具体实施方式

<蚀刻剂组合物>

本发明提供一种蚀刻剂组合物，包括增粘剂(A)以及碱溶液(B)。另外，本发明的蚀刻剂组合物视需要可更包括添加剂(E)。以下，将对上述各种组分进行详细说明。

<增粘剂(A)>

依据本实施例的一种增粘剂(A)，包括含羟基的树脂(a)、表面活性剂(b)和第一溶剂(c1)。增粘剂(A)的制备方法没有特别的限制。举例而言，将含羟基的树脂(a)、表面活性剂(b)和第一溶剂(c1)放置于搅拌器中搅拌，使其均匀混合成溶液状态，必要时亦可添加添加剂(E)，将其混合均匀后，便可获得液态的增粘剂。增粘剂(A)可单独使用一种，也可以组合多种使用。

当蚀刻剂组合物包括特定组成的增粘剂(A)时，可使蚀刻剂组合物具有良好的粘度，并且可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质以溶剂(例如水或有机溶剂)一起移除。

含羟基的树脂(a)

含羟基的树脂(a)中所含有的结构单元包括含羟基的酚醛树脂及含羟基的聚苯乙烯树脂中的至少一种。

含羟基的酚醛树脂没有特别的限制，可依据需求选择合适的含羟基的酚醛树脂。举例来说，含羟基的酚醛树脂所含有的结构单元可包括式(a-1)表示的结构单元、式(a-2)表示的结构单元、式(a-3)表示的结构单元以及式(a-4)表示的结构单元。在本实施例中，含羟基的酚醛树脂的重量平均分子量可为1500至3000，但不限于此。

式(a-1)至式(a-4)表示的结构单元中，Me为甲基，*表示键结位置。

含羟基的聚苯乙烯树脂没有特别的限制，可依据需求选择合适的含羟基的聚苯乙烯树脂。举例来说，含羟基的聚苯乙烯树脂所含有的结构单元可包括式(a-5)表示的结构单元。在本实施例中，含羟基的聚苯乙烯树脂的重量平均分子量可为3500至6000，但不限于此。

式(a-5)表示的结构单元中，*表示键结位置。

基于增粘剂(A)的总使用量为100重量份，含羟基的树脂(a)的使用量为24重量份至52重量份，较佳为31重量份至36重量份。

当蚀刻剂组合物中的增粘剂(A)包括含羟基的树脂(a)时，可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以溶剂(例如水或有机溶剂)移除。

另外，当蚀刻剂组合物中的增粘剂(A)包括含羟基的酚醛树脂、含芳基的聚醚系表面活性剂以及内酰胺类化合物时，含羟基的酚醛树脂的使用量不同但都落在上述较佳范围内的不同蚀刻剂组合物可具有相同程度的良好剥离能力、残留性及/或腐蚀性，其中剥离能力为可以用水剥离蚀刻剂组合物与有机物质的能力。

表面活性剂(b)

表面活性剂(b)包括含芳基的聚醚系表面活性剂及氟系表面活性剂中的至少一种，较佳为包括含芳基的聚醚系表面活性剂。

含芳基的聚醚系表面活性剂没有特别的限制，可依据需求选择合适的含芳基的聚醚系表面活性剂。举例来说，含芳基的聚醚系表面活性剂可包括聚氧乙烯苯乙烯化芳基醚(polyoxyethylene styrenated aryl ether)或其他合适的含芳基的聚醚系表面活性剂。含芳基的聚醚系表面活性剂可单独使用一种，也可以组合多种使用。

氟系表面活性剂没有特别的限制，可依据需求选择合适的氟系表面活性剂。举例来说，氟系表面活性剂可包括含氟的聚醚硅氧烷共聚物(polyether siloxane copolymer)或其他合适的氟系表面活性剂。氟系表面活性剂可单独使用一种，也可以组合多种使用。

基于增粘剂(A)的总使用量为100重量份，表面活性剂(b)的使用量为1重量份至60重量份，较佳为40重量份至60重量份。

当蚀刻剂组合物中的增粘剂(A)包括表面活性剂(b)时，可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以溶剂(例如水或有机溶剂)移除。另外，若增粘剂(A)不包括表面活性剂(b)，则使包括其的蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以有机溶剂移除而无法以水移除。

第一溶剂(c1)

第一溶剂(c1)包括选自内酰胺类化合物、内酯类化合物及苯基醇类化合物所组成的群组中的至少一种，较佳为包括内酰胺类化合物。

内酰胺类化合物没有特别的限制，可依据需求选择合适的内酰胺类化合物。举例来说，内酰胺类化合物可包括N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone)、ε-己内酰胺(ε-caprolactam)、N-甲基-ε-己内酰胺(N-methyl-ε-caprolactam)、2-吡咯烷酮(2-pyrrolidone)、2-哌啶酮(2-piperidone)、N-甲基-2-哌啶酮(N-methyl-2-piperidone)、2-喹啉酮(2-quinolone)、N-甲基-2-喹啉酮(N-methyl-2-quinolone)或其他合适的内酰胺类化合物，较佳为包括N-甲基-2-吡咯烷酮。内酰胺类化合物可单独使用一种，也可以组合多种使用。

内酯类化合物没有特别的限制，可依据需求选择合适的内酯类化合物。举例来说，内酯类化合物可包括γ-丁内酯或其他合适的内酯类化合物，较佳为包括γ-丁内酯。内酯类化合物可单独使用一种，也可以组合多种使用。

苯基醇类化合物没有特别的限制，可依据需求选择合适的苯基醇类化合物。举例来说，苯基醇类化合物可包括苯甲醇或其他合适的苯基醇类化合物，较佳为包括苯甲醇。苯基醇类化合物可单独使用一种，也可以组合多种使用。

基于增粘剂(A)的总使用量为100重量份，第一溶剂(c1)的使用量为16重量份至48重量份，较佳为24重量份至29重量份。

当蚀刻剂组合物中的增粘剂(A)包括第一溶剂(c1)时，可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以溶剂(例如水或有机溶剂)移除。另外，当蚀刻剂组合物中的增粘剂(A)中的第一溶剂(c1)包括内酰胺类化合物时，可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以水移除。

<碱溶液(B)>

依据本实施例的一种碱溶液(B)，包括碱性化合物(d)和第二溶剂(c2)。碱溶液(B)的制备方法没有特别的限制。举例而言，将碱性化合物(d)和第二溶剂(c2)放置于搅拌器中搅拌，使其均匀混合成溶液状态，必要时亦可添加添加剂(E)，将其混合均匀后，便可获得液态的碱溶液。碱溶液(B)可单独使用一种，也可以组合多种使用。

当蚀刻剂组合物包括特定组成的碱溶液(B)时，可使蚀刻剂组合物具有良好的蚀刻能力，并且可用以使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质以溶剂(例如水或有机溶剂)一起移除。

碱性化合物(d)

碱性化合物(d)包括选自碱金属氢氧化物、碳酸盐化合物及胺类氢氧化物所组成的群组中的至少一种，较佳为包括碱金属氢氧化物或碱金属氢氧化物与碳酸盐化合物及胺类氢氧化物中的至少一种。举例来说，碱性化合物(d)较佳可为碱金属氢氧化物、碱金属氢氧化物与碳酸盐化合物的组合或碱金属氢氧化物与胺类氢氧化物的组合。

碱金属氢氧化物没有特别的限制，可依据需求选择合适的碱金属氢氧化物。举例来说，碱金属氢氧化物可包括氢氧化钾、氢氧化钠或其他合适的碱金属氢氧化物，较佳为包括氢氧化钾。碱金属氢氧化物可单独使用一种，也可以组合多种使用。

碳酸盐化合物没有特别的限制，可依据需求选择合适的碳酸盐化合物。举例来说，碳酸盐化合物可包括碳酸钠、碳酸钾、碳酸钙、碳酸氢钠或其他合适的碳酸盐化合物，较佳为包括碳酸钠。碳酸盐化合物可单独使用一种，也可以组合多种使用。

胺类氢氧化物没有特别的限制，可依据需求选择合适的胺类氢氧化物。举例来说，胺类氢氧化物可包括四甲基氢氧化铵、乙醇胺(monoethanolamine，MEA)或其他合适的胺类氢氧化物，较佳为包括乙醇胺。胺类氢氧化物可单独使用一种，也可以组合多种使用。

基于碱溶液(B)的总使用量为100重量份，碱性化合物(d)的使用量为大于1.48重量份，较佳为1.5重量份至14重量份，更佳为4重量份至14重量份。

基于碱溶液(B)的总使用量为100重量份，碱溶液(B)中的碱性化合物(d)中的碳酸盐化合物的使用量及胺类氢氧化物的使用量总和小于或等于4.29重量份，较佳为0重量份或大于2.25重量份且小于4.29重量份。

当蚀刻剂组合物中的碱溶液(B)包括碱性化合物(d)且其使用量落在上述范围内时，可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以水移除。同时，当碱性化合物(d)的使用量落在上述较佳范围内时，可使蚀刻剂组合物具有良好的剥离能力以及残留性，其中可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以水移除。

当蚀刻剂组合物中的碱溶液(B)中的碱性化合物(d)中的碳酸盐化合物的使用量及胺类氢氧化物的使用量总和落在上述范围内时，可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以溶剂(例如水或有机溶剂)移除。同时，当碱性化合物(d)中的碳酸盐化合物的使用量及胺类氢氧化物的使用量总和落在上述较佳范围内时，可使蚀刻剂组合物具有良好的剥离能力以及残留性，其中可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以水移除。

另外，当蚀刻剂组合物中的碱溶液(B)包括碱金属氢氧化物与碳酸盐化合物的组合以及多元醇时，碱金属氢氧化物的使用量不同但碱性化合物(d)的使用量都落在上述较佳/更佳范围内的不同蚀刻剂组合物可具有相同程度的良好剥离能力、残留性及/或腐蚀性，其中剥离能力为可以用水剥离蚀刻剂组合物与有机物质的能力。

第二溶剂(c2)

第二溶剂(c2)包括一元醇及多元醇中的至少一种。

一元醇没有特别的限制，可依据需求选择合适的一元醇。举例来说，一元醇可包括甲醇、乙醇、异丙醇或其他合适的一元醇，较佳为包括甲醇。一元醇可单独使用一种，也可以组合多种使用。

多元醇没有特别的限制，可依据需求选择合适的多元醇。举例来说，多元醇可包括乙二醇(ethylene glycol，EG)、戊二醇、甘油或其他合适的多元醇，较佳为包括乙二醇。多元醇可单独使用一种，也可以组合多种使用。

基于碱溶液(B)的总使用量为100重量份，第二溶剂(c2)的使用量为86重量份至99重量份，较佳为86重量份至96重量份。

当蚀刻剂组合物中的碱溶液(B)包括第二溶剂(c2)时，可使碱溶液(B)与增粘剂(A)进行良好的混合，而使蚀刻剂组合物具有良好的粘度，能够使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质以溶剂(例如水或有机溶剂)一起移除。

基于蚀刻剂组合物的总使用量为100重量份，增粘剂(A)的使用量为30重量份至95重量份，且碱溶液(B)的使用量为5重量份至70重量份。藉此，可形成具有良好粘度的蚀刻剂组合物，从而用于移除不限定所在位置的有机物质，而适用于移除聚酰亚胺的方法以及蚀刻工艺。

基于蚀刻剂组合物的总使用量为100重量份，较佳为增粘剂(A)的使用量为40重量份至80重量份，且碱溶液(B)的使用量为20重量份至60重量份。当增粘剂(A)及碱溶液(B)的使用量分别落在上述较佳范围内时，可形成具有良好粘度的蚀刻剂组合物，而能用于移除不限定所在位置的有机物质，特别是具有良好的剥离能力而能够良好地移除聚酰亚胺，而适用于移除聚酰亚胺的方法以及蚀刻工艺。

基于蚀刻剂组合物的总使用量为100重量份，更佳为增粘剂(A)的使用量为55重量份至80重量份，且碱溶液(B)的使用量为20重量份至45重量份。当增粘剂(A)及碱溶液(B)的使用量分别落在上述更佳范围内时，可形成具有良好粘度的蚀刻剂组合物，从而用于移除不限定所在位置的有机物质，特别是能够良好地移除聚酰亚胺且同时不残留于基板上，而适用于移除聚酰亚胺的方法以及蚀刻工艺。

基于蚀刻剂组合物的总使用量为100重量份，再更佳为增粘剂(A)的使用量为68重量份至80重量份，且碱溶液(B)的使用量为20重量份至32重量份。当增粘剂(A)及碱溶液(B)的使用量分别落在上述再更佳范围内时，可形成具有良好粘度的蚀刻剂组合物，从而用于移除不限定所在位置的有机物质，特别是能够良好地移除聚酰亚胺、在移除有机物质后不残留于基板上且移除有机物质的过程中不腐蚀金属薄片，而适用于移除聚酰亚胺的方法以及蚀刻工艺。

添加剂(E)

蚀刻剂组合物可更包括添加剂(E)。增粘剂(A)或碱溶液(B)也可依需求添加添加剂(E)。添加剂(E)没有特别的限制，可依据需求选择适当的添加剂。举例来说，添加剂(E)可包括增稠剂、流平剂或其他合适的添加剂。

<蚀刻剂组合物的制备方法>

蚀刻剂组合物的制备方法没有特别限制。举例而言，将增粘剂(A)以及碱溶液(B)放置于搅拌器中搅拌，使其均匀混合成溶液状态，必要时亦可添加添加剂(E)，将其混合均匀后，便可获得液态的蚀刻剂组合物。

<移除聚酰亚胺的方法>

本发明的一例示性实施例提供一种包括将上述蚀刻剂组合物施加至预定位置的聚酰亚胺上的移除聚酰亚胺的方法。

移除聚酰亚胺的方法可包括将聚酰亚胺涂布在基板/组件上以形成涂膜，且将涂膜经加热而制成聚酰亚胺膜。接着，将增粘剂(A)与碱溶液(B)混合成的蚀刻剂组合物施加至预定位置的聚酰亚胺/聚酰亚胺膜上。然后，将蚀刻剂组合物与预定位置的聚酰亚胺/聚酰亚胺膜一起移除。

基板可为玻璃基板、硅晶片(wafer)基板或塑料衬底材料(例如聚醚砜(PES)板或聚碳酸酯(PC)板)，且其类型没有特别的限制。

涂布方法没有特别的限制，但可使用喷涂法、滚涂法、旋涂法或类似方法，且一般而言，广泛使用旋涂法。此外，形成涂覆膜，且随后在一些情况下，可在减压下部分移除残余溶剂。

移除蚀刻剂组合物与预定位置的聚酰亚胺/聚酰亚胺膜的方法没有特别的限制，但可使用本领域中具有通常知识者所习知的剥除方法。在本实施例中，可将施加有蚀刻剂组合物的聚酰亚胺/聚酰亚胺膜浸泡于溶剂(例如水或其他合适的溶剂)中，再以该溶剂冲洗聚酰亚胺/聚酰亚胺膜，以移除蚀刻剂组合物与预定位置的聚酰亚胺/聚酰亚胺膜。

<蚀刻工艺>

本发明的一例示性实施例提供一种包括使用上述移除聚酰亚胺的方法的蚀刻工艺。

蚀刻工艺可包括在基板上形成组件(例如感光组件)；在组件上形成聚酰亚胺膜；使用上述移除聚酰亚胺的方法，将蚀刻剂组合物与预定位置的聚酰亚胺膜一起移除。蚀刻工艺可用于引线接合工艺，可将蚀刻剂组合物施加于聚酰亚胺层的侧面的预定位置上，以便提升蚀刻定位精准度。

图1是依照本发明一实施例的蚀刻工艺的部分流程示意图。请参考图1，提供基板100，并于基板100上形成感光组件200以及覆盖感光组件200的聚酰亚胺层240，其中感光组件200中包括导电层220。然后，将蚀刻剂组合物300施加至预定位置的聚酰亚胺层240上，其中预定位置是指聚酰亚胺层240上任何欲进行蚀刻的位置。举例来说，预定位置可以是使感光组件能够进行后续引线接合工艺的位置。在本实施例中，预定位置是在感光组件200的侧面(即，与基板之间具有不为0度或90度夹角的表面)且位于导电层220的边缘，其中导电层220可为欲进行后续引线接合工艺的接线层。也就是说，蚀刻剂组合物300是施加在聚酰亚胺层240的侧面的预定位置上(即，与基板之间具有不为0度或90度夹角的表面上的位置)。藉此，可以提升蚀刻定位的精准度。

接着，将蚀刻剂组合物300与预定位置的聚酰亚胺层一起移除，形成开口242。在本实施例中，藉由移除蚀刻剂组合物300与预定位置的聚酰亚胺，可使形成的开口242具有垂直锐利的边缘，从而改善蚀刻过程中常出现的底切现象，而有利于进行后续的工艺并改善电子组件及装置的效能。

蚀刻工艺中除了使用上述移除聚酰亚胺的方法的步骤及前述步骤外，其余的步骤与方法可使用本领域中具有通常知识者所习知的蚀刻工艺的步骤，在此不另行详述。

在下文中，将参照实例来详细描述本发明。提供以下实例用于描述本发明，且本发明的范畴包含权利要求书中所述的范畴及其取代物及修改，且不限于实例的范畴。

<增粘剂(A)以及碱溶液(B)的制备>

以下说明增粘剂A1至增粘剂A13以及碱溶液B1至碱溶液B11。

增粘剂A1

将33重量份的含羟基的酚醛树脂(购自住友化学株式会社(SUMITOMO Chemical Co.,Ltd.)，其含有的结构单元为式(a-1)表示的结构单元、式(a-2)表示的结构单元、式(a-3)表示的结构单元以及式(a-4)表示的结构单元，重量平均分子量约为2200)以及40重量份的Sinopol 613(商品名称；购自中日合成化学股份有限公司(SINO-JAPAN CHEMICAL CO.,LTD.))加入27重量份的N-甲基-2-吡咯烷酮中，且需加热至80℃并以搅拌器搅拌均匀，然后即可制得增粘剂A1。

增粘剂A2至增粘剂A13

增粘剂A2至增粘剂A13是以与增粘剂A1相同的步骤来制备，并且其不同处在于：改变增粘剂的成分种类及其使用量(如表2所示)，其中表2中的部分成分/化合物如表1所示。

[表1]

[表2]

[表2](续)

碱溶液B1

将9.14重量份的氢氧化钾(KOH)加入90.86重量份的甲醇中，并且在室温下以搅拌器搅拌均匀后，即可制得碱溶液B1。

碱溶液B2至碱溶液B11

碱溶液B2至碱溶液B11是以与碱溶液B1相同的步骤来制备，并且其不同处在于：改变碱溶液的成分种类及其使用量(如表3所示)。

[表3]

[表3](续)

<蚀刻剂组合物的实施例>

以下说明蚀刻剂组合物的实施例1至实施例16以及比较例1至比较例12。

实施例1

将80重量份的增粘剂A1与20重量份的碱溶液B1放置于搅拌器中，在室温下以搅拌器搅拌均匀后，即可制得实施例1的蚀刻剂组合物。

实施例6

将55重量份的增粘剂A1与45重量份的碱溶液B2放置于搅拌器中，在室温下以搅拌器搅拌均匀后，即可制得实施例6的蚀刻剂组合物。

实施例2～5、7～16以及比较例1～12

实施例2～5、7～16以及比较例1～12的蚀刻剂组合物是以与实施例1相同的步骤来制备，并且其不同处在于：改变蚀刻剂组合物的成分种类及其使用量(如表4所示)。将所制得的蚀刻剂组合物以下列各评价方式进行评价，其结果如表5所示。

[表4]

[表4](续)

[表4](续)

[表5]

[表5](续)

*比较例1～12的蚀刻剂组合物可蚀刻聚酰亚胺膜，但需用除了水的溶剂将蚀刻剂组合物与预定位置的聚酰亚胺膜剥离，故仅将比较例7～9的评价结果列于表5中。

<评价方式>

a.剥离程度

将聚酰亚胺以旋涂法涂布在基板(硅晶片)上，以形成涂膜，且将涂膜经氮气烘箱加热而制成聚酰亚胺膜。接着，将所制备的蚀刻剂组合物滴在聚酰亚胺膜上的预定位置。静置一段时间后，将前述包括聚酰亚胺膜及蚀刻剂组合物的硅晶片浸泡于水后，再以水将其表面冲洗干净。藉由光学显微镜(型号：奥林巴斯(Olympus)公司制造)在500倍的放大倍率下，观察预定位置的聚酰亚胺膜有无自基板剥离，以评价剥离程度。

剥离程度的评价标准如下：

○：完全自基板剥离；

△：部分自基板剥离；

╳：无法自基板剥离。

b.腐蚀性

将所制备的蚀刻剂组合物滴在材质为铝的基板上。静置一段时间后，将滴有蚀刻剂组合物的基板浸泡于水后，再以水将其表面冲洗干净。藉由光学显微镜(型号：奥林巴斯公司制造)在500倍的放大倍率下，观察原滴有蚀刻剂组合物的基板表面是否有腐蚀现象，以评价腐蚀性。

腐蚀性的评价标准如下：

○：未腐蚀基板；

△：轻微腐蚀基板；

╳：腐蚀基板。

c.残留程度

将所制备的蚀刻剂组合物滴在材质为氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)玻璃的基板上。静置一段时间后，将滴有蚀刻剂组合物的基板浸泡于水后，再以水将其表面冲洗干净。以肉眼直接观察蚀刻剂组合物是否残留在基板表面，以评价残留程度。

残留程度的评价标准如下：

○：未残留于基板上；

△：些微残留于基板上；

╳：明显残留。

<评价结果>

由实例可知，包括特定组成的增粘剂(A)及特定组成的碱溶液(B)的蚀刻剂组合物(实施例1～16)，具有良好的以溶剂(例如水或有机溶剂)进行剥离的能力。

由表5可知，包括特定组成的增粘剂(A)及特定组成的碱溶液(B)，且基于碱溶液(B)的总使用量为100重量份，碱性化合物(d)的使用量为大于1.48重量份的蚀刻剂组合物(实施例1～16)，具有良好的以水进行剥离的能力以及残留性。相对于此，增粘剂(A)不包括表面活性剂(b)的蚀刻剂组合物(比较例11、12)可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以除了水的溶剂(例如有机溶剂)移除。另外，碱性化合物(d)的使用量小于或等于1.48重量份的蚀刻剂组合物(比较例5～9)可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以除了水的溶剂(例如有机溶剂)移除。

此外，当基于蚀刻剂组合物的总使用量为100重量份，增粘剂(A)的使用量为40重量份至80重量份，且碱溶液(B)的使用量为20重量份至60重量份的蚀刻剂组合物(实施例1～16、比较例3～4)，具有良好的剥离能力，其中剥离能力为可以用溶剂剥离蚀刻剂组合物与有机物质的能力。

此外，基于蚀刻剂组合物的总使用量为100重量份，增粘剂(A)的使用量为55重量份至80重量份，且碱溶液(B)的使用量为20重量份至45重量份的蚀刻剂组合物(实施例1～11、13～16)，同时具有良好的剥离能力以及残留性，其中剥离能力为可以用水剥离蚀刻剂组合物与有机物质的能力。相较于此，增粘剂(A)及碱溶液(B)的使用量不在上述范围内的蚀刻剂组合物(实施例12)的残留性较差。

此外，基于蚀刻剂组合物的总使用量为100重量份，增粘剂(A)的使用量为68重量份至80重量份，且碱溶液(B)的使用量为20重量份至32重量份的蚀刻剂组合物(实施例1～3、9～10、13)，同时具有良好的剥离能力、残留性以及腐蚀性，其中剥离能力为可以用水剥离蚀刻剂组合物与有机物质的能力。相较于此，增粘剂(A)及碱溶液(B)的使用量不在上述范围内的蚀刻剂组合物(实施例4～8、11～12、15～16)的残留性及/或腐蚀性不佳。

此外，基于碱溶液(B)的总使用量为100重量份，碱溶液(B)中的碱性化合物(d)中的碳酸盐化合物的使用量及胺类氢氧化物的使用量总和小于或等于4.29重量份的蚀刻剂组合物(实施例1～16)，具有良好的剥离能力。此外，基于碱溶液(B)的总使用量为100重量份，碱溶液(B)中的碳酸盐化合物的使用量及胺类氢氧化物的使用量总和为0重量份的蚀刻剂组合物(实施例1～5、17～18)及碱溶液(B)中的碱性化合物(d)中的碳酸盐化合物的使用量及胺类氢氧化物的使用量总和为大于2.25重量份且小于4.29重量份的蚀刻剂组合物(实施例6～8、13～16)，具有良好的剥离能力以及残留性，其中剥离能力为可以用水剥离蚀刻剂组合物与有机物质的能力。

在其他实施例中(未示于表5中)，当蚀刻剂组合物中的增粘剂(A)不包括表面活性剂(b)(增粘剂A13)时，可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以有机溶剂(例如丙酮)移除，但无法以水移除。另外，当蚀刻剂组合物中的增粘剂(A)中的表面活性剂(b)包括氟系表面活性剂(增粘剂A9至增粘剂A11)时，可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以水移除。

在其他实施例中，当蚀刻剂组合物中的增粘剂(A)中的含羟基的树脂(a)中所含有的结构单元包括含羟基的酚醛树脂，且第一溶剂(c1)不包括内酰胺类化合物(增粘剂A4、增粘剂A6)时，可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以有机溶剂(例如丙酮)移除。另外，若进一步地将前述蚀刻剂组合物中的增粘剂(A)中的表面活性剂(b)的使用量增加(增粘剂A5、增粘剂A7)，可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以水移除。

在其他实施例中，当蚀刻剂组合物中的增粘剂(A)中的含羟基的树脂(a)中所含有的结构单元包括含羟基的聚苯乙烯树脂，且第一溶剂(c1)不包括内酰胺类化合物(增粘剂A12)时，可使蚀刻剂组合物与预定位置的有机物质能够以水移除。

综上所述，本发明的蚀刻剂组合物包括特定组成的增粘剂(A)及特定组成的碱溶液(B)时，使蚀刻剂组合物具有良好的粘度，且将其用于移除有机物质时，可以不限定有机物质的欲移除位置(即预定位置，例如与基板平行的表面上的位置、与基板垂直的表面上的位置以及与基板之间具有不为0度或90度夹角的表面上的位置等)而良好地移除预定位置的有机物质，藉此可改善移除有机物质的过程中可能出现的底切现象，而可适用于移除聚酰亚胺的方法以及蚀刻工艺，进而可改善使用移除聚酰亚胺的方法以及蚀刻工艺的电子组件及装置的效能。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。