具体实施方式

若基于图1至图16说明本发明的实施方式，则如下所述。以下，为了便于说明，有时对与在特定的实施方式中说明的构成具有同一功能的构成，标注相同的附图标记，并省略其说明。

〔第一实施方式〕

图1是表示第一实施方式的显示装置1的概略构成的图。

显示装置1包括在有源矩阵基板(未图示)上设置有发光元件(未图示)的发光元件阵列2、扫描线驱动器(Scan驱动器)3、数据线驱动器(Data驱动器)4、以及图像定时控制器5(电路)。

输入图像信号被输入到图像定时控制器5，从图像定时控制器5向发光元件阵列2输出点亮模式选择信号，从图像定时控制器5向扫描线驱动器3输出扫描线驱动器控制信号，从图像定时控制器5向数据线驱动器4输出数据线驱动器控制信号。

扫描线驱动器3在Hsync定时切换所需的电压。数据线驱动器4是用于在设定各发光元件(未图示)的电流之后使电流流过的部件。图像定时控制器5基于所述输入图像信号的灰度，输出点亮模式选择信号，该点亮模式选择信号是将各发光元件(未图示)的第一电极、第二电极、第三电极及第四电极分别切换为阴极或阳极的信号。

图2的(a)是表示发光元件阵列2的概略构成的图，图2的(b)是表示点亮了发光元件阵列所具备的发光元件时的图。此外，在图2的(a)以及图2的(b)中，仅图示在包括多个发光元件的发光元件阵列2的一部分即有源矩阵基板19上所具备的一个发光元件。

图3的(a)是发光元件阵列2所具备的发光元件的第一电极6C和第二电极6D的俯视图，图3的(b)是发光元件阵列2所具备的发光元件的第三电极6A和第四电极6B的俯视图，图3的(c)是发光元件阵列2所具备的发光元件的俯视图。

发光元件阵列2包括有源矩阵基板19和设置在有源矩阵基板19上的发光元件。此外，虽然未图示，但有源矩阵基板19是包含例如薄膜晶体管元件(TFT元件)作为用于驱动所述发光元件的有源元件的基板。

如图2的(a)所示，设置于有源矩阵基板19上的发光元件包括:发光层16；发光层16的一侧(图中上侧)所具备的上侧电极；以及与发光层16的一侧的相反侧的另一侧(图中下侧)所具备的下侧电极。

所述下侧电极由在其间具有第一间隙的第一电极6C和面积比第一电极6C大的第二电极6D构成，所述上侧电极由在其间具有第二间隙的与第一电极6C和所述第二电极6D相对的第三电极6A、以及与第二电极6D相对并且面积比第三电极6A小的第四电极6B构成。

在所述下侧电极与发光层16之间，具备作为第一电荷输送层的电子输送层(ETL)15和作为第二电荷输送层的空穴输送层(HTL)17，在所述上侧电极与发光层16之间，具备作为与电子输送层(ETL)15相对的第三电荷输送层的空穴输送层(HTL)14和作为与空穴输送层(HTL)17相对的第四电荷输送层的电子输送层(ETL)18。

在本实施方式中，列举具备作为第一电荷输送层的电子输送层(ETL)15、作为第二电荷输送层的空穴输送层(HTL)17、作为第三电荷输送层的空穴输送层(HTL)14、作为第四电荷输送层的电子输送层(ETL)18的情况为例并进行说明，但不限于此，例如，也可以具备作为第一电荷输送层的空穴输送层(HTL)17、作为第二电荷输送层的电子输送层(ETL)15、作为第三电荷输送层的电子输送层(ETL)18、作为第四电荷输送层的空穴输送层(HTL)14。

第一电极6C和第三电极6A重叠的第一区域L1包括电子输送层(ETL)15、发光层16和空穴输送层(HTL)14，第二电极6D和第三电极6A重叠的区域的一部分即第二区域L2包括电子输送层(ETL)15、发光层16和空穴输送层(HTL)14，第二电极6D和第三电极6A重叠的区域的另一部分即第三区域L3包括空穴输送层(HTL)17、发光层16和电子输送层(ETL)18，第二电极6D和第四电极6B重叠的第四区域L4包括空穴输送层(HTL)17、发光层16和电子输送层(ETL)18。

电子输送层(ETL)15及电子输送层(ETL)18是图2的(b)所图示的第一载流子即电子26的输送层，空穴输送层(HTL)14及空穴输送层(HTL)17是图2的(b)所示的第二载流子即空穴25的输送层。

如图2的(a)所示，第二电极6D横跨电子输送层(ETL)15和空穴输送层(HTL)17而形成，并且还横跨空穴输送层(HTL)14和电子输送层(ETL)18而形成。另外，第三电极6A也横跨电子输送层(ETL)15和空穴输送层(HTL)17而形成，并且还横跨空穴输送层(HTL)14和电子输送层(ETL)18而形成。

另外，在本实施方式中，如图3的(a)以及图3的(b)所图示，列举第二电极6D以与第三电极6A相同的面积A形成、第一电极6C以与第四电极6B相同的面积B形成的情况并进行说明，但不限定于此，第二电极6D与第三电极6A的面积、第一电极6C与第四电极6B的面积也可以不同。

另外，在本实施方式中，如图2的(a)所示，列举电子输送层(ETL)15以与空穴输送层(HTL)17相同的面积形成，空穴输送层(HTL)14以与电子输送层(ETL)18相同的面积形成，电子输送层(ETL)15与空穴输送层(ETL)14面积相同，空穴输送层(HTL)17与电子输送层(HTL)18的面积相同的情况为例并进行说明，但并不限定于此。

如上所述，发光元件阵列2所具备的发光元件中，第二电极6D以及第三电极6A横跨电子输送层(ETL)和空穴输送层(HTL)而形成，因此，尽管所述下侧电极以及所述上侧电极分别是被分割为两部分的二分割控制方式，但能够具有四阶段以上的面积点亮模式。

图2的(b)是示出发光元件阵列2所具备的发光元件中的、将第一电极6C作为供给电子26的阴极而驱动、将第二电极6D作为供给空穴25的阳极而驱动、将第三电极6A作为供给空穴25的阳极而驱动、将第四电极6B作为供给电子26的阴极而驱动的情况的图。此时，第二区域L2中，从第二电极6D供给的空穴25被电子输送层(ETL)15阻挡，因此不发光。另外，第三区域L3中，从第三电极6A供给的空穴25被电子输送层(ETL)18阻挡，因此不发光。另一方面，第一区域L1和第四区域L4发光。

如图2的(b)所示，在第一区域L1中，由于相对的第一电极6C和第三电极6A的电位在第三电极6A中较高，因此在发光层16中产生图中下方向的电场，在第四区域L4中，相对的第二电极6D和第四电极6B的电位在第二电极6D中较高，因此在发光层16中产生图中上方向的电场，第一区域L1和第四区域L4发光。另一方面，在第二区域L2中，相对的第二电极6D与第三电极6A的电位相同，因此，发光层16中不会产生电场，不会发光。同样地，在第三区域L3中，由于相对的第二电极6D与第三电极6A的电位相同，因此，发光层16中不会产生电场，不会发光。

在作为下侧电极的第一电极6C和第二电极6D与发光层16之间所具备的第一电荷输送层和在作为上侧电极的第三电极6A和第四电极6B与发光层16之间所具备的第四电荷输送层为第一载流子的输送层，在作为下侧电极的第二电极6D与发光层16之间所具备的第二电荷输送层和在作为上侧电极的第三电极6A与发光层16之间所具备的第三电荷输送层是与上述第一载流子不同的第二载流子的输送层。在本实施方式中，列举第一载流子为电子26，第二载流子为空穴25，在作为下侧电极的第一电极6C和第二电极6D与发光层16之间所具备的第一电荷输送层为电子输送层(ETL)15，在作为下侧电极的第二电极6D和发光层16之间所具备的第二电荷输送层是空穴输送层(HTL)17，在作为上侧电极的第三电极6A与发光层16之间所具备的第三电荷输送层是空穴输送层(HTL)14，在作为上侧电极的第三电极6A以及第四电极6B与发光层16之间所具备的第四电荷输送层是电子输送层(ETL)18的情况为例并进行说明，但不限于此。在第一载流子为空穴25，且第二载流子为电子26的情况下，在图2的(a)和图2的(b)所图示的构成中，空穴输送层(HTL)被替换为电子输送层(ETL)，电子输送层(ETL)被替换为空穴输送层(HTL)。虽省略了图示，具体而言，在作为下侧电极的第一电极6C和第二电极6D与发光层16之间所具备的第一电荷输送层成为空穴输送层(HTL)，在作为下侧电极的第二电极6D与发光层16之间所具备的第二电荷输送层成为电子输送层(ETL)，在作为上侧电极的第三电极6A与发光层16之间所具备的第三电荷输送层成为电子输送层(ETL)，在作为上侧电极的第三电极6A和第四电极6B与发光层16之间所具备的第四电荷输送层成为空穴输送层(HTL)。

在本实施方式中，如图2的(a)以及图2的(b)所图示，列举在第一电极6C与第二电极6D之间形成的第一间隙中形成绝缘体22，在电子输送层(ETL)15与空穴输送层(HTL)17之间形成的第三间隙中形成绝缘体21，在空穴输送层(HTL)14与电子输送层(ETL)18之间形成的第四间隙中形成绝缘体20的情况为例并进行说明，但基于图9和图10且如后所述，并不限定于此。

如图3的(c)所图示，在发光元件阵列2所具备的发光元件中，第一区域L1的面积与第四区域L4的面积相同，第二区域L2的面积与第三区域L3的面积相同。另外，第一区域L1的面积或第四区域L4的面积大于第二区域L2的面积或第三区域L3的面积。

此外，在本实施方式中，由于在整个第一区域L1中，空穴输送层(HTL)14、发光层16和电子输送层(ETL)15重叠，因此第一区域L1的面积成为发光区域的面积。在整个第二区域L2中，由于空穴输送层(HTL)14、发光层16和电子输送层(ETL)15也重叠，因此第二区域L2的面积成为发光区域的面积。在整个第三区域L3中，由于空穴输送层(HTL)17、发光层16和电子输送层(ETL)18也重叠，因此第三区域L3的面积成为发光区域的面积。在整个第四区域L4中，由于空穴输送层(HTL)17、发光层16和电子输送层(ETL)18成为重叠，因此第四区域L4的面积成为发光区域的面积。然而，并不限定于此，可以仅在第一区域L1至第四区域L4的各自的一部分上，空穴输送层(HTL)、发光层16和电子输送层(ETL)重叠。

图4是表示包括基于来自图1所图示的图像定时控制器5的点亮模式选择信号控制的多个开关元件7A～10A、7B～10B的电路的图。

图4所图示的多个开关元件7A～10A、7B～10B基于来自图像定时控制器5的点亮模式选择信号，控制导通/断开。开关元件7A和7B是将第三电极6A与ELVDD供给源11和ELVSS供给源12中的任一方电连接的开关元件。开关元件8A和8B是将第四电极6B与ELVDD供给源11和ELVSS供给源12中的任一方电连接的开关元件。开关元件9A和9B是将第一电极6C与ELVDD供给源11和ELVSS供给源12中的任一方电连接的开关元件。开关元件10A和10B是将第二电极6D与ELVDD供给源11和ELVSS供给源12中的任一方电连接的开关元件。

图4所图示的多个开关元件7A～10A、7B～10B的导通/断开状态是基于将第一电极6C作为供给电子26的阴极而驱动、将第二电极6D作为供给空穴25的阳极而驱动、将第三电极6A作为供给空穴25的阳极而驱动、将第四电极6B作为供给电子26的阴极而驱动的、来自图像定时控制器5的点亮模式选择信号。因此，开关元件7A导通状态下，开关元件7B断开，从ELVDD供给源11向第三电极6A供给有ELVDD，第三电极6A的极性成为+。另外，开关元件8A断开状态下，开关元件8B导通，从ELVSS供给源12向第四电极6B供给有ELVSS，第四电极6B的极性成为-。另外，开关元件9A断开状态下，开关元件9B导通，从ELVSS供给源12向第一电极6C供给有ELVSS，第一电极6C的极性成为-。另外，开关元件10A导通状态下，开关元件10B断开，从ELVDD供给源11向第二电极6D供给有ELVDD，第二电极6D的极性成为+。

图5是表示如图4所示那样控制了多个开关元件7A～10A、7B～10B的情况下的像素电路的图。

如图5所示，在与具有第一电极6C、第二电极6D、第三电极6A和第四电极6B的发光元件对应的一个像素的像素电路中，具备数据线(Data)、扫描线(Scan)、复位线(Reset)和擦除线(Erase)。此外，从图1所示的扫描线驱动器3向扫描线(Scan)供给扫描信号，从图1所示的数据线驱动器4向数据线(Data)供给数据信号。

另外，一个像素的像素电路具有驱动晶体管(TrD)、在驱动晶体管(TrD)的漏极(或源极)与栅极之间连接的开关晶体管(Tr2)、在驱动晶体管(TrD)的栅极与数据线(Data)之间连接的开关晶体管(Tr1)和电容元件(C)的串联电路、以及在开关晶体管(Tr1)与电容元件(C)的连接点从ELVSS供给源12输入ELVSS的开关晶体管(Tr3)。

此处，开关晶体管(Tr2)的栅极与复位线(Reset)连接，开关晶体管(Tr1)的栅极与扫描线(Scan)连接，开关晶体管(Tr3)的栅极与擦除线(Erase)连接。然后，从ELVDD供给源11向驱动晶体管(TrD)的源极(或漏极)供给ELVDD。

在具有第一电极6C、第二电极6D、第三电极6A和第四电极6B的发光元件中，通过图5所图示的像素电路，可以对第二电极6D和第三电极6A施加ELVDD，对第一电极6C和第四电极6B施加ELVSS。

图6的(a)～图6的(e)是表示点亮模式1至5中各自的第一电极6C、第二电极6D、第三电极6A及第四电极6B的极性、点亮部分以及熄灭部分的图。

图1所图示的图像定时控制器5基于输入图像信号的灰度值，输出从图6的(a)～(e)所图示的点亮模式1～5中选择一个的点亮模式选择信号。例如，在输入图像信号的灰度数为8位的情况下，图像定时控制器5也可以在输入图像信号的灰度值为160灰度～256灰度的情况下，输出选择图6的(a)所图示的点亮模式1(8分之6点亮)的点亮模式选择信号，在输入图像信号的灰度值为64灰度～159灰度的情况下，输出选择图6的(b)所图示的点亮模式2(8分之4点亮)的点亮模式选择信号，在输入图像信号的灰度值为32灰度～63灰度的情况下，输出选择图6的(c)所图示的点亮模式3(8分之3点亮)的点亮模式选择信号，在输入图像信号的灰度值为2灰度～31灰度的情况下，输出选择图6的(d)所图示的点亮模式4(8分之1点亮)的点亮模式选择信号，在输入图像信号的灰度值为1灰度的情况下，输出选择图6的(e)所图示的点亮模式5(8分之0点亮)的点亮模式选择信号。

此外，各点亮模式中的各灰度的显示基于经由图5所图示出的数据线(Data)供给的数据信号来进行。

如本实施方式所示，在(第一区域(L1)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝3/8，(第四区域(L4)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝3/8，(第二区域(L2)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝1/8，(第三区域(L3)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝1/8的情况下，当为图6的(a)～图6的(e)所图示的点亮模式1～5时，以下比例的区域点亮。

另外，如果第一区域L1的面积与第四区域L4的面积相同、第三区域L3的面积与第二区域L2的面积相同，则可以适当调整第一区域L1的面积、第二区域L2的面积、第三区域L3的面积以及第四区域L4的面积，这是不言而喻的。

在为图6的(a)所图示的点亮模式1的情况下，(第一区域(L1)的面积+第四区域(L4)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝6/8点亮。在为图6的(b)所图示的点亮模式2的情况下，(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝4/8，或(第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝4/8点亮。在为图6的(c)所图示的点亮模式3的情况下，(第一区域(L1)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝3/8，或(第四区域(L4)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝3/8点亮。在为图6的(d)所图示的点亮模式4的情况下，(第二区域(L2)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝1/8，或(第三区域(L3)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝1/8点亮。在为图6的(e)所图示的点亮模式5的情况下，(0/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝0/8点亮。

如图6的(b)～图6的(d)所示，在点亮模式2～4的情况下，在第一点亮期间和所述第一点亮期间之后的第二点亮期间，由于能够使发光层16的不同区域发光，因此，能够防止发光元件的寿命降低。

另外，例如，如图6的(b)、图6的(d)以及图6的(e)所图示，在第一点亮期间之后的第二点亮期间，对第一电极6C、第二电极6D、第三电极6A以及第四电极6B分别施加与所述第一点亮期间极性相反的电压，即，在进行交流驱动的情况下，能够防止发光元件的寿命降低。

此外，所述第一点亮期间的长度和所述第二点亮期间的长度可以相同，也可以不同。

图7的(a)～图7的(e)是表示图6的(a)～图6的(e)所图示的点亮模式1至5中各自的第一电极6C、第二电极6D、第三电极6A及第四电极6B的极性、第一区域L1至第四区域L4的电场的方向以及点亮/熄灭的图。

在图7的(a)～图7的(e)中，第一电极6C、第二电极6D、第三电极6A以及第四电极6B的极性为+是指：向这些电极供给ELVDD的情况，第一电极6C、第二电极6D、第三电极6A和第四电极6B的极性为-是指：向这些电极供给ELVSS的情况。另外，电场的方向为下方向是指：在发光层16中，在从上侧电极到下侧电极的方向上产生电场的情况，电场的方向为上方向是指：在发光层16中，在从下侧电极到上侧电极的方向上产生电场的情况。无电场方向是指在发光层16中不产生电场的情况。另外，点亮/熄灭为导通是指：第一区域L1、第二区域L2、第三区域L3以及第四区域L4中的相应的区域为点亮的状态，点亮/熄灭为断开是指：第一区域L1、第二区域L2、表示第三区域L3以及第四区域L4中的相应的区域为熄灭的状态。

图8是示出第一实施方式的显示装置1的发光元件阵列2所具备的发光元件中的元件施加电压与发光层电流之间的关系的图。

如图所示，在发光元件中，从低灰度至高灰度，得到稳定的线性的元件施加电压和发光层电流(亮度)的特性，因此能够实现抑制了显示面内的亮度偏差的显示装置1。

在本实施方式中，列举点亮模式的分割数为点亮模式1～5这五个的情况为例并进行了说明，但点亮模式的分割数不限于此。

另外，在本实施方式中，列举以将点亮区域的分割数分割为第一区域L1、第二区域L2、第三区域L3以及第四区域L4这四个区域的情况为例并进行了说明，但并不限定于此。

另外，在本实施方式中，列举第一区域L1的面积与第四区域L4的面积相同、第二区域L2的面积与第三区域L3的面积相同的情况为例并进行了说明，但并不限定于此。

另外，在本实施方式中，列举对图5所示的一个像素的像素电路中的、图中的上侧的数据线(Data)和图中的下侧的数据线(Data)供给同一数据信号的情况为例并进行了说明，但并不限定于此，也可以对图中的上侧的数据线(Data)和图中的下侧的数据线(Data)供给不同的数据信号。

另外，在本实施方式中，列举从图像定时控制器5(电路)输出点亮模式选择信号的情况为例并进行了说明，但并不限于此，例如也可以从数据线驱动器4(电路)输出点亮模式选择信号。

作为空穴输送层(HTL)14和空穴输送层(HTL)17的构成材料，只要是能够使空穴25向发光层16的传输稳定的空穴输送性材料，则不特别限定。其中，空穴输送性材料优选为空穴迁移率高的材料。此外，空穴输送性材料优选为能够防止从阴极移动来的电子穿透的材料(电子阻挡性材料)。由此，这可以提高发光层16中的空穴25和电子26的结合效率。作为用于这样的空穴输送层的材料，可以列举出芳基胺衍生物、蒽衍生物、咔唑衍生物、噻吩衍生物、芴衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、螺环化合物等。此外，用于这样的空穴输送层的材料更优选为聚乙烯基咔唑(PVK)、或聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-co-(4，4’-(N-(4-仲丁基苯基))二苯胺)](TFB)。PVK以及TFB由于提高在发光层16中电子26与空穴25再结合所产生的发光效率，因此起到改善电场发光元件的发光特性的效果。

另外，也可以在空穴输送层(HTL)14的第三电极6A侧以及空穴输送层(HTL)17的第二电极6D侧形成未图示的空穴注入层。作为用于空穴注入层的材料，只要是能够使空穴25向发光层16内的注入稳定化的空穴注入性材料，则没有特别限定。作为空穴注入性材料，例如可列举出芳基胺衍生物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、咔唑衍生物、还有聚苯胺衍生物、聚噻吩衍生物、聚亚苯基亚乙烯基衍生物等导电性高分子等。此外，用于空穴注入层的材料更优选为聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT-PSS)。PEDOT-PSS由于提高在发光层16中电子26与空穴25再结合所产生的发光效率，因此起到改善电场发光元件的发光特性的效果。

作为空穴输送层(HTL)14、空穴输送层(HTL)17以及所述空穴注入层的形成方法，可列举出例如蒸镀法、印刷法、喷墨法、旋涂法、流延法、浸涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、凹版涂布法、柔性版印刷法、喷涂法、光刻法或者自组装法(交替吸附法、自组装单分子膜法)等，但并不限定于此。其中，优选使用蒸镀法、旋涂法、喷墨法或光刻法。

作为电子输送层(ETL)15和电子输送层(ETL)18的构成材料，为了提高发光层16内的空穴25和电子26的再结合效率，电子输送层的材料优选能够防止从阳极移动来的空穴25的穿透，但是在电子输送层中使用氧化锌的情况下，由于发光层16和电子输送层的离子化电位的差，即，从发光层16到电子输送层的空穴传输的屏障相对较大，因此还起到发光层16内的空穴25和电子26的再结合效率提高，并且发光效率提高的效果。

另外，电子输送层(ETL)15的第一电极6C侧或电子输送层(ETL)18的第四电极6B侧也可以形成未图示的电子注入层。作为用于电子注入层的材料，只要是能够使电子26向发光层16内的注入稳定化的电子注入材料，则不特别限定。作为电子注入性材料，例如可列举出:铝、锶、钙、锂、铯、氧化镁、氧化铝、氧化锶、氧化锂、氟化锂、氟化镁、氟化锶、氟化钙、氟化钡、氟化铯、聚甲基丙烯酸甲酯聚苯乙烯磺酸钠等碱金属或碱土金属、碱金属或碱土金属的氧化物、碱金属或碱土金属的氟化物、碱金属的有机络合物等。

作为电子输送层(ETL)15、电子输送层(ETL)18和电子注入层的形成方法，可列举出例如蒸镀法、印刷法、喷墨法、旋涂法、流延法、浸涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、凹版涂布法、柔性版印刷法、喷涂法、光刻法或者自组装法(交替吸附法、自组装单分子膜法)等，但并不限定于此。其中，优选使用蒸镀法、旋涂法、喷墨法或光刻法。

在本实施方式中，使用量子点发光层作为发光层16，但是不限于此。量子点发光层是通过产生空穴25和电子26的再结合而发出光的层。在本实施方式中，作为发光材料，将层叠了一层或多层的量子点(半导体纳米粒子)作为在红色像素中具有红色发光峰值的量子点发光层，在绿色像素中作为具有绿色发光峰值的量子点发光层，在蓝色像素中作为具有蓝色发光峰值的量子点发光层。作为构成量子点发光层的材料，也可以包含从包含例如Cd、S、Te、Se、Zn、In、N、P、As、Sb、Al、Ga、Pb、Si、Ge、Mg以及它们的化合物的组中选择出的一个或多个半导体材料。另外，量子点发光层也可以是二组分核型、三组分核型、四组分核型、核壳型或核多壳型。另外，量子点发光层也可以包括掺杂的纳米粒子，或者也可以具备组成倾斜的结构。作为量子点发光层的厚度，如果厚度是能够提供电子26和空穴25的再结合场来表现发光功能的厚度，则不特别限定，例如可以是1nm～200nm左右。

作为形成作为发光层16的量子点发光层的方法，只要是能够形成电场发光元件所要求的微细的图案的方法，则无特别限定。例如，可列举出蒸镀法、印刷法、喷墨法、旋涂法、流延法、浸涂法、棒涂法、刮刀涂布法、辊涂法、凹版涂布法、柔性版印刷法、喷涂法、光刻法或者自组装法(交替吸附法、自组装单分子膜法)等。其中，优选使用蒸镀法、旋涂法、喷墨法或光刻法。作为蒸镀法，例如，可列举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等，作为真空蒸镀法的具体例，可列举出电阻加热蒸镀法、闪蒸蒸镀法、电弧蒸镀法、激光蒸镀法、高频加热蒸镀法、电子束蒸镀法等。在通过旋涂法、喷墨法等涂布液的涂布来形成发光层16的情况下，作为涂布液的溶剂，只要能够使发光层16的各构成材料溶解或分散，则没有特别限定，例如可列举甲苯、二甲苯、环己酮、环己醇、四氢化萘、均三甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃、二氯乙烷、氯仿等。

第一电极6C、第二电极6D、第三电极6A及第四电极6B必须在横向上并列地配置，并且需要既在电气上又在膜上分离。此外，例如，第三电极6A及第四电极6B优选为透明的，另一方面，作为与光的取出面相反侧的电极的第一电极6C及第二电极6D也可以不是透明的。另外，优选这些电极的电阻小，且一般使用作为导电性材料的金属材料，但也可以使用有机化合物或无机化合物。作为电极材料，为了使容易地注入空穴25以及电子26，可列举出Au、Ta、W、Pt、Ni、Pd、Cr、Cu、Mo、碱金属、碱土金属等金属；这些金属的氧化物；AlLi、AlCa、AlMg等Al合金、MgAg等Mg合金、Ni合金、Cr合金、碱金属的合金、碱土金属的合金等合金；氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟等的无机氧化物；掺杂有金属的聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚亚烷基噻吩衍生物、聚硅烷衍生物等的导电性高分子；α-Si、α-SiC；还有Li、Cs、Ba、Sr、Ca等碱金属类以及碱土类金属类的合金等。由于Al或Al合金作为电极的通用性高且比较廉价，因此起到能够抑制制造成本这样的效果。这些导电性材料可以单独使用，也可以将两种以上组合来使用。在使用两种以上的情况下，可以层叠由各材料构成的层。此外，更优选使用氧化铟锡(ITO)。氧化铟锡(ITO)作为透明电极有被很多显示器采用的实绩，且由于可以转用制造装置，因此起到能够抑制制造成本的效果。

作为第一电极6C、第二电极6D、第三电极6A及第四电极6B的成膜方法，可以使用一般的电极的形成方法，例如可列举真空蒸镀法、溅射法、EB蒸镀法、离子镀法等物理蒸镀(PVD)法、或化学蒸镀(CVD)法等。另外，作为这些电极的图案化方法，只要是能够以高精度形成于期望的图案的方法，则不特别限定，具体而言，可以列举光刻法、喷墨法等。

图9是表示第一实施方式的显示装置中能够具备的另一发光元件阵列2a的概略构成的图。另外，在图9中，仅图示在包括多个发光元件的发光元件阵列2a的一部分即有源矩阵基板19上所具备的一个发光元件。

在图2的(a)所图示的发光元件阵列2所具备的发光元件中，如上所述，在形成于第一电极6C与第二电极6D之间的第一间隙处另外形成绝缘体22，在形成于电子输送层(ETL)15与空穴输送层(HTL)17之间的第三间隙处也另外形成绝缘体21，在形成于空穴输送层(HTL)14和电子输送层(ETL)18之间的第四间隙处也另外形成绝缘体20。

另一方面，在图9所图示的发光元件阵列2a所具备的发光元件中，在其间具有第一间隙的第一电极6C和第二电极6D同时或分别制膜后，形成电子输送层(ETL)15’。也可以由电子输送层(ETL)15’埋入第一电极6C与第二电极6D之间的第一间隙。然后，在将电子输送层(ETL)15’制膜成目标形状后，形成空穴输送层(HTL)17。然后，制成发光层16a，此时，也可以由发光层16a埋入在电子输送层(ETL)15’和空穴输送层(HTL)17之间形成的第三间隙。然后，其间具有第四间隙的空穴输送层(HTL)14和电子输送层(ETL)18同样地在发光层16a上形成为所希望的形状。然后，形成第三电极6A’及第四电极6B，但在形成第三电极6A’时，也可以由第三电极6A’埋入形成于空穴输送层(HTL)14和电子输送层(ETL)18之间的第四间隙。

图10是表示第一实施方式的显示装置中能够具备的另一发光元件阵列2b的概略构成的图。此外，在图10中，仅图示在包括多个发光元件的发光元件阵列2b的一部分即有源矩阵基板19上所具备的一个发光元件。

在图10所示的发光元件阵列2b所具备的发光元件中，在其间具有第一间隙的第一电极6C和第二电极6D同时或分别制膜后，形成电子输送层(ETL)15a、15b。但是，以形成与所述第一间隙对应的间隙、即与所述第一间隙相接的间隙的方式，将电子输送层(ETL)15a和电子输送层(ETL)15b分离地形成。并且，在与所述第一间隙对应的间隙、即与所述第一间隙相接的间隙和所述第一间隙处形成绝缘体23。

另外，以形成与在第三电极(6A)与第四电极(6B)之间形成的第二间隙对应的间隙、即与上述第二间隙相接的间隙的方式，将电子输送层(ETL)(18a)与电子输送层(ETL)(18b)分离地形成。然后，在与所述第二间隙对应的间隙、即与所述第二间隙相接的间隙和所述第二间隙处形成绝缘体24。

由于是如上所述的结构，因此，当第一电极6C与第二电极6D的极性为相反极性时、第三电极6A与第四电极6B的极性为反极性时，能够通过绝缘体23、24隔断从横向方向上的+极性向-极性方向的电场，因此，能够抑制由横向电场的紊乱引起的第一区域L1至第四区域L4的边界紊乱，从而能够将各区域的发光状态有效地用于周围的极限。

〔第二实施方式〕

以下，基于图11至图16说明本发明的第二实施方式。在本实施方式的发光元件阵列32、52所具备的发光元件中，在第一区域L1的面积与第四区域L4的面积不同的方面，与第一实施方式不同，其他已在第一实施方式中进行了说明。为了便于说明，对于具有与第一实施方式的附图所示的部件相同功能的构件，标注相同的附图标记，并省略其说明。

图11是表示发光元件阵列32的概略构成的图。此外，在图11中，仅图示在包括多个发光元件的发光元件阵列32的一部分即有源矩阵基板19上所具备的一个发光元件。

图12的(a)是发光元件阵列32的俯视图，图12的(b)是图示了第一区域L1至第四区域L4的发光元件阵列32的俯视图。

如图11所图示，第二电极36D横跨电子输送层(ETL)15和空穴输送层(HTL)17而形成，并且还横跨空穴输送层(HTL)14和电子输送层(ETL)18而形成。另外，第三电极36A也横跨电子输送层(ETL)15和空穴输送层(HTL)17而形成，并且还横跨空穴输送层(HTL)14和电子输送层(ETL)18而形成。

另外，如图11、图12的(a)以及图12的(b)所图示，第二电极36D的面积比第一电极36C的面积大，第三电极36A的面积比第四电极36B的面积大。并且，第二电极36D的面积与第一电极36C的面积的差小于第三电极36A的面积与第四电极36B的面积的差。

另外，在本实施方式中，如图11、图12的(a)以及图12的(b)所图示，列举电子输送层(ETL)15以与空穴输送层(HTL)17相同的面积形成，空穴输送层(HTL)14以与电子输送层(ETL)18相同的面积形成，电子输送层(ETL)15与空穴输送层(ETL)14面积相同，空穴输送层(HTL)17与电子输送层(HTL)18的面积相同的情况为例并进行说明，但并不限定于此。另外，在发光元件阵列32所具备的发光元件中，第一区域L1的面积大于第四区域L4的面积，第四区域L4的面积大于第三区域L3的面积，第三区域L3的面积大于第二区域L2的面积。

在本实施方式中，如图11所图示，列举在第一电极36C与第二电极36D之间形成的第一间隙中形成绝缘体29，在电子输送层(ETL)15与空穴输送层(HTL)17之间形成的第三间隙中形成绝缘体31，在空穴输送层(HTL)14与电子输送层(ETL)18之间形成的第四间隙中形成绝缘体30的情况为例并进行说明，但基于图9和图10且如上所述，并不限定于此。

图13的(a)～图13的(g)是表示点亮模式1至7中各自的第一电极36C、第二电极36D、第三电极36A及第四电极36B的极性、点亮部分以及熄灭部分的图。

图1所图示的图像定时控制器5基于输入图像信号的灰度值，输出从图13的(a)～图13的(g)所图示的点亮模式1～7中选择一个的点亮模式选择信号。例如，在输入图像信号的灰度数为8位的情况下，图像定时控制器5也可以在输入图像信号的灰度值为168灰度～256灰度的情况下，输出选择图13的(a)所图示的点亮模式1(16分之13点亮)的点亮模式选择信号，在输入图像信号的灰度值为128灰度～167灰度的情况下，输出选择图13的(b)所图示的点亮模式2(16分之8点亮)的点亮模式选择信号，在输入图像信号的灰度值为96灰度～127灰度的情况下，输出选择图13的(c)所图示的点亮模式3(16分之7点亮)的点亮模式选择信号，在输入图像信号的灰度值为32灰度～95灰度的情况下，输出选择图13的(d)所图示的点亮模式4(16分之6点亮)的点亮模式选择信号，在输入图像信号的灰度值为16～31灰度的情况下，输出选择图13的(e)所图示的点亮模式5(16分之2点亮)的点亮模式选择信号，在输入图像信号的灰度值为2～15灰度的情况下，输出选择图13的(f)所图示的点亮模式6(16分之1点亮)的点亮模式选择信号，在输入图像信号的灰度值为1灰度的情况下，输出选择图13的(g)所图示的点亮模式7(16分之0点亮)的点亮模式选择信号。

如本实施方式所示，在(第一区域(L1)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝7/16，(第四区域(L4)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝6/16，(第二区域(L2)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝1/16，(第三区域(L3)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝2/16的情况下，当为图13的(a)～图13的(g)所图示的点亮模式1～7时，以下比例的区域点亮。

在为图13的(a)所图示的点亮模式1的情况下，(第一区域(L1)的面积+第四区域(L4)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝13/16点亮。在为图13的(b)所图示的点亮模式2的情况下，(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝8/16，或(第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝8/16点亮。在为图13的(c)所图示的点亮模式3的情况下，(第一区域(L1)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝7/16点亮。在为图13的(d)所图示的点亮模式4的情况下，(第四区域(L4)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝6/16点亮。在为图13的(e)所图示的点亮模式5的情况下，(第三区域(L3)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝2/16点亮。在为图13的(f)所图示的点亮模式6的情况下，(第二区域(L2)的面积)/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝1/16点亮。在为图13的(g)所图示的点亮模式7的情况下，(0/(第一区域(L1)的面积+第二区域(L2)的面积+第三区域(L3)的面积+第四区域(L4)的面积)＝0/16点亮。

如图13的(b)所图示，在点亮模式2的情况下，在第一点亮期间和所述第一点亮期间之后的第二点亮期间，由于能够使发光层16的不同区域发光，因此，能够防止发光元件的寿命降低。

另外，例如，如图13的(b)以及图13的(g)所图示，在第一点亮期间之后的第二点亮期间，对第一电极36C、第二电极36D、第三电极36A以及第四电极36B分别施加与所述第一点亮期间极性相反的电压，即，在进行交流驱动的情况下，能够防止发光元件的寿命降低。

此外，所述第一点亮期间的长度和所述第二点亮期间的长度可以相同，也可以不同。

图14的(a)～图14的(g)是表示图12的(a)～图12的(g)所图示的点亮模式1至7中各自的第一电极36C、第二电极36D、第三电极36A及第四电极36B的极性、第一区域L1至第四区域L4的电场的方向以及点亮/熄灭的图。

在图14的(a)～图14的(g)中，第一电极36C、第二电极36D、第三电极36A及第四电极36B的极性为+是指：向这些电极供给ELVDD的情况，第一电极36C、第二电极36D、第三电极36A和第四电极36B的极性为-是指：向这些电极供给ELVSS的情况。另外，电场的方向为下方向是指：在发光层16中，在从上侧电极到下侧电极的方向上产生电场的情况，电场的方向为上方向是指：在发光层16中，在从下侧电极到上侧电极的方向上产生电场的情况。无电场方向是指在发光层16中不产生电场的情况。另外，点亮/熄灭为导通是指：第一区域L1、第二区域L2、第三区域L3以及第四区域L4中的相应的区域为点亮的状态，点亮/熄灭为断开是指：第一区域L1、第二区域L2、表示第三区域L3以及第四区域L4中的相应的区域为熄灭的状态。

图15是示出发光元件阵列32所具备的发光元件中的元件施加电压与发光层电流之间的关系的图。

如图所示，在发光元件中，从低灰度至高灰度，得到稳定的线性的元件施加电压和发光层电流(亮度)的特性，因此能够实现抑制了显示面内的亮度偏差的显示装置。

如上所述，在发光元件阵列32所具备的发光元件中，在第一区域L1的面积、第二区域L2的面积、第三区域L3的面积以及第四区域L4的面积分别不同的情况下，列举了第一区域L1的面积大于第四区域L4的面积的情况为例并进行了说明，但并不限于此，如后所述，第四区域L4的面积也可以大于第一区域L1的面积。

图16的(a)是发光元件阵列的俯视图，其图示了作为第二实施方式的显示装置能够具备的变形例的发光元件阵列52的第一区域L1至第四区域L4，图16的(b)是表示作为第二实施方式的显示装置能够具备的变形例的发光元件阵列52的概略构成的图。此外，在图16的(b)中，仅图示在包括多个发光元件的发光元件阵列52的一部分即有源矩阵基板19上所具备的一个发光元件。

如图16的(a)所示，第四区域L4的面积大于第一区域L1的面积，第一区域L1的面积大于第三区域L3的面积，第三区域L3的面积大于第二区域L2的面积。

如图16的(b)所图示，第二电极46D横跨电子输送层(ETL)15和空穴输送层(HTL)17而形成，并且还横跨空穴输送层(HTL)14和电子输送层(ETL)18而形成。另外，第三电极46A也横跨电子输送层(ETL)15和空穴输送层(HTL)17而形成，并且还横跨空穴输送层(HTL)14和电子输送层(ETL)18而形成。第二电极46D的面积大于第一电极46C的面积，第三电极46A的面积大于第四电极46B的面积。并且，第二电极46D的面积与第一电极46C的面积之差大于第三电极46A的面积与第四电极46B的面积之差。

另外，在本实施方式中，如图16的(b)所示，列举电子输送层(ETL)15以与空穴输送层(HTL)14相同的面积形成，空穴输送层(HTL)17以与电子输送层(ETL)18相同的面积形成，电子输送层(ETL)15以比空穴输送层(ETL)17小的面积形成，空穴输送层(HTL)14以比电子输送层(HTL)18小的面积形成的情况为例并进行说明，但并不限定于此。

在本实施方式中，如图16所图示，列举在第一电极46C与第二电极46D之间形成的第一间隙中形成绝缘体43，在电子输送层(ETL)15与空穴输送层(HTL)17之间形成的第三间隙中形成绝缘体42，在空穴输送层(HTL)14与电子输送层(ETL)18之间形成的第四间隙中形成绝缘体41，在第三电极46A与第四电极46B之间形成的第二间隙中形成绝缘体40的情况为例并进行说明，但并不限定于此。

此外，形成于第一电极46C与第二电极46D之间的第一间隙成为非发光区域S1，形成于电子输送层(ETL)15与空穴输送层(HTL)17之间的第三间隙以及形成于空穴输送层(HTL)14与电子输送层(ETL)18之间的第四间隙成为非发光区域S2，形成于第三电极46A与第四电极46B之间的第二间隙成为非发光区域S3。

〔总结〕

〔方式1〕

一种发光元件，其包括发光层、在所述发光层的一侧所具备的上侧电极以及在所述发光层的一侧相反侧的另一层所具备的下侧电极，

所述下侧电极由在其间具有第一间隙的第一电极和面积比所述第一电极大的第二电极构成，

所述上侧电极由在其间具有第二间隙的第三电极以及第四电极构成，所述第三电极与所述第一电极和所述第二电极相对，所述第四电极与所述第二电极相对且面积比所述第三电极小，

在所述下侧电极与所述发光层之间，具备第一电荷输送层和第二电荷输送层，

在所述上侧电极与所述发光层之间，具备与所述第一电荷输送层相对的第三电荷输送层以及与所述第二电荷输送层相对的第四电荷输送层，

所述第一电极与所述第三电极重叠的第一区域包括所述第一电荷输送层、所述发光层和所述第三电荷输送层，

所述第二电极与所述第三电极重叠的区域的一部分即第二区域包括所述第一电荷输送层、所述发光层和所述第三电荷输送层，

所述第二电极与所述第三电极重叠的区域的另一部分即第三区域包括所述第二电荷输送层、所述发光层和所述第四电荷输送层，

所述第二电极和所述第四电极重叠的第四区域包括所述第二电荷输送层、所述发光层和所述第四电荷输送层，

所述第一电荷输送层及所述第四电荷输送层是第一载流子的输送层，

所述第二电荷输送层及所述第三电荷输送层是与所述第一载流子不同的第二载流子的输送层。

〔方式2〕

根据方式1所述的发光元件，

所述第一载流子为空穴，

所述第二载流子为电子，

所述第一电荷输送层及所述第四电荷输送层为空穴输送层，

所述第二电荷输送层及所述第三电荷输送层为电子输送层。

〔方式3〕

根据方式1所述的发光元件，

所述第一载流子为电子，

所述第二载流子为空穴，

所述第一电荷输送层及所述第四电荷输送层为电子输送层，

所述第二电荷输送层及所述第三电荷输送层为空穴输送层。

〔方式4〕

根据方式1至3中任一个所述的发光元件，

在所述第一区域中，所述第一电荷输送层、所述发光层和所述第三电荷输送层重叠而成为发光区域的面积与

在所述第四区域中，所述第二电荷输送层、所述发光层和所述第四电荷输送层重叠而成为发光区域的面积相等。

〔方式5〕

根据方式1至4中任一个所述的发光元件，

在所述第二区域中，所述第一电荷输送层、所述发光层和所述第三电荷输送层重叠而成为发光区域的面积与

在所述第三区域中，所述第二电荷输送层、所述发光层和所述第四电荷输送层重叠而成为发光区域的面积相等。

〔方式6〕

根据方式4或5所述的发光元件，

成为所述第一区域中的发光区域的面积或者成为所述第四区域中的发光区域的面积，大于成为所述第二区域中的发光区域的面积或者成为所述第三区域中的发光区域的面积。

〔方式7〕

根据方式1至3中任一个所述的发光元件，

在所述第一区域中，所述第一电荷输送层、所述发光层和所述第三电荷输送层重叠而成为发光区域的面积，

大于在所述第四区域中，所述第二电荷输送层、所述发光层和所述第四电荷输送层重叠而成为发光区域的面积。

〔方式8〕

根据方式1至3中任一个所述的发光元件，

在所述第一区域中，所述第一电荷输送层、所述发光层和所述第三电荷输送层重叠而成为发光区域的面积，

小于在所述第四区域中，所述第二电荷输送层、所述发光层和所述第四电荷输送层重叠而成为发光区域的面积。

〔方式9〕

根据方式1至8中任一个所述的发光元件，

在所述第一电极与所述第二电极之间的所述第一间隙形成有与所述第一电荷输送层相同的材料。

〔方式10〕

根据方式1至8中任一个所述的发光元件，

在所述第一电极与所述第二电极之间的所述第一间隙处形成有绝缘体。

〔方式11〕

根据方式10所述的发光元件，

在所述第一电极与所述第二电极之间的所述第一间隙和所述第一电荷输送层中与所述第一间隙相接的间隙处形成有绝缘体。

〔方式12〕

根据方式1至11中任一个所述的发光元件，

在所述第一电荷输送层和所述第二电荷输送层之间形成有第三间隙，

在所述第三间隙中形成有与所述发光层相同的材料。

〔方式13〕

根据方式1至11中任一个所述的发光元件，

在所述第一电荷输送层和所述第二电荷输送层之间形成有第三间隙，

在所述第三间隙中形成有绝缘体。

〔方式14〕

根据方式1至13中任一个所述的发光元件，

在所述第三电荷输送层和所述第四电荷输送层之间形成有第四间隙，

在所述第四间隙中形成有与所述第三电极相同的材料。

〔方式15〕

根据方式1至13中任一个所述的发光元件，

在所述第三电荷输送层和所述第四电荷输送层之间形成有第四间隙，

在所述第四间隙中形成有绝缘体。

〔方式16〕

根据方式1至15中任一个所述的发光元件，

在所述第三电极与所述第四电极之间的所述第二间隙处形成有绝缘体。

〔方式17〕

根据方式16所述的发光元件，

在所述第三电极与所述第四电极之间的所述第二间隙和所述第四电荷输送层中与所述第二间隙相接的间隙处形成有绝缘体。

〔方式18〕

一种显示装置，其包括：

在有源矩阵基板上设置有所述方式1至17中任一项所述的发光元件的发光元件阵列；以及

基于输入图像信号的灰度，输出将所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极以及所述第四电极分别切换为阴极或阳极的信号的电路。

〔方式19〕

根据方式18所述的显示装置，

所述电路在第一点亮期间输出将所述第一电极和所述第四电极作为阴极、将所述第二电极和第三电极作为阳极的信号。

〔方式20〕

根据方式18所述的显示装置，

所述电路在第一点亮期间输出将所述第一电极和所述第二电极作为阴极、将所述第三电极和第四电极作为阳极的信号。

〔方式21〕

根据方式18所述的显示装置，

所述电路在第一点亮期间输出将所述第一电极作为阴极、将所述第二电极和所述第三电极和所述第四电极作为阳极的信号。

〔方式22〕

根据方式20所述的显示装置，

所述电路在第二点亮期间输出将所述第一电极和所述第二电极作为阳极、将所述第三电极和第四电极作为阴极的信号。

〔方式23〕

根据方式22所述的显示装置，

所述第一点亮期间的长度与所述第二点亮期间的长度相同。

〔附记事项〕

本发明不限于上述各实施方式，能在权利要求所示的范围中进行各种变更，将不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。而且，能够通过组合各实施方式分别公开的技术方法来形成新的技术特征。

产业上的实用性

本发明能够用于发光元件以及显示装置。

附图标记说明

1 显示装置

2、2a、2b 发光元件阵列

3 扫描线驱动器

4 数据线驱动器

5 图像定时控制器(电路)

6A、6A’ 第三电极

6B 第四电极

6C 第一电极

6D 第二电极

7A～10A 开关元件

7B～10B 开关元件

11 ELVDD供给源

12 ELVSS供给源

14 空穴输送层(第三电荷输送层)

15、15’、15a、15b 电子输送层(第一电荷输送层)

16、16a 发光层

17 空穴输送层(第二电荷输送层)

18、18a、18b 电子输送层(第四电荷输送层)

19 有源矩阵基板

20～24 绝缘体

25 空穴

26 电子

29～31 绝缘体

32、52 发光元件阵列

36A、46A 第三电极

36B、46B 第四电极

36C、46C 第一电极

36D、46D 第二电极

40～43 绝缘体

L1 第一区域

L2 第二区域

L3 第三区域

L4 第四区域

S1、S2、S3 非发光区域