一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法
阅读说明：本技术 一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法 (Method for cleaning vacuum cavity part in chip coating process ) 是由 朱振华 何天阳 蒋发权 孔维龙 于 2021-09-15 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法,包括(1)零件遮蔽：将铝制零件不含金的部分涂敷遮蔽胶,静置固化；(2)脱金：将遮蔽胶固化后的铝零件没入脱金液中,静置脱金；(3)清洗：将脱金后的铝零件用去离子水冲洗,并对残留在铝零件表面的固体杂质打磨处理；(4)脱胶清洗：将清洗后的铝零件进行脱胶处理；(5)抽滤：将脱金后的脱金液进行过滤,得到含金的脱金液,向脱金液中加入还原剂提取金,底渣王水溶解,再进行赶硝还原,加入还原剂提取金。本发明通过对脱金液配方的改进,利用脱金促进剂和十二烷基肌氨酸钠的共同作用,提高了氢氧化钾与碘化钾的活性,相比现有技术,本发明具有脱金速率快,且不腐蚀铝基材等优点。(The invention discloses a method for cleaning a vacuum cavity part in a chip coating process, which comprises the following steps of (1) shielding the part: coating shielding glue on the non-gold-containing part of the aluminum part, and standing and curing; (2) gold removal: immersing the aluminum part solidified by the shielding glue into a gold removing liquid, and standing for gold removing; (3) cleaning: washing the aluminum part subjected to the gold removal by using deionized water, and polishing solid impurities remained on the surface of the aluminum part; (4) degumming and cleaning: degumming the cleaned aluminum parts; (5) and (3) suction filtration: filtering the gold-removed solution to obtain gold-containing gold-removed solution, adding a reducing agent into the gold-removed solution to extract gold, dissolving the bottom slag aqua regia, performing nitrate-removing reduction, and adding a reducing agent to extract gold. The invention improves the formula of the gold removing liquid, utilizes the combined action of the gold removing accelerant and the sodium dodecyl sarcosinate, improves the activity of the potassium hydroxide and the potassium iodide, and has the advantages of high gold removing speed, no corrosion to an aluminum substrate and the like compared with the prior art.)
技术领域
本发明属于零件清洗技术领域，涉及一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法。
背景技术
芯片镀膜制程涉及一种物理气相薄膜沉积的工艺过程，其目的是使芯片表面上附着一层金属薄膜，从而使芯片实现导电功能。工艺过程使用到的一种设备叫物理气相薄膜沉积设备，也叫PVD镀膜设备。在制程中，PVD镀膜设备的真空腔体会附着越来越多的金属，金属沉积多了后会导致剥落、掉渣等现场，从而影响镀膜制程的稳定。所以每过一段时间后，真空腔体的零件需要把金属沉积清洗干净才能继续生产。
目前，芯片镀膜制程中真空腔体零件有以铝为基材的零件，铝零件表面沉积了金属黄金，由于铝的化学性质活泼，采用现有的清洗工艺对真空腔体零件进行清洗，容易造成铝基体过腐蚀，且脱金速度慢，因此，亟需研发一种脱金速度快、不腐蚀铝基材，不损伤铝零件的清洗方法。
发明内容
为了解决上述技术，本发明提供了一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法，包括以下步骤：
(1)零件遮蔽：将铝制真空腔体零件不含金的部分涂敷遮蔽胶，静置，直到遮蔽胶固化；
(2)脱金：将遮蔽胶固化后的铝零件没入脱金液中，静置脱金，直至铝零件上的黄金全部溶解脱落；
(3)清洗：将步骤(2)脱金后的铝零件用去离子水冲洗，并对残留在铝零件表面的固体杂质打磨处理；
(4)脱胶清洗：将清洗后的铝零件进行脱胶处理；
(5)抽滤：将步骤(2)脱金后的脱金液进行过滤，得到含金的脱金液，向脱金液中加入还原剂提取金，底渣王水溶解，再进行赶硝还原，加入还原剂提取金。
优选地，步骤(1)中所述遮蔽胶为丙烯酸酯单体经过乳液法聚合而成的乳液压敏胶。
优选地，步骤(1)中所述零件遮蔽在抽风环境下涂敷遮蔽胶。
优选地，步骤(2)中所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾、碘化钾、十二烷基肌氨酸钠和脱金促进剂。
进一步优选地，所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾3-8g/L、碘化钾3-12g/L、十二烷基肌氨酸钠0.5-3g/L和脱金促进剂8-15g/L。更进一步地，所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾5-6g/L、碘化钾5-10g/L、十二烷基肌氨酸钠1-2g/L和脱金促进剂10-12g/L。
优选地，步骤(1)中所述脱胶处理为：在抽风环境下，将稀释剂均匀涂抹在遮蔽胶表面，待遮蔽胶被溶解，露出铝底层，使用去离子水冲洗，即可。
进一步优选地，所述稀释剂为多元醇溶剂。
进一步优选地，所述稀释剂，包括以下重量百分比的组分：乙二醇8-25％、酒精18-25％、天拿水6-25％和水余量；更进一步优选地，所述稀释剂，包括以下重量百分比的组分：乙二醇10-20％、酒精20-22％、天拿水10-20％和水余量。
本发明还提供了一种真空腔体零件，采用上述清洗方法制备而成。
优选地，所述真空腔体零件为铝基镀金件。
本发明的有益效果为：
本发明的芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法，通过对脱金液配方的改进，利用脱金促进剂和十二烷基肌氨酸钠的共同作用，提高了氢氧化钾与碘化钾的活性，相比现有技术，本发明的脱金速率快，且不腐蚀铝基材等优点。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
在进一步描述本发明具体实施方式之前，应理解，本发明的保护范围不局限于下述特定的具体实施方案；还应当理解，本发明实施例中使用的术语是为了描述特定的具体实施方案，而不是为了限制本发明的保护范围。
当实施例给出数值范围时，应理解，除非本发明另有说明，每个数值范围的两个端点以及两个端点之间任何一个数值均可选用。除非另外定义，本文中使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同意义。
本发明并不对原料的来源进行限定，如无如特殊说明，所采用的原料均为普通市售产品。其中，脱金促进剂为氧化铅粉末，遮蔽胶为富士的NE3000S。
一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法，包括以下步骤：
(1)零件遮蔽：在抽风环境下，将铝制真空腔体零件不含金的部分涂敷遮蔽胶，静置，直到遮蔽胶固化；所述遮蔽胶为丙烯酸酯单体经过乳液法聚合而成的乳液压敏胶；
(2)脱金：将遮蔽胶固化后的铝零件没入脱金液中，静置脱金，直至铝零件上的黄金全部溶解脱落；
所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾3-8g/L、碘化钾3-12g/L、十二烷基肌氨酸钠0.5-3g/L和脱金促进剂8-15g/L；
(3)清洗：将步骤(2)脱金后的铝零件用去离子水冲洗，并对残留在铝零件表面的固体杂质打磨处理；
(4)脱胶清洗：将清洗后的铝零件进行脱胶处理；具体为在抽风环境下，将稀释剂均匀涂抹在遮蔽胶表面，待遮蔽胶被溶解，露出铝底层，使用去离子水冲洗，即可；
所述稀释剂，包括以下重量百分比的组分：乙二醇8-25％、酒精18-25％、天拿水6-25％和水余量；
(5)抽滤：将步骤(2)脱金后的脱金液进行过滤，得到含金的脱金液，向脱金液中加入还原剂提取金，底渣王水溶解，再进行赶硝还原，加入还原剂提取金。
实施例1
一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法，包括以下步骤：
(1)零件遮蔽：在抽风环境下，将铝制真空腔体零件不含金的部分涂敷遮蔽胶，静置，直到遮蔽胶固化；所述遮蔽胶为丙烯酸酯单体经过乳液法聚合而成的乳液压敏胶；
(2)脱金：将遮蔽胶固化后的铝零件没入脱金液中，静置脱金，直至铝零件上的黄金全部溶解脱落；
所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾5g/L、碘化钾8g/L、十二烷基肌氨酸钠1.2g/L和脱金促进剂10g/L；
(3)清洗：将步骤(2)脱金后的铝零件用去离子水冲洗，并对残留在铝零件表面的固体杂质打磨处理；
(4)脱胶清洗：将清洗后的铝零件进行脱胶处理；具体为在抽风环境下，将稀释剂均匀涂抹在遮蔽胶表面，待遮蔽胶被溶解，露出铝底层，使用去离子水冲洗，即可；
所述稀释剂，包括以下重量百分比的组分：乙二醇15％、酒精20％、天拿水18％和水余量；
(5)抽滤：将步骤(2)脱金后的脱金液进行过滤，得到含金的脱金液，向脱金液中加入还原剂提取金，底渣王水溶解，再进行赶硝还原，加入还原剂提取金。
实施例2
一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法，包括以下步骤：
(1)零件遮蔽：在抽风环境下，将铝制真空腔体零件不含金的部分涂敷遮蔽胶，静置，直到遮蔽胶固化；所述遮蔽胶为丙烯酸酯单体经过乳液法聚合而成的乳液压敏胶；
(2)脱金：将遮蔽胶固化后的铝零件没入脱金液中，静置脱金，直至铝零件上的黄金全部溶解脱落；
所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾3g/L、碘化钾12g/L、十二烷基肌氨酸钠3g/L和脱金促进剂15g/L。
(3)清洗：将步骤(2)脱金后的铝零件用去离子水冲洗，并对残留在铝零件表面的固体杂质打磨处理；
(4)脱胶清洗：将清洗后的铝零件进行脱胶处理；具体为在抽风环境下，将稀释剂均匀涂抹在遮蔽胶表面，待遮蔽胶被溶解，露出铝底层，使用去离子水冲洗，即可；
所述稀释剂，包括以下重量百分比的组分：乙二醇8％、酒精25％、天拿水6％和水余量；
(5)抽滤：将步骤(2)脱金后的脱金液进行过滤，得到含金的脱金液，向脱金液中加入还原剂提取金，底渣王水溶解，再进行赶硝还原，加入还原剂提取金。
实施例3
一种芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法，包括以下步骤：
(1)零件遮蔽：在抽风环境下，将铝制真空腔体零件不含金的部分涂敷遮蔽胶，静置，直到遮蔽胶固化；所述遮蔽胶为丙烯酸酯单体经过乳液法聚合而成的乳液压敏胶；
(2)脱金：将遮蔽胶固化后的铝零件没入脱金液中，静置脱金，直至铝零件上的黄金全部溶解脱落；
所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾8g/L、碘化钾3g/L、十二烷基肌氨酸钠0.5g/L和脱金促进剂8g/L；
(3)清洗：将步骤(2)脱金后的铝零件用去离子水冲洗，并对残留在铝零件表面的固体杂质打磨处理；
(4)脱胶清洗：将清洗后的铝零件进行脱胶处理；具体为在抽风环境下，将稀释剂均匀涂抹在遮蔽胶表面，待遮蔽胶被溶解，露出铝底层，使用去离子水冲洗，即可；
所述稀释剂，包括以下重量百分比的组分：乙二醇25％、酒精18％、天拿水25％和水余量；
(5)抽滤：将步骤(2)脱金后的脱金液进行过滤，得到含金的脱金液，向脱金液中加入还原剂提取金，底渣王水溶解，再进行赶硝还原，加入还原剂提取金。
对比例1
本对比例与实施例1的区别在于：所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾10g/L、碘化钾10g/L、十二烷基肌氨酸钠5g/L和脱金促进剂10g/L。
对比例2
本对比例与实施例1的区别在于：所述脱金液，包括以下组分：氢氧化钾7g/L、碘化钾15g/L、十二烷基肌氨酸钠0.3g/L和脱金促进剂20g/L。
实施例1-3和对比例1-2的实验数据如表1所示。
表1
组别
脱金时间h
脱金总量g
脱金效率g/h
实施例1
44
2426
55.14
实施例2
52
2209
42.48
实施例3
55
2377
43.22
对比例1
44
1589
36.11
对比例2
44
1530
34.77
由上表实施例1-3可知，本发明的芯片镀膜制程中真空腔体零件的清洗方法，其脱金时间短，为44-55h，脱金量为2209-2426g，脱金效率达到42.48-55.14g/h，表明，本发明的清洗方法，通过对脱金液配方的改进，利用脱金促进剂和十二烷基肌氨酸钠的共同作用，提高了氢氧化钾与碘化钾的活性，脱金速度快，且不腐蚀铝基材。
同时，由对比例1和2可知，当改变脱金液中各组分的用量为常规用量，其脱金效率仅为34.77-36.11g/h，表明，各组分的用量对脱金速率影响较大，当改变脱金液中各组分的用量为常规用量时，无法实现提高脱金速率的技术效果。
- 上一篇：一种医用注射器针头装配设备
- 下一篇：一种喷射除锈液及喷射除锈方法