具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一遮挡部实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。在本申请中，“反应”可以为化学反应或物理反应。

本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法。以下分别进行详细说明。

请参阅图1和图2，图1是本申请实施例提供的设置有显示面板的母板的俯视示意图。图2为图1中的显示面板沿着AB线的第一种结构示意图。本申请提供一种显示面板10。显示面板10包括阵列基板100、第一挡墙200、发光结构300、第一无机层400、有机层500和第二无机层600。

阵列基板100包括衬底和晶体管。晶体管设置于衬底上。阵列基板100包括中间区101和围绕中间区101设置的第一外围区102。

在第一外围区102，第一挡墙200设置于阵列基板100上。

在一实施例中，显示面板10还包括第二挡墙700。第二挡墙700位于第一挡墙200远离中间区101的一侧。

在一实施例中，第二挡墙700的厚度H大于第一挡墙200的厚度W。具体的，第二挡墙700的厚度H与第一挡墙200的厚度W之间的差值为3微米-5微米。具体的，第二挡墙700的厚度H与第一挡墙200的厚度W之间的差值可以为3微米、3.5微米、4.3微米、4.8微米或5微米等。

在一实施例中，第一挡墙200的厚度H为5微米-10微米。具体的，第一挡墙200的厚度H可以为5微米、6微米、7.5微米、8.4微米、9微米或10微米等。第二挡墙700的厚度W为8微米-15微米。具体的，第二挡墙700的厚度W为8微米、9微米、11微米、13微米或15微米等。

在本申请中，将第二挡墙700的厚度H设置为大于第一挡墙200的厚度W，且第一挡墙200的厚度H设置为5微米-10微米，第二挡墙700的厚度W设置为8微米-15微米，提高第一挡墙200和第二挡墙700后续形成封装层时的阻挡作用，降低第一无机层400和第二无机层600的阴影效应(shadow effect)，进而提高显示面板10的封装效果，进而降低水氧侵蚀显示面板10中膜层的风险，同时降低成本，进而提高了显示面板10的封装效果，并降低成本。

在一实施例中，第二挡墙700具有本体部721和与本体部721相连的凸起部722。凸起部722位于本体部721靠近第一挡墙200的一侧，且凸起部722位于本体部721远离阵列基板100的一侧。即，第二挡墙700的垂直截面形状类似倒L型。

在另一实施例中，第一挡墙200具有本体部721和与本体部721相连的凸起部722。凸起部722位于本体部721靠近发光结构300的一侧，且凸起部722位于本体部721远离阵列基板100的一侧。即，第一挡墙200的垂直截面形状均类似倒L型。

在另一实施例中，第一挡墙200和第二挡墙700均具有本体部721和与本体部721相连的凸起部722。凸起部722位于本体部721靠近发光结构300的一侧，且凸起部722位于本体部721远离阵列基板100的一侧。即，第二挡墙700和第一挡墙200的垂直截面形状均类似倒L型。

在一实施例中，第一挡墙200和第二挡墙700均由平坦层、像素定义层和隔离层依次层叠形成。

在中间区101，发光结构300设置在阵列基板100上。发光结构300为发光二极管，发光二极管可以为迷你发光二极管或有机发光二极管等。

请参阅图3，图3为图2中的显示面板C处的放大示意图。在第一外围区102和中间区101，第一无机层400设置在发光结构300、阵列基板100以及第一挡墙200上，且第一无机层400位于第二挡墙700围设的区域内。有机层500设置于第一无机层400上，且位于第一挡墙200围设的区域内。第二无机层600设置于有机层500和第一无机层400上，且第二无机层600位于第二挡墙700围设的区域内。第一无机层400、有机层500和第二无机层600构成封装层699。

在一实施例中，第一无机层400和第二无机层600的材料选自氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和氧化铝中的一种或几种组合。

在第一外围区102，第一无机层400和第二无机层600的端部均具有一凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402。凸部401位于凹部402远离发光结构300的一侧。凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q。具体的，第一无机层400和第二无机层600的端部均具有一凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402。

在本申请中，在第一外围区上，在第一挡墙200远离发光结构300的一侧设置第二挡墙700，从而将第一无机层400和第二无机层600阻挡在第二挡墙700围设的区域内，并使得第一无机层400和第二无机层600的端部均形成一凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402，凸部401位于凹部402远离发光结构300的一侧，从而避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，使得凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q，且降低第一无机层400和第二无机层600的阴影效应(shadow effect)，进而提高显示面板10的封装效果，进而降低水氧侵蚀显示面板10中膜层的风险，进而提高显示面板10的显示效果，提高显示面板10的性能。将第二挡墙700由本体部721和与本体部721相连的凸起部722构成，使得凸起部在形成第一无机层400和第二无机层600的过程中，可以阻挡载气、第一无机层400和第二无机层600的材料粒子，从而使得第一无机层400和第二无机层600的端部形成凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402，从而进一步避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，即使得凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q，进一步提高显示面板10的封装效果，进一步降低水氧侵蚀显示面板10中膜层的风险，进一步提高显示面板10的显示效果，进一步提高显示面板10的性能。将第二挡墙700的厚度H设置为大于第一挡墙200的厚度W，且第二挡墙700的厚度H与第一挡墙200的厚度W之间的差值设置为3微米-5微米，使得第二挡墙700可以将溢出第一挡墙200的第一无机层400和第二无机层600阻挡于第二挡墙700前，进一步避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，进而提高显示面板10的封装效果。

在一实施例中，凸部401的厚度Y为中间区101的第一无机层400和第二无机层600的厚度T的50％-80％。具体的，凸部401的厚度Y可以为中间区101的第一无机层400和第二无机层600的厚度T的50％、60％、65％、75％或80％等。在本申请中，凸部401的厚度Y设置为中间区101的第一无机层400和第二无机层600的厚度T的50％-80％，增加凸部401的厚度Y，进而使得第一无机层400和第二无机层600的边缘的阻隔水氧性能增加，进而降低第一无机层400和第二无机层600封装失效的风险，进而提高显示面板10的性能。

请参阅图4，图4为图1中的显示面板沿着AB线的第二种结构示意图。需要说明的是，第二种结构与第一种结构的不同之处在于：

显示面板10中没有设置第二挡墙。其他结构如第一种结构所述，此处不再赘述。

在本申请中，在显示面板10中不设置第二挡墙，可以减小边框，进而实现窄边框设计。将第一挡墙200设置成由本体部721和与本体部721相连的凸起部722构成，进而进一步降低第一无机层400和第二无机层600的阴影效应(shadow effect)，进而进一步提高第一无机层400和第二无机层600的边缘膜厚，进而进一步提高了显示面板10的封装效果。

请参阅图5，图5为图1中的显示面板沿着AB线的第三种结构示意图。需要说明的是，第三种结构与第一种结构的不同之处在于：

第二挡墙700还包括堤部723。堤部723设置于凸起部722靠近阵列基板100的一侧，且靠近第一挡墙200的一侧。

在本申请中，将第二挡墙700设置成由本体部721、凸起部722和堤部723构成，并将堤部723设置于凸起部722靠近阵列基板100的一侧，且靠近第一挡墙200的一侧，使得堤部723可以进一步阻挡载气、第一无机层400和第二无机层600的材料粒子，从而使得第一无机层400和第二无机层600的端部形成凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402，从而进一步避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，即使得凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q，进一步提高显示面板10的封装效果，进一步降低水氧侵蚀显示面板10中膜层的风险，进一步提高显示面板10的显示效果，进一步提高显示面板10的性能。

本申请提供一种显示面板10，显示面板10包括阵列基板100、第一挡墙200、发光结构300、第一无机层400、有机层500和第二无机层600。在第一外围区上，在第一挡墙200远离发光结构300的一侧设置第二挡墙700，从而将第一无机层400和第二无机层600阻挡在第二挡墙700围设的区域内，并使得第一无机层400和第二无机层600的端部均形成凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402，凸部401位于凹部402远离发光结构300的一侧，从而避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，使得凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q，且降低第一无机层400和第二无机层600的阴影效应(shadow effect)，进而提高显示面板10的封装效果，进而降低水氧侵蚀显示面板10中膜层的风险，进而提高显示面板10的显示效果，提高显示面板10的性能。将第二挡墙700设置成由本体部721和与本体部721相连的凸起部722构成，使得凸起部722在形成第一无机层400和第二无机层600的过程中，可以阻挡载气、第一无机层400和第二无机层600的材料粒子，从而使得第一无机层400和第二无机层600的端部形成凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402，凸部401位于凹部402远离发光结构300的一侧，从而进一步避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，即使得凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q，进一步提高显示面板10的封装效果，进一步降低水氧侵蚀显示面板10中膜层的风险，进一步提高显示面板10的显示效果，进一步提高显示面板10的性能。将第二挡墙700的厚度H设置为大于第一挡墙200的厚度W，且第二挡墙700的厚度H与第一挡墙200的厚度W之间的差值设置为3微米-5微米，使得第二挡墙700可以将溢出第一挡墙200的第一无机层400和第二无机层600阻挡于第二挡墙700前，进一步避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，进而提高显示面板10的封装效果。

请参阅图6和图7，图6是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程图。图7是本申请实施例提供的显示面板的制备方法的结构流程图。本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括：

实施例1

请继续参阅图1和图2。

B11、提供一阵列基板，阵列基板包括中间区和围绕中间区设置第一外围区。

具体的，提供一衬底，在衬底上形成晶体管。晶体管和衬底构成阵列基板100。

B12、在第一外围区，在阵列基板上形成第一挡墙和第二挡墙，第一挡墙位于第二挡墙靠近中间区的一侧。

具体的，挡墙200包括第一挡墙200和第二挡墙700，在第一外围区102，在阵列基板100靠近中间区101的一侧形成第一挡墙200，在第一挡墙200远离中间区101的一侧形成第二挡墙700；然后，采用侧蚀刻、激光或3D打印工艺对第二挡墙700进行处理，使得形成的第二挡墙700具有本体部721和与本体部721相连的凸起部722。凸起部722位于本体部721靠近第一挡墙200的一侧，且凸起部722位于本体部721远离阵列基板100的一侧。其中，第二挡墙700的厚度H大于第一挡墙200的厚度W。

在另一实施例中，均采用侧蚀刻、激光或3D打印工艺对第一挡墙200和第二挡墙700进行处理，使得第一挡墙200和第二挡墙700均具有本体部721和与本体部721相连的凸起部722，凸起部722位于本体部721靠近发光结构300的一侧，且凸起部722位于本体部721远离阵列基板100的一侧。即使得第一挡墙200和第二挡墙700的垂直截面形状为类似倒L型。

在一实施例中，第二挡墙700的厚度H与第一挡墙200的厚度W之间的差值为3微米-5微米。具体的，第二挡墙700的厚度H与第一挡墙200的厚度W之间的差值可以为3微米、3.5微米、4.3微米、4.8微米或5微米等。在本实施例中，第二挡墙700的厚度H与第一挡墙200的厚度W之间的差值为3微米。如第一挡墙200的厚度W为6微米，第二挡墙700的厚度H为9微米。

在本申请中，将第二挡墙700的厚度H与第一挡墙200的厚度W之间的差值设置为3微米-5微米，使得第二挡墙700可以将后续溢出第一挡墙200的第一无机层400和第二无机层600阻挡于第二挡墙700前，进而避免边缘的第一无机层400和第二无机层600膜厚太薄，进而提高显示面板10的封装效果。

在一实施例中，第一挡墙200的厚度H为5微米-10微米。具体的，第一挡墙200的厚度H可以为5微米、6微米、7.5微米、8.4微米、9微米或10微米等。第二挡墙700的厚度W为8微米-15微米。具体的，第二挡墙700的厚度W为8微米、9微米、11微米、13微米或15微米等。在本实施例中，第一挡墙200的厚度W为6微米，第二挡墙700的厚度H为9微米。

B13、在中间区，在阵列基板上形成发光结构。

在一实施例中，在步骤B13之后，还包括：

请参阅图7。阵列基板100还包括围绕第一外围区102设置的第二外围区103；提供一光罩800，光罩800包括多个光罩条810，对光罩条810进行背面半蚀刻，形成的光罩条810包括第一遮挡部811和设置在第一遮挡部811两侧的第二遮挡部812，第一遮挡部811的厚度d1小于第二遮挡部812的厚度d2，第一遮挡部811位于第二遮挡部812远离阵列基板100的一侧，第二遮挡部812位于第一外围区102靠近中间区101的一侧，第一遮挡部811位于第一外围区102远离中间区101的一侧。即，第一遮挡部811和第二遮挡部812组成的类似凹槽状。

然后，在第二外围区103，将光罩条810卡合于阵列基板100上，其中，光罩条810与第二挡墙700的之间距离小于第二挡墙700与第一挡墙200之间的距离。

在本申请中，通过采用背面蚀刻工艺蚀刻光罩条810，使得光罩条810形成第一遮挡部811和第二遮挡部812，且第一遮挡部811的厚度d1小于第二遮挡部812的厚度d2，从而使得光罩条810与阵列基板100的形貌相匹配，从而减小阵列基板100与光罩条810之间的间隙，从而降低后续第一无机层400和第二无机层600的阴影效应，进而实现窄边框设计。光罩条810形成第一遮挡部811和第二遮挡部812，且第一遮挡部811的厚度d1小于第二遮挡部812的厚度d2，从而使得光罩条810与阵列基板100的形貌相匹配，从而减小阵列基板100与光罩条810之间的间隙，从而使得第一无机层400和第二无机层600的端部形成凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402，凸部401位于凹部402远离发光结构300的一侧，从而进一步避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，即使得凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q，进一步提高显示面板10的封装效果，进一步降低水氧侵蚀显示面板10中膜层的风险，进一步提高显示面板10的显示效果，进一步提高显示面板10的性能。

在一实施例中，第一遮挡部811的厚度d1为第二遮挡部812的厚度d2的40％-70％。具体的，第一遮挡部811的厚度d1可以为第二遮挡部812的厚度d2的40％、50％、60％、65％或70％等。在本实施例中，第一遮挡部811的厚度d1为第二遮挡部812的厚度d2的45％。

B14、在第二挡墙的遮挡下，在阵列基板和第一挡墙上沉积第一无机层，第一无机层形成于第二挡墙围设的区域内。

具体的，在第二挡墙700的遮挡下，在第一外围区102和中间区101，在发光结构300、阵列基板100以及第一挡墙200上采用化学气相沉积方法设置第一无机层400材料，形成第一无机层400，形成的第一无机层400位于第二挡墙700围设的区域内。

B15、在第一无机层上形成有机层，有机层形成于第一挡墙围设的区域内。

在第一无机层400上采用喷墨打印形成有机层500，形成的有机层500位于第一挡墙200围设的区域内。

B16、在第二挡墙的遮挡下，在第一无机层和有机层上沉积第二无机层，第二无机层形成于第二挡墙围设的区域内，得到显示面板；其中，在第一外围区，第一无机层和第二无机层的端部均具有一凸部和一与凸部相邻设置的凹部，凸部位于凹部远离发光结构的一侧。

在第二挡墙700的遮挡下，在第一无机层400和有机层500上采用化学气相沉积方法设置第二无机层600材料形成第二无机层600，形成的第二无机层600位于第二挡墙700围设的区域内，即第二无机层600位于第一外围区102和中间区101。第一无机层400、有机层500和第二无机层600构成封装层699。

其中，在第一外围区102，封装层699的端部具有一凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402。凸部401位于凹部402远离发光结构300的一侧。凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q。具体的，第一无机层400和第二无机层600的端部均具有一凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402。

其中，凸部401的厚度Y为中间区101的第一无机层400和第二无机层600的厚度T的50％-80％。具体的，凸部401的厚度Y可以为中间区101的第一无机层400和第二无机层600的厚度T的50％、60％、65％、75％或80％等。

在本申请中，凸部401的厚度Y设置为中间区101的第一无机层400和第二无机层600的厚度T的50％-80％，增加凸部401的厚度Y，进而使得第一无机层400和第二无机层600的边缘的阻隔水氧性能增加，进而降低第一无机层400和第二无机层600封装失效的风险，进而提高显示面板10的性能。

在本申请中，通过在第二挡墙700的遮挡下形成第一无机层400和第二无机层600，使得第一无机层400和第二无机层600的端部均形成一凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402，且凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q，避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，从而提高封装层699的水氧阻隔性能，进而降低封装失效的风险，进而提高显示面板10的性能。通过在第二挡墙700的遮挡下形成第一无机层400和第二无机层600，将第一无机层400和第二无机层600的阴影效应限制在第二挡墙700围设的区域内，即降低第一无机层400和第二无机层600的阴影效应，从而提高显示面板10的封装效果，进而提高显示面板10的性能。通过采用背面蚀刻工艺蚀刻光罩条810，使得光罩条810形成第一遮挡部811和第二遮挡部812，且第一遮挡部811的厚度d1小于第二遮挡部812的厚度d2，使得光罩条810与阵列基板100的形貌相匹配，从而减小阵列基板100与光罩条810之间的间隙，从而进一步降低第一无机层400和第二无机层600的阴影效应，进而实现窄边框设计；因光罩条810由第一遮挡部811和设置在第一遮挡部811两侧的第二遮挡部812构成，且第一遮挡部811的厚度d1小于第二遮挡部812的厚度d2，使得光罩条810与阵列基板100的形貌相匹配，从而减小阵列基板100与光罩条810之间的间隙，从而进一步使得第一无机层400和第二无机层600的端部形成凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402，且使得凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q，避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，从而提高封装层699的水氧阻隔性能，进而降低封装失效的风险，进而提高显示面板10的性能。将光罩条810与第二挡墙700的之间距离设置为小于第二挡墙700与第一挡墙200之间的距离，进一步将第一无机层400和第二无机层600的阴影效应限制在第二挡墙700围设的区域内，从而进一步提高第一无机层400和第二无机层600边缘的膜厚，从而提高显示面板10的封装效果，进而提高显示面板10的性能。

在一实施例中，在步骤B16之后，还包括：

将第二挡墙700蚀刻去除。

在本申请中，将第二挡墙700蚀刻去除，减小了边框，进而实现窄边框设计。

本申请提供一种显示面板10的制备方法，在第一外围区上，在第一挡墙200远离发光结构300的一侧设置第二挡墙700，从而将第一无机层400和第二无机层600阻挡在第二挡墙700围设的区域内，并使得第一无机层400和第二无机层600的端部形成凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402，凸部401位于凹部402远离发光结构300的一侧，从而避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，使得凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q，且降低第一无机层400和第二无机层600的阴影效应(shadow effect)，进而提高显示面板10的封装效果，进而降低水氧侵蚀显示面板10中膜层的风险，进而提高显示面板10的显示效果，提高显示面板10的性能。将第二挡墙700设置成由本体部721和与本体部721相连的凸起部722构成，使得凸起部722在形成第一无机层400和第二无机层600的过程中，可以阻挡载气、第一无机层400和第二无机层600的材料粒子，从而使得第一无机层400和第二无机层600的端部形成凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402，凸部401位于凹部402远离发光结构300的一侧，从而进一步避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，即使得凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q，进一步提高显示面板10的封装效果，进一步降低水氧侵蚀显示面板10中膜层的风险，进一步提高显示面板10的显示效果，进一步提高显示面板10的性能。将第二挡墙700的厚度H设置为大于第一挡墙200的厚度W，且第二挡墙700的厚度H与第一挡墙200的厚度W之间的差值设置为3微米-5微米，使得第二挡墙700可以将溢出第一挡墙200的第一无机层400和第二无机层600阻挡于第二挡墙700前，进一步避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，进而提高显示面板10的封装效果。通过采用背面蚀刻工艺蚀刻光罩条810，使得光罩条810形成第一遮挡部811和第二遮挡部812，且第一遮挡部811的厚度d1小于第二遮挡部812的厚度d2，使得光罩条810与阵列基板100的形貌相匹配，从而减小阵列基板100与光罩条810之间的间隙，从而降低封装层699的阴影效应，进而实现窄边框设计；因光罩条810由第一遮挡部811和设置在第一遮挡部811两侧的第二遮挡部812构成，且第一遮挡部811的厚度d1小于第二遮挡部812的厚度d2，使得光罩条810与阵列基板100的形貌相匹配，从而减小阵列基板100与光罩条810之间的间隙，从而使得第一无机层400和第二无机层600的端部形成凸部401和一与凸部401相邻设置的凹部402，且使得凸部401的厚度Y大于凹部402的厚度Q，避免第一无机层400和第二无机层600的边缘太薄，从而提高封装层699的水氧阻隔性能，进而降低封装失效的风险，进而提高显示面板10的性能。将光罩条810与第二挡墙700的之间距离设置为小于第二挡墙700与第一挡墙200之间的距离，进一步将封装层699的阴影效应限制在第二挡墙700围设的区域内，从而进一步提高第一无机层400和第二无机层600边缘的膜厚，从而提高显示面板10的封装效果，进而提高显示面板10的性能。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。