具体实施方式

图1示出包括辐射源SO和光刻设备LA的光刻系统。所述辐射源SO被配置成产生EUV辐射束B且将EUV辐射束B供应至所述光刻设备LA。所述光刻设备LA包括照射系统IL、被配置成支撑图案形成装置MA(例如掩模或掩模版)的支撑结构MT、投影系统PS、和被配置成支撑衬底W的衬底台WT。

所述照射系统IL被配置成在所述EUV辐射束B入射到所述图案形成装置MA上之前调节所述EUV辐射束B。另外，所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。所述琢面场反射镜装置10和所述琢面光瞳反射镜装置11一起向所述EUV辐射束B提供期望的横截面形状和期望的强度分布。除了所述琢面场反射镜装置10和所述琢面光瞳反射镜装置11以外、或代替所述琢面场反射镜装置10和所述琢面光瞳反射镜装置11，所述照射系统IL可以包括其它反射镜或装置。

在如此调整之后，所述EUV辐射束B与所述图案形成装置MA相互作用。作为这种相互作用的结果，产生经图案化的EUV辐射束B'。所述投影系统PS被配置成将经图案化的EUV辐射束B'投影至所述衬底W上。出于所述目的，所述投影系统PS可以包括被配置成将经图案化的EUV辐射束B'投影至由所述衬底台WT所保持的所述衬底W上的多个反射镜13、14。所述投影系统PS可以将减小因子应用于经图案化的EUV辐射束B'，因而形成具有比所述图案形成装置MA上的对应特征更小的特征的图像。例如，可以应用为4或8的减小因子。虽然所述投影系统PS在图1中被图示为仅具有两个反射镜13、14，但所述投影系统PS可以包括不同数目个反射镜(例如，六个或八个反射镜)。

所述衬底W可以包括先前形成的图案。在这样的情况下，所述光刻设备LA使由经图案化的EUV辐射束B'所形成的图像与先前形成在所述衬底W上的图案对准。

可以在所述辐射源SO中、在所述照射系统IL中、和/或在所述投影系统PS中设置相对真空，即在充分地低于大气压力的压力下的少量气体(例如氢气)。

所述辐射源SO可以是激光产生等离子体(LPP)源、放电产生等离子体(DPP)源、自由电子激光器(FEL)或能够产生EUV辐射的任何其它辐射源。

图2a更详细地示出所述支撑结构MT的横截面。所述横截面是在x平面中，在所示出的取向中在z方向上竖直地延伸且在y方向上水平地延伸。y方向可以被视为所述光刻设备的扫描方向且x方向可以被视为垂直于所述扫描方向。所述支撑结构MT包括被配置成在光刻操作期间夹持所述图案形成装置MA的静电夹具100。所述夹具100包括大体上平面的夹持表面102，和安置于夹具本体内的夹具电极A至D。电极104A至104D由介电涂层与所述夹具100的夹持表面102分离。突节(图中未示出)可以从所述夹持表面102突伸出，并且用以使受夹持的所述图案形成装置MA与所述夹持表面102分离。所述突节可以例如具有约10μm的高度，并且可以共同地覆盖所述夹具100的表面的约1％。应了解，为简单起见省略了所述夹具100的许多特征(例如配线、额外的电极)。

夹具100可以被认为是所述光刻设备LA的部分，或可以被认为是所述设备的形成所述光刻设备LA部分或与所述光刻设备LA分立的部分。所述光刻设备LA或所述设备可以包括用于产生自由电荷的机构。

所述图案形成装置MA是大致平面的，并且具有彼此相对置的第一平面表面122和第二平面表面124。在使用中(例如如图1中示出)，所述第一表面122被配置成反射辐射束B，并且导致图案被赋予至所述束B。特别地，所述第一表面122的区可以被图案化以便导致所述辐射束B变得被图案化。所述第一表面122的图案化区具有导电涂层。所述第一表面122可以被称为所述图案形成装置MA前侧即正面。即，掩模版前侧是所述图案形成装置MA的背离所述静电夹具100的表面。

为了使静电夹具100能够夹持所述图案形成装置MA，所述第二表面124具备通常覆盖大多数第二表面124的导电涂层。所述第二表面124可以被称为图案形成装置MA背面。即，所述图案形成装置MA背面是所述图案形成装置MA的面朝所述静电夹具100的表面。换句话说，所述图案形成装置MA背面是所述图案形成装置MA的与所述静电夹具100相邻的表面。

面向所述图案形成装置MA的所述第一表面122的底板126位于与所述静电夹具100的相对侧上。所述底板126是用于将掩模版MA转印至所述光刻设备LA和从所述光刻设备LA转印所述掩模版MA的交换装置的部分。底板126被接地且可以处于大致0V的电位。

应理解，所述静电夹具100可以使用大约若干kV的电压以便夹持所述图案形成装置MA。例如，所述夹具100可以是双极静电夹具，其中电极104A至104D的第一子集104A、104C被连接至约+1……10kV(例如+2kV)的一个或更多个电压供应装置(图中未示出)，并且电极104A至104D的第二子集104B、104D被连接至约-1……10kV(例如-2kV)的一个或更多个电压供应装置。如此，可以在所述夹具100与所述图案形成装置MA之间建立高电场，从而导致所述图案形成装置MA被吸引至所述夹具100。特别地，在所述第二表面124的与所述电极104A至104D相邻的导电涂层区中引发电荷，所述区中的电荷具有与所施加的电压相反的符号，并且在跨越于所述夹具100与所述图案形成装置MA的各种位置处的相反电荷之间建立吸引力。夹具100的被配置成支撑所述图案形成装置MA的区可以被称作支撑区。此外，当所述夹具100被操作以夹持所述图案形成装置MA时，所述夹具100的被配置成产生夹持力的区可以被称作夹持区。

所述静电夹具100可以在第一模式中操作，在所述第一模式中，所述电极104A至104D被设置至多个电位，使得在所述静电夹具100与所述掩模版MA之间产生夹持电场以夹持所述掩模版MA。在这样的第一模式中，电极104A至104D可以是平衡的，即电极104A至104D的平均电位可以为大约0V。所述静电夹具100可以在第二模式中操作，在所述第二模式中，电极104A至104D被设置为多个电位，使得在所述静电夹具100与所述掩模版MA之间不产生或产生相对较小的夹持电场。例如，通常需要最小300V来克服所述掩模版MA的重力。因此，低于300V将不会存在夹持。这种值可以取决于夹持表面品质而变化，因此，其可以是100V或200V等。因而，在第二模式中，所述电极104A至104D的电位被设置成使得对所述掩模版MA的夹持被松开。在第二模式中，电极104A至104D也可以是平衡的，即电极104A至104D的平均电位可以为大约0V。操作所述夹具100的第一模式和第二模式可以被认为是正常操作。

所述电极104A至104D的每个电极都具有矩形形状，并且被布置使得想到对于彼此大体上平行。在这样的布置中，所图示的四个电极各自跨越所夹持的图案形成装置MA在x方向上的宽度，并且各自覆盖所述图案形成装置MA在y方向上的长度的约四分之一。应了解，在其它实施例中，可以使用不同数目个电极，诸如1个、2个、3个、5个、6个、7个、8个或更多个。

在夹具100的正常操作期间，将在所述夹具100的表面与所述图案形成装置MA的表面之间建立电场。此外，由于各个带电表面(包括所述光刻设备内的其它部件，诸如(例如)遮蔽叶片)之间的紧密分离/分隔，可能发生静电放电。即，可以在任何带电表面之间发生静电放电，而具有放电随着电场强度增加而增加的可能性。静电放电可能损坏部件。静电放电可以从表面产生粒子，并且也可以释放先前被附接至所述光刻设备内的表面的粒子。应理解，这种粒子的释放在光刻设备中是不期望的，这是由于粒子可能落到所述设备的关键区上，从而可能导致经处理的衬底中的图案化缺陷。

由所述静电夹具产生的高电场强烈地吸引任何自由电荷。自由电荷意味着没有被结合至实体衬底、而是根据电场线自由移动的电荷(正电荷(例如离子)，或负电荷(例如电子))。此外，在EUV曝光期间产生充足的自由电荷。例如，可以由光发射产生电子且也从EUV引发的等离子体产生电子，所述EUV引发的等离子体通常在存在氢气(其常常存在于光刻工具中)的情况下产生。也可以在EUV等离子体内产生正离子。

现在将更详细地论述等离子体产生过程。应理解，所述束B内的EUV光子将电离氢分子，从而产生H2+离子和自由电子。在使用13.5nm EUV辐射的示例中，每个光子可以具有约92eV的能量，其中分子氢的电离能量约为15eV。因而，所产生的自由电子可以具有足够的能量(例如＞75eV)和范围以相对地远离初始电离事件产生次级等离子体。另外，以这种方式所释放的电子(即具有约75eV的能量)可以电离一个、两个或甚至三个另外的氢分子。因而，即使仅在EUV光子入射处产生初级等离子体，也可以在所述夹具附近产生次级等离子体。

在实施例中，应理解，需要产生EUV引发的等离子体，其将自由电荷的源提供至所述图案形成装置MA附近。

在一些实施例中，可以提供次级电离源，由此允许通过除EUV源SO之外的装置在所述静电夹具附近产生等离子体。这种布置可以降低所述EUV源SO的总体输出负载。应理解，上文所描述的实施例可以通过要求与供成像所需的EUV输出相比额外的EUV输出来对EUV源SO提出额外的要求。另外，在一些实施例中，EUV源可能无法连续地产生功率。类似地，EUV源不可能和/或不期望提供在名义输出功率的范围0％至100％内的任意EUV脉冲能量，而同时也确保清洁的收集器操作和脉冲能量稳定性。

如此，在一些实施例中，可以优选提供用于与初级EUV源相比产生增加的气体电导率的区的替代机制。

例如，源可以设置成接近于所述静电夹具100和所夹持的图案形成装置MA。可以使用多个源。例如，所述源可以是能够在清洁环境中在低于1bar的压力下操作的软x射线源或VUV光源。所述源可以包括具有约0.1W至1W的功率的低功率电离器。在一些实施例中，所述源可以包括放射源或电子束源。

通常，所述EUV源SO和所述源(其可以例如包括软x射线源、或VUV电离器)每个都可以被认为是电离辐射源的示例。另外，与氢(或其它)气体源相结合的这样的源可以被认为是用于产生自由电荷的机构。即，包含正离子和自由电子两者的氢等离子体可以被认为是自由电荷云。另外，这样的自由电荷包括正自由电荷和负自由电荷两者。

可以在从所述夹具100移除所述图案形成装置MA之后在所述夹具100与所述图案形成装置MA之间建立相当大的电压。

应理解，在所述光刻设备LA中的若干部件之间存在电容。特别地，所述夹持表面102与所述图案形成装置MA的所述第二表面124之间的电容可以被认为是可变电容，其依据介于所述夹持表面102与所述第二表面124之间的间隙而变化。类似地，所述底板126与所述图案形成装置MA的所述第一表面122之间的电容可以被认为是可变电容，其依据介于所述底板126与所述第一表面122之间的间隙而变化。

应理解，在封闭系统中，在没有电荷能够进入或离开所述系统的情况下且针对给定初始电荷状态，所述夹具100与所述图案形成装置MA之间的分离度的任何变化、以及所述图案形成装置MA与所述底板126之间的分离度的任何变化将导致相应的可变电容改变。此外，这种电容改变也将导致跨越所述电容的电压根据分离度的改变而可能显著地改变。

特别地，针对每个电容必须始终维持关系Q＝CV(假定没有电荷被注入)。因此，如果电容C发生改变且所述电容中所包含的电荷Q的量被维持相同，则电压V必须与改变的电容C成反比地改变。这可能导致显著的电压放大。电压的最显著改变发生于所述图案形成装置MA的背侧处，即所述夹持表面102与所述图案形成装置MA的所述第二表面124之间。

得到的高电压应被理解为显著地增加了由于在所述图案形成装置MA与所述静电夹具100附近的氢气的解离/击穿(例如由于所述图案形成装置MA表面处的电压超过氢的最低帕邢(Paschen)限制，其约为250V)而造成的放电风险。

因而，在夹持之后在图案形成装置MA的卸载期间在所述光刻设备LA内存在静电放电的机会。电荷可以变得被截留于所述夹具100的电介质表面处。此外，残余电荷一旦其已被释放就可以保持在所夹持的图案形成装置MA上。随着被松开夹持的图案形成装置MA被移动远离所述夹具表面，则夹具表面与所述图案形成装置表面之间的增加的分离度可能导致电容减小和电压放大。即，在给定在封闭系统中的电荷与电压之间的比例关系(即Q＝C.V)的情况下，当所述电容改变(与平行板之间的分离度成反比)时，电容的任何减小将导致电压的成比例增大。因而，随着所述图案形成装置MA与所述夹具100分离，所述图案形成装置的电压可能将充分地升高以导致发生氢气的电击穿。这种放电可能导致所述图案形成装置MA、所述静电夹具100损坏和/或粒子产生，这可能导致后续缺陷。

可以通过在卸载过程期间引入自由电荷来在一定程度上减轻变化电容的效应。例如，单独的电离源、或实际上所述EUV源SO可以用以产生氢等离子体，氢等离子体提供自由电荷(如上文详细所描述的)且允许在移除过程期间松弛即放宽跨越各种电介质部件(和间隙)所建立的场。

提供自由电荷可能导致建立于各种系统部件之间的电压的显著减小。即，由高电压产生的所建立的电场可以通过引入额外的自由电荷来补偿。这些电荷源由氢等离子体有效地提供。所述等离子体内的自由电荷在任何电场开始被建立时由所述电场驱动，并且导致那些场坍缩/塌陷。

以这种方式，可以减轻或完全避免与在从所述静电夹具100移除后跨越所述图案形成装置MA建立显著电压相关联的潜在问题。如上文提及的，应理解，这种效应不是二元的，并且如果提供不足电荷，则仍可以建立一些(减小的强度)场。然而，应理解，即使电压放大的减小(而不是完全避免)也可以是有益的，尤其是在如果电压因而始终维持低于(约250V)的氢的最低帕邢限制的情况下。

此外，可以在图案形成装置MA与所述夹具100的分离期间的各个时间提供自由电荷。实际上，应理解，当所述图案形成装置MA被夹持时，自由电荷可能难以在相邻表面之间穿透。因而，可以存在供最优地提供自由电荷的有效最小分离度。

由于在EUV辐射曝光和掩模版运送(例如掩模版的装载和卸载)期间所累积的掩模版前表面和后表面上的残余电荷，则掩模版(图案形成装置)可能遭受不可逆的损坏。如提及的，这种残余电荷在掩模版卸载期间可能导致电击穿，从而导致掩模版的总体损失。掩模版可以从光刻设备LA脱出，其中掩模版电位约为600V，其对应于约50nC的非常大的负残余电荷。

由于EUV辐射，掩模版获取电荷，从而产生快速电子且将浮动的掩模版表面充电至约-10V的小电位。替代地，掩模版背侧的残余电荷可能由摩擦带电(即掩模版表面与由不同材料制成的夹具突节之间的摩擦)引起。

如所提及的，在掩模版卸载期间，掩模版-夹具系统的电容减小，这导致掩模版背侧上的电位增加至约-600V。在一些情况下，这可能导致发生电击穿，从而导致附带的掩模版表面损坏。

掩模版BS上的残余电荷也导致在掩模版前侧与底板之间出现高场，从而导致在扫描器中的掩模版运送期间从底板至掩模版FS的粒子跳跃。

通过利用EUV引发的等离子体作为能够减小掩模版电位的电荷源，可以实现在不使用额外的硬件的情况下的掩模版接地。然而，将例如50nC的电荷载流子提供至掩模版背侧表面受到由EUV辐射所产生的等离子体的量限制。此外，由于掩模版周围的环境的复杂几何形状以及与掩模版卸载相关联的硬件的约束，减小了等离子体密度。因此，在无额外辅助的情况下使用EUV引发的等离子体实现掩模版接地(即软接地)可能具有吞吐量损失，即，衬底W传递通过所述光刻设备LA所花费的时间增加，这是不期望的。

图2a示出针对在第三模式中操作的所述静电夹具100的四个电极104A至104D的极性以及电位的通用相对量值。即，在一个实施例中，电极104A和104D具有正电位(+)，并且电极104B和104C具有负电位(--，-)，其中电极104B的量值大于其它电极的量值。这意味着全部电极104A至104D的平均电位为负的。

所述图案形成装置MA具有边缘128(或端部)，所述边缘(或端部)在这种实施例中最接近于EUV辐射束B且因而最接近于EUV引发的等离子体。电极104A可以被称作边缘电极。在这种实施例中，所述边缘电极104A具有正电位，如上文提及的。

在开启EUV辐射以产生等离子体之前将电极104至104D设置成这些电位。在不存在等离子体的情况下，掩模版MA将浮动且由于全部电极104A至104D的平均电位为负的且底板126位于掩模版MA的另一侧上，则在掩模版MA上将存在电容性引发的负电位。例如，所述底板126可以处于大致0V，所述夹具100可以处于大致-1000V，并且因此由于电容性感应电流，所述掩模版MA可以处于大致-900V。由于掩模版MA第二表面124更接近于具有负电位的所述夹具100，则所述第二表面124与所述掩模版MA第一表面122相比将具有更多的负值。在其它实施例中，所述底板不需要就位，并且在其它实施例中，所述底板可以用不同部件来交换。在其它实施例中，当EUV辐射已经开启时，即在等离子体产生期间，可以将电极设置成这些电位。

这种电极布置将向所述图案形成装置MA的所述第二表面124提供增加的正离子通量，而同时抑制了通往所述夹具100的所述夹持表面102(和其它夹具表面)的正离子通量。电极104A至104D的配置在掩模版边缘128处提供正近场且将额外的负偏压提供至掩模版MA第二表面124(即与所述夹具100相邻的表面)，这提升了朝向掩模版MA的正离子通量。这是由于位于所述边缘128处的电极104A是正的且因此将正离子远离所述夹具100推向所述掩模版MA，并且也因为来自电极104A至140D的总体平均负电位的在所述掩模版MA上的电容性引发的电位将正离子朝向所述掩模版MA的所述第二表面124吸引。由于所述第二表面124与所述第一表面122相比具有更多的负值，则正离子通量将更多地被吸引至所述第二表面124。

应了解，所述静电夹具100在第三模式中操作意味着当与所述静电夹具100的正常运行(即在第一模式或第二模式中操作)相比时，电极104A至104D具有增加了通往所述掩模版MA的正离子通量的电位。先前，所述夹具本应该没有被设置为具有电极的总体平均负或正电位，并且因此当EUV辐射被接通时通往所述掩模版的自由电荷(电子或离子)的通量将不会显著增加。此外，应了解，所述静电夹具100的第三操作模式可以包括进行操作使得所述静电夹具100夹持所述掩模版MA和/或进行操作使得所述静电夹具不夹持所述掩模版MA。

图2b和图2c示出在第三模式中操作的所述静电夹具100，其具有具备正边缘电极104A的类似电极布置且电极104A至104D的平均电位为负的。然而，在图2b中，电极104C具有正电位且电极104B和104D具有负电位。电极104B的电位的量值仍大于其它电极的电位的量值。在图2c中，电极104B具有正电位且电极104C和104D具有负电位，其中电极104C的电位的量值大于其它电极的电位的量值。

电极104A至104D的这些布置，并且更具体地，施加至电极104A至104D的电压的特定布置，使得能够实现在掩模版MA卸载期间加速残余电荷中和。所述加速是通过使用电极104A至104D作为额外的E场源来实现，以朝向掩模版MA表面提供较高的等离子体通量。即，设置所述静电夹具100电极104A至104D电压，其方式是使得来自等离子体的净正电荷将会被吸引至掩模版MA(初级)后表面124和(次级)前表面122。

因而，可以增强在掩模版MA卸载/装载动作时由EUV引发的等离子体对掩模版MA上的残余电荷的补偿。

其它优点可以是：不需要硬件改变，这节省了商品成本且缩短了开发时间。可以在任何光刻设备LA上实现实施方案。此外，可以针对特定和异常的掩模版MA情况(诸如经修整的背侧涂层掩模版MA使用)来对实施例进行自定义。另外，无接触的接地方案可以增加夹具100/掩模版MA的寿命。

图3a至图3c示出在第三模式中操作的静电夹具100的另外的实施例，其中识别了四个电极104A至104D的极性和电位的通用相对量值。

在图3a的实施例中，电极104A至104D中的每个电极具有负电位，其中电极104B至104D的电位的量值大于电极104A(边缘电极)的电位的量值。这意味着全部电极104A至104D的平均电位仍为负的。边缘电极104A为负的，但全部电极的平均电位与边缘电极104A相比具有甚至更多的负值。这种电极布置将增加的通量提供至掩模版MA第二表面124，而同时抑制了通往所述夹具表面102的通量。

因而，可以应用相似方法以通过将净额外的负偏压施加至电极104B至104D及它们的组合来实现掩模版MA上的＜0(负)电容性引发的电位。电极104A至104D的配置在掩模版边缘128处提供近场，所述掩模版边缘128与所述掩模版MA第二表面124的其余部分相比具有较少的负值，并且将额外的负偏压提供至掩模版MA第二表面124(即与所述夹具100相邻的表面)，这提升了朝向掩模版MA的正离子通量。这也可以通过正电极上的电位的不平衡性来实现。

图3b和图3c示出在第三模式中操作的所述静电夹具100，其具有具备负边缘电极104A的类似电极布置且电极104A至104D的平均电位具有更多负值。然而，在图3b中，电极104B和104D具有正电位且电极104C的电位为负的且与其它电极相比具有电位的大得多的量值。图3c的实施例与图3b的实施例相同，除了已交换了电极104B和104C的电位。

当对所述掩模版MA的夹持被松开时以及在所述掩模版MA仍由所述夹具100夹持时，可以在EUV辐射束B“开启”之前施加不平衡的/未均衡的电极电位。因而，实施例在掩模版MA仍处于所述静电夹具100上的同时能够实现掩模版MA接地，这在开始松开夹持动作之前能够实现掩模版MA接地，并且因而最小化由于放电所导致的掩模版MA损坏的风险。当掩模版MA仍接近于夹具100，或甚至仍实体地连接至夹具100时，可以使掩模版MA残余电荷达到零。因而，使当介于掩模版MA与夹具100之间的间隙在卸载期间变得过大时由放电所导致的掩模版MA损坏的风险显著地最小化(在存在固定电荷的情况下，当通过增加间隙而减小电容时，电压增加)。

图4a至图4c示出在第三模式中操作的所述静电夹具100的另外的实施例，其中识别了四个电极104A至104D的极性和电位的通用相对量值。

在图4a的实施例中，边缘电极104A为正的，与在图2a至图2c中一样，但其它电极104B至104D具有电位和电位的量值使得全部电极104A至104D的平均电位大致为0V。更特别地，电极104A和104D具有正电位(+)且电极104B和104C具有负电位(-)，其中所述电极104A至104D中的每个电极的电位的量值大致相同。

因此，掩模版MA上(特别是第二表面124上)的电容性引发的电位保持不变。所述边缘电极104A(其在这种情况下具有正电位)保护所述夹具100免于吸引正离子且因此增加通往掩模版MA第二表面124的正离子通量，以及保护夹具突节(图中未示出)免受溅镀。这有助于维持夹具功能性的相对较长寿命。即使在这种实施例中，掩模版MA上的电容性引发的电位大致为0V，当由正边缘电极104A将正离子引导远离所述夹具100时，则通往所述掩模版MA的正离子通量也增加。

电极104A至104D的配置在掩模版边缘128处提供正近场，从而提升了朝向掩模版MA的正离子通量，而同时维持通往掩模版MA第二表面124的额外的零偏压。

图4b和图4c示出在第三模式中操作的所述静电夹具100，其具有具备正边缘电极104A的类似电极布置且电极104A至104D的平均电位大致为0V。然而，在图4b中，电极104B和104D具有负电位且电极104C为正的。电极104A至104D中的每个电极的电位的量值与在图4a中大致相同。图4c的实施例与图4b的实施例相同，除了已交换了电极104B和104C的电位。

图4a至图4c的实施例针对主要地朝向所述掩模版MA第二表面124的等离子体通量(正离子)创建条件，而同时抑制通往所述夹具100的正离子通量。其主要有助于实现使对所述夹持表面102(和其它夹具表面)的损坏最小化的目的。

应了解，以上所描述的图2a至图4c中的电极104A至104D的确切配置仅是示例性的且在其它实施例中，它们可以具有不同的极性和量值，只要它们提供所描述的优点即可。例如，在图4c中，可以交换电极104B、104C的极性且这些电极104B、104C的电位的量值两者与电极104A、104D相比都可以增大为大致更大，只要量值两者大致匹配即可。在这样的情况下，仍将会存在具有正电位的边缘电极104A且电极的总体平均电位大致为0V。

对于通往掩模版MA的等离子体通量的建模可以示出通往掩模版MA第二表面124的正离子通量，从而能够在仅1秒的一小部分(例如约0.1s)内实现电荷补偿。这使得能够获得掩模版MA软接地的吞吐量中和实现。

实施例可能导致在掩模版MA第二表面124上的残余电荷的约10倍的较高中和，从而使在掩模版MA的卸载时(和在装载时)能够获得软掩模版接地的吞吐量中和实现。

另一个实施例涉及设置所述静电夹具100在第三模式中操作使得电极104A至104D在所述图案形成装置(掩模版)MA曝光之前(即，当所述辐射束B入射到所述图案形成装置MA上，从以将经反射的图案化的EUV辐射束B'提供至所述衬底上时)具有平均负电位。例如，可以将电极104A至104D设置为具有与在图2a至图2c或图3a至图3c中一样的电位、或其中电极104A至104D的平均电位为负的的另一配置。

这种方法旨在：在所述掩模版MA(特别是掩模版MA第二表面124)上引发正电荷使得将会由电子(而不是如在先前实施例中由正离子)来实现在卸载时的掩模版MA残余电荷中和。这利用了与离子的迁移率相比更高的电子迁移率，因此更快得多地实现中和(快几个数量级，即，可以仅在0.1s内而不是10s内实现中和)。这种方法也可以实现背侧修整的掩模版MA的快速中和。这是因为背侧修整的掩模版的中和较慢，这是由于移除了在所述边缘处的掩模版背侧上的约1mm的金属涂层。通往这种修整的背侧涂层的离子通量需要经过窄狭缝—即，介于夹具与掩模版背侧之间的空间/间隔。离子可以穿透至这种狭缝中的机会相对非常低，而这对于电子不是问题。例如，涂层回缩2mm将会导致由离子进行无限时间的背侧中和，但通过电子，仍将会仅若干秒完成。

例如，为了在曝光期间在所述掩模版MA上引发正电荷，将夹具电极104A至104D设置成在曝光之前提供约-1……-100V的负掩模版MA偏移电位。一旦停止曝光，即一旦所述EUV辐射束B不再入射到所述图案形成装置MA上，则所述掩模版MA就将具有正电荷(而不是如上文所描述的负电荷)。为了实现这种情形，将一个或更多个负电极设置为比正电极更高的电位。例如，将两个正电极设置为正的+1kV且将两个负电极设置为负的-1.1kV。由于这种情况，电子将从掩模版MA被排斥且正离子将被吸引至所述掩模版MA，因而在曝光之后将正电荷设置在所述掩模版MA上。

当掩模版MA仍接近于夹具100，或甚至仍实体地连接至夹具100时，可以使掩模版MA残余电荷达到零。因而，使当介于掩模版MA与夹具100之间的间隙在卸载期间变得过大时由于放电导致的掩模版MA损坏的风险显著地最小化。

以上所描述的条件，即电极104A至104D的平均电位被设置为负的，可以在曝光的整个持续时间内、或在掩模版MA卸载动作之前的仅一部分时间内被维持。在一些实施例中，电极可以在曝光的仅一部分时间内被设置成某一状态(例如配置和/或特定电位)。电极针对曝光的整个持续时间并不必须呈相同的配置。可能需要将电极设置成平衡状态(即平均起来为零)以确保掩模版变为中性。

另一个实施例旨在防止在曝光期间掩模版MA带电。同样，这种实施例涉及在第三模式中设置静电夹具100使得电极104A至104D在所述图案形成装置(掩模版)MA曝光之前(即，当辐射束B入射到所述图案形成装置MA上，以将经反射的图案化的EUV辐射束B'提供至所述衬底上时)具有平均负电位。然而，在这种实施例中，设置电极104A至104D的电位以在特定值的电位中提供负偏移。这种特定值可以被校准至特定的掩模版MA和曝光条件，诸如EUV剂量。可以从先前曝光测量这种特定值且接着前馈这种特定值。例如，对于一个掩模版，所述特定值可以被设置使得其在掩模版上提供为-2V的电位且对于另一掩模版MA，电位可以是-10V。将掩模版MA设置为校准值(即-2V)可以意味着在整个曝光中，由于由电子和离子所引起的电荷的转移将被抵消/衡销，因此所述掩模版MA的电位将不会总体显著增加或减小。因而，在曝光结束时，所述掩模版MA将具有与前一曝光相同或类似的电荷(例如-2V)。在其它实施例中，特定值可以被设置呈使得其在掩模版上提供在0V至-20V的范围内的电位。

电极104A至104D的负电位的所述特定值可以被选择为使得在曝光之后，所述掩模版MA基本上不带电，即呈大致零电荷。这意味着在卸载期间(即当所述掩模版MA被移离所述夹具100时)，所述掩模版MA的所述第二表面124与所述夹具100的所述夹持表面102之间的电位差将不会显著增加，如当掩模版MA在曝光之后保持带电时所看到的。当所述掩模版MA仍接近于夹具100，或甚至仍实体地连接至夹具100时，所述掩模版MA残余电荷接近于零会使当介于掩模版MA与夹具100之间的间隙在卸载期间变得过大时，由于放电导致的掩模版MA损坏的风险显著地最小化。在其它实施例中，所述特定值可以被选择呈使得所述掩模版MA上的电位与夹具100上的电位匹配，因此，所述掩模版MA的第二表面124与所述夹具100的所述夹持表面102之间的电位差将不会相对增加。

可以在曝光的整个持续时间内、或在掩模版MA卸载动作之前的仅一部分时间内维持以上所描述的条件，即电极104A至104D的平均电位被设置为特定负值。

应了解，可以通过改变软件工序而不改变硬件来实施实施例。这意味着可以对本领域中的光刻设备LA相对快速地实施且对生产几乎没有影响。此外，实施例可以是可逆的和灵活的。它们可以用作暂时的减轻策略(即在需要或调谐时被接通和切断)。

由于实施例可以不需要额外的硬件，因此与实施所述掩模版的接地(例如在卸载期间)的其它方法相比可以节省商品成本。实施例可以被直接应用至所有EUV光刻设备LA且可能导致所述光刻设备LA的改善的可靠性和可用性。另外，可以利用吞吐量中和掩模版接地来实现实施例。实施例可能导致较高的产率。

图5示出其中识别出四个电极204A至204D的极性的静电夹具200的实施例。所述静电夹具200的各部件类似于先前实施例的静电夹具100的部件且类似的部件将以增加100的类似附图标记数字提供。

在图5的实施例中，电极204A至204D与图4a的电极104A至104D相同。因此，所述掩模版MA上(特别是第二表面224上)的电容性引发的电位保持不变(即在这种实施例中大致为0V)。然而，这仅是示例，并且电极204A至204D可以具有不同的极性和量值，诸如在先前实施例中示出的极性和量值。在任何情况下，电极204A至204D提供对所述图案形成装置(掩模版)MA的夹持。

在图5的实施例中，存在另外的(或第五)电极204E。所述另外的电极204E不参与夹持所述掩模版MA。所述另外的电极204E位于与电极204A至204D相同的平面中。所述另外的电极204E位于与掩模版MA不同的平面中。在这种实施例中，另外的电极204E在掩模版MA上方，如图5所示。

另外的电极204E至少部分地围绕(假想)体积230而定位，所述体积230在所述静电夹具200的方向上从所述掩模版MA的所述第二表面224(背侧)(即z方向)延伸。换句话说，另外的电极204E围绕所述掩模版MA的所述第二表面224上方的空间/间隔周围而定位。所述第二表面224可以被称作所述掩模版MA的与所述静电夹具200相邻的表面。

体积230以从所述掩模版MA的边缘(或端部)228和所述掩模版MA的相对端部延伸的虚线示出。应了解，图5的右手侧并未示出全部掩模版MA且体积230可以被认为在两侧上延伸至所述掩模版MA的边缘。在这种实施例中，所述边缘228最接近于EUV辐射束B且因而最接近于EUV引发的等离子体。

图6从上方(即平面图)示出另外的电极204E和图案形成装置MA—为了清楚起见没有示出电极204A至204D和所述静电夹具200的中间部分。另外的电极204E被示出为始终(即完全)围绕体积230延伸。另外的电极204E可以被涂覆于所述静电夹具200的电介质上。实际上，掩模版MA周围的区域被涂覆有电极204E。所述另外的电极204E可以是薄金属涂层。

另外的电极204E可以由任何合适的导电材料制成。例如，与等离子体兼容且不提供任何问题的材料。作为示例，氮化铬可以用作用于另外的电极204E的材料。

掩模版可以收集电荷。卸载带电掩模版会导致掩模版电压增加。这可能导致放电且产生粒子或损坏。

可以控制另外的电极204E上的电压。例如，在这种实施例中，将另外的电极204E上的电位设置为负的。这设置了所述掩模版MA周围的电场。这意味着由所述机构所产生的电子(即自由电荷)可以被排斥远离所述掩模版MA的第二表面224。这意味着到达掩模版MA的电子的数目减少。因而，可以防止或至少减少掩模版带电。这可以避免发生导致附带掩模版表面损坏的电击穿(例如在掩模版卸载期间)。另外的电极204E的电位的量值可能不与电极204A至204D相当，例如其可以小得多。

应了解，在其它实施例中，另外的电极204E可以被设置为正的。这设置了所述掩模版MA周围的电场。这意味着由所述机构所产生的正离子(即自由电荷)可以被排斥远离所述掩模版MA的所述第二表面224。这意味着到达所述掩模版MA的正离子的数目将减少。因而，将防止或至少减少掩模版带电。这可以避免发生导致附带掩模版表面损坏的电击穿(例如在掩模版卸载期间)。

更通常地，所述设备可以被配置成使得另外的电极204E被设置成使得由所述机构所产生的通往所述第二表面224的自由电荷的通量减小。当与在掩模版周围不存在电极的情况相比时、或当另外的电极具有0伏特的电位时，这种自由电荷的通量可以被认为减小。

应了解，另外的电极204E的任何大小将会提供一些益处。然而，电极越大(例如在y方向上)，则越排斥带电粒子，这是由于较大的电极可以产生较大的电场。

应了解，另外的电极204E的任何负(或正)电压集合将会提供一些益处。然而，电压较大，则越排斥带电粒子，这是由于较大的电压可以产生较大的电场。例如，电压可以是10或20或50伏特。

另外的电极204E的表面可以是平坦的。然而，在其它实施例中，表面可能不平坦。例如，在实施例中，另外的电极204E在与掩模版MA的拐角部相对应的区域处可以被倒圆角。这可以增大电场。更通常地，另外的电极204E的至少一个或多个边缘(即与所述掩模版MA相邻的表面的边缘)可以被倒圆角。

在实施例中，另外的电极204E可以与掩模版MA(例如所述掩模版MA的所述第二表面224)呈电接触。这可以允许直接地控制所述掩模版MA的所述第二表面224的电位。这可以允许更排斥带电粒子(例如电子)。可以通过一个或更多个突节来实现所述电接触。所述一个或所述多个突节可以位于体积230内。

在一些实施例中，电导体(例如现有的接地导线)可以用作另外的电极204E。在这样的情况下，可以将电供应装置连接至接地导线且可以将电压提供至所述接地导线。

另外的电极204E的电位可以被设置成持续所述机构产生自由电荷的至少一部分时间或全部时间(例如在所述掩模版MA的曝光期间)。另外的电极204E的电位可以被设置成持续在所述掩模版MA从被所述静电夹具夹持移动至与所述静电夹具间隔开之前的时间段(例如恰好在松开对掩模版MA的夹持之前)。

图6a示出静电夹具200的另一个实施例。这种实施例与图5的实施例相同，除了另外的电极204E位于所述夹持表面202的另一侧上且包括多个壁。即，所述壁可以被认为是从另外的电极204E向上(即在z方向上)延伸以部分地包围所述静电夹具200的侧壁电极204F，和从另外的电极204E向下(即在与侧壁电极204F相反的方向上)延伸以部分地包围实施掩模版MA的壁电极204G。所述壁可以是金属板。应了解，在一些实施例中，不需要存在侧壁电极204F和壁电极204G两者。此外，在一些实施例中，侧壁电极204F和壁电极204G中的一者或两者可以被包括在电极204E中或代替另外的电极204E。在其它实施例中，另外的电极204E也可以位于如图5中示出的位置中，并且侧壁电极204F和/或壁电极204G可以在如图6a中示出的位置中。

在一些实施例中，也可以将另外的电极204E设置为将耗尽在MA周围的体积中的自由电荷的电压。这可以具有防止自由电荷到达所述掩模版MA(和使掩模版MA带电)的优点。这可以仅在若另外的电极204E没有被涂覆有绝缘表面的情况下是可能的。例如，这可以在若所述涂层如在图6a中那样具有侧壁电极204F和壁电极204G的情况下是可能的。

图7示出所述静电夹具200的另一个实施例。这种实施例与图6的实施例相同，除了在体积230与另外的电极204E之间存在空间(间隙)232。即，另外的电极不需要精确地在体积230周围。

图8示出所述静电夹具200的另一个实施例。这种实施例与图6的实施例相同，除了另外的电极204E仅位于所述掩模版MA的一侧上。因而，所述另外的电极204E可以被认为至少部分地包围所述体积230。

在这种实施例中，所述另外的电极204E定位成邻近于与EUV辐射束B最接近且因而与EUV引发的等离子体最接近的边缘228。这一侧对应于带电粒子的主方向，因此当与在其它侧中的仅一侧上具有另外的电极204E相比时，可以优选在这一侧上具有所述另外的电极204E。应了解，在其它实施例中，另外的电极204E可以或多或少地在x方向上延伸。应了解，在其它实施例中，所述另外的电极204E可以在与所述边缘228不同侧上。

图9示出静电夹具200的另一个实施例。这种实施例与图6的实施例相同，除了存在四个另外的电极204E。即，另外的电极204E位于所述掩模版MA的每侧上。在这种实施例中，在另外的电极204E之间存在间隙。因而，所述四个另外的电极204E可以被认为至少部分地包围所述体积230。在其它实施例中，在另外的电极204E之间不存在或大体上不存在间隙的情况下，所述多个电极可以被认为完全包围所述体积230。应了解，在实施例中，可以存在比四个更多或更少的另外的电极，例如2个、3个、5个或6个等。例如，如果存在两个另外的电极，则它们可以位于两个不同侧上，例如相邻侧或相对侧，或它们可以位于同一侧上。

在实施例中，所述另外的电极204E可以独立地或成对地或呈任何其它组配置来操作。例如，所述另外的电极204E中的一个电极可以带正电荷，所述另外的电极204E中的另一电极可以带负电荷且另一另外的电极204E可以被设置使得由所述机构所产生的通往所述第二表面224的自由电荷的通量减小。

参考图4c，现在描述另一个实施例。在图4c的实施例中，全部电极104A至104D的平均电位大致为0V。更特别地，电极104A和104B具有正电位(+)且电极104C和104D具有负电位(-)，其中所述电极104A至104D中的每个电极的电位的量值大致相同。应了解，图4c中的电极104A至104D的设置仅是示例且可以使用其它设置，诸如在图2a、图3a或图4a中。应了解，可以存在如下实施例：其中所述电极的所述电位或每个电极的每个电位并未被设置成使得由所述机构产生的通往所述部件的与所述静电夹具相邻的表面的自由电荷的通量增加。

在图4c的实施例中，所述掩模版(图案形成装置)MA由两对电极104A至104D以静电方式夹持，其中所述掩模版MA的导电第二表面124(背侧)用作对电极或反电极。一对电极中的每个电极104A至104D的电容大致相等。结果，所述第二表面124的电位保持接近于接地。因此，所述掩模版MA上(特别是第二表面124上)的电容性引发的电位保持不变。

如先前提及的，掩模版前侧和背侧带电可能导致缺陷性。具体地，在松开夹持期间，掩模版背侧与电极之间的距离d增大。这减小了所有电极-掩模版电容C(∝1/d)且因此增加了电位V＝Q/C，其中Q是所述掩模版上的电荷量。掩模版后侧或前侧的电荷保持恒定直到发生放电，从而可能导致缺陷性和/或表膜断裂。

掩模版带电的一种方法是由于EUV引发的等离子体。在最可能的情境下，高能(光)电子到达所述掩模版背侧且引发负电荷。在这样的过程中，所述掩模版背侧电位将变成越来越多的负值。当所述掩模版背侧始于接地电位处时，充电是快速“上坡”过程，从而需要越来越多的高能电子来克服增加的负电位。所述过程可以在大致-10V时饱和。

如提及的，由于一对电极中的电极104A至104D中的每个电极的电容大致相等，因此所述第二表面124的电位保持接近于接地。然而，即使全部电极104A至104D的平均电位大致为0V，在所述掩模版MA的第二表面124上也可以存在电容性引发的电位。这可以由于所述静电夹具100电容(更特别地，单独的电极104A至104D电容)的小的不平衡性。这种不平衡性可以在所述掩模版MA的所述第二表面124中引发正(或负)电位。

在一些示例中，所述静电夹具100的所述夹持表面102几乎完全平坦，但对掩模版-电极间距的控制是不精确的。即，介于电极104A至104D与所述掩模版MA的所述第二表面124之间的间距针对电极104A至104D中的一些或全部电极可以略微不同。这可以例如因为所述夹持表面102相对于所述掩模版MA的所述第二表面124倾斜。结果，每个夹具100将具有略微不同的电极电容。另外，电极电容将可能取决于哪个掩模版MA受夹持而变化。

所述掩模版的背侧上的正残余电位可以加速(负)掩模版背侧充电且可能造成在卸载期间的较大电位(和放电)。此外，缺乏对掩模版背侧充电的控制可能使受控的不平衡夹持引发负掩模版背侧电位(无电荷)不可行。

实现对至少低于约10V的掩模版背侧电位的可靠控制存在问题。需要这种等级的控制以防止在掩模版卸载期间放电。问题不是对施加至所述掩模版夹具的(高)电压的控制，而是夹具电极-掩模版背侧电容的不确定性。

图10示出所述掩模版(图案形成装置)MA的背侧(第二表面124)、电极104A至104D和高电压供应装置的示意性电路图。电极104A至104D中的每个电极(与掩模版背侧相结合)的电容分别被描绘为C1至C4。电极104A至104D中的每个电极由高电压供应装置供电，其分别具有被描绘为V1至V4的电压。

设置多个电荷测量装置300A至300D，每个电极104A至104D一个电荷测量装置。电荷测量装置300A至300D测量从所述电压供应装置至电极104A至104D的电荷。

应了解，这仅是实施例且在其它实施例中，可以存在不同的电子器件设置。例如，可以仅存在两个电极(例如电极104A和104C)或可以存在被配置成用以对电极中的每个电极的电荷进行测量的单一电荷测量装置。

电荷测量装置300A至300D用以测量夹具-掩模版电容。所述测量相对较不简单即相对较不直截了当的，这是因为所述掩模版MA的所述第二表面124不具有接触部，即，其是浮动的。

在高电压功率放大器的程度的情况下，可能无法直接测量单独的电极104A至104D电容。例如，当通过步骤dV1改变V1时，通往电极104A的电荷的改变(即dQ1)是：

dQ1＝dV1*(1/C1+1/(C2+C3+C4))^-1。

即，测量C1与C2+C3+C4的串联电容。然而，在具有电荷测量装置300A至300D(用于所述夹具100的每个高电压源一个电荷测量装置)的情况下，可以确定电容或电容的比率。

当例如电极104A的电位改变了量dV1时，所述掩模版MA的所述第二表面124的电位将改变大体上未知量dVb。这继而引发通往电极104A至104D的电荷的改变：

dQ1＝C1*(dV_b–dV1)

dQ2＝C2*dVb

dQ3＝C3*dVb

dQ4＝C4*dVb

(dQ1+dQ2+dQ3+dQ4)＝0(由于没有净电荷到达所述掩模版MA的所述第二表面124)。

所测量的电荷由以下方程给出：

Q_n＝(V_n-V_b)·C_n

其中n＝1……4，C_n是电极104A至104D的未知电容、Q_n是由电荷测量装置300A至300D所测量的电荷、V_b是所述掩模版MA的所述第二表面(背侧)124的电位，并且V_n是在电极104A至104D上所施加的电位。

在实施例中，通过施加第一组足够高的电位V_n,1，例如V_n,1＝(-1)ⁿφ₁来夹持所述掩模版MA且所述掩模版MA被抵靠所述突节展平。这产生四个方程式和五个未知数(C_1-4和V_b,1)。接下来，改变掩模版MA电位，即，改变电极104A至104D的电位，例如改变至V_n,2＝(-1)ⁿφ₂。这产生八个方程式和六个未知数(C_1-4和V_b,1,V_b,2)。具有比未知数更多的方程式会允许针对C_n、V_b,1和V_b,2对方程式进行求解。因而，确定电极104A至104D的电容、具有第一组高电位V_n,1的所述第二表面124的电位(V_b,1)和具有第二组高电位V_n,2的第二表面124的电位(V_b,2)。

既然已确定所述第二表面的电位V_b,2，则可以利用这个方程式使用现在已知的C_n来调整电极104A至104D的电位以达到期望的背侧电位(V_b)：

V_b＝sum(V_n·C_n)/sum(C_n)

例如，当需要零背侧电位时，则可以选择V_n＝φ₂·C₁/C_n。

可以优选的是，使一个或更多个电极104A至104D的电位被设置成使得在产生自由电荷的机构开启(例如掩模版MA被曝光至EUV辐射)之前或至少相对不久之后，所述第二表面124的电位为负的。可以在所述机构产生自由电荷的全部时间内维持这种电位。这可以最小化被吸引至所述第二表面124的负电荷的数目。然而，在实施例中，所述电位可以被设置成使得所述第二表面124的电位在EUV曝光的部分时间内和/或在掩模版MA从被静电夹具100夹持移动至与所述静电夹具100间隔开之前的时间段内为负的。

可以优选的是，一个或更多个电极104A至104D的电位被设置成使得第二表面124的电位在所述机构产生自由电荷的时间之前(例如在掩模版MA的曝光之前)大致为零。这可以最小化被吸引至第二表面124的负电荷的数目。这可能因为如果电极的电位仅在EUV曝光已开始之后的某一时间被设置，则由于快速移动负电子，所述第二表面124可能已经具有负电荷，其可以接着在松开所述夹具100的夹持之前不能够被减小。

应了解，所描述的测量和电位设置工序可以与例如使用EUV引发的等离子体相结合使用，以从所述掩模版背侧移除电荷。应了解，所述测量和电位设置工序可以与以上所描述的增加由EUV源所产生的自由电荷的通量的方法一起使用。

关于上述方案的变化是可能的。例如，从零至φ₁的第一电位阶跃与从φ₁至φ₂的第二阶跃相比实际上将较大，其中|φ₁-φ₂|通常小于|φ₁|的10％。结果，电荷测量装置300A至300D可能需要具有高动态范围。首先在高电位的情况下夹持所述掩模版MA且接着考虑电荷的改变来使夹具电位发生变化可能是有益的：

ΔQ_n＝(ΔV_n-ΔV_b)·C_n

以相似方式，可以确定C_n，并且因而可以通过施加具有相似量值的两组电位阶跃ΔV_n,1和ΔV_n,2来确定所述掩模版MA的所述第二表面124的电位。

在示例中，所述夹具100的电极设置可以被认为与例如图2a中示出的设置类似。应了解，这种仅是示例且可以使用电极的其它设置。

除了能够将所述掩模版MA的所述第二表面124的电位保持处于大致零伏特(即处于接地)之外，也可以将所述第二表面124的电位保持处于(近似)特定负(或正)预定值。即，所述掩模版MA的所述第二表面124的电位可以被维持处于近似受控的电位。换句话说，电极104A至104D中的一个或更多个电极的电位可以被设置使得所述第二表面124的电位大致为预定值。可优选的是设置一个或更多个电极104A至104D的电位，使得所述第二表面124的电位为负的，使得将高能(光)电子从所述掩模版MA的所述第二表面124排斥(或至少没有被吸引至所述掩模版MA的所述第二表面124)。

使用由一个或更多个电荷测量装置300A至300D所测量的所述一个或多个电荷、以及电极104A至104D的电容C1至C4，可以确定所述掩模版MA的所述第二表面124的电位。确定所述电位可以被认为是例如测量、计算或设置所述第二表面124的电位。

电极104A至104B的电容可以仅在某百分比(比如+/-10％)内变化。对于名义夹具电容，-100V的不平衡电极104A可能导致-25V背侧电位。接着，校正所述电极的所测量的电容，可以将-25V+/-～10％的电位施加至所述第二表面124，以例如减轻电子充电。

由于电容可以仅变化+/-～10％，因此仅旨在＞-10V背侧电位(使用名义夹具电容)可以足够确保在所述第二表面124上存在负电位。在上述示例中，-25V背侧电位可以旨在确保存在一些余地以确保所述第二表面124肯定最终将变为负的值以减轻电子充电。更通常地，可以基于电极104A至104D中的一个或更多个电极的电容的方差来设置电极104A至104D中的至少一个电极的电位。

在其它实施例中，可以将电极改变为具有更多的正值(比如+100V)，这可能导致例如+25V背侧电位。这在如果需要减轻所述第二表面124的正离子充电的情况下可以适用。

除了确定如上文所描述的电容C1至C4之外，其它方法可以确定单独的电极104A至104D电容C1至C4。这可以通过将电压阶跃施加至不同电极104A至104D且接着测量电荷转移来进行。换句话说，以逐步方式将电极104A至104D的电位改变一预定量，并且在每次电位改变之后分别使用电荷测量装置300A至300D来测量从电压供应装置至电极104A至104D的电荷。

这导致可以针对单独的电容C1至C4求解的方程式的(过)约束集合。可以逐步改变四个电压V1、V2、V3、V4且连同来自电荷测量装置300A至300D中的每个电荷测量装置的所测量的电荷一起，存在用以单独确定C1至C4的足够的信息。在这种实施例中，可以测量通往每个电极104A至104D的电荷。然而，应了解，这仅是示例且关于测量的广泛范围的变化是可能的。

作为示例，可以施加至少两个电压阶跃，例如dV1和dV2。这接着产生8个方程式和6个未知数(C_1-4,dV_b1,dV_b2)。可以对这个集合求解。可以接着获得C1至C4的绝对值。这允许通过遵守例如V4/V3＝-C3/C4和V2/V1＝-C1/C2以将所述掩模版MA的所述第二表面124设置为0V。因而，在实施例中，电极104A至104D的电位可以基于电极104A至104D的电容的比率。替代地，代替将所述掩模版MA的所述第二表面124设置为0V，可以设置任何任意电位。

替代地，在其它实施例中，可以使两个电极浮动且可以使用单个电荷测量件来确定另外两个电极的串联电容。例如，可以串联地测量C1至C2的电容(C₁₂)且接着可以类似地测量C₁₃、C₁₄、C₂₃、C₂₄和C₃₄。使用6个独特组合再次提供对于可以用以推导出单独电容C1至C4的方程式的过约束集合。应了解，许多变化是可能的且可以与硬件开发共同优化。

上述推导忽略了杂散电容，诸如50至100pF/m的缆线对地电容。在实际实施时，应包括并校正这些电容。通过例如在无掩模版的情况下将电位施加至掩模版夹具，这是可能的。在所述情况下，夹具至掩模版电容实际上为零且可以测量杂散电容。

虽然上述内容总体上涉及对通往电极104A至104D的电荷量Q进行测量的一个或更多个电荷测量装置300A至300D，但应了解，在其它实施例中，可以使用其它测量装置。例如，在实施例中，代替电荷测量装置300A至300D、或除了电荷测量装置300A至300D以外，也可以使用用于测量通往电极的电流的一个或更多个电流测量装置。在实施例中，可以应用振荡电极电位V_n＝V_n0+V_a*sin(Ω*t)。可以接着测量进入所述静电夹具的电流的AC部分。因而，代替测量Q或ΔQ，接着可以测量dQ/dt(＝I)。

应了解，使用所述一个或更多个所述电流测量装置以确定所述掩模版MA的所述第二表面124的电位(通过使用通往所述电极104A至104D中的一个或更多个电极的所测量电流来计算一个或更多个电极104A至104D的电容)可以与使用电荷测量装置300A至300D类似的方式起作用。如在上文关于电荷测量的实施例中提及的，测量了Q对V或dQ对dV。然而，也可以测量dQ/dt＝I对dV/dt。将理解等效性，这是由于：Q＝C*V、dQ＝C*dV、dQ/dt＝I＝C*dV/dt。

应了解，可以在设备中和/或在分立的系统(例如计算机设备)中执行计算等。

虽然可以在本文中具体地参考在IC制造中光刻设备的使用，但应理解，本文中所描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。

虽然可以在本文中具体地参考在光刻设备的情境下的本发明的实施例，但本发明的实施例可以用于其它设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类的物体的任何设备的部件。这些设备通常可以被称作光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

虽然上文可以具体地参考在光学光刻术的情境下对本发明的实施例的使用，但应了解，本发明可以用于其它应用(例如压印光刻术)中，并且在情境允许的情况下不限于光学光刻术。

在情境允许的情况下，可以用硬件、固件、软件或其任何组合实施本发明的实施例。本发明的实施例也可以被实施为储存在机器可读介质上的指令，所述指令可以由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于储存或传输呈能够由机器(例如计算装置)读取的形式的信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁性储存介质；光学储存介质；闪存器件；电形式、光形式、声形式或其它形式的传播信号(例如载波、红外信号、数字信号等)，等等。另外，固件、软件、例程、指令可以在本文中被描述为执行某些动作。然而，应了解，这样的描述仅是出于方便起见，并且这些动作实际上源自计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等且在执行这种操作时可以使致动器或其它器件与实体世界相互作用的其它器件。

虽然上文已描述本发明的特定实施例，但应了解，可以与所描述方式不同的其它方式来实践本发明。以上描述意图是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐明的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。