具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本 发明，并非用于限定本发明的范围。在下列段落中参照附图以举例方式更具 体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清 楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用 以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

需要说明的是，当组件被称为“固定于”另一个组件，它可以直接在另 一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一 个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。当一 个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上 或者可能同时存在居中组件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、 “左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技 术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用 的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所 使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组 合。

请参阅图1～4，本发明实施例中，一种可以增强光吸收的光探测器，包 括吸收直管4，吸收直管4呈圆筒状设置，吸收直管4的一端固定连接有进光 管3，进光管3的内部环形侧壁上固定连接有第一透明镜1，第一透明镜1位 于进光管3的开口较大的一端，进光管3内部固定连接有光隔离器2，吸收直 管2的环形内圈侧壁上固定连接有第一凹面镜6和第二凹面镜7，第一凹面镜 6与第二凹面镜7均为一面呈平面光滑设置一面呈内凹设置，第一凹面镜6与 第二凹面镜7呈相互对称设置，第一凹面镜6与第二凹面镜7之间设有谐振 腔9，吸收直管4的环形内圈侧壁上固定连接有第二透明镜8，吸收直管4背 离进光管3的一端内部设有光电转换装置。

请参阅图1和4，光电转化装置包括衬底10，衬底10的侧壁上设有第一 电极11，第一电极11背离衬底10的一侧设有光吸收层12，光吸收层12背 离第一电极11的一侧设有第二电极13，衬底10、第一电极11、光吸收层12 和第二电极13均位于第二透明镜8呈水平设置。

请参阅图4，衬底10采用InP基材料，衬底10的厚度为五至五十纳米。

请参阅图4，第一电极11采用Ag制材料，第一电极11的厚度为五至五 十纳米。

请参阅图4，光吸收层12采用CH(NH₂)₂PbI₃制材料，光吸收层12的厚度 为五十至一百纳米。

请参阅图4，第二电极13采用Cu制材料，第一电极11的厚度为五至五 十纳米。

请参阅图1和3，吸收直管4的外侧固定连接有隔离金属网层5，隔离金 属网层5呈圆筒状设置，呈圆筒状的隔离金属网层5可对吸收直管4内部产 生磁场屏蔽，进而防止产生吸收直管4内部的光线产生塞曼效应，避免光谱 线在磁场中发生分裂的现象。

请参阅图1，第一透明镜1和第二透明镜8均呈凸透镜设置。

请参阅图1，谐振腔9内部呈真空设置，呈真空设置避免谐振腔9内的灰 尘造成光的散射，进一步提高了光线在谐振腔9内的反射强度。

请参阅图1，进光管3的内径面积大于进光管4的内径面积，可使得更多 光线与第一透明镜1接触。

本发明的工作原理是：

进光管3的内径面积大于进光管4的内径面积，可使得更多光线与第一 透明镜1接触，外界的光源可通过第一透明镜1进入到进光管3内，外界的 光线穿过第一透明镜1后变成平行光线，然后穿过光隔离器2，光隔离器2只 允许光从第一透明镜1向第一凹面镜6单向传播，光线到达第一凹面镜6后 可进入第一凹面镜6和第二凹面镜7之间的谐振腔9，第一凹面镜6的弧面反 射率为百分百反射率，第二凹面镜6的弧面反射率为部分反射率，通过设定好第一凹面镜6和第二凹面镜7之间的距离，当光在谐振腔9内传播一周产 生的光程差是波长的整数倍时，光波会与新进入谐振腔内的光波发生干涉相 长，形成谐振，进而提高光线的反馈能量，最后光线经过多个反射可透过第 二凹面镜7直射入第二透明镜8中，第二透明镜8再将光线聚焦到光敏材料 的光吸收层12上，通过增强光吸收层12吸收光的强度，进而提高光信号转 化呈电信号的速度。

以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上 的限制；凡本行业的普通技术人员均可按说明书附图所示和以上所述而顺畅 地实施本发明；但是,凡熟悉本专业的技术人员在不脱离本发明技术方案范围 内，利用以上所揭示的技术内容而做出的些许更动、修饰与演变的等同变化， 均为本发明的等效实施例；同时,凡依据本发明的实质技术对以上实施例所作 的任何等同变化的更动、修饰与演变等，均仍属于本发明的技术方案的保护 范围之内。