具体实施方式

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，“基板”、“基材”、“板”、“片”或“膜”等表示成为某一结构的基础的物质的用语并非仅基于称呼的不同而相互区分。

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于限定形状、几何学条件以及它们的程度的例如“平行”、“正交”等用语或长度、角度的值等，不限于严格的含义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来解释。

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在某个部件或某个区域等某一结构处于其他部件或其他区域等其他结构的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，包括某一结构与其他结构直接接触的情况。此外，还包括在某一结构与其他结构之间包含另外的结构的情况、即间接接触的情况。只要没有特别说明，“上”、“上侧”、“上方”或者“下”、“下侧”、“下方”这样的语句中，上下方向可以翻转。

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，对于同一部分或具有同样功能的部分标注同一符号或类似的符号，有时省略其重复的说明。为了便于说明，有时附图的尺寸比例与实际的比例不同，有时从附图中省略结构的一部分。

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，本说明书的一个实施方式可以在不产生矛盾的范围内与其他实施方式组合。其他实施方式彼此也可以在不产生矛盾的范围内组合。

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，在关于制造方法等方法公开多个工序的情况下，可以在所公开的工序之间实施未公开的其他工序。所公开的工序的顺序在不产生矛盾的范围内是任意的。

在本说明书和本附图中，只要没有特别说明，由符号“～”表示的数值范围包括置于符号“～”的前后的数值。例如，“34～38质量％”这样的表述所划定的数值范围与“34质量％以上且38质量％以下”这样的表述所划定的数值范围相同。

以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行详细说明。需要说明的是，以下所示的实施方式为本发明的实施方式的一例，本发明并不仅限于这些实施方式来解释。

本发明的第1方式涉及一种电子器件的制造方法，其具备下述工序：

准备工序，准备层积体，该层积体包含具有第1面和位于上述第1面的相反侧的第2面的基板、位于上述基板的上述第1面上的2个以上的第1电极、和上述第1电极上的有机层；

第2电极形成工序，按照沿着上述基板的上述第1面的法线方向观察时与2个以上的上述第1电极重叠的方式，在上述有机层上形成第2电极；和

除去工序，将上述第2电极中俯视时不与上述第1电极重叠的区域局部性除去。

本发明的第2方式中，在上述第1方式的电子器件的制造方法中，除去工序可以将上述第2电极中俯视时位于上述第1电极之间的区域局部性除去。

本发明的第3方式中，在上述第1方式或上述第2方式的各电子器件的制造方法中，上述除去工序可以包括对上述第2电极照射激光而形成第2电极开口的照射工序。

本发明的第4方式中，在上述第3方式的电子器件的制造方法中，上述照射工序以包括通过激光掩模的贯通孔对上述第2电极照射激光而形成第2电极开口的工序。

本发明的第5方式中，在上述第3方式或上述第4方式的各电子器件的制造方法中，上述第2电极可以包含面向上述第2电极开口的侧面，

上述第2电极的上述侧面的高度可以大于上述第2电极中俯视时与上述第1电极重叠的区域的厚度。

本发明的第6方式中，在上述第5方式的电子器件的制造方法中，上述第2电极的上述侧面的高度可以为上述第2电极中俯视时与上述第1电极重叠的区域的厚度的1.1倍以上。

本发明的第7方式中，在上述第3方式至上述第6方式的各电子器件的制造方法中，上述制造方法可以具备形成俯视时与上述第2电极和上述第2电极开口重叠的保护层的工序。

本发明的第8方式中，在上述第3方式至上述第7方式的各电子器件的制造方法中，上述照射工序可以包括对上述有机层中俯视时与上述第2电极开口重叠的区域照射激光而形成有机层开口的工序。

本发明的第9方式中，在上述第8方式的电子器件的制造方法中，上述有机层的面向上述有机层开口的侧面的宽度可以为2.0μm以下。

本发明的第10方式中，在上述第1方式至上述第9方式的各电子器件的制造方法中，上述层积体的上述有机层可以包含在俯视时不与上述第1电极重叠的位置处相互重叠的第1有机层和第2有机层，

上述除去工序可以包含将相互重叠的上述第1有机层和上述第2有机层至少局部性除去的工序。

本发明的第11方式中，在上述第1方式至上述第7方式的各电子器件的制造方法中，上述层积体可以包含俯视时位于相邻的2个上述有机层之间的有机层开口，上述第2电极形成工序可以按照俯视时上述第2电极与上述有机层和上述有机层开口重叠的方式形成上述第2电极，上述除去工序可以将上述第2电极中俯视时与上述有机层开口重叠的区域局部性除去。

本发明的第12方式中，在上述第1方式至上述第11方式的各电子器件的制造方法中，上述层积体可以包含俯视时位于上述第1电极之间的绝缘层。

本发明的第13方式中，在上述第12方式的电子器件的制造方法中，上述除去工序可以包括将上述绝缘层局部性除去的工序。

本发明的第14方式中，在上述第1方式至上述第13方式的各电子器件的制造方法中，上述准备工序可以包括通过蒸镀掩模的贯通孔将上述有机层的材料蒸镀到上述第1电极上的工序。

本发明的第15方式涉及一种电子器件，其具备：

具有第1面和位于上述第1面的相反侧的第2面的基板；

位于上述基板的上述第1面上的2个以上的第1电极；

上述第1电极上的有机层；和

位于上述有机层上且按照俯视时重叠在2个以上的上述第1电极上的方式展开的第2电极，

上述第2电极包含俯视时不与上述第1电极重叠的第2电极开口、和面向上述第2电极开口的侧面，

上述第2电极的上述侧面的高度大于上述第2电极中俯视时与上述第1电极重叠的区域的厚度的平均值。

本发明的第16方式中，在上述第15方式的电子器件中，上述第2电极的上述侧面的高度可以为俯视时与上述第1电极重叠的区域的厚度的平均值的1.1倍以上。

本发明的第17方式中，在上述第15方式或上述第16方式的各电子器件中，上述第2电极开口可以在俯视时被上述第2电极包围。

本发明的第18方式中，在上述第15方式至上述第17方式的各电子器件中，上述第2电极的上述侧面的上端可以具有俯视时包围上述第2电极开口的轮廓。

本发明的第19方式中，在上述第18方式的电子器件中，上述第2电极可以包含基部，该基部具有俯视时包围上述第2电极的上述侧面的上端的轮廓的轮廓，上述基部处的上述第2电极的厚度可以为俯视时与上述第1电极重叠的区域的厚度的平均值的1.05倍。

本发明的第20方式中，在上述第15方式至上述第19方式的各电子器件中，上述电子器件可以具备俯视时与上述第2电极和上述第2电极开口重叠的保护层。

本发明的第21方式中，在上述第20方式的电子器件中，与上述第2电极开口重叠的上述保护层的表面可以在上述基板的厚度方向上位于与上述第1电极重叠的上述第2电极的表面与上述第1面之间。

本发明的第22方式中，在上述第20方式的电子器件中，与上述第1电极重叠的上述第2电极的表面可以在上述基板的厚度方向上位于与上述第2电极开口重叠的上述保护层的表面与上述第1面之间。

本发明的第23方式中，在上述第15方式至上述第22方式的各电子器件中，上述有机层可以包含俯视时与上述第2电极开口重叠的有机层开口。

本发明的第24方式中，在上述第23方式的电子器件中，上述有机层可以包含面向上述有机层开口的侧面，

上述有机层的上述侧面的上端可以与上述第2电极的上述侧面的下端接触。

本发明的第25方式中，在上述第24方式的电子器件中，上述有机层的上述侧面的宽度可以为2.0μm以下。

本发明的第26方式中，在上述第15方式至上述第22方式的各电子器件中，上述有机层可以包含俯视时与上述第2电极的一部分和上述第2电极开口重叠的有机层开口。

本发明的第27方式中，在上述第26方式的电子器件中，上述有机层可以包含面向上述有机层开口的侧面，上述第2电极可以在俯视时与上述有机层的上述侧面重叠。

本发明的第28方式中，在上述第15方式至上述第27方式的各电子器件中，可以具备绝缘层，该绝缘层可以包含俯视时与上述第1电极重叠的绝缘层第1开口，并且在上述基板的上述第1面的法线方向上位于上述基板的第1面与上述有机层之间。

本发明的第29方式中，在上述第28方式的电子器件中，上述绝缘层可以包含俯视时位于上述第1电极之间并与上述第2电极开口重叠的绝缘层第2开口。

本发明的第30方式涉及一种蒸镀掩模组，

其具备2张以上的蒸镀掩模，

上述蒸镀掩模具备遮蔽区域和贯通孔，

2张以上的上述蒸镀掩模重叠而成的掩模层积体具备各蒸镀掩模的上述遮蔽区域彼此重叠的重叠遮蔽区域。

以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行详细说明。需要说明的是，以下所示的实施方式为本发明的实施方式的一例，本发明并不仅限于这些实施方式来解释。

图1是示出电子器件10的一例的截面图。电子器件10可以具备：包含第1面16和第2面17的基板15；和沿着基板15的第1面16的面内方向排列的多个元件20。虽未图示，但元件20也可以在图1的纵深方向上排列。元件20可以具有：位于第1面16上的2个以上的第1电极30；位于第1电极30上的2个以上的有机层40；和位于有机层40上的第2电极50。可以是第1电极30为阳极、第2电极50为阴极。或者，也可以是第1电极30为阴极、第2电极50为阳极。

电子器件10可以为有源矩阵型。例如，虽未图示，但电子器件10可以具备分别与多个元件20电连接的开关。开关例如为晶体管。开关能够控制施加到元件20的电压或流过元件20的电流的导通/截断。

基板15可以为具有绝缘性的板状部件。基板15优选具有使光透过的透明性。基板15例如为玻璃。虽未图示，但配线层可以位于基板15与元件20之间。配线层能够向元件20传输电信号、电力等。

元件20被构成为：通过在第1电极30与第2电极50之间施加电压，或者在第1电极30与第2电极50之间流通电流，从而实现某种功能。

第1电极30包含具有导电性的材料。例如，第1电极30包含金属、具有导电性的金属氧化物或其他无机材料等。第1电极30可以包含铟锡氧化物等具有透明性和导电性的金属氧化物。

有机层40包含有机材料。若对有机层40通电，则有机层40能够发挥出某种功能。通电是指对有机层40施加电压、或者在有机层40流通电流。作为有机层40，可以使用通过通电而放出光的发光层、通过通电使光的透射率或折射率变化的层等。有机层40可以包含有机半导体材料。在有机层40为发光层的情况下，当通过在第1电极30与第2电极50之间施加电压而使电流流过有机层40时，光从有机层40放出，光从第2电极50侧或第1电极30侧被取出到外部。

在有机层40包含通过通电而放出光的发光层的情况下，有机层40可以进一步包含空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等。

例如，在第1电极30为阳极的情况下，有机层40可以在发光层与第1电极30之间具有空穴注入传输层。空穴注入传输层可以为具有空穴注入功能的空穴注入层，可以为具有空穴传输功能的空穴传输层，也可以具有空穴注入功能和空穴传输功能这两种功能。另外，空穴注入传输层也可以为空穴注入层和空穴传输层层积而成的层。

在第2电极50为阴极的情况下，有机层40可以在发光层与第2电极50之间具有电子注入传输层。电子注入传输层可以为具有电子注入功能的电子注入层，可以为具有电子传输功能的电子传输层，也可以具有电子注入功能和电子传输功能这两种功能。另外，电子注入传输层也可以为电子注入层和电子传输层层积而成的层。

发光层包含发光材料。发光层可以包含改善流平性的添加剂。

作为发光材料，可以使用公知的材料，可以使用例如色素系材料、金属络合物系材料、高分子系材料等发光材料。

作为色素系材料，可以使用例如环戊二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、噻咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。

作为金属络合物系材料，可以使用例如羟基喹啉铝络合物、苯并羟基喹啉铍络合物、苯并噁唑锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、铕络合物等中心金属具有Al、Zn、Be等或Tb、Eu、Dy等稀土金属、配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物。

作为高分子系材料，可以使用例如聚对苯撑乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚对苯撑衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚芴衍生物、聚喹喔啉衍生物、和它们的共聚物等。

出于提高发光效率或改变发射光波长等目的，发光层可以包含掺杂剂。作为掺杂剂，可以举出例如苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸内鎓盐衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯衍生物、吡唑啉衍生物、十环烯、吩噁嗪酮、喹喔啉衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物等。另外，作为掺杂剂，也可以使用中心具有铂或铱等重金属离子、并显示出磷光的有机金属络合物。掺杂剂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。

另外，作为发光材料和掺杂剂，也可以使用例如日本特开2010-272891号公报的[0094]～[0099]、国际公开第2012/132126号的[0053]～[0057]中记载的材料。

关于发光层的膜厚，只要是能够提供电子与空穴的再结合场所而表现出发光功能的膜厚就没有特别限定，例如可以为1nm以上，另外可以为500nm以下。

作为用于空穴注入传输层的空穴注入传输性材料，可以使用公知的材料。可以使用例如三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、均二苯代乙烯衍生物、硅氮烷衍生物、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、苯基胺衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、芴衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基胺衍生物等。另外，可示例出螺环化合物、酞菁化合物、金属氧化物等。另外，也可以适当选择使用例如日本特开2011-119681号公报、国际公开第2012/018082号、日本特开2012-069963号公报、国际公开第2012/132126号的[0106]中记载的化合物。

需要说明的是，空穴注入传输层为空穴注入层和空穴传输层层积而成的层时，可以使空穴注入层含有添加剂A，也可以使空穴传输层含有添加剂A，还可以使空穴注入层和空穴传输层含有添加剂A。添加剂A可以为低分子化合物，也可以为高分子化合物。具体而言，可以使用氟系化合物、酯系化合物、烃系化合物等。

作为用于电子注入传输层的电子注入传输性材料，可以使用公知的材料。可以使用例如碱金属类、碱金属的合金、碱金属的卤化物、碱土金属类、碱土金属的卤化物、碱土金属的氧化物、碱金属的有机络合物、镁的卤化物或氧化物、氧化铝等。另外，作为电子注入传输性材料，可以使用例如浴铜灵、红菲绕啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、硝基取代芴衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、萘或苝等芳香环四羧酸酐、碳化二亚胺、亚芴基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、喹喔啉衍生物、羟基喹啉络合物等金属络合物、酞菁化合物、二苯乙烯基吡嗪衍生物等。

另外，也可以形成在电子传输性的有机材料中掺杂碱金属或碱土金属的金属掺杂层，将其作为电子注入传输层。作为电子传输性的有机材料，可以使用例如浴铜灵、红菲绕啉、菲咯啉衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、三(8-羟基喹啉络)铝(Alq3)等金属络合物以及它们的高分子衍生物等。另外，作为进行掺杂的金属，可以使用Li、Cs、Ba、Sr等。

第2电极50包含金属等具有导电性的材料。第2电极50通过使用后述蒸镀掩模的蒸镀法形成于有机层40上。作为构成第2电极50的材料的示例，可以举出铂、金、银、铜、铁、锡、铬、铝、铟、锂、钠、钾、钙、镁、铬、碳等和它们的合金。

电子器件10为有机EL显示装置的情况下，元件20为像素，有机层40包含发光层。

如图1所示，在一个基板15上可以设有与多个电子器件10对应的多个元件20。电子器件10为有机EL显示装置等显示装置的情况下，一个电子器件10相当于一个画面。

图2是将电子器件10放大示出的截面图，图3是将电子器件10放大示出的俯视图。图2相当于图3所示的电子器件10的沿着II-II线的截面图。

如图2和图3所示，有机层40可以为第1有机层40A，可以为第2有机层40B，也可以为第3有机层40C。第1有机层40A、第2有机层40B和第3有机层40C例如为红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层。在下述说明中，对有机层的构成中的第1有机层40A、第2有机层40B和第3有机层40C共通的构成进行说明时，使用“有机层40”的用语和符号。

如图2所示，有机层40不仅可以位于沿着基板15的第1面16的法线方向观察时与第1电极30重叠的区域，也可以位于不与第1电极30重叠的区域。同样，第2电极50不仅可以位于沿着基板15的第1面16的法线方向观察时与第1电极30重叠的区域，也可以位于不与第1电极30重叠的区域。需要说明的是，在下述说明中，有时也将沿着基板15之类的板状部件的面的法线方向观察时2个构成要素重叠的情况简单地表述为“重叠”。另外，有时也将沿着基板15之类的板状部件的面的法线方向观察的情况简单地表述为“俯视”。

图3中，俯视时被第2电极50覆盖的有机层40、以及俯视时被有机层40覆盖的第1电极30分别用虚线表示。如图3所示，多个第1电极30和有机层40可以沿着第3方向D3和与第3方向D3交叉的第4方向D4排列。第4方向D4可以与第3方向D3正交。第3方向D3可以是相对于第1方向D1成45°的方向。另外，第4方向D4可以是相对于第2方向D2成45°的方向。第4方向D4可以与第3方向D3正交。

第1方向D1和第2方向D2可以是基板15的外缘延伸的方向。第2方向D2可以与第1方向D1正交。

如图3所示，第2电极50可以按照重叠在2个以上的第1电极30上的方式展开。该情况下，第2电极50可以作为对多个有机层40通电的通用电极发挥功能。另外，第2电极50可以包含俯视时不与第1电极30重叠的第2电极开口51。第2电极开口51在俯视时可以被第2电极50包围。第2电极开口51可以位于俯视时相邻的2个第1电极30之间。例如，第2电极开口51可以位于俯视时在第1方向D1上相邻的2个第1电极30之间。另外，第2电极开口51可以位于俯视时在第2方向D2上相邻的2个第1电极30之间。

通过使第2电极50包含第2电极开口51，与第2电极50在第1面16的整个区域展开的情况相比，光容易透过电子器件10。由此，能够提高电子器件10整体的透射率。

如图2和图3所示，有机层40可以包含俯视时与第2电极开口51重叠的有机层开口41。一部分光通过有机层开口41，由此电子器件10整体的透射率进一步提高。与第2电极开口51同样地，有机层开口41可以位于俯视时在第1方向D1上相邻的2个第1电极30之间。另外，与第2电极开口51同样地，有机层开口41可以位于俯视时在第2方向D2上相邻的2个第1电极30之间。

图4A是将图2的电子器件10进一步放大示出的截面图。第2电极50包含面向第2电极开口51的侧面52。同样，有机层40包含面向有机层开口41的侧面42。如图4A所示，有机层40的侧面42的上端43可以与第2电极50的侧面52的下端54接触。这种侧面42与侧面52的关系可以在通过激光加工形成有机层开口41和第2电极开口51时实现。

图4B是将图4A的第2电极50放大示出的截面图。如图4A和图4B所示，第2电极50的侧面52的上端53可以比周围的第2电极50隆起。这种隆起可以通过在激光加工时第2电极50熔融而产生。通过使第2电极50的侧面52的上端53隆起，第2电极50的侧面52的高度增加，因此能够降低第2电极50的电阻。

图4A和图4B中，符号t1表示第2电极50的侧面52的高度。另外，符号t2表示第2电极50中俯视时与第1电极30重叠的区域的厚度的平均值。高度t1是侧面52的上端53与下端54之间在基板15的第1面16的法线方向上的距离。侧面52的高度t1、以及第2电极50的厚度基于电子器件10的截面的图像算出。截面的图像通过利用扫描电子显微镜观察电子器件10的截面而得到。

参照图4C，对计算第2电极50的厚度的平均值t2的方法进行说明。平均值t2通过对厚度t21、厚度t22和厚度t23进行平均而算出。厚度t21是第1面16的面内方向上的与第1电极30的中心位置重叠的第2电极50的厚度。图4C中，通过第1电极30的中心位置并在基板15的厚度方向上延伸的直线用符号Lc表示。厚度t22和厚度t23是第1面16的面内方向上的第1电极30的端30a与直线Lc的中间位置处的第2电极50的厚度。

侧面52的高度t1可以大于第2电极50的厚度的平均值t2。即，t1/t2可以大于1.0。t1/t2的范围可以由1.1、1.2、1.3和1.4构成的第1组和/或1.5、1.6、1.8和2.0构成的第2组确定。t1/t2的范围的下限可以由上述第1组中包含的值中的任意1个确定。例如，t1/t2的范围的下限可以为1.1以上、可以为1.2以上、可以为1.3以上、也可以为1.4以上。另外，t1/t2的范围的上限可以由上述第2组中包含的值中的任意1个确定。例如，t1/t2的范围的上限可以为1.5以下、可以为1.6以下、可以为1.8以下、也可以为2.0以下。

t1/t2的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意1个与上述第2组中包含的值中的任意1个的组合确定，例如，可以为1.1以上2.0以下、可以为1.2以上1.8以下、可以为1.3以上1.6以下、也可以为1.4以上1.5以下。另外，t1/t2的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为1.1以上1.4以下、可以为1.1以上1.3以下、可以为1.2以上1.4以下、也可以为1.2以上1.3以下。另外，t1/t2的范围可以由上述第2组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为1.5以上2.0以下、可以为1.5以上1.8以下、可以为1.6以上2.0以下、也可以为1.6以上1.8以下。

通过激光加工在有机层40形成有机层开口41的情况下，通过调整光的照射方向，能够调整面向有机层开口41的侧面42相对于基板15的第1面16所成的角度。因此，例如，可以按照侧面42陡峭地立起的方式形成有机层开口41。该情况下，有机层40的侧面42的宽度u1小于通过蒸镀法形成的有机层的侧面的宽度。由于有机层40的侧面42陡峭地立起，因此各有机层40的有效面积的偏差减小。因此，各有机层40的特性的偏差减小。例如，在有机层40为发光层的情况下，从各发光层放出的光的光度的偏差减小。因此，能够抑制电子器件10的亮度分布根据电子器件10的面内的位置而变动。“有机层40的有效面积”是指具有为了发挥有机层40的功能所需要的厚度且俯视时与第1电极30和第2电极50重叠的部分的面积。

本申请中，将侧面52的宽度u1定义为侧面52的高度达到t4的位置至达到t5的位置的在第1面16的面内方向上的距离。t4为0.2×t3，t5为0.8×t3。符号t3表示有机层40中俯视时位于侧面42与第1电极30的端部31之间的区域的厚度的平均值。与第2电极50的厚度同样地，有机层40的厚度基于电子器件10的截面的图像算出。

有机层40的侧面42的宽度u1的范围可以由0.1μm、0.2μm、0.3μm和0.4μm构成的第1组和/或0.5μm、1.0μm、1.5μm和2.0μm构成的第2组确定。侧面42的宽度u1的范围的下限可以由上述第1组中包含的值中的任意1个确定。例如，侧面42的宽度u1的范围的下限可以为0.1μm以上、可以为0.2μm以上、可以为0.3μm以上、也可以为0.4μm以上。另外，侧面42的宽度u1的范围的上限可以由上述第2组中包含的值中的任意1个确定。例如，侧面42的宽度u1的范围的上限可以为0.5μm以下、可以为1.0μm以下、可以为1.5μm以下、也可以为2.0μm以下。

有机层40的侧面42的宽度u1的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意1个与上述第2组中包含的值中的任意1个的组合确定，例如，可以为0.1μm以上2.0μm以下、可以为0.2μm以上1.5μm以下、可以为0.3μm以上1.0μm以下、也可以为0.4μm以上0.5μm以下。另外，侧面42的宽度u1的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为0.1μm以上0.4μm以下、可以为0.1μm以上0.3μm以下、可以为0.2μm以上0.4μm以下、也可以为0.2μm以上0.3μm以下。另外，侧面42的宽度u1的范围可以由上述第2组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为0.5μm以上2.0μm以下、可以为0.5μm以上1.5μm以下、可以为1.0μm以上2.0μm以下、也可以为1.0μm以上1.5μm以下。

在第2电极50的侧面52隆起的情况下，如图4A和图4B所示，第2电极50包含位于上端53的外侧的基部55。第2电极50的厚度随着从上端53向外侧而减少。“外侧”是指俯视时从第2电极开口51的中心远离的一侧。基部55是第2电极50的厚度充分小于侧面52的高度t1的位置。例如，基部55处的第2电极50的厚度t6为第2电极50的厚度的平均值t2的1.05倍。

图4D是示出第2电极50的一例的俯视图。符号51a表示俯视时的第2电极开口51的外缘。第2电极50的侧面52的上端53可以具有俯视时包围第2电极开口51的轮廓。基部55可以具有俯视时包围上端53的轮廓的轮廓。

符号u2表示从第2电极开口51的外缘51a至基部55的俯视时的距离。距离u2例如可以为0.05μm以上、可以为0.1μm以上、也可以为0.5μm以上。距离u2例如可以为2.0μm以下、可以为3.0μm以下、也可以为5.0μm以下。距离u2的范围可以由0.05μm、0.1μm和0.5μm构成的第1组和/或2.0μm、3.0μm和5.0μm构成的第2组确定。距离u2的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意1个与上述第2组中包含的值中的任意1个的组合确定。距离u2的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意2个的组合确定。距离u2的范围可以由上述第2组中包含的值中的任意2个的组合确定。例如，可以为0.05μm以上5.0μm以下、可以为0.05μm以上3.0μm以下、可以为0.05μm以上2.0μm以下、可以为0.05μm以上0.5μm以下、可以为0.05μm以上0.1μm以下、可以为0.1μm以上5.0μm以下、可以为0.1μm以上3.0μm以下、可以为0.1μm以上2.0μm以下、可以为0.1μm以上0.5μm以下、可以为0.5μm以上5.0μm以下、可以为0.5μm以上3.0μm以下、可以为0.5μm以上2.0μm以下、可以为2.0μm以上5.0μm以下、可以为2.0μm以上3.0μm以下、也可以为3.0μm以上5.0μm以下。

电子器件10的构成要素的尺寸、构成要素间的距离等可以通过利用扫描型电子显微镜观察电子器件10的截面的图像进行测定。

第2电极50可以包含均匀区域56。均匀区域56例如为具有平均值t2的1.05倍以下的厚度的区域。均匀区域56按照俯视时包围第2电极开口51的方式展开。均匀区域56可以向基部55的外侧展开。均匀区域56可以占第2电极50的大部分。第2电极50中的均匀区域56的占有率例如为90％以上、可以为95％以上、可以为98％以上、也可以为99％以上。在第2电极50的大部分为均匀区域56的情况下，光容易透过第2电极50。由此，能够提高电子器件10的透射率。

接着，对上述电子器件10的制造方法的一例进行说明。

首先，准备形成有第1电极30的基板15。图5和图6是示出形成有第1电极30的状态的基板15的截面图和俯视图。图5相当于图6所示的基板15的沿着V-V线的截面图。第1电极30例如如下形成：通过溅射法等在基板15形成构成第1电极30的导电层后，通过光刻法等将导电层图案化，由此形成第1电极30。

接着，实施在第1电极30上形成有机层40的有机层形成工序。图7和图8是示出形成有第1电极30和有机层40的状态的基板15的截面图和俯视图。图7相当于图8所示的基板15的沿着VII-VII线的截面图。有机层40例如如下形成：通过使用具有与有机层40对应的贯通孔的蒸镀掩模的蒸镀法，使有机材料等附着于基板15上或第1电极30上，由此形成有机层40。如此，可以准备层积体18，该层积体18包含：基板15；位于基板15的第1面16上的2个以上的第1电极30；和第1电极30上的有机层40。

如图8所示，多个第1有机层40A可以沿着第3方向D3和与第3方向D3交叉的第4方向D4排列。与第1有机层40A同样地，多个第2有机层40B也可以沿着第3方向D3和与第3方向D3交叉的第4方向D4排列。多个第3有机层40C可以沿着第1方向D1和第2方向D2排列。

图9是示出形成第1有机层40A的工序的一例的截面图。首先，准备包含多个贯通孔81的第1蒸镀掩模80A。接着，使第1蒸镀掩模80A与形成有第1电极30的基板15相向。接着，实施第1蒸镀工序：通过第1蒸镀掩模80A的贯通孔81将第1有机层40A的材料蒸镀到第1电极30上。如图9所示，第1有机层40A不仅可以形成于俯视时与第1电极30重叠的区域，也可以形成于不与第1电极30重叠的区域。

图10是示出形成第2有机层40B的工序的一例的截面图。首先，准备包含多个贯通孔81的第2蒸镀掩模80B。接着，使第2蒸镀掩模80B与形成有第1电极30和第1有机层40A的基板15相向。接着，实施第2蒸镀工序：通过第2蒸镀掩模80B的贯通孔81将第2有机层40B的材料蒸镀到第1电极30上。如图10所示，第2有机层40B不仅可以形成于俯视时与第1电极30重叠的区域，也可以形成于不与第1电极30重叠的区域。

虽未图示，但与第1有机层40A和第2有机层40B的情况同样地，实施第3蒸镀工序：通过蒸镀掩模的贯通孔将第3有机层40C的材料蒸镀到第1电极30上。如此，可以在第1电极30上形成包含第1有机层40A、第2有机层40B和第3有机层40C的有机层40。

图11是示出形成第2有机层40B的工序的一例的截面图。如图11所示，第2蒸镀工序可以按照第2有机层40B的一部分与第1有机层40A重叠的方式实施。该情况下，第1有机层40A和第2有机层40B包含在不与第1电极30重叠的位置处相互部分重叠的重叠部分45。虽未图示，但第1有机层40A和第3有机层40C可以相互部分重叠。另外，第2有机层40B和第3有机层40C可以相互部分重叠。

接着，实施形成第2电极50的第2电极形成工序。图12和图13是示出形成第2电极50的工序的一例的截面图和俯视图。图12相当于图13所示的基板15的沿着XII-XII线的截面图。在第2电极形成工序中，按照俯视时第2电极50与2个以上的第1电极30重叠的方式在有机层40上形成第2电极50。例如通过蒸镀法在基板15的第1面16侧的整个区域形成第2电极50。

第2电极50可以形成于电子器件10的显示区域的整个区域。第2电极50可以包含无间隙地连续展开的层。第2电极50也可以由无间隙地连续展开的1个层构成。第2电极50可以通过1次蒸镀工序形成。

接着，实施除去工序：将第2电极50中俯视时不与第1电极30重叠的区域局部性除去，形成第2电极开口51。如图14所示，除去工序可以包括对第2电极50照射激光L1的照射工序。照射工序可以包括通过激光掩模90的贯通孔91对第2电极50照射激光L1的工序。通过对第2电极50照射激光L1，如上述图2所示，可以在第2电极50形成第2电极开口51。如此，可以得到具备包含第2电极开口51的第2电极50的电子器件10。

除去工序可以将第2电极50中俯视时位于第1电极30之间的区域局部性除去。例如，可以对第2电极50中俯视时位于第1电极30之间的区域照射激光L1。

照射工序可以包括下述工序：在第2电极50形成第2电极开口51后，对有机层40中与第2电极开口51重叠的区域照射激光L1。通过对有机层40照射激光L1，如上述图2所示，能够在有机层40形成与第2电极开口51重叠的有机层开口41。

如上述图11所示，第1有机层40A和第2有机层40B部分相互重叠的情况下，可以对重叠部分45照射激光L1。由此，能够除去重叠部分45。

图15是示出照射工序的一例的图。图15中，用虚线表示应形成第2电极开口51的区域。如图15所示，照射到第2电极50的激光的光斑92可以具有小于第2电极开口51的尺寸的光斑直径r。该情况下，可以在激光的光源与第2电极50之间夹有激光掩模90的状态下使光源在基板15的第1面16的面内方向扫描，由此将激光照射到第2电极50中应形成第2电极开口51的区域。

作为激光，可以使用例如YAG激光。产生YAG激光的光源可以具备包含在钇、铝和石榴石中添加有钕的晶体的振荡用介质。该情况下，作为基本波，可生成波长为约1064nm的激光。另外，通过使基本波从非线性光学晶体中通过，可生成波长为约532nm的第2高频波。另外，通过使基本波和第2高频波从非线性光学晶体中通过，可生成波长为约355nm的第3高频波。照射到第2电极50的激光包含基本波、第2高频波和第3高频波中的1种、2种或3种。

照射到第2电极50的激光也可以为YAG激光以外的激光。

在照射工序中，可以间歇地对第2电极50照射激光L1的脉冲。即，作为照射到第2电极50的激光L1，可以使用包含通过脉冲振荡得到的脉冲的激光L1而非连续光。由此，容易控制因激光L1的照射而在第2电极50产生的热。图16是示出包含脉冲的激光L1的一例的图。图16中，符号W1表示激光L1的脉冲宽度，符号W2表示激光L1的脉冲的周期W2，符号P1表示激光L1的峰值输出。脉冲宽度W1为脉冲的峰的半峰宽。

在照射工序中，可以适当地调整激光L1的光斑直径r、脉冲宽度W1、脉冲的周期W2、峰值输出P1、脉冲能量等参数。由此，能够调整形成于第2电极50的侧面52的上端53的隆起的程度。另外，能够调整有机层40的侧面42的宽度u1。

激光L1的光斑直径r的范围可以由2μm、5μm、10μm和15μm构成的第1组和/或20μm、30μm、40μm和50μm构成的第2组确定。光斑直径r的范围的下限可以由上述第1组中包含的值中的任意1个确定。例如，光斑直径r的范围的下限可以为2μm以上、可以为5μm以上、可以为10μm以上、也可以为15μm以上。另外，光斑直径r的范围的上限可以由上述第2组中包含的值中的任意1个确定。例如，光斑直径r的范围的上限可以为20μm以下、可以为30μm以下、可以为40μm以下、也可以为50μm以下。

激光L1的光斑直径r的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意1个与上述第2组中包含的值中的任意1个的组合确定，例如，可以为2μm以上50μm以下、可以为5μm以上40μm以下、可以为10μm以上30μm以下、也可以为15μm以上20μm以下。另外，光斑直径r的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为2μm以上15μm以下、可以为2μm以上10μm以下、可以为5μm以上15μm以下、也可以为5μm以上10μm以下。另外，光斑直径r的范围可以由上述第2组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为20μm以上50μm以下、可以为20μm以上40μm以下、可以为30μm以上50μm以下、也可以为30μm以上40μm以下。

激光L1的脉冲宽度W1的范围可以由0.1ns、0.2ns、0.5ns和1ns构成的第1组和/或2ns、5ns、10ns和20ns构成的第2组确定。脉冲宽度W1的范围的下限可以由上述第1组中包含的值中的任意1个确定。例如，脉冲宽度W1的范围的下限可以为0.1ns以上、可以为0.2ns以上、可以为0.5ns以上、也可以为1ns以上。另外，脉冲宽度W1的范围的上限可以由上述第2组中包含的值中的任意1个确定。例如，脉冲宽度W1的范围的上限可以为2ns以下、可以为5ns以下、可以为10ns以下、也可以为20ns以下。

激光L1的脉冲宽度W1的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意1个与上述第2组中包含的值中的任意1个的组合确定，例如，可以为0.1ns以上20ns以下、可以为0.2ns以上10ns以下、可以为0.5ns以上5ns以下、也可以为1ns以上2ns以下。另外，脉冲宽度W1的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为0.1ns以上1ns以下、可以为0.1ns以上0.5ns以下、可以为0.2ns以上1ns以下、也可以为0.2ns以上0.5ns以下。另外，脉冲宽度W1的范围可以由上述第2组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为2ns以上20ns以下、可以为2ns以上10ns以下、可以为5ns以上20ns以下、也可以为5ns以上10ns以下。

激光L1的脉冲的周期W2的范围可以由1ns、2ns、5ns和10ns构成的第1组和/或20ns、50ns、100ns和200ns构成的第2组确定。周期W2的范围的下限可以由上述第1组中包含的值中的任意1个确定。例如，周期W2的范围的下限可以为1ns以上、可以为2ns以上、可以为5ns以上、也可以为10ns以上。另外，周期W2的范围的上限可以由上述第2组中包含的值中的任意1个确定。例如，周期W2的范围的上限可以为20ns以下、可以为50ns以下、可以为100ns以下、也可以为200ns以下。

激光L1的脉冲的周期W2的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意1个与上述第2组中包含的值中的任意1个的组合确定，例如，可以为1ns以上200ns以下、可以为2ns以上100ns以下、可以为5ns以上50ns以下、也可以为10ns以上20ns以下。另外，周期W2的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为1ns以上10ns以下、可以为1ns以上5ns以下、可以为2ns以上10ns以下、也可以为2ns以上5ns以下。另外，周期W2的范围可以由上述第2组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为20ns以上200ns以下、可以为20ns以上100ns以下、可以为50ns以上200ns以下、也可以为50ns以上100ns以下。

激光L1的峰值输出P1的范围可以由100kW、200kW、300kW和400kW构成的第1组和/或500kW、600kW、800kW和1000kW构成的第2组确定。峰值输出P1的范围的下限可以由上述第1组中包含的值中的任意1个确定。例如，峰值输出P1的范围的下限可以为100kW以上、可以为200kW以上、可以为300kW以上、也可以为400kW以上。另外，峰值输出P1的范围的上限可以由上述第2组中包含的值中的任意1个确定。例如，峰值输出P1的范围的上限可以为500kW以下、可以为600kW以下、可以为800kW以下、也可以为1000kW以下。

峰值输出P1的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意1个与上述第2组中包含的值中的任意1个的组合确定，例如，可以为100kW以上1000kW以下、可以为200kW以上800kW以下、可以为300kW以上600kW以下、也可以为400kW以上500kW以下。另外，峰值输出P1的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为100kW以上400kW以下、可以为100kW以上300kW以下、可以为200kW以上400kW以下、也可以为200kW以上300kW以下。另外，峰值输出P1的范围可以由上述第2组中包含的值中的任意2个的组合确定，例如，可以为500kW以上1000kW以下、可以为500kW以上800kW以下、可以为600kW以上1000kW以下、也可以为600kW以上800kW以下。

激光L1的脉冲能量和脉冲宽度W1可以设定成抑制第2电极50大范围地飞散。例如，激光L1可以具有1.5mJ以上2.0mJ以下的脉冲能量和5ns以上7ns以下的脉冲宽度W1。该情况下，激光L1可以具有1ns以上60ns以下的脉冲的周期W2。

激光L1的脉冲能量、脉冲宽度W1和峰值输出P1的值不限于上述范围。这些值根据第2电极50的特性、激光L1的特性等适当地调整。

根据图1～图16所示的实施方式，对第2电极50中俯视时不与第1电极30重叠的区域照射激光L1，由此在第2电极50形成第2电极开口51。因此，与第2电极50在第1面16的整个区域展开的情况相比，光容易透过电子器件10。由此，能够提高电子器件10整体的透射率。另外，通过使用激光L1，能够以良好的精度对第2电极50进行加工。例如，能够抑制俯视时的第2电极开口51的形状偏离设计形状。关于有机层40的有机层开口41的形状也是相同的。加工精度可通过使用上述激光掩模90而提高。

另外，通过使用激光L1，容易控制第2电极50的第2电极开口51的侧面52和有机层40的有机层开口41的侧面42的倾斜角度。例如，与通过使用蒸镀掩模的蒸镀法附着于基板15的材料构成的层的端部构成侧面时相比，能够减小第2电极50的侧面52或有机层40的侧面42相对于基板15的第1面16的法线方向所成的角度。

作为比较方式，对通过使用蒸镀掩模的蒸镀法形成第2电极的情况进行考虑。该情况下，若在蒸镀工序中第2电极的材料飞来的方向相对于基板15的第1面16的法线方向倾斜，则形成于基板15的第2电极在俯视时的形状容易偏离蒸镀掩模的贯通孔的形状。为了抑制这种偏离，要求减小蒸镀掩模的厚度。但是，若蒸镀掩模的厚度减小，则认为蒸镀掩模的强度降低，蒸镀掩模容易产生损伤。另外，还认为难以对第2电极的材料附着的蒸镀掩模进行清洗并再利用，电子器件10的制造成本增加。

与此相对，根据本实施方式，由于通过激光L1对第2电极50进行加工，因此能够以良好的精度对第2电极50进行加工。

需要说明的是，可以对上述一个实施方式加以各种变更。以下，根据需要参照附图对其他实施方式进行说明。在以下的说明和以下的说明中使用的附图中，对于可与上述一个实施方式同样构成的部分，使用与对上述一个实施方式中的对应部分使用的符号相同的符号，并省略重复的说明。另外，在其他实施方式中也可显而易见地得到上述一个实施方式中得到的作用效果的情况下，也有时省略其说明。

参照图17～图23，对本发明的其他实施方式的电子器件10及其制造方法进行说明。图17是示出电子器件10的一例的截面图。另外，图18A是将图17的电子器件10放大示出的截面图。电子器件10可以具备在基板15的第1面16的法线方向上位于第1面16与有机层40之间的绝缘层60。绝缘层60可以包含绝缘层第1开口61。俯视时，第1电极30可以位于绝缘层第1开口61。虽未图示，但第1电极30的一部分可以位于绝缘层60与基板15的第1面16之间。

另外，绝缘层60可以包含绝缘层第2开口62。绝缘层第2开口62可以在俯视时与第2电极50的第2电极开口51重叠。另外，绝缘层第2开口62可以在俯视时与有机层40的有机层开口41重叠。绝缘层60包含面向绝缘层第2开口62的侧面63。如图18A所示，绝缘层60的侧面63的上端可以与有机层40的侧面42的下端接触。这种侧面63与侧面42的关系可在通过激光加工形成有机层开口41和绝缘层第2开口62时实现。

绝缘层60包含具有绝缘性的材料。例如，绝缘层60可以包含聚酰亚胺树脂等树脂材料。

接着，对图17所示的电子器件10的制造方法的一例进行说明。

首先，与图5和图6所示的上述实施方式的情况同样地，准备形成有第1电极30的基板15。接着，实施在基板15的第1面16形成具有绝缘层第1开口61的绝缘层60的绝缘层形成工序。图19和图20是示出形成有第1电极30和绝缘层60的状态的基板15的一例的截面图和俯视图。图19相当于图20所示的基板15的沿着XIX-XIX线的截面图。

在绝缘层形成工序中，例如，首先，将包含绝缘层60的材料的溶液涂布到基板15的第1面16侧，并使溶液干燥，由此在第1面16的整个区域形成绝缘层60。接着，对绝缘层60进行曝光和显影，由此在绝缘层60形成绝缘层第1开口61。如此，能够在第1电极30之间形成绝缘层60。

接着，如图21所示，实施在第1电极30上形成有机层40的有机层形成工序。有机层40可以形成为俯视时与第1电极30和绝缘层60重叠。如此，可以准备层积体18，该层积体18具备：基板15；位于基板15的第1面16上的2个以上的第1电极30；位于第1电极30之间的绝缘层60；和位于第1电极30上的有机层40。

接着，如图22所示，实施形成第2电极50的第2电极形成工序。在第2电极形成工序中，与图5和图6所示的上述实施方式的情况同样地，按照俯视时第2电极50与2个以上的第1电极30重叠的方式在有机层40上形成第2电极50。

接着，如图23所示，实施除去工序：将第2电极50中俯视时不与第1电极30重叠的区域局部性除去，形成第2电极开口51。如图23所示，除去工序中，可以将第2电极50中俯视时与绝缘层60重叠的区域局部性除去，形成第2电极开口51。如图23所示，除去工序可以包括对第2电极50照射激光L1的照射工序。通过对第2电极50照射激光L1，如上述图17所示，能够在第2电极50形成第2电极开口51。如此，可以得到具备包含第2电极开口51的第2电极50的电子器件10。

照射工序可以包括下述工序：在第2电极50形成第2电极开口51后，对有机层40中与第2电极开口51重叠的区域照射激光L1。通过对有机层40照射激光L1，如上述图17所示，能够在有机层40形成与第2电极开口51重叠的有机层开口41。

另外，照射工序可以包括下述工序：在有机层40形成有机层开口41后，对绝缘层60中与有机层开口41重叠的区域照射激光L1。通过对绝缘层60照射激光L1，如上述图17所示，能够在绝缘层60形成与第2电极开口51和有机层开口41重叠的绝缘层第2开口62。

在有机层开口41中，基板15的第1面16可以露出，也可以不露出。“露出”是指在第1面16上未形成层。“不露出”是指在第1面16上形成有某种层。例如如图18B所示，在有机层开口41中，绝缘层60可以位于基板15的第1面16上。俯视时位于有机层开口41的绝缘层60的厚度可以小于俯视时与有机层40重叠的绝缘层60的厚度。例如，在对与有机层开口41重叠的绝缘层60的区域照射激光L1的工序中，在厚度方向上将绝缘层60局部性除去，由此产生这种绝缘层60。通过在有机层开口41残留绝缘层60，能够抑制俯视时夹着有机层开口41相邻的2个第1电极30被电连接。

虽未图示，但在绝缘层第2开口62中，具有绝缘性且与绝缘层60不同的层可以位于基板15的第1面16上。由此，能够抑制夹着绝缘层第2开口62相邻的2个第1电极30被电连接。

参照图24A，对本发明的其他实施方式的电子器件10进行说明。电子器件10可以具备俯视时与第2电极50和第2电极开口51重叠的保护层70。

保护层70包含具有绝缘性和透明性的材料。保护层70的材料可以为有机材料，也可以为无机材料。例如，保护层70可以包含聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、环氧树脂等树脂材料。例如，保护层70可以包含无机材料。无机材料可以为氮化硅等无机氮化物，也可以为氧化硅、氧化铝等无机氧化物。保护层70由这些材料构成，可以包含在基板15的厚度方向上层积而成的2个以上的层。

如图24A所示，在第2电极50的侧面52的上端53比周围的第2电极50隆起的情况下，第2电极50的侧面52的上端53能够进入保护层70。因此，第2电极50与保护层70之间的接触面积增加。由此，能够抑制保护层70从第2电极50被剥离。

如图24A所示，保护层70可以覆盖有机层40的侧面。保护层70能够抑制大气中的水蒸气、氧等侵入有机层40。由此，能够抑制有机层40的劣化。

保护层70可以沿着有机层40的截面形状展开。例如，如图24A所示，与第2电极开口51重叠的保护层70的表面可以在基板15的厚度方向上位于与第1电极30重叠的第2电极50的表面与第1面16之间。

保护层70可以具有比第1电极30、有机层40和第2电极50的总厚度大的厚度。例如，如图24B所示，与第1电极30重叠的第2电极50的表面可以在基板15的厚度方向上位于与第2电极开口51重叠的保护层70的表面与第1面16之间。

形成保护层70的工序可以包括将包含保护层70的材料的液体涂布到第2电极50和第2电极开口51的工序。也可以通过其他方法形成保护层70。

参照图25～图28，对本发明的其他实施方式的电子器件10及其制造方法进行说明。在上述实施方式中，示出了将位于有机层40上的第2电极50除去而形成第2电极开口51的示例。此处，对将第2电极50中俯视时不与有机层40重叠的区域除去而形成第2电极开口51的示例进行说明。

图25是示出本实施方式的电子器件10的一例的截面图。如图25所示，有机层40不面向第2电极50的第2电极开口51，有机层40的端部47可以在俯视时与第2电极50重叠。

接着，对图25所示的电子器件10的制造方法的一例进行说明。

首先，与图5和图6所示的上述实施方式的情况同样地，准备形成有第1电极30的基板15。接着，如图26所示，实施在第1电极30上形成有机层40的有机层形成工序。如图26所示，在俯视时相邻的2个有机层40之间可以具有不存在有机层40的间隙。

接着，如图27所示，实施形成第2电极50的第2电极形成工序。在第2电极形成工序中，与图5和图6所示的上述实施方式的情况同样地，按照俯视时第2电极50与2个以上的第1电极30重叠的方式，在有机层40上和基板15的第1面16上形成第2电极50。

接着，如图28所示，实施除去工序：将第2电极50中俯视时不与第1电极30重叠的区域局部性除去，形成第2电极开口51。如图28所示，除去工序中，可以将第2电极50中俯视时不与有机层40重叠的区域局部性除去而形成第2电极开口51。如图28所示，除去工序可以包括对第2电极50照射激光L1的照射工序。通过对第2电极50照射激光L1，如上述图25所示，能够在第2电极50形成第2电极开口51。如此，可以得到具备包含第2电极开口51的第2电极50的电子器件10。

参照图29～图36，对本发明的其他实施方式的电子器件10及其制造方法进行说明。

对本实施方式中的在第1电极30上形成有机层40的方法进行说明。形成有机层40的有机层形成工序包括利用2张以上的蒸镀掩模80在基板15蒸镀有机材料的工序。例如，使用3张蒸镀掩模80。

图29是示出第1蒸镀掩模80A的一例的俯视图。第1蒸镀掩模80A包含第1遮蔽区域82A和第1贯通孔81A。第1贯通孔81A可以沿着第3方向D3和第4方向D4排列。利用通过第1贯通孔81A并附着于基板15的有机材料，形成第1有机层40A。

图30是示出第2蒸镀掩模80B的一例的俯视图。第2蒸镀掩模80B包含第2遮蔽区域82B和第2贯通孔81B。第2贯通孔81B可以沿着第3方向D3和第4方向D4排列。利用通过第2贯通孔81B并附着于基板15的有机材料，形成第2有机层40B。

图31是示出第3蒸镀掩模80C的一例的俯视图。第3蒸镀掩模80C包含第3遮蔽区域82C和第3贯通孔81C。第3贯通孔81C可以沿着第1方向D1和第2方向D2排列。利用通过第3贯通孔81C并附着于基板15的有机材料，形成第3有机层40C。

也将为了形成有机层40而使用的2张以上的蒸镀掩模80称为“蒸镀掩模组”。

接着，对第1蒸镀掩模80A、第2蒸镀掩模80B和第3蒸镀掩模80C的位置关系进行说明。图32是示出掩模层积体85的一例的俯视图。掩模层积体85具备重叠的2张以上的蒸镀掩模80。图32所示的掩模层积体85具备重叠的第1蒸镀掩模80A、第2蒸镀掩模80B和第3蒸镀掩模80C。

在掩模层积体85中，各蒸镀掩模80A～80C的对准标记可以重叠。或者，可以基于各蒸镀掩模80A～80C的贯通孔81A～81C和遮蔽区域82A～82C的配置将各蒸镀掩模80A～80C重叠。在重叠各蒸镀掩模80A～80C时，可以对各蒸镀掩模80A～80C施加张力，也可以不施加张力。

将2张以上蒸镀掩模80重叠的状态的图可以通过将各蒸镀掩模80的图像数据重叠而获得。例如，首先，使用拍摄装置分别取得与各蒸镀掩模80A～80C的贯通孔81A～81C的轮廓有关的图像数据。接着，使用图像处理装置将各蒸镀掩模80A～80C的图像数据重叠。由此，能够制作图32的图。在取得图像数据时，可以对各蒸镀掩模80A～80C施加张力，也可以不施加张力。将2张以上的蒸镀掩模80重叠的状态的图可以通过将用于制造各蒸镀掩模80A～80C的设计图重叠而获得。

图32中，第1贯通孔81A的轮廓用点划线表示，第2贯通孔81B的轮廓用虚线表示，第3贯通孔81C的轮廓用实线表示。掩模层积体85具备重叠遮蔽区域83。重叠遮蔽区域83是指俯视时各蒸镀掩模80的遮蔽区域82A～82C彼此重叠的区域。

一部分重叠遮蔽区域83可以位于第1方向D1上相邻的第1贯通孔81A与第2贯通孔81B之间、且第2方向D2上相邻的2个第3贯通孔81C之间的位置。其他重叠遮蔽区域83可以位于第1方向D1上相邻的2个第3贯通孔81C之间、且第2方向D2上相邻的第1贯通孔81A与第2贯通孔81B之间的位置。

图33是示出通过使用图29～31的蒸镀掩模80A～80C而形成的有机层40A～40C的一例的俯视图。构成第1有机层40A的有机材料、构成第2有机层40B的有机材料和构成第3有机层40C的有机材料均在重叠遮蔽区域83的位置上无法到达基板15。该情况下，有机层40包含有机层开口41。有机层开口41产生于与重叠遮蔽区域83对应的位置。

一部分有机层开口41可以位于第1方向D1上相邻的第1有机层40A与第2有机层40B之间、且第2方向D2上相邻的2个第3有机层40C之间的位置。其他有机层开口41可以位于第1方向D1上相邻的2个第3有机层40C之间、且第2方向D2上相邻的第1有机层40A与第2有机层40B之间的位置。

图34是示出形成于图33的有机层40A～40C上的第2电极50的一例的俯视图。第2电极50包含俯视时与有机层40A～40C重叠的区域、以及俯视时与有机层开口41重叠的区域。第2电极50可以形成于电子器件10的显示区域的整个区域。第2电极50可以包含无间隙地连续展开的层。第2电极50也可以由无间隙地连续展开的1个层构成。第2电极50可以通过1次蒸镀工序形成。

除去工序可以将俯视时与有机层开口41重叠的第2电极50的区域局部性除去。例如，除去工序中，可以对俯视时与有机层开口41重叠的第2电极50的区域照射激光。由此，在第2电极50形成第2电极开口51。图35是示出形成有第2电极开口51的第2电极50的一例的俯视图。第2电极开口51在俯视时与有机层开口41重叠。第2电极开口51可以在俯视时被有机层开口41包围。第2电极50的一部分可以在俯视时与有机层开口41重叠。

图36是沿着XXXVI-XXXVI线观察图35的电子器件10的截面图。如图36所示，第2电极开口51的外缘51a可以位于有机层40的端部47的内侧。该情况下，如图36所示，第2电极50能够在俯视时与有机层40的侧面42重叠。“内侧”是指俯视时接近第2电极开口51的中心的一侧。

符号K1表示从第2电极开口51的外缘51a至有机层40的端部47的俯视时的距离。距离K1例如可以为0.1μm以上、可以为0.5μm以上、也可以为1.0μm以上。距离K1例如可以为2.0μm以下、可以为4.0μm以下、也可以为8.0μm以下。距离K1的范围可以由0.1μm、0.5μm和1.0μm构成的第1组和/或2.0μm、4.0μm和8.0μm构成的第2组确定。距离K1的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意1个与上述第2组中包含的值中的任意1个的组合确定。距离K1的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意2个的组合确定。距离K1的范围可以由上述第2组中包含的值中的任意2个的组合确定。例如，可以为0.1μm以上8.0μm以下、可以为0.1μm以上4.0μm以下、可以为0.1μm以上2.0μm以下、可以为0.1μm以上1.0μm以下、可以为0.1μm以上0.5μm以下、可以为0.5μm以上8.0μm以下、可以为0.5μm以上4.0μm以下、可以为0.5μm以上2.0μm以下、可以为0.5μm以上1.0μm以下、可以为1.0μm以上8.0μm以下、可以为1.0μm以上4.0μm以下、可以为1.0μm以上2.0μm以下、可以为2.0μm以上8.0μm以下、可以为2.0μm以上4.0μm以下、也可以为4.0μm以上8.0μm以下。

根据本实施方式，第2电极50包含俯视时与有机层开口41重叠的区域。换言之,除去工序按照不对有机层40照射激光的方式实施。由此，能够抑制有机层40的材料飞散。因此，能够抑制电子器件10被飞散的有机层40的材料污染。

参照图37～图41，对本发明的其他实施方式的电子器件10进行说明。图37是示出电子器件10的一例的俯视图。电子器件10例如为智能手机。

如图37所示，电子器件10可以包含第1显示区域101和第2显示区域102。第2显示区域102可以具有小于第1显示区域101的面积。如图37所示，第2显示区域102可以被第1显示区域101包围。虽未图示，但第2显示区域102的外缘的一部分可以位于与第1显示区域101的外缘的一部分相同的直线上。

图38是将图37的第2显示区域102及其周围放大示出的俯视图。第1显示区域101中，元件20可以沿着不同的2个方向排列。在图38所示的示例中，第1显示区域101的元件20可以沿着第3方向D3和第4方向D4排列。

元件20包含第2电极50。也将位于第1显示区域101的第2电极50表示为第2电极50X。也将位于第2显示区域102的第2电极50称为第2电极50Y。

第2电极50X具有第1占有率。第1占有率通过将位于第1显示区域101的第2电极50的总面积除以第1显示区域101的面积而算出。第2电极50Y具有第2占有率。第2占有率通过将位于第2显示区域102的第2电极50的总面积除以第2显示区域102的面积而算出。第2占有率可以小于第1占有率。例如如图38所示，第2显示区域102可以包含第2电极开口51。第2电极开口51可以在俯视时不与第2电极50Y重叠。

第2占有率相对于第1占有率之比例如可以为0.2以上、可以为0.3以上、也可以为0.4以上。第2占有率相对于第1占有率之比例如可以为0.6以下、可以为0.7以下、也可以为0.8以下。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由0.2、0.3和0.4构成的第1组和/或0.6、0.7和0.8构成的第2组确定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意1个与上述第2组中包含的值中的任意1个的组合确定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意2个的组合确定。第2占有率相对于第1占有率之比的范围可以由上述第2组中包含的值中的任意2个的组合确定。例如，可以为0.2以上0.8以下、可以为0.2以上0.7以下、可以为0.2以上0.6以下、可以为0.2以上0.4以下、可以为0.2以上0.3以下、可以为0.3以上0.8以下、可以为0.3以上0.7以下、可以为0.3以上0.6以下、可以为0.3以上0.4以下、可以为0.4以上0.8以下、可以为0.4以上0.7以下、可以为0.4以上0.6以下、可以为0.6以上0.8以下、可以为0.6以上0.7以下、也可以为0.7以上0.8以下。

在第2占有率小于第1占有率的情况下，第2显示区域102具有高于第1显示区域101的透射率。该情况下，在第2显示区域102中，到达电子器件10的光容易到达基板15的背面侧的光学部件等。光学部件为例如照相机等通过检测光而实现某种功能的部件。通过检测光而实现的第2显示区域102的功能例如为照相机、指纹传感器、脸部识别传感器等传感器等。

第1显示区域101的第2电极50可以在第1显示区域101的大致整个区域展开。例如，第1占有率可以为90％以上、可以为95％以上、可以为98％以上、可以为99％以上、可以为99.5％以上、可以为99.9％以上、也可以为100％。

图39是示出第1显示区域101的一例的俯视图。如图38和图39所示，第1显示区域101的元件20可以沿着第3方向D3以第31周期P31排列。第1显示区域101的元件20可以沿着第4方向D4以第41周期P41排列。

图40是示出第2显示区域102的一例的俯视图。图41是示出第2显示区域102的有机层40的一例的俯视图。如图38、图40和图41所示，第2显示区域102的元件20可以沿着第3方向D3以第32周期P31排列。第32周期P32可以大于第31周期P31。第2显示区域102的元件20可以沿着第4方向D4以第42周期P42排列。第42周期P42可以大于第41周期P41。

由于第2显示区域102包含元件20，因此在元件20为像素的情况下，能够将影像显示到第2显示区域102。如上所述，在第2显示区域102中，到达电子器件10的光容易到达基板15的背面侧的光学部件等。因此，第2显示区域102能够检测光、并且显示影像。

第32周期P32相对于第31周期P31之比例如可以为1.1以上、可以为1.3以上、也可以为1.5以上。第32周期P32相对于第31周期P31之比例如可以为2.0以下、可以为3.0以下、也可以为4.0以下。第32周期P32相对于第31周期P31之比的范围可以由1.1、1.3和1.5构成的第1组和/或2.0、3.0和4.0构成的第2组确定。第32周期P32相对于第31周期P31之比的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意1个与上述第2组中包含的值中的任意1个的组合确定。第32周期P32相对于第31周期P31之比的范围可以由上述第1组中包含的值中的任意2个的组合确定。第32周期P32相对于第31周期P31之比的范围可以由上述第2组中包含的值中的任意2个的组合确定。例如，可以为1.1以上4.0以下、可以为1.1以上3.0以下、可以为1.1以上2.0以下、可以为1.1以上1.5以下、可以为1.1以上1.3以下、可以为1.3以上4.0以下、可以为1.3以上3.0以下、可以为1.3以上2.0以下、可以为1.3以上1.5以下、可以为1.5以上4.0以下、可以为1.5以上3.0以下、可以为1.5以上2.0以下、可以为2.0以上4.0以下、可以为2.0以上3.0以下、也可以为3.0以上4.0以下。在第32周期P32相对于第31周期P31之比小的情况下，第2显示区域102的像素密度相对于第1显示区域101的像素密度之差减小。由此，能够抑制在第1显示区域101与第2显示区域102之间产生视觉差异。

作为第42周期P42相对于第41周期P41之比的数值范围，可以采用第32周期P32相对于第31周期P31之比的上述数值范围。

在上述各实施方式中，示出了通过对第2电极50照射激光而将第2电极50局部性除去的示例。但是，将第2电极50局部性除去的方法不限于激光照射。例如，可以通过干蚀刻、湿蚀刻等蚀刻将第2电极50局部性除去。