一种乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs4PbBr6纳米晶复合薄膜

文档序号:1948041 发布日期:2021-12-10 浏览:4次 >En<

阅读说明:本技术 一种乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs4PbBr6纳米晶复合薄膜 (Ethylene-vinyl acetate copolymer coated Cs4PbBr6 nanocrystalline composite film ) 是由 向卫东 周宇峰 梁晓娟 于 2021-08-12 设计创作,主要内容包括:本发明属于新型光电材料领域,具体涉及一种乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs-(4)PbBr-(6)纳米晶复合薄膜,其制备方法包括以下步骤:在容器中加入乙烯-醋酸乙烯共聚物和溶剂,使乙烯-醋酸乙烯共聚物融化分散到溶剂中得到乙烯-醋酸乙烯共聚物溶液,将Cs-(4)PbBr-(6)纳米晶完全分散到乙烯-醋酸乙烯共聚物溶液中得到混合物,将混合物平铺,除去溶剂后得到乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs-(4)PbBr-(6)纳米晶复合薄膜。与现有技术相比,本发明以乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆Cs-(4)PbBr-(6)纳米晶,制备得到了乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs-(4)PbBr-(6)纳米晶复合薄膜,制得的复合薄膜具有光学性能好、光稳定性好的突出优势。(The invention belongs to the field of novel photoelectric materials, and particularly relates to ethylene-vinyl acetate copolymer coated Cs 4 PbBr 6 The preparation method of the nanocrystalline composite film comprises the following steps: adding ethylene-vinyl acetate copolymer and solvent into a container, melting and dispersing the ethylene-vinyl acetate copolymer into the solvent to obtain ethylene-vinyl acetate copolymer solution, and adding Cs 4 PbBr 6 Dispersing the nano-crystal completely into the ethylene-vinyl acetate copolymer solution to obtain a mixture, spreading the mixture, and removing the solvent to obtain the ethylene-vinyl acetate copolymer coated Cs 4 PbBr 6 A nanocrystalline composite film. Compared with the prior art, the invention uses the ethylene-vinyl acetate copolymer to coat the Cs 4 PbBr 6 Nanocrystal to prepare ethylene-vinyl acetate copolymer coated Cs 4 PbBr 6 The nanocrystalline composite film has the outstanding advantages of good optical performance and good light stability.)

一种乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs4PbBr6纳米晶复合薄膜

技术领域

本发明属于新型光电材料领域,具体涉及一种乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs4PbBr6纳米晶复合薄膜。

背景技术

由于全无机卤化铅铯钙钛矿纳米晶具有半峰宽窄,色纯度高,高量子效率等优点,广泛受到关注。钙钛矿纳米晶的制备方法有溶液的热注入合成法,离子交换法。CN201710783608.X公开了一种水溶性的钙钛矿纳米晶的制备方法,将其分散在有机溶剂中进行稳定保护,离心之后得到聚合物离子。获得可发光、高量子效率的钙钛矿粒子,在生物应用、显示等领域具有巨大的应用价值。CN201910202479.X公开了一种由三氟乙酸盐诱导的小晶粒钙钛矿薄膜的制备方法,实现了发光可调,制作成本较少,稳定性有所提高,更加环保。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足,而提供一种乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs4PbBr6纳米晶复合薄膜。

本发明所采取的技术方案如下: 一种乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs4PbBr6纳米晶复合薄膜,其制备方法包括以下步骤:在容器中加入乙烯-醋酸乙烯共聚物和溶剂,使乙烯-醋酸乙烯共聚物融化分散到溶剂中得到乙烯-醋酸乙烯共聚物溶液,将Cs4PbBr6纳米晶完全分散到乙烯-醋酸乙烯共聚物溶液中得到混合物,将混合物平铺,除去溶剂后得到乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs4PbBr6纳米晶复合薄膜。

所述溶剂为甲苯,乙烯-醋酸乙烯共聚物和溶剂混合后,将温度升至30-70 ℃,并保持10-40 min,得到乙烯-醋酸乙烯共聚物溶液。

混合物平铺后,自然挥发掉溶剂后得到乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs4PbBr6纳米晶复合薄膜。

所述Cs4PbBr6纳米晶的制备过程包括以下步骤:

(1)Cs4PbBr6纳米晶的制备:PbBr2、CsBr、DMF、OA、OAm混合后将温度升至70-110 ℃并保持3-10 min,然后冷却至室温,得到钙钛矿纳米晶溶液;

(2)Cs4PbBr6纳米晶的纯化:将步骤(1)得到的钙钛矿纳米晶溶液除去上清液取沉淀加入乙酸甲酯分散洗涤,8000 r离心5-10分钟,再取沉淀加入甲苯分散洗涤,8000 r离心5-10分钟,离心后的沉淀干燥后得到纯化后的Cs4PbBr6纳米晶。

步骤(1)中,PbBr2与CsBr的摩尔比为1:1-6。

本发明的有益效果如下:与现有技术相比,本发明以乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆Cs4PbBr6 纳米晶,制备得到了乙烯-醋酸乙烯共聚物包覆的Cs4PbBr6纳米晶复合薄膜,制得的复合薄膜具有光学性能好、光稳定性好的突出优势。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,根据这些附图获得其他的附图仍属于本发明的范畴。

图1为本发明制备的Cs4PbBr6 NCs粉体的射线衍射(XRD)图;

图2为本发明制备的Cs4PbBr6 NCs粉体的荧光光谱(PL)图;

图3为不同浓度EVA包覆的Cs4PbBr6@EVA复合薄膜的射线衍射(XRD)图;

图4为不同浓度EVA包覆的Cs4PbBr6@EVA复合薄膜的荧光光谱(PL)图;

图5为本发明制备的Cs4PbBr6 NCs粉体的温度稳定性图;

图6为实施例5制备的Cs4PbBr6@EVA复合薄膜的温度稳定性图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。

1-1 原料称量:

原料的组成为:PbBr2, CsBr, DMF(N, N-二甲基甲酰胺), OA(油酸), OAm(油胺), EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物), 甲苯。

1-2 钙钛矿纳米晶(Cs4PbBr6 NCs)制备:

Cs4PbBr6 NCs的制备:

一个烧杯内装入1 mmol PbBr2, 1-6 mmol CsBr, 10-15 ml DMF,0.5-2 ml OA,0.2-1 ml OAm将温度甚至70-110 oC并保持3-10 min左右,然后冷却至室温。

Cs4PbBr6 NCs的纯化处理:

冷却后的钙钛矿纳米晶溶液倾倒上清液,取沉淀加入2-4 ml乙酸甲酯洗涤,8000r离心5-10分钟。再次取沉淀加入2-4 ml甲苯重新分散,然后再次离心。倾倒上清液,把底部的Cs4PbBr6 NCs放入通风橱,自然干燥12-36 h。

所制备得到的产物的射线衍射(XRD)图如图1所示,可以确认为Cs4PbBr6 NCs。所制备得到的产物的荧光光谱(PL)图如图2所示。

1-3 EVA溶液的制备:

在另一个烧杯内装入2 g EVA和10 ml甲苯,把温度升至50 oC,并保持30 min,得到EVA溶液。

实施例1:

向EVA溶液中加入0.5g的纯化干燥后的Cs4PbBr6 NCs,搅拌 10 min 使混合均匀后,转移到培养皿中,自然风干24-72 h。

实施例2:

向EVA溶液中加入1.0g的纯化干燥后的Cs4PbBr6 NCs,搅拌 10 min 使混合均匀后,转移到培养皿中,自然风干24-72 h。

实施例3:

向EVA溶液中加入1.5g的纯化干燥后的Cs4PbBr6 NCs,搅拌 10 min 使混合均匀后,转移到培养皿中,自然风干24-72 h。

实施例4:

向EVA溶液中加入2.0g的纯化干燥后的Cs4PbBr6 NCs,搅拌 10 min 使混合均匀后,转移到培养皿中,自然风干24-72 h。

实施例5:

向EVA溶液中加入2.5g的纯化干燥后的Cs4PbBr6 NCs,搅拌 10 min 使混合均匀后,转移到培养皿中,自然风干24-72 h。

实施例1-5制备得到的不同浓度EVA包覆的Cs4PbBr6@EVA复合薄膜的射线衍射(XRD)图和荧光光谱(PL)图如图3-4所示,随着Cs4PbBr6 NCs用量的增加,制备的复合膜的PL强度逐渐增强,且发光峰位置更加接近于纯Cs4PbBr6 NCs的520,因此,[email protected]复合薄膜具有光学性能好的优势。从图中可以看出,实施例5的PL强度增大效果最佳,在实施例1-5以外,再进一步增加Cs4PbBr6 NCs的用量,所得的Cs4PbBr6@EVA复合薄膜PL强度不再有明显变化。

分别对Cs4PbBr6 NCs和实施例5制备得到的Cs4PbBr6@EVA复合薄膜进行光稳定性测试:

Cs4PbBr6 NCs:首先测试了在常温条件下(20 ℃)Cs4PbBr6 NCs的PL强度,然后每次升温20 ℃并同时测量出该温度下的Cs4PbBr6 NCs的PL强度。待温度升高至140 ℃后发现Cs4PbBr6 NCs的PL强度已经很弱停止测试。

Cs4PbBr6@EVA复合薄膜:首先测试了在常温条件下(20 ℃)Cs4PbBr6@EVA复合薄膜的PL强度,然后每次升温20 ℃并同时测量出该温度下的Cs4PbBr6@EVA复合薄膜的PL强度。待温度升高至200 ℃后发现Cs4PbBr6@EVA复合薄膜的PL强度已经很弱停止测试。

如图5所示,Cs4PbBr6 NCs粉体升温至140℃时,其不再具备发光性能,EVA包覆的Cs4PbBr6@EVA复合薄膜升温至200℃时,才不具备发光性能,此时Cs4PbBr6@EVA复合薄膜能达到的温度高于Cs4PbBr6 NCs,表明了Cs4PbBr6@EVA复合薄膜具有更强的温度稳定性。

以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,因此依本发明权利要求所作的等同变化,仍属本发明所涵盖的范围。

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