具体实施方式

【实施例1】

以下，参照附图来说明本发明的实施例1。在实施例1的粘合片粘贴装置1中，将支承用的粘合带DT(切割带)用作粘合片，作为粘合片的粘贴对象即工件，使用半导体晶圆W(以下，称作“晶圆W”)和环形架f。即，在实施例1的粘合片粘贴装置1中，通过跨晶圆W和环形架f地粘贴粘合带DT，从而制作安装架MF。

如图1的(a)～图1的(c)所示，在晶圆W的形成有电路图案的表面粘贴有电路保护用的保护带PT的状态下，对晶圆W进行背面磨削处理。以外周部在径向上留有大约3mm的方式对晶圆W的背面进行磨削(背面磨削)。即，所使用的晶圆被加工为在背面形成扁平凹部He、且沿着背面的外周保留有环状凸部Ka的形状。作为一个例子，以使得扁平凹部He的被磨削的深度d为数百μm、使扁平凹部He的晶圆厚度J为30μm～50μm的方式进行加工。因而，形成于背面外周的环状凸部Ka作为用于提高晶圆W的刚性的环状肋发挥功能，抑制晶圆W在处置(handling)、其他处理工序中的挠曲变形。此外，使用附图标记Kf来表示环状凸部Ka的内侧角部。内侧角部Kf相当于环状凸部Ka与扁平凹部He之间的交界。晶圆W的背面相当于本发明中的工件的环状凸部形成面。

如图2所示，本实施例中使用的粘合带DT具备由非粘合性的基材Ta和具有粘合性的粘合材料Tb层叠而成的长条状的结构。在粘合材料Tb上添设有分离片S。即，在粘合带DT的粘合面添设有分离片S，通过将分离片S从粘合带DT剥离而使粘合带DT的粘合面暴露。

作为构成基材Ta的材料的例子，可举出聚烯烃、聚乙烯、乙烯-乙烯基乙酸共聚物、聚酯、聚酰亚胺、聚氨酯、氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯甲基丙烯酸酯共聚物、聚丙烯、甲基丙烯酸对苯二甲酸酯、聚酰胺酰亚胺、聚氨酯弹性体等。此外，也可以使用将多个上述材料组合而成的材料作为基材Ta。另外，基材Ta可以是单层，也可以是层叠了多层而成的结构。

粘合材料Tb优选由能够保证如下功能的材料构成，即，能够对粘合带DT粘合于晶圆W和环形架f的状态进行保持的功能和防止在之后的切割工序中芯片部件发生飞散的功能。作为构成粘合材料Tb的材料的例子，可举出丙烯酸脂共聚物等。作为分离片S的例子，可举出长条状的纸材、塑料等。此外，也可以是，替代粘合材料Tb而使用粘接材料或粘着材料。

＜整体结构的说明＞

在此，说明实施例1的粘合片粘贴装置1的整体结构。图3是表示实施例1的粘合片粘贴装置1的基本结构的俯视图。粘合片粘贴装置1成为具备横向较长的矩形部1a和突出部1b的结构。突出部1b成为与矩形部1a的中央部连接且向上侧突出的结构。此外，在以后的说明中，将矩形部1a的长度方向称作左右方向(x方向)、将与其正交的水平方向(y方向)称作前后方向。

在矩形部1a的右侧配备有晶圆输送机构3。在矩形部1a的下侧靠右的位置并列地载置有收纳有晶圆W的两个容器5。在表面粘贴有保护带PT的晶圆W以使表面侧朝下的状态多层地收纳于容器5的内部。在矩形部1a的左端，配备有用于将完成了晶圆W的装配后的图8所示的安装架MF回收的架回收部6。

从矩形部1a的上侧的右方起依次配备有对准器7、保持台9和架供给部12。在突出部1b配备有粘贴单元13，该粘贴单元13将支承用的粘合带DT(切割带)跨晶圆W的背面和环形架f地粘贴。

如图4所示，晶圆输送机构3设有能够左右往复移动地支承于导轨15的右侧的晶圆输送装置16，该导轨15左右水平地架设于矩形部1a的上部。另外，在导轨15的左侧设有能够左右移动地支承于导轨15的架输送装置17。

晶圆输送装置16构成为能够将从任一个容器5中取出的晶圆W沿左右和前后输送。晶圆输送装置16装备有左右移动可动台18和前后移动可动台19。

左右移动可动台18构成为能够沿着导轨15在左右方向上往复移动。前后移动可动台19构成为能够沿着设于左右移动可动台18的导轨20在前后方向上往复移动。

并且，在前后移动可动台19的下部装备有保持晶圆W的保持单元21。保持单元21构成为能够沿着在纵向上延伸的升降轨道22在上下方向(z方向)上往复移动。另外，保持单元21能够利用未图示的旋转轴而绕z方向的轴线旋转。

在保持单元21的下部装备有马蹄形的保持臂23。在保持臂23的保持面设有稍微突出的多个吸盘，借助该吸盘来对晶圆W进行吸附保持。另外，保持臂23经由在其内部形成的流路和与该流路的基端侧连接的连接流路而与压缩空气装置连通连接。

通过利用上述可动构造，能够利用保持臂23使被吸附保持的晶圆W进行前后移动、左右移动和绕z方向轴线的旋转移动。

架输送装置17具备左右移动可动台24、前后移动可动台25、与左右移动可动台24的下部连结的伸缩连杆机构26和装备于伸缩连杆机构26的下端的吸附板27等。吸附板27对晶圆W进行吸附保持。在吸附板27的周围配备有对环形架f进行吸附保持的多个吸盘28。因而，架输送装置17能够对载置并保持于保持台9的环形架f或安装架MF进行吸附保持并将其沿升降和前后左右输送。吸盘28能够与环形架f的尺寸对应地沿水平方向滑动调节。

如图5和图6等所示，保持台9是具有与晶圆W相同形状或大于晶圆W的形状的大小的金属制的卡盘台，其与在外部配备的真空装置31和加压装置32分别连通连接。真空装置31和加压装置32的动作由控制部33控制。

在实施例1中，保持台9在外周部具备环状的突起部9a，在整体上为中空。突起部9a构成为俯视时位于与晶圆W的环状凸部Ka的配置大致一致的位置，突起部9a支承晶圆W的环状凸部Ka，由此保持台9能够在未与较薄的扁平凹部He接触的情况下保持晶圆W。

另外，如图5所示，保持台9收纳于构成腔室29的下壳体29A，且与贯穿下壳体29A的杆35的一端连结。杆35的另一端与具备马达等的驱动器37驱动连结。因此，保持台9能够在腔室29的内部进行升降移动。

下壳体29A具备外包该下壳体29A的架保持部38。架保持部38构成为在载置了环形架f时使环形架f的上表面和下壳体29A的圆筒顶部齐平。另外，下壳体29A的圆筒顶部优选被实施脱模处理。

此外，如图3所示，保持台9构成为能够与下壳体29A一起沿着在前后方向上附设的轨道40在初始位置与粘贴位置之间往复移动。初始位置处于矩形部1a的内部，是在图3中用实线表示保持台9的位置。在该初始位置，晶圆W和环形架f载置于保持台9。

粘贴位置处于突出部1b的内部，是在图3中用虚线表示保持台9的位置。通过使保持台9向粘贴位置移动，能够执行将粘合带DT相对于载置于保持台9的晶圆W粘贴的粘贴工序。

架供给部12收纳层叠收纳了预定个数的环形架f的抽屉式的盒。

如图5所示，粘贴单元13由片供给部71、分离片回收部72、片粘贴部73和片回收部74等构成。片供给部71具备装填有材料卷的供给卷绕筒，该材料卷卷绕有支承用的粘合带DT。并且，构成为，在从片供给部71的供给卷绕筒向粘贴位置供给粘合带DT的过程中利用剥离辊75将分离片S剥离。此外，设于片供给部71的供给卷绕筒与电磁制动器连动地连结而被施加有适度的旋转阻力。因而，能够防止自供给卷绕筒过量地放出带。

分离片回收部72设有将从粘合带DT剥离下来的分离片S卷取的回收卷绕筒。该回收卷绕筒通过马达进行驱动控制而正反地旋转。

片粘贴部73由腔室29、片粘贴机构81和片切断机构82等构成。

腔室29由下壳体29A和上壳体29B构成。下壳体29A以包围保持台9的方式配设，且连同保持台9一起在初始位置与粘贴位置之间沿前后方向往复移动。上壳体29B配备于突出部1b，构成为能够升降。

如图6所示，下壳体29A和上壳体29B经由流路101与真空装置31和加压装置32分别连通连接。此外，在上壳体29B侧的流路101上设有电磁阀103。另外，在两个壳体29A、29B分别连通连接有流路109，该流路109具备大气开放用的电磁阀105、107。

并且，在上壳体29B连通连接有流路111，该流路111具备通过泄放来对暂时减压后的内压进行调整的电磁阀110。此外，这些电磁阀103、105、107、110的开闭操作、真空装置31的工作、加压装置32的工作均通过控制部33来进行。

即，真空装置31构成为能够对下壳体29A侧的空间的气压和上壳体29B侧的空间的气压独立地进行减压调节。并且，加压装置32构成为能够对下壳体29A侧的空间的气压和上壳体29B侧的空间的气压独立地进行加压调节。

片粘贴机构81具备可动台84、粘贴辊85、夹持辊86等。可动台84沿着在左右方向上架设的导轨88左右水平地移动。粘贴辊85轴支承于托架，该托架与设于可动台84的工作缸的顶端连结。夹持辊86配备于片回收部74侧，具备由马达驱动的输送辊89和通过工作缸进行升降的夹紧辊90。

片切断机构82配备于使上壳体29B升降的升降驱动台91，具备沿z方向延伸的支承轴92和绕支承轴92旋转的毂部93。毂部93具备沿径向延伸的多个支承臂94。用于将粘合带DT沿着环形架f切断的圆板形的刀具95以能够上下移动的方式配备于至少1个支承臂94的顶端。按压辊96以能够上下移动的方式配备于其他支承臂94的顶端。

片回收部74具备回收卷绕筒，该回收卷绕筒将切断后被剥离的不要的粘合带DT卷取。该回收卷绕筒通过未图示的马达进行驱动控制而正反地旋转。

如图4所示，架回收部6配备有用于装载并回收安装架MF的盒41。该盒41设有：纵向轨道45，其连结固定于装置架43；以及升降台49，其通过马达47沿着该纵向轨道45进行螺旋进给升降。因而，架回收部6构成为，将安装架MF载置于升降台49而进行节距进给下降(日文：ピッチ送り下降)。

＜动作的概要＞

在此，说明实施例1的粘合片粘贴装置1的基本动作。图7是对使用粘合片粘贴装置1将粘合带DT粘贴于晶圆W的一系列的工序进行说明的流程图。

步骤S1(工件的供给)

当发出粘贴指令时，从架供给部12向下壳体29A的架保持部38输送环形架f，并从容器5向保持台9输送晶圆W。

即，架输送装置17从架供给部12吸附环形架f并将其移载至架保持部38。在架输送装置17将环形架f的吸附解除并上升后，进行环形架f的对位。作为一个例子，该对位通过使以围绕架保持部38的方式竖立设置的多个支承销向中央方向同步地移动来进行。环形架f在被设置在架保持部38上的状态下待机，直到晶圆W被输送过来。

架输送装置17输送环形架f，另一方面，晶圆输送装置16将保持臂23插入到被多层地收纳于容器5的内部的晶圆W的彼此之间。保持臂23吸附保持晶圆W并送出晶圆W，将晶圆W输送至对准器7。对准器7利用从其中央突出的吸盘来吸附晶圆W的中央。同时，晶圆输送装置16将对晶圆W的吸附解除并向上方退避。对准器7一边利用吸盘来保持晶圆W并使晶圆W旋转一边根据槽口等进行对位。

在完成对位后，使吸附着晶圆W的吸盘自对准器7的面突出。使晶圆输送装置16移动到该位置并对晶圆W进行吸附保持。吸盘解除吸附并下降。

晶圆输送装置16移动到保持台9的上方，使晶圆W以粘贴有保护带PT的表面侧朝下的状态载置于保持台9。当保持台9吸附保持晶圆W且架保持部38吸附保持环形架f时，使下壳体29A沿着轨道40从初始位置向片粘贴机构81侧的粘贴位置移动。在图9中示出晶圆W被供给至保持台9且移动到粘贴位置的状态。

步骤S2(粘合片的供给)

当利用晶圆输送装置16等供给工件后，在粘贴单元13中进行粘合带DT的供给。即，预定量的粘合带DT一边使分离片S剥离一边自片供给部71被放出。整体为长条状的粘合带DT沿着预定的输送路径被向粘贴位置的上方引导。

步骤S3(腔室的形成)

在供给工件和粘合带DT后，如图10所示，粘贴辊85下降。然后，粘贴辊85一边在粘合带DT上滚动一边将粘合带DT以跨下壳体29A的顶部和环形架f的顶部的方式粘贴。与该粘贴辊85的移动相连动，预定量的粘合带DT一边使分离片S剥离一边自片供给部71被放出。

在粘合带DT被粘贴于环形架f之后，使粘贴辊85返回初始位置，并使上壳体29B下降。随着上壳体29B的下降，如图11所示，粘合带DT的粘贴于下壳体29A的顶部的部分被上壳体29B和下壳体29A夹持而构成腔室29。

此时，粘合带DT作为密封材料发挥功能，且腔室29被粘合带DT分割成两个空间。即，隔着粘合带DT被分割成下壳体29A侧的下空间H1和上壳体29B侧的上空间H2。位于下壳体29A内的晶圆W以与粘合带DT之间具有预定间隙的方式与粘合带DT接近并相对。

步骤S4(第1粘贴过程)

在形成腔室29之后，开始第1粘贴过程。首先，控制部33在关闭图6所示的电磁阀105、107、110的状态下，使真空装置31工作而将下空间H1内的气压和上空间H2内的气压减压至预定值。作为预定值的例子，可举出10Pa～100Pa。此时，调整电磁阀103的开度，使得下空间H1和上空间H2以相同速度减压。

当将下空间H1的气压和上空间H2的气压减压至预定值时，控制部33关闭电磁阀103且使真空装置31的工作停止。然后，控制部33调整电磁阀103、105、107、110各自的开度进行泄放，使得上空间H2的气压高于下空间H1的气压。通过使上空间H2的气压高于下空间H1的气压，从而如图12所示在两个空间之间产生压力差Fa。通过产生压力差Fa，粘合带DT被从中心部分向下壳体29A侧吸入而变形为凸状。

在本实施例中，如下那样进行控制：在关闭与下空间H1连接的电磁阀103、107的状态下，调整与上空间H2连接的电磁阀110的开度进行泄放，最终成为全开。通过该调整，从而维持下空间H1的气压被减压至预定值的状态，并且上空间H2的气压从该预定值逐渐上升而恢复至大气压，因此，产生压力差Fa。

在产生压力差Fa之后，如图13所示，使驱动器37驱动而使保持台9上升。通过基于压力差Fa的粘合带DT的变形和保持台9的上升，在被排出空气的下空间H1的内部，粘合带DT从中心部朝向外周部呈放射状与晶圆W的背面接触。通过该接触，从而晶圆W的背面被粘合带DT覆盖。

当晶圆W的背面被粘合带DT覆盖时，控制部33使电磁阀103、105、107、110全开而使上空间H2和下空间H1向大气开放。通过该大气开放，第1粘贴过程结束。如此，在第1粘贴过程中，进行如下操作：通过在将腔室29的内部空间减压的状态下使粘合带DT接触于晶圆W的背面，从而利用粘合带DT覆盖晶圆W的背面侧。

步骤S5(第2粘贴过程)

在利用粘合带DT以覆盖晶圆W的背面的方式进行粘贴之后，开始第2粘贴过程。首先，控制部33控制驱动器37而使保持台9下降至初始位置。接下来，控制部33在关闭了图6所示的电磁阀105、107、110的状态下使加压装置32工作而向下空间H1和上空间H2供给气体，将下空间H1和上空间H2加压至特定值。作为特定值的例子，可举出0.3MPa～0.5MPa。通过使加压装置32进行加压操作，从而下空间H1的气压和上空间H2的气压均高于大气压。

通过上空间H2的加压，如图14所示，从上空间H2朝向粘合带DT作用按压力V1。此外，由于整个上空间H2被加压，因此，按压力V1均匀地作用于整个粘合带DT。另外，由于整个下空间H1被加压，因此，从下空间H1对晶圆W的朝下的面均匀地作用按压力V2。即，在按压力V1和按压力V2的作用下，粘合带DT被精度良好地粘贴于晶圆W的背面。其结果，提高了晶圆W与粘合带DT的密合性，因此能够避免产生粘合带DT随着时间的经过而自晶圆W的背面剥离这样的情形。

在将下空间H1和上空间H2加压至比大气压高的气压的状态下对粘合带DT与晶圆W之间作用预定时间的按压力之后，控制部33使加压装置32停止工作。然后，控制部33使电磁阀103、105、107、110全开而使下空间H1和上空间H2向大气开放。控制部33使上壳体29B上升而使腔室29开放，并且使保持台9上升而使晶圆W的表面抵接于保持台9的晶圆保持面。

步骤S6(片的切断)

此外，在腔室29内进行步骤S4和步骤S5的工序的期间，使片切断机构82工作而切断粘合带DT。此时，如图15所示，刀具95将粘贴于环形架f的粘合带DT切断成环形架f的形状，且按压辊96追随刀具95一边在环形架f上的片切断部位滚动一边进行按压。

由于在使上壳体29B上升的时刻已经完成了步骤S4的第1粘贴过程和步骤S5的第2粘贴过程，因此，使夹紧辊90上升而解除对粘合带DT的夹持。之后，如图16所示，使夹持辊86移动，将切断后的不要的粘合带DT朝向片回收部74卷取回收，并自片供给部71放出预定量的粘合带DT。通过直到步骤S6的各工序，从而形成借助粘合带DT使环形架f和晶圆W一体化而成的安装架MF。

在不要的粘合带DT被卷取回收后，夹持辊86和粘贴辊85返回至初始位置。然后，保持台9以保持着安装架MF的状态从粘贴位置移动至初始位置。

步骤S7(安装架的回收)

在保持台9返回至初始位置时，如图17所示，设于架输送装置17的吸盘28对安装架MF进行吸附保持并使安装架MF脱离下壳体29A。吸附保持着安装架MF的架输送装置17将安装架MF输送至架回收部6。所输送的安装架MF被装载收纳于盒41。

以上，将粘合带DT粘贴于晶圆W的一系列的动作结束。以后，重复进行上述处理，直至安装架MF达到预定数量为止。如此，利用粘合片粘贴装置1来制造成为粘合带DT密合地粘贴于晶圆W的状态的安装架MF。通过第2粘贴过程成为粘合带DT粘贴于晶圆W的状态的安装架MF相当于本发明中的半导体装置。

此外，在实施例1中，例示了使用环形架f来制造成为粘合带DT粘贴于晶圆W的状态的安装架MF的情况，但使用粘合片粘贴装置1来制造半导体装置的工序并不限于使用环形架f的情况。即，也可以使用省略了对环形架f进行操作的各结构的粘合片粘贴装置1将粘合带DT粘贴于晶圆W。在该情况下，通过进行实施例1的各步骤的各工序，从而粘合带DT密合地粘贴于晶圆W。在该情况下，第2粘贴过程结束而成为粘贴有粘合带DT的状态的晶圆W相当于本发明中的半导体装置。

＜实施例1的结构的效果＞

采用上述实施例1的装置，使用腔室来进行第1粘贴过程和第2粘贴过程。即，在通过第1粘贴过程将粘合带DT粘贴于晶圆W之后，进行第2粘贴过程，从而将粘合带DT更加精度良好地密合粘贴于晶圆W。通过这样的结构，对于在一个面具有环状凸部Ka的晶圆W，能够在避免晶圆W破损的情形的同时将粘合带DT精度良好地粘贴。

在本发明的第1粘贴过程中，在腔室29的内部，配置晶圆W的下空间H1的内部被减压。即，粘合带DT的周边空间和晶圆W的周边空间通过减压而排出空气，因此，在粘合带DT接触于晶圆W并覆盖晶圆W的背面之际，能够防止气体被卷入到粘合带DT与晶圆W之间。因此，能够避免因气体的卷入引起的密合力的降低。

另外，在本发明的第2粘贴过程中，通过对下空间H1的气压和上空间H2的气压进行加压而使其大于大气压，从而将粘合带DT精度良好地粘贴于晶圆W的背面。

在通过使用真空装置对腔室的内部进行减压而产生压力差Fa的情况下，通过从大气压状态起的减压而产生的压力差Fa的大小为大气压以下。即，在使用压力差Fa将粘合带DT按压于晶圆W的情况下，使粘合带DT相对于晶圆W的背面按压的力的大小存在上限。

因而，在利用基于减压的压力差Fa使粘合带DT接触于晶圆W的状态下，粘合带DT与晶圆W的密合性较低。另外，在使用第1按压构件的以往的结构中，仅能够使按压力作用于粘合带DT中的有限的部分。另外，该按压力的大小也不充分，因此，难以提高粘合带DT与晶圆W的密合性。

与此相对，在本发明中，使用加压装置32将腔室29内的上空间H2和下空间H1加压至比大气压大的气压。即，在第2粘贴过程中，能够使充分大于压力差Fa的按压力V1、V2作用于粘合带DT和晶圆W。另外，按压力V1、V2作用于被粘贴于晶圆W的粘合带DT的整个面。因而，通过进行第2粘贴过程，能够较大地提高粘合带DT与晶圆W的密合性，因此，在完成一系列的粘贴处理之后，即使经过了时间也能够避免粘合带DT从晶圆W剥离。

另外，通过在第2粘贴过程中适当控制加压装置32，能够将按压力V1和按压力V2的大小调节为任意的值。因而，即使在以粘合材料Tb的构成材料或晶圆W的尺寸和环状凸部Ka的厚度为例的各种条件变更的情况下，也能够通过对按压力V1和按压力V2的大小进行适当调节，来将粘合带DT可靠地粘贴于晶圆W的环状凸部形成面。并且，由于适当的大小的按压力V1和按压力V2均匀地作用于整个粘合带DT，因此能够避免过量的按压力的作用或按压力的偏差引起的晶圆W的破损这样的情形。

【实施例2】

以下，参照附图来说明本发明的实施例2。在实施例1中，以在将长条状的粘合带DT跨晶圆W的背面和环形架f地粘贴之后将粘合带DT切断成与工件的形状(在此为晶圆W或环形架f的形状)相对应的预定形状的结构为例进行了说明。在实施例2中，以将预先具有与工件的形状相对应的预定形状的粘合带粘贴于该工件的结构为例进行说明。此外，对于与实施例1的粘合片粘贴装置1相同的结构，仅标注相同的附图标记，对于不同的结构部分进行详细叙述。

首先，说明实施例2的粘合带DT的结构。图18的(a)是表示输送用片P和粘合带DT的背面侧的立体图，图18的(b)是输送用片P和粘合带DT的纵剖视图。

如图18的(a)所示，实施例2的粘合带DT被长条状的输送用片P保持。即，预定形状的粘合带DT以预定间距粘贴于长条状的输送用片P的一个面而被保持。粘合带DT被预先切断成与晶圆W的环状凸部Ka的形成面(本实施例中为背面)的形状相对应的预定形状。在实施例2中，粘合带DT被预先切断成圆形形状。

如图18的(b)所示，输送用片P具备由非粘合性的基材Pa和具有粘合性的粘合材料Pb层叠而成的构造。作为构成基材Pa的材料的例子，可举出聚烯烃、聚乙烯等。作为构成粘合材料Pb的材料的例子，可举出丙烯酸脂共聚物等。通过将粘合带DT的基材Ta粘贴于输送用片P的粘合材料Pb，从而输送用片P保持粘合带DT。在本实施例中，粘合带DT的形状是圆形形状，但粘合带DT的形状能够根据晶圆W的形状而适当变更。

实施例2的粘合片粘贴装置1的基本结构与图3～图6所示的实施例1的装置的基本结构是相同的。但是，在片供给部71装填输送用片P，该输送用片P保持有多个被预先成型为预定形状的粘合带DT。片切断机构82将输送用片P的粘贴于环形架f的部分切断。在输送用片P被片切断机构82切断之后，片回收部74将在安装架MF的周围残留的不要的输送用片P回收。

＜实施例2中的动作＞

在此，说明实施例2的粘合片粘贴装置1的动作。图19是对使用实施例2的粘合片粘贴装置1将粘合带DT粘贴于晶圆W的一系列的工序进行说明的流程图。对于与实施例1的粘合片粘贴装置1的动作相同的工序，简化说明，对不同的工序进行详细叙述。

步骤S1(工件的供给)

当发出粘贴指令时，与实施例1同样地进行晶圆W和环形架f的供给。即，收纳于架供给部12的环形架f被架输送装置17移载至架保持部38。并且，收纳于容器5的晶圆W被晶圆输送装置16经由对准器7移载至保持台9。当环形架f和晶圆W被移载后，下壳体29A沿着轨道40从初始位置移动至粘贴位置。在图20中示出保持台9移动至粘贴位置的状态。

步骤S2(粘合片的供给)

当利用晶圆输送装置16等供给工件后，在粘贴单元13中进行粘合带DT的供给。即，预定量的粘合带DT一边使分离片S剥离一边与输送用片P一起自片供给部71被放出。整体为长条状的输送用片P沿着预定的输送路径被向粘贴位置的上方引导。此时，如图21所示，输送用片P所保持的粘合带DT被定位至位于载置在保持台9上的晶圆W的上方。

步骤S3(腔室的形成)

在粘合带DT被供给至保持台9的上方后，形成腔室29。即，如图22所示，使粘贴辊85下降。然后，粘贴辊85一边在输送用片P上滚动一边将输送用片P以跨下壳体29A的顶部和环形架f的顶部的方式粘贴。与该粘贴辊85的移动连动地，预定量的粘合带DT一边使分离片S剥离一边与输送用片P一起自片供给部71被放出。

在粘合带DT被粘贴于环形架f之后，使粘贴辊85返回初始位置，并使上壳体29B下降。随着上壳体29B的下降，如图23所示，输送用片P的粘贴于下壳体29A的顶部的部分被上壳体29B和下壳体29A夹持而构成腔室29。此时，输送用片P作为密封材料发挥功能，且腔室29被粘合带DT分割成下空间H1和上空间H2。

步骤S4(第1粘贴过程)

在形成腔室29之后，与实施例1同样地开始第1粘贴过程。控制部33使真空装置31工作而使下空间H1内的气压和上空间H2内的气压减压至预定值，再使上空间H2的气压高于下空间H1的气压。通过该气压的控制，从而在下空间H1与上空间H2之间产生压力差Fa。通过保持台9的上升和基于压力差Fa实现的粘合带DT的变形，如图24所示，粘合带DT从中心部朝向外周部呈放射状与晶圆W的背面接触，晶圆W的背面被粘合带DT覆盖。

步骤S5(第2粘贴过程)

在使用真空装置31并利用粘合带DT覆盖晶圆W的背面之后，与实施例1同样地执行第2粘贴过程。首先，控制部33使保持台9下降，且使加压装置32工作而向下空间H1和上空间H2供给气体，将下空间H1和上空间H2加压至特定值。通过使加压装置32进行加压操作，从而下空间H1的气压和上空间H2的气压均高于大气压。

通过上空间H2的加压，如图25所示，从上空间H2朝向粘合带DT作用按压力V1。另外，由于整个下空间H1被加压，因此，按压力V2从下空间H1作用于晶圆W的朝下的面。即，在作为足够大的力的按压力V1和按压力V2的作用下，粘合带DT精度良好地粘贴于晶圆W的背面，提高了晶圆W与粘合带DT的密合性。

在将下空间H1和上空间H2加压至比大气压高的气压的状态下对粘合带DT与晶圆W之间作用预定时间的按压力之后，控制部33使加压装置32停止工作。然后，控制部33使电磁阀103、105、107、110全开而使下空间H1和上空间H2向大气开放。控制部33使上壳体29B上升而使腔室29开放，并且使保持台9上升而使晶圆W的表面抵接于保持台9的晶圆保持面。

步骤S6(输送用片的切断)

此外，在腔室29内进行步骤S4和步骤S5的工序的期间，使片切断机构82工作。在实施例2中，在片切断机构82将输送用片P切断这点上与实施例1的工序不同。即，如图26所示，刀具95将粘贴于环形架f的输送用片P切断成环形架f的形状，且按压辊96追随刀具95一边在环形架f上的片切断部位滚动一边进行按压。

在将输送用片P切断成圆形之后，使上壳体29B上升。由于在使上壳体29B上升的时刻已经完成了步骤S4和步骤S5的过程，因此，使夹紧辊90上升而解除对粘合带DT的夹持。之后，使夹持辊86移动，将切断后的不要的输送用片P朝向片回收部74卷取回收，并自片供给部71与输送用片P一起放出预定量的粘合带DT。

通过直到步骤S6的各工序，从而形成安装架MF。在实施例2的安装架MF中，借助粘合带DT和输送用片P使环形架f和晶圆W一体化。在不要的输送用片P被卷取回收后，夹持辊86和粘贴辊85返回至初始位置。然后，保持台9以保持着安装架MF的状态从粘贴位置移动至初始位置。

步骤S7(安装架的回收)

在保持台9返回至初始位置时，与实施例1同样地，设于架输送装置17的吸盘28对安装架MF进行吸附保持并使安装架MF脱离下壳体29A。吸附保持着安装架MF的架输送装置17将安装架MF输送至架回收部6。所输送的安装架MF被装载收纳于盒41。

以上，将粘合带DT粘贴于晶圆W的一系列的动作结束。以后，重复进行上述处理，直至安装架MF达到预定数量为止。通过使用实施例2的粘合片粘贴装置1，即使在使用被预先切断成预定形状的粘合带DT的情况下，也能够获得与实施例1相同的效果。即，在向具有环状凸部的晶圆W的环状凸部形成面粘贴粘合带DT的情况下，能够在避免晶圆W产生损伤的同时将粘合带DT精度良好地粘贴于晶圆W。

此外，此次公开的实施方式的所有的发明点均为例示，而不是限制性的内容。本发明的范围不是由上述实施方式的说明示出，而是表示在权利要求书中，其还包括在与权利要求书等同含义和范围内的所有变更(变形例)。作为例子，本发明能够如下述那样进行变形地实施。

(1)在各实施例的步骤S4中，在使下空间H1的气压和上空间H2的气压减压至预定值之后，使上空间H2的气压恢复为大气压，由此产生了压力差Fa，但步骤S4中的气压的调整并不限于此。即，也可以是，在使下空间H1的气压和上空间H2的气压减压至预定值之后，将下空间H1的气压维持在该预定值，并且适当调整电磁阀105的开度进行泄放。

在该情况下，控制上空间H2的气压从预定值上升成为比大气压低的特定值，通过该控制而产生压力差Fa。在压力差Fa的作用下利用粘合带DT覆盖晶圆W的环状凸部形成面之后，控制部33使电磁阀103、105、107、110为全开而使上空间H2和下空间H1向大气开放。通过该大气开放，第1粘贴过程结束。

在如各实施例那样使上空间H2的气压恢复到大气压而产生压力差Fa的结构中，能够进一步增大压力差Fa，因此能够更迅速地完成使粘合带DT变形而利用粘合带DT覆盖晶圆W的环状凸部形成面的过程。另一方面，在如(2)的变形例那样将上空间H2的气压调整为高于下空间H1的气压且低于大气压的特定值而产生压力差Fa的结构中，粘合带DT的变形速度被抑制得较低。因此，能够避免在下空间H1的空气排出未完成的期间内粘合带DT过早地覆盖晶圆W的环状凸部形成面这样的情形，因此能够防止在粘合带DT与晶圆W之间产生空隙。

(2)在各实施例的步骤S5中，加压装置32对下空间H1和上空间H2这两者的内部进行了加压，但并不限于此。即，也可以是，加压装置32仅将上空间H2加压至成为比大气压高的气压，利用按压力V1来更精度良好地粘贴粘合带DT。

作为仅对上空间H2进行加压的结构的进一步的变形例，也可以是如下结构：在维持下空间H1的内部被减压成为比大气压低的气压的状态的同时，将上空间H2的内部加压成比大气压高的气压，由此粘贴粘合带DT。在该结构中，在步骤S4中进行了基于压力差Fa的第1粘贴过程之后，维持下空间H1的气压被减压至预定值的状态，并且打开与上空间H2连接的电磁阀105而仅使上空间H2向大气开放。然后，在步骤S5中，使加压装置32工作，对上空间H2的内部进行加压而使其高于大气压。

在该变形例中，在步骤S5中，在使保持台9上升而使保持台9抵接于晶圆W的背面的状态下，对上空间H2的内部进行加压而进行第2粘贴过程。通过在利用保持台9保持着晶圆W的状态下对上空间H2进行加压而产生按压力V1，从而即使在下空间H1被减压至比大气压低的状态下，也能够使按压力V1均等地作用于粘合带DT的整个面和晶圆W的整个面。

(3)在各实施例的步骤S4中，通过使用真空装置31使腔室29的内部产生压力差Fa，从而使粘合带DT变形为凸状并接触于晶圆W的环状凸部形成面，但使粘合带DT变形为凸状的方法并不限于产生压力差Fa的结构。即，如图28所示，也可以是在上壳体29B的内部具备按压构件141的结构。

按压构件141的底面为凸状(作为一个例子，是半球状)，按压构件141配设成位于粘合带DT的上方。因此，通过使按压构件141下降，从而按压构件141的成为凸状的底面按压粘合带DT，粘合带DT能够变形为凸状而接触于晶圆W。在该情况下，能够省略产生压力差Fa所需的结构。另外，作为使粘合带DT变形为凸状的其他结构，还可举出使用辊等自上方按压粘合带DT的结构等。

(4)在各实施例中，以将支承用的粘合带DT粘贴于晶圆W结构为例进行了说明，但粘贴于晶圆W的粘合片并不限于此。若为粘贴以电路保护用的粘合带为例的片状的粘合材料的结构，则能够应用各实施例的结构。

(5)在各实施例中，作为成为粘贴粘合片的对象的工件，例示了晶圆W和环形架f，但工件并不限于此。作为一个例子，也可以是，省略环形架f，将粘合片仅粘贴于晶圆W。另外，对于本实施例的结构，能够应用基板、面板等各种半导体用构件作为工件。并且，作为工件的形状，除了为圆形以外，也可以是矩形形状、多边形、大致圆形形状等。

(6)在各实施例中，使保持台9在预定时刻进行升降移动而将粘合带DT粘贴于晶圆W，但保持台9的升降移动可以适当变更。作为一个例子，并不限于在使保持台9下降之后进行步骤S5的加压处理的结构，也可以在维持上升状态的同时进行加压处理。

(7)在各实施例中，架保持部38配设于下壳体29A的外部，但也可以将架保持部38设于下壳体29A的内部。在该情况下，在将环形架f和晶圆W分别收纳于腔室29的内部的状态下进行步骤S4之后的过程。

(8)在实施例2中，粘合带DT被预先成型为与晶圆W的环状凸部形成面的形状相对应的预定形状，但并不限于此。即，也可以是，片供给部71装填添设有长条状的输送用片P的长条状的粘合带DT。添设有长条状的输送用片P的长条状的粘合带DT的结构如图29的(a)所示。在该情况下，粘合片粘贴装置1在腔室29的上游具备片切断装置201，片切断装置201将长条状的粘合带DT成型为预定形状。

片切断装置201的结构如图29的(b)所示。片切断装置201具备支承台203、刀具205和粘合片回收部207。此外，从片供给部71放出的粘合带DT和输送用片P通过未图示的翻转装置进行翻转，粘合带DT以位于输送用片P的上侧那样的状态供给至片切断装置201。

支承台203配设为水平地接收从片供给部71沿着方向L放出且供给的长条状的粘合带DT和输送用片P中的、位于下侧的输送用片P。刀具205配设于支承台203的上方，且能够通过未图示的可动台进行升降移动。作为刀具205的一个例子，能够使用圆环状的汤姆逊刀。

通过使刀具205下降，从而粘合带DT和输送用片P中的、粘合带DT的层被呈圆环状的轨迹K的形状切下。刀具205切断粘合带DT的结构并不限于此，作为其他例子，可举出使刀状的刀具205沿着圆形形状的轨道移动而将粘合带DT呈圆形形状切下的结构等。

粘合片回收部207将在被切断成圆形形状的粘合带DT的周围残留的不要的粘合带DTn回收。不要的部分的粘合带DTn在紧挨输送辊208的后方从输送用片P剥离。剥离下来的粘合带DTn被引导辊209引导至回收卷绕筒210。回收卷绕筒210将从输送用片P剥离下来的粘合带DTn卷取回收。因而，通过片切断装置201，由刀具205成型为圆形的粘合带DT成为留在输送用片P之上的状态。

被切断成圆形的粘合带DT与输送用片P一起被引导至腔室29。此外，粘合带DT和输送用片P在片切断装置201的下游通过未图示的翻转装置再次进行翻转，粘合带DT以位于输送用片P的下侧那样的状态被引导至腔室29。

(9)在各实施例中，如图30的(a)所示，腔室29也可以具备片状的弹性体Ds。以下，例示实施例2的结构并说明本变形例。

弹性体Ds配设于上壳体29B的内部，且构成为与上壳体29B的内径相接触。另外，弹性体Ds的下表面和上壳体29B的圆筒底部构成为齐平。因而，当下壳体29A和上壳体29B夹持着输送用片P形成腔室29时，弹性体Ds与输送用片P抵接。具体而言，弹性体Ds抵接于输送用片P中的与保持粘合带DT的面相反的那侧(在附图中为上表面侧)的面。通过将弹性体Ds配设为与下壳体29A的内径相接触，从而在形成腔室29之际弹性体Ds未被夹持，因此能够防止腔室29的密闭性因弹性体Ds而降低。作为构成弹性体Ds的材料的例子，可举出橡胶、弹性体、或凝胶状的高分子材料等。

通过腔室29具备弹性体Ds，从而在步骤S4中使粘合带DT变形为凸状之际，能够使粘合带DT的弯曲率更均匀。在此，说明具备弹性体Ds的结构的效果。作为一个例子，在粘合带DT由较硬的材料构成的情况下，如图30的(b)所示，粘合带DT的弯曲率容易变得不均匀。

即，在输送用片P中的粘合带DT被输送用片P所保持的区域P1，存在较硬的粘合带DT，因此基于压力差Fa的输送用片P的弯曲率较小。另一方面，在输送用片P中的未由输送用片P保持粘合带DT的区域P2，基于压力差Fa的输送用片P的弯曲率比较大。即，在压力差Fa的作用下，区域P2更容易变形，由此区域P1中的输送用片P的弯曲率进一步降低。

另外，在粘合带DT中的接近区域P2的那侧，粘合带DT的弯曲率较大，在粘合带DT的中央部，粘合带DT的弯曲率变小。如此，在粘合带DT和输送用片P各自之中，基于压力差Fa的弯曲率不均匀。其结果，对于被粘贴于晶圆W的粘合带DT，粘合带DT与晶圆W的密合性降低。

另一方面，在具备弹性体Ds的情况下，如图30的(c)所示，在压力差Fa的作用下，整个弹性体Ds均匀地进行凸状变形。因此，区域P1中的输送用片P的弯曲率提高而与区域P2中的弯曲率之间的差变小，因而，输送用片P的弯曲率和粘合带DT的弯曲率整体上变得均匀。即，粘合带DT容易根据晶圆W的环状凸部形成面的形状而相应地变形，因此能够进一步提高粘合带DT与晶圆W的密合性。

(10)在各实施例中，还可以具备对粘合带DT进行加热的结构。作为对粘合带DT进行加热的结构的一个例子，如图31的(a)所示，片粘贴机构81在上壳体29B的内部具有加热机构120。加热机构120具备工作缸121和加热构件123。工作缸121与加热构件123的上部连结，加热构件123能够通过工作缸121的动作而在腔室29的内部升降。此外，加热构件123若能够加热粘合带DT，则也可以不是能够升降移动的结构。

在加热构件123的内部埋设有对粘合带DT进行加热的加热器125。基于加热器125的加热温度被调整为使粘合带DT变得柔软的温度。作为该加热的温度的一个例子，可举出50℃～70℃左右。加热构件123的底面的形状可以根据晶圆W的形状而变更。作为一个例子，加热构件123整体成为圆柱状。

此外，优选的是，在开始步骤S4之前，预先使用加热机构120加热上空间H2。即，控制部33使加热器125工作而将加热构件123加热至预定温度。通过将加热构件123加热，从而通过热传导效果来加热上空间H2，进而加热粘合带DT。

粘合带DT被加热而变得柔软，因此，提高了基于压力差Fa的粘合带DT的变形性。即，在利用粘合带DT覆盖晶圆W之际，能够进一步提高粘合带DT相对于晶圆W的追随性。此外，如图31的(b)所示，也可以是，使加热构件123下降而接近或抵接于粘合带DT，利用加热构件123来直接加热粘合带DT。

(11)在实施例中，加热机构120配设于腔室29中的上空间H2侧，是对上空间H2进行加热的结构，但并不限于此。即，加热机构120也可以是对下空间H1进行加热的结构。作为一个例子，可举出如下结构：将加热器125配设于保持台9的内部，通过由加热器125对下空间H1进行加热从而加热粘合带DT。另外，加热机构120也可以是对上空间H2和下空间H1这两者进行加热的结构。