具体实施方式

本文中的实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实现方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，可能夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的任意一个实现方式并不一定限定于图中所示尺寸，附图中部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的任意一个实现方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本公开实施例提供一种芳胺类化合物，所述芳胺类化合物的结构通式为：

其中，X为C(H)R2、O、N(H)、NR3、S中的任意一种；

Y为O、N(H)、NR4、S中的任意一种；

R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C2至C30的烯基、取代或未取代的C1至C30的烷氧基、取代或未取代的C1至C30的硫醚基、取代或未取代的C6至C50的芳基、取代或未取代的C2至C50的杂芳基中的任意一种；这里，取代的C1至C30的烷基、取代的C2至C30的烯基、取代的C1至C30的烷氧基、取代的C1至C30的硫醚基、取代的C6至C50的芳基、取代的C2至C50的杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C1至C30的烷基、C2至C30的烯基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的硫醚基、C6至C50的芳基和C2至C50的杂芳基；

Ar为取代基R5取代的C6至C60的芳基或取代基R6取代的C6至C60的杂芳基；这里，所述取代基R5、R6各自独立地为未取代的C6至C60的芳基、取代基R7取代的C6至C60的芳基、未取代的C6至C60的杂芳基和取代基R8取代的C6至C60的杂芳基中的任意一个或多个；这里，所述取代基R7、R8各自独立地为C6至C60的芳基中的任意一个或多个；

L1为单键、取代或未取代的C6至C50的亚芳基、取代或未取代的C2至C50的亚杂芳基中的任意一种，这里，取代的C6至C50的亚芳基、取代的C2至C50的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C6至C50的芳基、C2至C50的杂芳基。

在本公开的实施例中，所述芳基包括但不限于苯基、萘基、蒽基、苊烯基、茚基、菲基、薁基、芘基、芴基、苝基、螺芴基、螺双芴基、基、苯并菲基、苯并蒽基、荧蒽基、苉基、并四苯基、并茚苯基。

在杂芳基中使用的术语“杂”是指芳香环中的至少一个碳原子被杂原子取代，所述杂原子选自氮原子(N)、氧原子(O)和硫原子(S)中的任意一种或多种。

在本公开的实施例中，所述杂芳基包括但不限于苯并恶唑基、苯并噻唑基、吲哚基、苯并咪唑基、吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、咔唑基、噻吩基、噻唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基(phthalazinyl)、喹喔啉基(quinoxalinyl)、噌啉基(cinnolinyl)、喹唑啉基、酞嗪基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、呋喃基、吡喃基、恶嗪基、恶唑基、恶二唑基(oxadiazolyl)、三唑基、二恶英基(dioxynyl)、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、硫代吡喃基、噻嗪基、苯硫基和N-取代的螺芴基。

本公开实施例提供的芳胺类化合物的极化率高，增大了折射率，可以作为光取出材料，提高器件的发光效率；而且，本公开实施例提供的芳胺类化合物的热稳定性好，可以保证采用蒸镀工艺形成光取出层的稳定性，也避免了由于材料不稳定在蒸镀中产生杂质造成器件寿命缩短的问题；此外，本公开实施例提供的芳胺类化合物对紫外光的吸收较强，但不吸收器件自身的光，作为光取出材料时可以有效保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。

在示例性实施例中，在通式I中，Ar可以为下述基团中的任意一种：

在示例性实施例中，在通式I中，X可以为O、S、-C(H)R2、NR3中的任意一种，R2为氢、苯基中的任意一种，R3为苯基、联苯基中的任意一种。

在示例性实施例中，在通式I中，Y可以为O、-NR4、S中的任意一种，R4为苯基。

在示例性实施例中，在通式I中，R1可以为氢。

在示例性实施例中，在通式I中，L1可以为亚苯基、亚萘基中的任意一种。

在示例性实施例中，所述芳胺类化合物可以为下述化合物中的任意一种：

在示例性实施例中，

所述芳胺类化合物在460nm波长处的折射率可以在2.18至2.35范围内；

所述芳胺类化合物在530nm波长处的折射率可以在1.98至2.1范围内；

所述芳胺类化合物在620nm波长处的折射率可以在1.91至2.04范围内。

采用本公开实施例的芳胺类化合物形成器件的光取出层时，可以配合氟化锂(LIF)以及化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)封装层，折射率高低高搭配有要求。当本公开实施例的芳胺类化合物的折射率在上述范围内时，其形成的光取出层与氟化锂以及CVD封装层之间的折射率高低高搭配可以满足要求。

在示例性实施例中，所述芳胺类化合物在400nm波长处的吸光系数可以在0.841以上，在450nm波长及大于450nm波长处的吸光系数为零。

本公开实施例还提供了如上所述的芳胺类化合物的合成方法，所述合成方法可以包括：

S1：化合物A与化合物B在第一溶剂、第一催化剂、第一碱和第一膦配体存在和氮气保护条件下进行偶联反应，形成中间体C；

S2：中间体C与Ar-Br在第二溶剂、第二催化剂、第二碱和第二膦配体存在和氮气保护条件下进行偶联反应，形成通式I化合物；

或者，所述合成方法包括：

S1’：化合物A与Ar-Br在第二溶剂、第二催化剂、第二碱和第二膦配体存在和氮气保护条件下进行偶联反应，形成中间体C’；

S2’：中间体C’与化合物B在第一溶剂、第一催化剂、第一碱和第一膦配体存在和氮气保护条件下进行偶联反应，形成通式I化合物。

在示例性实施例中，所述第一溶剂、所述第二溶剂可以为甲苯等；所述第一催化剂、所述第二催化剂可以为醋酸钯等；所述第一碱、所述第二碱可以为叔丁醇钠等；所述第一膦配体、所述第二膦配体可以为三叔丁基膦等。

本公开实施例还提供了如上所述的芳胺类化合物作为光取出材料的用途。

本公开实施例还提供了一种光取出材料，所述光取出材料包括如上所述的芳胺类化合物。

本公开实施例还提供一种电致发光器件，所述电致发光器件包括光取出层，所述光取出层的材料包括如上所述的芳胺类化合物。

在示例性实施例中，所述电致发光器件可以包括：阳极、空穴注入层(HoleInjection Layer,HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)、电子阻挡层(ElectronBlock Layer,EBL)、发光层(Emitting Layer,EML)、空穴阻挡层(Hole Block Layer,HBL)、电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)、电子注入层(Electron Injection Layer,EIL)、阴极和光取出层。

图1为本公开示例性实施例的电致发光器件的结构示意图。如图1所示，所述电致发光器件可以包括：阳极100、空穴注入层200、空穴传输层300、电子阻挡层400、发光层500、空穴阻挡层600、电子传输层700、电子注入层800、阴极900和光取出层1000。所述空穴注入层200设置在所述阳极100一侧的表面上，所述空穴传输层300设置在所述空穴注入层200的远离所述阳极100一侧的表面上，所述电子阻挡层400设置在所述空穴传输层300的远离所述阳极100一侧的表面上，所述发光层500设置在所述电子阻挡层400的远离所述阳极100一侧的表面上，所述空穴阻挡层600设置在所述发光层500的远离所述阳极100一侧的表面上，所述电子传输层700设置在所述空穴阻挡层600的远离所述阳极100一侧的表面上，所述电子注入层800设置在所述电子传输层700的远离所述阳极100一侧的表面上，所述阴极900设置在所述电子注入层800的远离所述阳极100一侧的表面上，所述光取出层1000设置在所述阴极900的远离所述阳极100一侧的表面上。

在示例性实施例中，所述光取出层可以采用本公开实施例提供的光取出材料蒸镀形成。

在示例性实施例中，所述阳极可以为具有高功函数的材料。例如，对于底发射型器件，阳极可以采用透明氧化物材料，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)等。或者，对于顶发射型器件，阳极可以采用金属和透明氧化物的复合结构，如Ag/ITO(氧化铟锡,Indium Tin Oxide)、Ag/IZO(氧化铟锌,Indium Zinc Oxide)、Al/ITO、Al/IZO或者ITO/Ag/ITO等，可保证良好的反射率。

在示例性实施例中，所述空穴注入层的材料可以包括过渡金属氧化物，例如，可以包括钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物、锰氧化物中的任意一种或多种。

在另一示例性实施例中，所述空穴注入层的材料可以包括强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料；

所述p型掺杂剂可以包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基对苯醌(F4TCNQ)、1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任意一种或多种；

所述空穴传输材料可以包括芳胺类空穴传输材料、二甲基芴类空穴传输材料、咔唑类空穴传输材料中的任意一种或多种；例如，所述空穴传输材料可以包括4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(BAFLP)、4,4’-双[N-(9,9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(DFLDPBi)、4,4’-二(9-咔唑基)联苯(CBP)和9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)中的任意一种或多种。

在示例性实施例中，所述空穴传输层可以通过蒸镀形成。

在示例性实施例中，所述电子阻挡层的材料可以包括芳胺类电子阻挡材料、二甲基芴类电子阻挡材料和咔唑类电子阻挡材料中的任意一种或多种；例如，所述电子阻挡层的材料可以包括4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(BAFLP)、4,4’-双[N-(9,9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(DFLDPBi)、4,4’-二(9-咔唑基)联苯(CBP)和9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)中的任意一种或多种。

在示例性实施例中，所述电子阻挡层可以通过蒸镀形成。

在示例性实施例中，所述发光层的材料可以包括一种发光材料，也可以包括两种或两种以上的发光材料。例如，可以包括主体发光材料和掺杂到所述主体发光材料中的客体发光材料。

在示例性实施例中，所述电致发光器件可以为蓝色电致发光器件、绿色电致发光器件或红色电致发光器件，所述蓝色电致发光器件的发光层的材料包括蓝色发光材料，所述绿色电致发光器件的发光层的材料包括绿色发光材料，所述红色电致发光器件的发光层的材料可以包括红色发光材料。

在示例性实施例中，所述蓝色发光材料可以包括芘衍生物类蓝色发光材料、蒽衍生物类蓝色发光材料、芴衍生物类蓝色发光材料、苝衍生物类蓝色发光材料、苯乙烯基胺衍生物类蓝色发光材料和金属配合物类蓝色发光材料中的任意一种或多种。

例如，所述蓝色发光材料可以包括N1,N6-二([1,1’-联苯]-2-基)-N1,N6-二([1,1’-联苯]-4-基)芘-1,6-二胺、9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-二-2-萘基蒽(MADN)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)、4,4’-二[4-(二苯氨基)苯乙烯基]联苯(BDAV Bi)、4,4’-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱(FIrpic)中的任意一种或多种。

在示例性实施例中，所述绿色发光材料可以包括香豆素染料、喹吖啶铜衍生物类绿色发光材料、多环芳香烃类绿色发光材料、二胺蒽衍生物类绿色发光材料、咔唑衍生物类绿色发光材料和金属配合物类绿色发光材料中的任意一种或多种。

例如，所述绿色发光材料可以包括香豆素6(C-6)、香豆素545T(C-525T)、喹吖啶铜(QA)、N,N’-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、5,12-二苯基萘并萘(DPT)、N10,N10'-二苯基-N10,N10’-二苯二甲酰-9,9’-二蒽-10,10’-二胺(简称：BA-NPB)、三(8-羟基喹啉)合铝(III)(简称：Alq3)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))中的任意一种或多种。

在示例性实施例中，所述红色发光材料可以包括DCM类列红色发光材料和金属配合物类红色发光材料中的任意一种或多种。

例如，所述红色发光材料可以包括4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(piq)2(acac))、八乙基卟啉铂(简称：PtOEP)、二(2-(2’-苯并噻吩基)吡啶-N,C3’)(乙酰丙酮)合铱(简称：Ir(btp)2(acac)中的任意一种或多种。

在示例性实施例中，所述发光层可以通过蒸镀形成。

在示例性实施例中，所述空穴阻挡层的材料可以包括芳族杂环类空穴阻挡材料，例如，可以包括苯并咪唑衍生物类空穴阻挡材料、咪唑并吡啶衍生物类空穴阻挡材料、苯并咪唑并菲啶衍生物类空穴阻挡材料、嘧啶衍生物类空穴阻挡材料、三嗪衍生物类空穴阻挡材料、喹啉衍生物类空穴阻挡材料、异喹啉衍生物类空穴阻挡材料、菲咯啉衍生物类空穴阻挡材料中的任意一种或多种。

再例如，所述空穴阻挡层材料可以包括2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-EtTAZ)、红菲咯啉(BPhen)、(BCP)、4,4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(BzOs)中的任意一种或多种。

在示例性实施例中，所述空穴阻挡层可以通过蒸镀形成。

在示例性实施例中，所述电子传输层的材料可以包括芳族杂环类电子传输材料，例如，可以包括苯并咪唑衍生物类电子传输材料、咪唑并吡啶衍生物类电子传输材料、苯并咪唑并菲啶衍生物类电子传输材料、嘧啶衍生物类电子传输材料、三嗪衍生物类电子传输材料、喹啉衍生物类电子传输材料、异喹啉衍生物类电子传输材料、菲咯啉衍生物类电子传输材料中的任意一种或多种。

再例如，所述电子传输层的材料可以包括2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-EtTAZ)、红菲咯啉(BPhen)、(BCP)、4,4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(BzOs)中的任意一种或多种。

在示例性实施例中，所述电子传输层可以通过蒸镀形成。

在示例性实施例中，所述电子注入层的材料可以包括碱金属电子注入材料和金属电子注入材料中的任意一种或多种。

例如，所述电子注入层材料可以包括LiF、Yb、Mg、Ca中的任意一种或多种。

在示例性实施例中，所述电子注入层可以通过蒸镀形成。

在示例性实施例中，所述阴极可以采用Al、Ag、Mg等较低功函数的金属形成，或采用含有低功函数金属材料的合金形成。

本公开实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的电致发光器件。

在示例性实施例中，所述显示装置可以包括多个所述电致发光器件。例如，所述电致发光器件可以为蓝色电致发光器件、绿色电致发光器件或红色电致发光器件，所述显示装置可以包括蓝色电致发光器件、绿色电致发光器件和红色电致发光器件。

所述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、智能手表、智能手环等任何具有显示功能的产品或部件。

下面为本公开的一些示例性实施例的芳胺类化合物的合成过程以及性能进行测试和对比。

合成例1

中间体C1的合成

反应瓶中加甲苯溶剂100ml，然后加入4-(2-苯并恶唑基)苯胺2g、3-溴苯并[B]萘并[2,3-D]呋喃4g及叔丁醇钠1g；充氮气后，加入醋酸钯0.3g，再进行氮气充气，并加入含有0.3ml三叔丁基膦的甲苯溶液；再重复氮气充气后，回流2小时进行反应；反应完成后，将混合物冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液；浓缩后加入甲醇，静置重结晶，抽滤并用甲醇淋洗得重结晶固体，得到中间体C1。

化合物1的合成

反应瓶中加入甲苯溶剂100ml，然后依次加入原料中间体C1和3-溴(7-苯)萘4g及叔丁醇钠1g；充氮气后加入醋酸钯0.3g，再进行氮气充气，并加入三叔丁基膦0.3ml；再重复氮气充气过程，回流2小时进行反应；反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液。浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，得到淡黄色固体化合物1。

质谱m/z：628.22，元素含量(％)：C₄₅H₂₈N₂O₂，C，85.97；H，4.49；O，5.09；N，4.46。

¹H NMR：8.28(1H)，8.11(1H)，8.03(1H)，7.84-7.8(2H)，7.75(3H)，7.74(2H)，7.73(2H)，7.69(1H)，7.56(1H)，7.49(4H)，7.42-7.4(5H)，7.38(2H)，7.37(2H)，7.32(1H)，7.11-6.91(3H)

合成例2

合成中间体C2时，将合成例1中合成中间体C1的原料4-(2-苯并恶唑基)苯胺换成4-(2-苯并噻唑基)苯胺，其他步骤与合成例1相同。

质谱m/z：644.19，元素含量(％)：C45H28N2OS，C，83.82；H，4.38；O，2.48；N，4.34。

¹H NMR：8.28(1H)，8.18(1H)，8.11(1H)，8.03-8.02(2H)，7.85-7.84(3H)，7.8(1H)，7.75(3H)，7.69(1H)，7.56(1H)，7.53-7.51(2H)，7.49(4H)，7.42-7.40(5H)，7.37(2H)，7.32(1H)，7.17-6.91(3H)

合成例3

中间体C3的合成过程与合成例1中中间体C1的合成过程相同；

由中间体C1合成化合物7的过程与合成例1中化合物1的合成过程相似，将合成例1中的3-溴(7-苯)萘换成3-溴联苯。

质谱m/z：578.20，元素含量(％)：C41H26N2O2，C，85.10；H，4.53；O，5.53；N，4.84。

¹H NMR：8.28(1H)，8.11(1H)，8.03(1H)，7.8(1H)，7.75-7.73(8H)，7.69(1H)，7.55(2H)，7.49(5H)，7.42-7.41(5H)，7.38-7.37(6H)，6.91(1H)

合成例4

中间体C4的合成过程与合成例2中中间体C2的合成过程相同；

由中间体C4合成化合物8的过程与合成例3中化合物7的合成过程相似，将中间体C3换成中间体C4。

质谱m/z：594.18，元素含量(％)：C41H26N2O S，C，82.80；H，4.41；O，2.69；N，4.71；S，5.39。

¹H NMR：8.28(1H)，8.18(1H)，8.11(1H)，8.03-8.02(2H)，7.85-7.8(3H)，7.75(4H)，7.69(1H)，7.55-7.51(4H)，7.49(5H)，7.42-7.41(5H)，7.37(4H)，6.91(1H)

合成例5

中间体C5的合成过程与合成例2中中间体C2的合成过程相同；

由中间体C5合成化合物9的过程与合成例4中化合物8的合成过程相似，将3-溴联苯换成3-溴(6-萘)苯。

质谱m/z：644.19，元素含量(％)：C45H28N2O S，C，83.82；H，4.38；O，2.48；N，4.34；S，4.97。

¹H NMR：8.28(1H)，8.18(1H)，8.11(1H)，8.09-8.02(4H)，7.99(1H),7.85-7.8(3H)，7.75(1H)，7.69-7.6(3H),7.55-7.53(4H),7.51-7.49(3H)，7.42-7.41(3H)，7.38-7.37(5H)，6.91(1H)。

合成例6

合成中间体C6时，将合成例2中合成中间体C2的原料4-(2-苯并噻唑基)苯胺换成4-(1-苯基苯并咪唑-2-基)苯胺，其他步骤与合成例2相同。

质谱m/z：703.26，元素含量(％)：C51H33N3O，C，87.03；H，4.73；N，5.97，O，2.27

¹H NMR：8.56(1H)，8.28(1H)，8.11-8.09(2H)，8.06-8.03(2H)，8.01-7.99(3H)，7.81-7.8(2H)，7.75(2H)，7.69-7.6(4H)，7.55-7.53(4H)，7.49-7.48(3H)，7.42(1H)，7.38-7.37(7H)，7.28(1H)，6.91(1H)

芳胺类化合物的折射率

折射率采用椭偏仪测试；仪器扫描范围为245nm至1000nm；采用硅片蒸镀形成芳胺类化合物的薄膜，薄膜厚度为50nm，然后测试折射率。

其中，作为对比的化合物CP1、CP2为以下化合物：

测试结果如表1所示。

表1

相对于对比化合物CP1、CP2在不同波长下的折射率，本公开实施例的芳胺类化合物的折射率更高。折射率是光取出材料的重要物理参数，折射率大小直接决定改了器件的光耦合效率。因此本公开实施例的芳胺类化合物适于作为光取出材料，有利于OLED器件的光耦合输出，提高器件的效率。

芳胺类化合物的玻璃化转变温度

玻璃化转变温度的测量仪器为DSC差示扫描量热仪；测试气氛为氮气，升温速率为为10℃/min，温度范围为50℃至300℃；所测得的玻璃转化温度(Tg)如表2所示。

表2

可以看出，相对于对比化合物CP1、CP2，本公开实施例的芳胺类化合物的Tg均较高。玻璃换转变温度(Tg)的高低决定了材料在蒸镀中的热稳定性，Tg越高，材料热稳定性越好。因此本公开实施例的芳胺类化合物适于作为光取出材料，在蒸镀工艺中具有很好的稳定性，可以解决蒸镀工艺中因为加热而材料不稳定造成的分解杂质变多的问题，有利于提高器件中材料的稳定性和器件的寿命。

芳胺类化合物的吸光系数

采用玻璃基板蒸镀形成芳胺类化合物的薄膜，薄膜厚度为50nm，然后采用紫外可见吸收光谱仪测试吸光系数。

测试结果如表3所示。

表3

可以看出，相较于对比化合物CP1、CP2，本公开实施例的芳胺类化合物在400nm波长处的吸光系数明显更高，因此可以更好地吸收紫外光；而且，本公开实施例的芳胺类化合物在450nm波长处的吸收为零，在大于450nm波长处的吸收也均为零(表中未示)，表明不会吸收器件本身发出的光。

下面对本公开的一些示例性实施例的电致发光器件的性能进行测试和对比。

其中采用的部分原料的化学结构如表4所示。

表4

蓝色OLED器件的结构以及厚度

ITO/m-MTDATA：F4TCNQ 3％10nm/m-MTDATA 100nm/CBP 10nm/BH:BD 5％20nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1：1 30nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/CPL 60nm

绿色OLED器件的结构以及厚度

ITO/m-MTDATA：F4TCNQ 3％10nm/m-MTDATA 100nm/CBP 45nm/GH:GD 10％40nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1：1 30nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/CPL 60nm

红色OLED器件的结构以及厚度

ITO/m-MTDATA：F4TCNQ 3％10nm/m-MTDATA 100nm/CBP 75nm/RH:RD 3％45nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1：1 30nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/CPL 60nm

器件采用玻璃UV封装。

也可以采用薄膜封装(Thin-Film Encapsulation,TFE)，但CPL上需要蒸镀LIF或者折射率n≤1.6的有机材料。

蓝色OLED器件的性能如表5所示。

表5

可以看出，相比较采用CP1和CP2制备的蓝色OLED器件，采用本公开实施例的高折射率的CPL，取光效率(EQE)更高，稳定性更好，效率和寿命都得到了提升。

红色OLED器件和绿色OLED器件的取光效率趋势与蓝色OLED器件类似。因此，采用本公开实施例的高折射率的CPL，可以提高OLED器件的取光效率。又由于CPL材料的热稳定性的提高，使得器件的寿命相对提高。

虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。