具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

透镜加热(Lens Heating，LH)效应是透镜在曝光过程吸收热量后升温，从而导致光刻得到的图像参数发生变化的现象。在半导体生产过程中，通过将激光光束经光掩膜投射至透镜，再通过透镜投射至晶圆(wafer)，可以完成半导体生产过程中的光刻。然而，光刻过程所采用的光掩膜与特定的照明模式会导致透镜中某些部分吸收的热量大于其他部分，即产生透镜加热效应。可以理解，随着透镜使用时间增长，透镜加热效应更为明显，从而进一步影响曝光后形成的图像参数。

因此，在半导体领域，机台中每个产品批次(Lot)前后的曝光能量会影响该产品批次的良品率。例如，当半导体生产线上的机台(光罩位于机台内部)采用能量差较大的高曝光能量和低曝光能量先后对相邻两个待曝光产品批次进行曝光，或者采用高曝光能量连续对多个待曝光产品批次进行曝光时，会影响产品批次的质量，导致该产品批次良品率降低。

请参见图1，针对上述问题，本申请提供一种半导体工艺生产线派货方法。半导体工艺生产线派货方法包括：

步骤S110，获取机台待曝光产品批次的套刻误差基准曲线；

步骤S120，根据套刻误差基准曲线，设定套刻误差范围；

步骤S130，获取待曝光产品批次曝光后的套刻误差；

步骤S140，判断套刻误差是否落入套刻误差范围内；

步骤S150，若套刻误差落入套刻误差范围内，则对机台进行预冷却处理。

本申请提供的半导体工艺生产线派货方法，可以获取机台中待曝光产品批次的套刻误差基准曲线，并根据套刻误差基准曲线设定套刻误差范围。在曝光完成后，可以获取待曝光产品批次的套刻误差，并判断套刻误差是否落入套刻误差范围内。若待曝光产品批次的套刻误差未落入套刻误差范围内，则说明机台加工的相邻两个产品批次的曝光能量差值位于可以接收范围内，不会影响半导体产品的良品率，故可以采用该机台继续对其他已预约的待曝光产品批次进行曝光处理。若待曝光产品批次的套刻误差落入套刻误差范围内，则说明机台加工的相邻两个产品批次的曝光能量差值较大。例如，前一产品批次的曝光能量远高于与其相邻的后一产品批次的曝光能量，此时需要对机台进行预冷却处理，以使套刻误差位于可以接收的范围内，保证半导体产品的良品率。

请一并参见图2，在其中一个实施例中，步骤S110中，RTD系统可以获取每个机台上待曝光产品批次的套刻误差基准曲线。在其中一个实施例中，套刻误差基准曲线可以为三阶变形套刻误差(3rd order distortion，D3)基准曲线。其中，D3中的3阶为套刻误差随着与中心点之间的距离的增加呈现三次方(或三阶)变化。可以理解，由于在机台对待曝光产品批次进行曝光处理前，RTD系统会对待曝光产品批次或每个工艺的最佳生产条件(Process window)进行确认，故可以在对待曝光产品批次进行曝光处理前得到其采用工艺的最佳曝光能量以及三阶变形套刻误差的基准曲线。

在其中一个实施例中，根据套刻误差基准曲线，设定套刻误差范围包括：

步骤S121，根据三阶变形套刻误差基准曲线中三阶变形套刻误差的爬升速度以及饱和高度设置套刻误差阈值。

步骤S122，根据套刻误差阈值设置套刻误差范围，其中套刻误差范围的最大值小于套刻误差阈值。

在其中一个实施例中，步骤S121中，由于曝光能量的高低会影响D3的爬升速度与饱合时所达到的高度，故根据机台加工的半导体产品或半导体加工经验可以得知D3大于某个值时可能会对后续产品批次的曝光产生影响，即可以据此设定套刻误差阈值。

在其中一个实施例中，步骤S122中，由于需要在D3达到套刻误差阈值之前就对机台进行预冷却处理，故可以根据套刻误差阈值设定一个套刻误差范围。需要说明的是，套刻误差范围的最大值小于套刻误差阈值。若当前产品批次的套刻误差落入套刻误差范围中，即说明机台当前曝光能量过高，可能会对后续产品批次的良品率产生影响。因此，在当前产品批次的套刻误差未达到套刻误差阈值，且位于套刻误差范围内时，就可以通过RTD系统对机台进行预冷却处理，以减弱透镜加热效应，保证后续产品批次的良品率。可以理解，由于套刻误差范围的最大值小于套刻误差阈值，故套刻误差范围的设置可以避免因套刻误差阈值准确度不足导致后续产品批次良品率降低的问题，从而可以最大限度保证后续产品批次的良品率。

在其中一个实施例中，对机台进行预冷却处理，包括：

步骤S151，控制机台在曝光下一产品批次之前曝光调试产品批次或等待预设时间。本实施例中，通过将调试产品批次送入机台进行曝光处理或令机台等待预设时间后再对后一产品批次进行曝光处理，可以降低机台加工的相邻两个产品批次的曝光能量差，减弱透镜加热效应，从而使套刻误差位于可以接受的范围内，保证半导体产品的良品率。

在其中一个实施例中，步骤S151中，当机台对高曝光能量产品批次进行曝光处理后，可以在对随后的低曝光能量产品批次进行曝光之前，先对调试产品批次进行曝光处理，其中调试产品批次是指不受高曝光能量转换至低曝光能量影响的工艺及非产品的挡控片。可以理解，也可以在机台对高曝光能量工艺层通过晶圆进行曝光处理后，在对随后的低曝光能量工艺层进行曝光处理之前先对调试层通过挡控片进行曝光处理。

在其中一个实施例中，调试产品批次不能与前面的高曝光能量产品批次以及后面的低曝光能量产品批次相同，其可以选择曝光能量位于高曝光能量产品批次和低曝光能量产品批次之间的调试产品批次进行曝光调试。例如，若前一产品批次的高曝光能量为100，后一产品批次的低曝光能量为40，则可以选择曝光能量位于40-100的中间范围，如60-70，的曝光能量对调试产品批次进行曝光处理。本实施例中，机台对调试产品批次进行曝光处理后，再对低曝光能量40的产品批次进行曝光，不会出现过于悬殊的曝光能量差值，可以减弱透镜加热效应，保证低曝光能量40产品批次的良品率。

在其中一个实施例中，步骤S151中，当机台对高曝光能量产品批次进行曝光处理后，可以在对随后的低曝光能量产品批次进行曝光之前，先令机台等待预设时间。可以理解，在预设时间内，机台中的透镜可以进行冷却，可以在一定程度上减弱透镜加热效应，保证后续低曝光能量产品批次的良品率。其中，预设时间可以根据实际需要进行设置。在其中一个实施例中，预设时间可以为但不仅限于相邻两个产品批次之间操作时间间隔(OPStarttime gap)的两倍。需要说明的是，后续的低曝光能量产品批次只能在调试产品批次开始进行曝光处理后才可以开始，若调试产品批次的曝光处理过程取消，则后续低曝光能量产品批次的曝光处理过程也需要取消。

在其中一个实施例中，在控制机台曝光调试产品批次之前，还包括：

步骤S051，获取前一产品批次的第一曝光能量和待曝光产品批次的第二曝光能量，其中前一产品批次为与待曝光产品批次相邻的已曝光产品批次；

步骤S052，根据第一曝光能量和第二曝光能量确定调试产品批次的第三曝光能量，第三曝光能量在第一曝光能量和第二曝光能量之间。

在其中一个实施例中，调试产品批次的作用是为了降低前一产品批次的第一曝光能量和待曝光产品批次的第二曝光能量之间的跨度。因此，通过调试产品批次的第三曝光能量的大小需要位于第一曝光能量与第二曝光能量之间，以降低曝光前一产品批次到待曝光产品批次的曝光能量之间的跨度。

在其中一个实施例中，在根据第一曝光能量和第二曝光确定调试产品批次之后，还包括：

步骤S0521，根据前一产品批次的第一曝光能量与待曝光产品批次的第二曝光能量之间的差值，设定调试产品批次中的晶圆数量。其中前一产品批次为与待曝光产品批次相邻的已曝光产品批次。可以理解，若调试产品批次中的晶圆数量过少，会导致机台中透镜冷却效果不明显。本实施例中，根据前一产品批次的第一曝光能量与待曝光产品批次的第二曝光能量之间的差值设定调试产品批次中的晶圆数量，可以保证调试产品批次曝光处理后的透镜冷却效果可以满足后续待曝光产品批次的要求，从而保证后续待曝光产品批次的良品率。

在半导体技术领域，recipe为半导体自动化生产过程中工艺加工的多个步骤、各步骤的各种工艺参数值以及各步骤的持续时间。由于同一机台多次重复执行同一recipe会导致曝光能量持续较高，从而影响该机台加工的产品批次的质量以及良品率。因此，在其中一个实施例中，在获取待曝光产品批次曝光后的套刻误差之前，还包括：

步骤S011，判断机台连续曝光的高曝光能量产品批次的晶圆数量是否超过预设晶圆数量，其中高曝光能量产品批次为曝光能量大于预设曝光能量的曝光产品批次。

步骤S012，若高曝光能量产品批次的晶圆数量大于预设晶圆数量，则对机台进行冷却处理。在其中一个实施例中，对机台进行冷却处理，包括：调整待曝光产品批次的顺序。

在其中一个实施例中，步骤S011中，可以预先设定区分高曝光能量和低曝光能量之间的阈值，即定义高曝光能量产品批次为曝光能量大于预设曝光能量的产品批次。本实施例中，RTD系统可以对已曝光的产品批次的曝光能量进行记录，并判断高曝光能量产品批次的晶圆数量是否大于预设晶圆数量，以判断机台是否满足高曝光能量持续生产的条件。其中，预设晶圆数量可以根据实际需要进行设定。

在其中一个实施例中，步骤S012中，当高曝光能量产品批次的晶圆数量大于预设晶圆数量，即机台已经满足高曝光能量持续生产的条件。此时继续控制机台加工后续待曝光产品批次会影响产品批次的质量，导致后续待曝光产品批次的良品率降低，故需要对机台进行冷却处理。在其中一个实施例中，可以通过调整待曝光产品批次的顺序，即通过RTD系统向机台分配曝光能量较低的产品批次，从而减弱机台连续进行高曝光能量生产导致的透镜加热效应。

在其中一个实施例中，对机台进行冷却处理，以调整待曝光产品批次的顺序之前，还包括：

步骤S013，判断机台是否预约有待曝光产品批次。

步骤S014，若机台预约有待曝光产品批次，则调整待曝光产品批次。

在其中一个实施例中，步骤S013中，可以首先判断机台是否预约有待曝光产品批次。根据机台已预约的待曝光产品批次，RTD系统可以采用不同的方法对机台进行冷却处理。

在其中一个实施例中，步骤S014中，调整待曝光产品批次包括：

步骤S0141，获取待曝光产品批次的前一产品批次的第一批次编号和待曝光产品批次的后一产品批次的第二批次编号。

步骤S0142，将第三批次编号的备选产品批次与待曝光产品批次的曝光顺序进行调换，所述第三批次编号不同于所述第一批次编号和所述第二批次编号。

在其中一个实施例中，为了防止持续曝光具有同一曝光能量的产品批次，可以在待曝光产品批次曝光的晶圆数量超过预设晶圆数量时，将待曝光产品批次更换成具有其他曝光能量的备选批次。因此，备选产品批次的第三批次编号可以不同于第一批次编号和第二批次编号。

在其中一个实施例中，若机台预约有待曝光产品批次，则可以通过RTD系统控制机台优先对低曝光能量产品批次进行曝光处理，以避免机台连续加工的高曝光能量产品批次导致的良品率降低的问题。若机台已预约的待曝光产品批次中无低曝光能量的产品批次，可以通过RTD系统向机台派货，以保证机台已预约的待曝光产品批次中存在低曝光能量的产品批次。或者，机台已预约的待曝光产品批次中无低曝光能量的产品批次时，也可以按照机台未预约待曝光产品批次进行处理，即可以根据实际需要令机台等待预设时间。

请一并参见图3，在其中一个实施例中，在控制机台等待预设时间之前，还包括：

步骤S053，根据机台的透镜加热和透镜冷却曲线设定机台所需等待的预设时间。本实施例中，可以根据机台的透镜加热和透镜冷却曲线设定机台所需等待的预设时间，具体的预设时间可以根据实际需要进行设定。可以理解，由于每个产品批次的生产时间约为20分钟，当令机台所需等待的预设时间超过但不仅限于1小时时，则可以保证后续产品批次或工艺均可以正常生产。因此，在其中一个实施例中，机台所需等待的预设时间可以大于1小时。

请一并参见图4，在其中一个实施例中，RTD系统中内置的算法可以通过设定机台的预冷却规则和冷却规则来调整不同产品批次的的生产序号(Batch ID)。根据上述实施例对机台进行预冷却处理和冷却处理的实施例可知，预冷却规则和冷却规则可以对应不同的透镜加热设定，可以用于对预约该机台的待曝光产品批次进行筛选，从而保证进入机台的待曝光产品批次均可以通过预冷却处理以及冷却处理保证良品率。本实施例中，在产品批次进行预约前，RTD系统可以判断该产品批次的工艺参数是否满足其想要预约的机台对应的预冷却规则和冷却规则。若产品批次的工艺参数不满足其想要预约的机台对应的预冷却规则和冷却规则，即无论对该机台进行预冷却处理还是冷却处理，均不能保证在对该产品批次曝光后的良品率，则RTD系统不会给予该生产批次在该机台中的生产序号。例如图4所示，其中批次2、批次4以批次7由于不满足机台的预冷却规则和冷却规则，RTD系统没有给予这三个批次在该机台中的生产序号。

请一并参见图5，在其中一个实施例中，RTD系统的软件控制界面可以包括多个模块以及保存和取消按钮。

第一模块为激活标志模块(Active flag)，可以通过打勾进行选中，其可以包括机台组(EQP group)、机台号(EQP ID)、规则组(Rule group)、规则号(Rule ID)以及备注(Description)。机台组可以为下拉菜单，可以对机台号进行选择，可以同时选择多个机台号或全部机台号。当选择全部机台号时，全部机台组成一个同步组。规则组也可以为下拉菜单，可以选择机台的预冷却规则或冷却规则。规则号可以人工输入，但同一机台组的规则号不可以重复，即同一时刻只能采用唯一派货规则。备注可以人工输入，最大字节可以小于128比特。

第二模块为已生产的产品批次模块，其可以包括已生产产品批次表单(Pre-LayerList)、最大晶圆数量(Max wfr cnt)以及当前晶圆数量(Current wfr cnt)。按下已生产的产品批次表单的按钮后可以跳出recipe名称，可以通过搜索或手动输入已生产的产品批次进行查询，其中搜索可以支撑双星号以及除xxx之外模糊对比。由于满足冷却规则的产品批次是指连续高曝光能量时会发生异常的产品批次，而满足预冷却规则的产品批次是指高低曝光能量交换时会发生异常的产品批次，故部分位于冷却规则内的产品也有可能包含在预冷却规则中。因此，当规则组中选择冷却规则时，可以通过人工输入最大晶圆数量，当规则组选择预冷却规则时，最大晶圆数量不可输入。当前晶圆数量可以显示此设备组中操作的晶圆数量，可以人工进行修改。

第三模块为调试产品批次模块，其可以包括最小晶圆数量(Min wfr cnt)、调试产品批次时长(Mix time)、当前晶圆数量(Current wfr cnt)以及最后待加工的产品批次操作时间(Last pre-layer OP time)。其中，最少晶圆数量可以人工输入，调试产品批次时长为在相邻两个产品批次之间插入调试产品批次的时间，单位可以为分钟。当前晶圆数量可以显示此设备组中操作的晶圆数量，可以人工进行修改。最后待加工的产品批次操作时间可以显示最后一批待加工产品批次的操作时间，默认为当下时间，可以进行人工修改。

第四模块为待生产的产品批次模块，其可以包括待生产产品批次表单(Post-Layer List)。按下待生产产品批次表单按钮后可以跳出recipe名称，可以通过搜索或手动输入已生产的产品批次进行查询，其中搜索可以支撑双星号以及除xxx之外模糊对比。

基于同一发明构思，本申请还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现上述实施例中任一项所述方法的步骤。

基于同一发明构思，本申请还提供一种半导体设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述实施例中任一项所述方法的步骤。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。