其设置的第一感测电极210或第二感测电极220，第一感测电极210与第二感测电极220之间的互电容的变化也可忽略不计，例如，小于大约0.1％。

第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257中的每个以及第一伪图案261、第二伪图案262和第三伪图案263中的每个可以是电浮置图案。

图6A是根据本发明构思的示例性实施方式的图5的区域AA'的放大图。图6B是图6A的第一图案的平面图。

参照图4、图5和图6A，第一感测电极210、第二感测电极220、第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257以及第一伪图案261、第二伪图案262和第三伪图案263可具有网格结构。在网格结构中限定的开口可与参考图3描述的发射区域PXA重叠。

图6A示出了第一感测图案221a的一部分、第一分支部分211b1的一部分、第一图案251、第四图案254的一部分和第六图案256的一部分。

在示例性实施方式中，在图6A中示出的虚线200bc、200fc和200dc上不设置网格线。虚线200bc、200fc和200dc可限定为第一边界200bc、第二边界200fc和断开部分200dc。例如，第一边界200bc可将第一感测图案221a与第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257区分开，并且可将第一分支部分211b1与第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257区分开。第二边界200fc可以是通过其将第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257彼此区分开的边界。断开部分200dc可提供在第一分支部分211b1和第一感测图案221a处，使得第一边界200bc和第二边界200fc对用户不可见。

第一图案251可包括多个第一重复单元251ru。第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257可分别包括具有与第一重复单元251ru基本上相同的形状的第二重复单元至第七重复单元。例如，包括在第六图案256中的第六重复单元256ru可具有与第一重复单元251ru基本上相同的形状。第一重复单元251ru是指形成第一图案251的第一图案251的重复部分，并且在本文中也可被称为第一重复图案部分。类似地，对应于第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257的第二重复单元至第七重复单元是指分别形成第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257的重复部分，并且在本文中也可被称为第二重复图案部分至第七重复图案部分。如上所述，第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257可由导电材料形成并且可被称为导电图案。因此，分别形成第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257的重复单元也可被称为重复导电单元或重复导电图案部分。

参照图6B，第一图案251可包括总共13个第一重复单元251ru。然而，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，第一图案251可包括总共在至少9个与至多30个之间的第一重复单元251ru，并且第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257的重复单元也可包括总共在至少9个与至多30个之间的重复单元。即，分别形成第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257中的每个的重复单元的数量可等于或大于9且等于或小于30。包括在第一图案251中的第一重复单元251ru可彼此电连接。

第一重复单元251ru可包括多条网格线。例如，第一重复单元251ru可包括第一网格线250m1、第二网格线250m2、第三网格线250m3和第四网格线250m4。第一网格线250m1和第二网格线250m2可在第一交叉方向DRx上延伸，以及第三网格线250m3和第四网格线250m4可在第二交叉方向DRy上延伸。第一网格线250m1可与第三网格线250m3和第四网格线250m4中的每个交叉，并且第二网格线250m2可与第三网格线250m3和第四网格线250m4中的每个交叉。一个开口250op可由第一网格线250m1、第二网格线250m2、第三网格线250m3和第四网格线250m4限定。开口250op可与发射区域PXA(参见图3)重叠。

再次参照图5，第二图案252可具有与第一图案251基本上相同的形状和尺寸。因此，第二图案252可包括13个第二重复单元。此外，第三图案253可包括13个第三重复单元，第四图案254可包括13个第四重复单元，第五图案255可包括13个第五重复单元，第六图案256可包括16个第六重复单元，以及第七图案257可包括16个第七重复单元。然而，本发明构思不限于此。

例如，构成第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257中的每个的重复单元的数量不限于上述示例，只要重复单元的数量设置在预定范围内即可。此外，图5和图6A示出了其中第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257相对于第一分支部分211b1以对称形状划分的示例。然而，本发明构思不限于此。例如，第一图案251和第二图案252可具有彼此不同的尺寸。因此，包括在第一图案251中的重复单元的数量和包括在第二图案252中的重复单元的数量可彼此不同。

图7A是根据本发明构思的示例性实施方式的图5的区域AA'的放大图。图7B是图7A的第一图案的平面图。

图7A示出了第一感测图案221a1的一部分、第一分支部分211b11的一部分、第一图案251a、第四图案254a的一部分以及第六图案256a的一部分。

参照图7A和图7B，第一图案251a可包括多个第一重复单元251ru1。第六图案256a可包括多个第六重复单元256ru1。第一重复单元251ru1中的每个和第六重复单元256ru1中的每个可以是彼此基本上相同的形状。

在第一交叉方向DRx上布置的一个第一重复单元251ru1和三个第一重复单元251ru1可在第二交叉方向DRy上交替地布置，以形成第一图案251a。

第一重复单元251ru1可包括多条网格线。例如，第一重复单元251ru1可包括彼此交叉的第一网格线250m1a和第二网格线250m2a。第一网格线250m1a可在第一交叉方向DRx上延伸，以及第二网格线250m2a可在第二交叉方向DRy上延伸。

包括在第一图案251a中的13个第一重复单元251ru1可彼此电连接。包括在第一图案251a中的第一重复单元251ru1可与包括在第六图案256a中的第六重复单元256ru1电绝缘。

图8是根据本发明构思的示例性实施方式的图5的区域AA'的放大图。

参照图8，第一图案251a1可具有与先前参考图7A描述的第一图案251a的形状不同的形状。第一图案251a1可包括第一重复单元251ru1。

第一图案251a1内的在第一交叉方向DRx上的宽度可彼此不同。例如，第一图案251a1具有由在第一交叉方向DRx上的一个第一重复单元251ru1限定的宽度和由在第一交叉方向DRx上的五个第一重复单元251ru1限定的宽度。一个第一重复单元251ru1和五个第一重复单元251ru1可在第二交叉方向DRy上交替地布置。

在图8中，第一重复单元251ru1包括两条网格线作为示例。然而，本发明构思不限于此。例如，第一重复单元251ru1可包括四条网格线，如图6B中所示。

图9是根据本发明构思的示例性实施方式的图5的区域AA'的放大图。

参照图9，第一图案251a2可具有与先前参考图7A描述的第一图案251a的形状不同的形状。第一图案251a2可包括第一重复单元251ru1。第一图案251a2内的在第一交叉方向DRx上的宽度可彼此不同。例如，第一图案251a2具有由在第一交叉方向DRx上的一个第一重复单元251ru1限定的宽度和由在第一交叉方向DRx上的五个第一重复单元251ru1限定的宽度。一个第一重复单元251ru1和五个第一重复单元251ru1可在第二交叉方向DRy上依次地重复。

图10是根据本发明构思的示例性实施方式的图5的区域AA'的放大图。

参照图10，第一图案251a3可具有与先前参考图7A描述的第一图案251a的形状不同的形状。第一图案251a3可包括第一重复单元251ru1。第一图案251a3内的在第一交叉方向DRx上的宽度可彼此不同。例如，第一图案251a3具有由在第一交叉方向DRx上的两个第一重复单元251ru1限定的宽度和由在第一交叉方向DRx上的六个第一重复单元251ru1限定的宽度。两个第一重复单元251ru1和六个第一重复单元251ru1可在第二交叉方向DRy上交替地重复。

图11是根据本发明构思的示例性实施方式的图5的区域AA'的放大图。

参照图11，第一图案251a4可具有与先前参考图7A描述的第一图案251a的形状不同的形状。第一图案251a4可包括第一重复单元251ru1。第一图案251a4内的在第一交叉方向DRx上的宽度可彼此不同。例如，第一图案251a4具有由在第一交叉方向DRx上的两个第一重复单元251ru1限定的宽度和由在第一交叉方向DRx上的六个第一重复单元251ru1限定的宽度。两个第一重复单元251ru1和六个第一重复单元251ru1可在第二交叉方向DRy上依次地重复。

图12是根据本发明构思的示例性实施方式的一个感测单元的平面图。图13是根据本发明构思的示例性实施方式的图12的区域BB'的放大图。

图12示出了具有与先前参考图5描述的感测单元200U的形状不同的形状的感测单元200U1。

为了便于说明，在省略了对元件和技术方面的进一步描述的程度上，可假定这些元件和技术方面至少类似于在本公开中其它地方已经描述的相应的元件和技术方面。

参照图4、图12和图13，感测单元200U1包括第一感测电极210的一部分、第二感测电极220的一部分、多个图案251b、252b、253b、254b、255b、256b、257b、271和272、第一伪图案261a和261b、第二伪图案262和第三伪图案263。

多个图案251b、252b、253b、254b、255b、256b、257b、271和272可包括第一图案251b、第二图案252b、第三图案253b、第四图案254b、第五图案255b、第六图案256b和第七图案257b以及第一附加图案271和第二附加图案272。

第一图案251b、第二图案252b、第三图案253b、第四图案254b、第五图案255b、第六图案256b和第七图案257b可分别设置在第一分支部分211b1与第一感测图案221a之间、第二分支部分211b2与第二感测图案221b之间、第三分支部分211b3与第一感测图案221a之间、以及第四分支部分211b4与第二感测图案221b之间。

第一附加图案271和第二附加图案272可设置在延伸部分211m与第一感测图案221a之间以及延伸部分211m与第二感测图案221b之间。

第一伪图案261a和261b可提供为在第一部分211中限定并被延伸部分211m围绕的图案。第二伪图案262可提供为在第一感测图案221a和第二感测图案221b中的每个中限定并且可被第一感测图案221a和第二感测图案221b围绕的图案。第三伪图案263可以是在彼此邻近的两个第二感测电极220之间限定的图案。

第一图案251b、第二图案252b、第三图案253b、第四图案254b、第五图案255b、第六图案256b和第七图案257b中的每个、第一附加图案271和第二附加图案272中的每个、第一伪图案261a和261b中的每个、第二伪图案262和第三伪图案263可以是电浮置图案。当第一图案251b、第二图案252b、第三图案253b、第四图案254b、第五图案255b、第六图案256b和第七图案257b、第一附加图案271和第二附加图案272、第一伪图案261a和261b、第二伪图案262和第三伪图案263中的所有都被电浮置时，在感测单元200U1中彼此交叉的一个第一感测电极210与一个第二感测电极220之间测量的互电容可以是参考互电容。

图14是根据本发明构思的示例性实施方式的图12的区域BB'的放大图。图15是示出取决于电连接至感测电极的重复单元的数量的、互电容的变化的示例性曲线图。

参照图14，第一图案251b和第三分支部分211b3可通过外来物质2000电连接。因此，第一图案251b可用作第一感测电极210(参见图4)的不是浮置图案的部分。

参照图15，互电容的变化(％)可对应于在将图13中描述的测量的互电容与参考互电容之间的差除以参考互电容之后乘以100的值。

参照图14和图15，具有9个重复单元的第一图案251b可通过外来物质2000连接至第三分支部分211b3。在这种情况下，在一个第一感测电极210与一个第二感测电极220之间测量的互电容可以是大约432.85皮法。参考互电容可以是大约422.86皮法。当九个重复单元电连接至第一感测电极210时，互电容的变化(％)可以是大约2.36％。

当互电容的变化(％)超过参考值时，可将其确定为非均匀灵敏度缺陷。参考值可以是大约8％，但不特别限于此。当连接至第一感测电极210的重复单元的数量为30或更少时，可满足8％或更少的条件。因此，构成一个图案的重复单元的数量可被确定为30或更少。

图16是展示传感器层的一部分的照片。图17是示出图16的区域CC'的平面图。

图16示出了展示对应于九个感测单元200Ucc的区域的图像。参照图16，围绕分支部分211bc的图案DMP可能看起来很暗并被用户视觉地识别。

参照图17，图案DMP中的每个可仅包括一个重复单元DMPru。

一个重复单元DMPru可具有与参考图6B描述的第一重复单元251ru或参考图7B描述的第一重复单元251ru1相同的形状。

当一个重复单元DMPru电连接至分支部分211bc时，在一个第一感测电极210(参见图4)与一个第二感测电极220(参见图4)之间测量的互电容可以是大约424.11皮法，并且与参考互电容相比互电容的变化可以是大约0.3％，以实现类似于参考感测灵敏度的感测灵敏度。

然而，参照图16，由于图案DMP中的每个仅包括一个重复单元DMPru，因此可增加图案DMP被视觉地识别的概率。

图18是展示传感器层的一部分的照片。

图18示出了展示对应于九个感测单元200U的区域的图像。例如，图18示出了展示其中设置在第一感测电极210(参见图4)和第二感测电极220(参见图4)中的图案DMPx中的每个包括9个或更多个重复单元的感测单元200U的图像。

类似于先前参考图5描述的第一图案251、第二图案252、第三图案253、第四图案254、第五图案255、第六图案256和第七图案257，图案DMPx可以是设置在一个分支部分211b1与一个感测图案221a之间的图案。

当从电子装置1000(参见图1)的外部源入射的光入射到该处设置有网格线的部分中和该处未设置网格线的部分中时，反射的光的量可彼此不同。例如，当外部光入射到由网格线限定的空间中时，外部光中的大部分可被反射，并且因此，图案可被用户相对明亮地视觉识别。可替代地，当外部光入射到其中不存在网格线的空白空间中时，外部光的反射率可相对减小，并且因此，图案可被用户相对暗地视觉识别。

参照图16和图17，图案DMP中的每个可仅包括一个重复单元DMPru。因此，对于每个重复单元DMPru，可去除网格线的一部分。即，其中不存在网格线的空白空间可随着构成图案DMP中的每个的重复单元的数量的减少而增加。因此，图案DMP可比图18的图案DMPx更视觉地被识别，例如，可看起来更暗以及更清楚。

根据本发明构思的示例性实施方式，可确定包括在图案DMPx中的重复单元的数量，使得图案DMPx不被用户视觉识别。例如，当包括在图案DMPx中的重复单元的数量为8或更少时，图案DMPx可被用户视觉识别。在这种情况下，包括在图案DMPx中的重复单元的数量可设置为9或更多。

根据本发明构思的示例性实施方式，设置在第一感测电极210(参见图4)与第二感测电极220(参见图4)之间的多个图案DMPx可彼此电绝缘。在这种情况下，即使多个图案DMPx中的一些与第一感测电极210(参见图4)或第二感测电极220(参见图4)短路，互电容的变化也可小于预定水平。因此，可降低传感器层200(参见图4)的缺陷率，并且可增加电子装置1000(参见图1)的制造成品率。

此外，多个图案DMPx中的每个可包括多个重复单元。因此，可通过外部光在其中设置有多个图案的区域与其中设置有第一感测电极210(参见图4)和第二感测电极220(参见图4)的区域之间的反射率的差来降低多个图案被视觉识别的概率。

如上所述，根据本发明构思的示例性实施方式，设置在第一感测电极与第二感测电极之间的多个图案可彼此电绝缘。在这种情况下，即使多个图案中的一些与第一感测电极或第二感测电极短路，与参考互电容相比互电容的变化也可小于预定水平。因此，可降低传感器层的缺陷率，并且因此，可增加电子装置的制造成品率。

此外，根据本发明构思的示例性实施方式，多个图案中的每个可包括多个重复单元。因此，可通过外部光在其中设置有多个图案的区域与其中设置有第一感测电极和第二感测电极的区域之间的反射率的差来降低多个图案被视觉识别的概率。

虽然已经参考本发明构思的示例性实施方式具体示出并描述了本发明构思，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不背离如由所附权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。