具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。此外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

量子点发光二极管(QLED)具有出射光颜色饱和，波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了OLED(有机电致发光二极管)的有力竞争者。QLED器件包括量子点发光层和电子传输层，目前，通常采用溶液法制备量子点发光层和电子传输层。

现有的QLED器件中，量子点发光层包括无机量子点。目前的量子点大多数都采用核壳结构，并在壳层外包覆有机配体，且常用的有机配体为油酸、硫醇等，整个量子点为比较对称的球体，因此，量子点整体呈现非极性。而在制备器件的过程中，根据正交原理，通常设置电子传输层整体呈现极性，这样一来，就会造成电子传输层墨水很难在量子点发光层上铺展，使得干燥后成型的电子传输层的膜层均匀性很差，且会出现缺角问题，从而使得QLED器件整体性能下降，发光时会伴随杂峰等问题。另外，因为量子点发光层跟极性电子传输层都是无机纳米颗粒，且互相成膜都不是很平整，这就会使得量子点发光层和电子传输层会相互向对方成膜的间隙渗透，成为激子的trap，造成激子的淬灭，降低器件的性能。

鉴于此，本发明提出一种量子点配体，所述量子点配体的结构通式为R₁-M-R₂；其中，M用以提供至少两个连接位点，R₁为亲水性基团，R₂用以与量子点的表面形成配位键。

本发明提供的技术方案中，该量子点配体中至少具有亲水性基团，能够改善量子点发光层50的亲水性；当在量子点发光层50上制备电子传输层60时，可以改善电子传输层60墨水在量子点发光层50上面的铺展性，从而使得量子点发光层50和电子传输层60的相互成膜更加平整，进而避免了因电子传输层60颗粒向量子点发光层50的成膜间隙中渗透而导致的激子淬灭，从而能够大大提高器件的性能。

其中，R₁可以是任意具有亲水性能的基团，具体地，所述R₁包含甲酰基(-CHO)、羟基(-OH)、羧基(-COOH)和氨基(-NH₂)中的一种或多种。R₂能够与量子点表面形成配位键，从而将量子点配体与量子点紧密结合，具体地，R₂包含至少一个疏基，例如，R₂可以为-CH₂SH或-CH(SH)₂，-SH与量子点表面的亲和力很强，能够与量子点精密结合，使得量子点配体不宜脱落，从而能够增强量子点的稳定性。

M作为连接结构，用以为R₁和R₂提供足够的连接位点，因此，M至少具有两个连接位点，具体地，M可以是氮原子，此时，本量子点配体具有如下结构式(1)所示的结构通式：

M是氮原子时，大幅度降低了本量子点配体的合成难度，增强了本量子点配体的稳定性。

此外，量子点配体还可以包括第三种基团R₃，R₃与M连接，基于此，本量子点配体具有如下结构式(2)所示的结构通式：

当M为氮原子时，本量子点配体具有如下结构式(3)所示的结构通式：

其中，R₃包括三苯胺、三苯胺的衍生物、咔唑基团和基于咔唑基团的衍生物中的一种。具体地，三苯胺的衍生物可以是三苯胺的单取代或多取代产物，例如卤素取代产物、胺基取代产物、烷基取代产物等；同样地，基于咔唑基团的衍生物可以是具有咔唑骨架的单取代或多取代结构，例如如下结构式(4)所示的基团：

三苯胺、三苯胺的衍生物、咔唑基团和基于咔唑基团的衍生物能够改善量子点发光层50的成膜均匀性，而且具有较强的空穴传输能力，能够促进空穴传输，且具有低LUMO能够阻碍电子传输，从而能够起到载流子平衡的效果。同时，在兼具三种基团的情况下，三种基团协同作用，能够大大提升器件的性能和稳定性。

具体设计时，所述量子点配体包括但不限于被设计为具有如结构式(Ⅰ)至(Ⅵ)中任意一种所示的结构的化合物：

基于如上所述的量子点配体的结构，实际制备时，可以按照如下步骤操作：

步骤S10，提供A-R₁，其中，A包括具有两个连接位点的M；

步骤S20，在M的其中一所述连接位点上引入R₂，得到量子点配体。

具体地，可以以具有R₁的化合物作为起始原料，向M的连接位点上引入R₂。具体实施时，R₂的引入可以根据R₂的具体结构设计，采用常规的合成方法实现。以M为氮原子，R₂为-CH(SH)₂为例，可以将NH₂-R₁与二硫化碳等比例混合，于80℃下加热，以使得生成R₁-NH-CH(SH)₂。

在一实施例中，M具有至少三个连接位点，需要合成的量子点配体具有结构通式(2)所示的结构，此时，所述量子点配体的制备方法选用R₃-M。具体地，所述量子点配体的制备方法包括以下步骤：

步骤S11，提供R₃-M；

步骤S12，在R₃-M中M的其中另一所述连接位点上引入R₁，得到R₃-M-R₁，其中，所述R₃-M-R₁即为A-R₁；

步骤S20，在M的其中一所述连接位点上引入R₂，得到量子点配体。

本实施例以R₃-M为起始原料，向引入R₁，再引入R₂，很好地避免了三种基团连接错位点，或是在反应过程中被破坏掉。其中，R₃-M应当为普遍易得且已有成熟的合成方法的物质，可直接经由市售等渠道获取，也可以自行合成。具体实施时，R₁、R₂的引入均可以根据R₁和R₂的具体结构设计，采用常规的合成方法实现。以M为氮原子，R₁为甲酰基，R₂为-CH(SH)₂为例：可以将R₃-M与甲酸混合加热，进行脱水反应，从而得到R₃-NH-CHO；再将R₃-NH-CHO与二硫化碳等比例混合，于80℃下加热，以使得生成R₃-N(CHO)-CH(SH)₂。

基于上述量子点配体，本发明还提出一种量子点，包括量子点材料以及连接在所述量子点材料的表面上的量子点配体，所述量子点配体设置为如上文所述的量子点配体。由于该量子点配体中至少具有亲水性基团，以表面连接有该量子点配体的量子点打印量子点发光层50，能够很好地改善量子点发光层50的亲水性；且当在量子点发光层上制备电子传输层时，还可以改善电子传输层60墨水在量子点发光层50上面的铺展性，也能克服电子传输层60颗粒渗透到量子点发光层50的间隙中导致激子淬灭的缺陷，从而能够大大提高器件的性能。

其中，量子点材料为核壳结构，所述量子点材料包括Ⅱ-Ⅵ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅱ-Ⅴ族化合物、Ⅲ-Ⅵ族化合物、Ⅳ-Ⅵ族化合物、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物、Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ族化合物或Ⅳ族单质中的一种或多种。具体地，核材料包括但不限于选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe、InP、InAs、InAsP中的至少一种，壳材料包括但不限于选自CdS、ZnSe、ZnS、CdSeS和ZnSeS中的至少一种。

实际制备时，可以采用配体交换的方式将所述量子点配体连接到量子点材料表面上，以获得本发明提出的量子点。具体地，所述量子点的制备方法包括以下步骤：

将量子点配体加入到表面连接有油溶性有机配体的量子点溶液中，混合使发生配体交换，分离得到量子点。

以R₂是-CH(SH)₂为例，配体交换的反应过程如下所示：

本实施例将表面连接有油溶性有机配体(例如油酸、油胺、辛硫醇等)的量子点分散在第一溶剂(例如，甲苯)中，形成量子点溶液；将量子点配体分散在第一溶剂(例如，甲苯)中形成量子点配体溶液；将量子点配体溶液和量子点溶液混合均匀，量子点配体与量子点表面位点紧密结合，从而逐步替代油溶性有机配体，完成配体交换；待配体交换结束后，进行分离，即可获得表面连接有上述量子点配体的量子点。其中，第一溶剂可以是常见的非极性溶剂。

此外，本发明还提出一种电致发光器件，所述电致发光器件包括依次层叠设置的阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60以及阴极70，其中，所述量子点发光层50包括如上文所述的量子点，所述量子点包括量子点材料以及连接在所述量子点材料的表面上的量子点配体，所述量子点配体的具体结构参照上述实施例；所述电子传输层60的材质为极性材质，例如，电子传输层60的材质可以为氧化锌、氧化钡、氧化钛等。由于本发明提供的电致发光器件采用了上述量子点配体所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

进一步地，所述电致发光器件优选为量子点发光二极管(QLED)。图1示出了量子点发光二极管的一实施例。参阅图1，量子点发光二极管包括依次层叠设置的衬底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60以及阴极70。其中，所述衬底10的材质可以为玻璃、PI膜等；所述阳极20的材质可以为ITO、IZO、Au等高功函数金属及金属氧化物；所述空穴注入层30的材质包括PEDOT:PSS，NiO_x，WO₃，CuPc，HATCN，m-MTDATA，F4-TCQN或MoO₃；所述空穴传输层40的材质包括TPD，poly-TPD，PVK，CBP，NPB，TCTA，mCP，TAPC或TFB；所述量子点发光层50包括上述量子点；所述电子传输层60的材质包括氧化锌、氧化钡或氧化钛；所述阴极70的材质可以为Al、Ag、MgAg合金等。

本发明还进一步提出了量子点电致发光器件的制备方法，所述量子点电致发光器件的制备方法包括以下步骤：

步骤S100，在衬底10上设置阳极20；

步骤S101，采用溶液法，在所述阳极20上依次形成空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60，其中，所述量子点发光层50包括如上文所述的量子点；

步骤S102，在所述电子传输层60上形成阴极70。

本实施例中，选用溶液法依次制备空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60，由于用于打印量子点发光层50的油墨中含有上文所述的量子点，所述量子点包括量子点材料以及连接在所述量子点材料的表面上的量子点配体，所述量子点配体的具体结构参照上述实施例，从而提高了电子传输层60在量子点发光层50上的成膜性和铺展性，从而大大提高了器件的性能。

实际操作时，溶液法有多种实现形式，例如，旋涂、刮涂、喷墨打印等，可以根据实际工艺需要自行调整。

此外，本发明还提出一种显示装置，所述显示装置包括所述电致发光器件，所述电致发光器件包括依次层叠设置的阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60以及阴极70，所述量子点发光层50包括如上文所述的量子点，所述量子点包括量子点材料以及连接在所述量子点材料的表面上的量子点配体，所述量子点配体的具体结构参照上述实施例，由于本发明显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以下结合具体实施例和附图对本发明的技术方案作进一步详细说明，应当理解，以下实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例1

本实施例量子点配体的结构式如下所示：

制备方法如下：

(1)将4-氨基三苯胺和甲酸按1:1的摩尔比混合加入到烧瓶中，加热脱水0.5h后，冷却，滤出结晶；将结晶溶于甲苯中，得到4-甲酰基氨基三苯胺溶液。其反应式如下：

(2)向4-甲酰基氨基三苯胺溶液中加入二硫化碳，于80℃加热12h，得到量子点配体。其中，加入的二硫化碳与4-甲酰基氨基三苯胺溶液中含有的4-甲酰基氨基三苯胺的摩尔比为1:1。

量子点的制备方法如下：

向上述步骤(2)制得的量子点配体和带有油酸配体的[email protected]绿色量子点分别分散在甲苯中，再混合，于室温下搅拌24h后，分离出下层固体物，即得表面连接有上述量子点配体的量子点。将所述量子点溶解到氯仿中，形成量子点油墨，备用。

量子点发光二极管QLED的制备方法如下：

QLED的结构如图1所示，包括从下往上依次设置的衬底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60、阴极70。具体地，采用玻璃衬底10，在玻璃衬底10制备ITO阳极20；采用PEDOT:PSS在ITO阳极20上喷墨打印空穴注入层30，干燥成膜后，150℃退火20min，厚度为45nm；使用TFB墨水在空穴注入层30上喷墨打印空穴传输层40，真空干燥成膜后，230℃退火30min，厚度25nm；取上文制得的量子点油墨，在空穴传输层40上喷墨打印出量子点发光层50，真空干燥成膜后，100℃退火10min，厚度20nm；将ZnO墨水通过喷墨打印于量子点发光层50上形成电子传输层60，真空干燥成膜后，120℃退火15min，厚度为40nm；将铝蒸镀于电子传输层60上形成阴极70，厚度为150nm；封装得到量子点发光二极管。

实施例2

本实施例量子点配体的结构式如下所示：

制备方法如下：

(1)将9-(4-氨基苯基)咔唑盐酸盐(C₁₈H₁₅ClN₂)和甲酸按1:1的摩尔比混合加入到烧瓶中，加热脱水0.5h后，冷却，滤出结晶；将结晶溶于甲苯中，得到9-(4-甲酰基氨基苯基)咔唑溶液。其反应式如下：

(2)向9-(4-甲酰基氨基苯基)咔唑溶液中加入二硫化碳，于80℃加热12h，得到量子点配体。其中，加入的二硫化碳与9-(4-甲酰基氨基苯基)咔唑溶液中含有的9-(4-甲酰基氨基苯基)咔唑的摩尔比为1:1。

量子点的制备方法如下：

将上述量子点配体和带有油酸配体的[email protected]绿色量子点分别溶于甲苯后混合，并于室温下搅拌24h后，分离出下层固体物，即得表面连接有上述量子点配体的量子点。

将所述固体物溶解到氯仿中，形成量子点油墨，备用。

量子点发光二极管QLED的制备方法如下：

QLED的结构如图1所示，包括从下往上依次设置的衬底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60、阴极70。具体地，采用玻璃衬底10，在玻璃衬底10制备ITO阳极20；采用PEDOT:PSS在ITO阳极20上喷墨打印空穴注入层30，干燥成膜后，150℃退火20min，厚度为45nm；使用TFB墨水在空穴注入层30上喷墨打印空穴传输层40，真空干燥成膜后，230℃退火30min，厚度25nm；取上文制得的量子点油墨，在空穴传输层40上喷墨打印出量子点发光层50，真空干燥成膜后，100℃退火10min，厚度20nm；将ZnO墨水通过喷墨打印于量子点发光层50上形成电子传输层60，真空干燥成膜后，120℃退火15min，厚度为40nm；将铝蒸镀于电子传输层60上形成阴极70，厚度为150nm；封装得到量子点发光二极管。

实施例3

本实施例量子点配体的结构式如下所示：

制备方法如下：

(1)将9-(4-氨基苯基)咔唑盐酸盐(C₁₈H₁₅ClN₂)和甲酸按1:1的摩尔比混合加入到烧瓶中，加热脱水0.5h后，冷却，滤出结晶；将结晶溶于甲苯中，得到9-(4-甲酰基氨基苯基)咔唑溶液。

向9-(4-甲酰基氨基苯基)咔唑溶液中加入相同摩尔质量的氢氧化二氨合银，60℃加热5h，冷却，滤出结晶；将结晶溶于甲苯中，得到9-(4-羧基氨基苯基)咔唑溶液。

(2)向9-(4-羧基氨基苯基)咔唑溶液加入二硫化碳，于80℃加热12h，得到量子点配体。其中，加入的二硫化碳与9-(4-羧基氨基苯基)咔唑溶液中含有的9-(4-羧基氨基苯基)咔唑的摩尔比为1:1。

量子点的制备方法如下：

将上述量子点配体和带有油酸配体的[email protected]绿色量子点分别溶于甲苯后混合，并于室温下搅拌24h后，分离出下层固体物，即得表面连接有上述量子点配体的量子点。

将所述固体物溶解到氯仿中，形成量子点油墨，备用。

实施例4

本实施例量子点配体的结构式如下所示：

制备方法如下：

(1)将4-氨基三苯胺和乙醇胺按1:1的摩尔比混合加入到烧瓶中，加热脱水0.5h后，冷却，滤出结晶；将结晶溶于甲苯中，得到4-乙胺氨基三苯胺溶液。

(2)向4-乙胺氨基三苯胺溶液中加入二硫化碳，于80℃加热12h，得到量子点配体。其中，加入的二硫化碳与4-羧基氨基三苯胺溶液中含有的4-羧基氨基三苯胺的摩尔比为1:1。

量子点的制备方法如下：

将上述量子点配体和带有油酸配体的[email protected]绿色量子点分别溶于甲苯后混合，并于室温下搅拌24h后，分离出下层固体物，即得表面连接有上述量子点配体的量子点。

将所述固体物溶解到氯仿中，形成量子点油墨，备用。

量子点发光二极管QLED的制备方法如下：

QLED的结构如图1所示，包括从下往上依次设置的衬底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60、阴极70。具体地，采用玻璃衬底10，在玻璃衬底10制备ITO阳极20；采用PEDOT:PSS在ITO阳极20上喷墨打印空穴注入层30，干燥成膜后，150℃退火20min，厚度为45nm；使用TFB墨水在空穴注入层30上喷墨打印空穴传输层40，真空干燥成膜后，230℃退火30min，厚度25nm；取上文制得的量子点油墨，在空穴传输层40上喷墨打印出量子点发光层50，真空干燥成膜后，100℃退火10min，厚度20nm；将ZnO墨水通过喷墨打印于量子点发光层50上形成电子传输层60，真空干燥成膜后，120℃退火15min，厚度为40nm；将铝蒸镀于电子传输层60上形成阴极70，厚度为150nm；封装得到量子点发光二极管。

实施例5

本实施例量子点配体的结构式如下所示：

制备方法如下：

(1)将4-氨基三苯胺和甲酸按1:1的摩尔比混合加入到烧瓶中，加热脱水0.5h后，冷却，滤出结晶；将结晶溶于甲苯中，得到4-甲酰基氨基三苯胺溶液。向4-甲酰基氨基三苯胺溶液中加入相同摩尔质量的氢氧化二氨合银，60℃加热5h，冷却，滤出结晶；将结晶溶于甲苯中，得到4-羧基氨基三苯胺溶液。

(2)向4-羧基氨基三苯胺溶液中加入二硫化碳，于80℃加热12h，得到量子点配体。其中，加入的二硫化碳与4-羧基氨基三苯胺溶液中含有的4-羧基氨基三苯胺的摩尔比为1:1。

量子点的制备方法如下：

将上述量子点配体和带有油酸配体的[email protected]绿色量子点分别溶于甲苯后混合，并于室温下搅拌24h后，分离出下层固体物，即得表面连接有上述量子点配体的量子点。

将所述固体物溶解到氯仿中，形成量子点油墨，备用。

量子点发光二极管QLED的制备方法如下：

QLED的结构如图1所示，包括从下往上依次设置的衬底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60、阴极70。具体地，采用玻璃衬底10，在玻璃衬底10制备ITO阳极20；采用PEDOT:PSS在ITO阳极20上喷墨打印空穴注入层30，干燥成膜后，150℃退火20min，厚度为45nm；使用TFB墨水在空穴注入层30上喷墨打印空穴传输层40，真空干燥成膜后，230℃退火30min，厚度25nm；取上文制得的量子点油墨，在空穴传输层40上喷墨打印出量子点发光层50，真空干燥成膜后，100℃退火10min，厚度20nm；将ZnO墨水通过喷墨打印于量子点发光层50上形成电子传输层60，真空干燥成膜后，120℃退火15min，厚度为40nm；将铝蒸镀于电子传输层60上形成阴极70，厚度为150nm；封装得到量子点发光二极管。

实施例6

本实施例量子点配体的结构式如下所示：

将上述量子点配体和带有油酸配体的[email protected]绿色量子点分别溶于甲苯后混合，并于室温下搅拌24h后，分离出下层固体物，即得表面连接有上述量子点配体的量子点。

将所述固体物溶解到氯仿中，形成量子点油墨，备用。

量子点发光二极管QLED的制备方法如下：

QLED的结构如图1所示，包括从下往上依次设置的衬底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60、阴极70。具体地，采用玻璃衬底10，在玻璃衬底10制备ITO阳极20；采用PEDOT:PSS在ITO阳极20上喷墨打印空穴注入层30，干燥成膜后，150℃退火20min，厚度为45nm；使用TFB墨水在空穴注入层30上喷墨打印空穴传输层40，真空干燥成膜后，230℃退火30min，厚度25nm；取上文制得的量子点油墨，在空穴传输层40上喷墨打印出量子点发光层50，真空干燥成膜后，100℃退火10min，厚度20nm；将ZnO墨水通过喷墨打印于量子点发光层50上形成电子传输层60，真空干燥成膜后，120℃退火15min，厚度为40nm；将铝蒸镀于电子传输层60上形成阴极70，厚度为150nm；封装得到量子点发光二极管。

实施例7

本实施例量子点配体的结构式如下所示：

将上述量子点配体和带有油酸配体的[email protected]绿色量子点分别溶于甲苯后混合，并于室温下搅拌24h后，分离出下层固体物，即得表面连接有上述量子点配体的量子点。

将所述固体物溶解到氯仿中，形成量子点油墨，备用。

量子点发光二极管QLED的制备方法如下：

QLED的结构如图1所示，包括从下往上依次设置的衬底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、量子点发光层50、电子传输层60、阴极70。具体地，采用玻璃衬底10，在玻璃衬底10制备ITO阳极20；采用PEDOT:PSS在ITO阳极20上喷墨打印空穴注入层30，干燥成膜后，150℃退火20min，厚度为45nm；使用TFB墨水在空穴注入层30上喷墨打印空穴传输层40，真空干燥成膜后，230℃退火30min，厚度25nm；取上文制得的量子点油墨，在空穴传输层40上喷墨打印出量子点发光层50，真空干燥成膜后，100℃退火10min，厚度20nm；将ZnO墨水通过喷墨打印于量子点发光层50上形成电子传输层60，真空干燥成膜后，120℃退火15min，厚度为40nm；将铝蒸镀于电子传输层60上形成阴极70，厚度为150nm；封装得到量子点发光二极管。

对比例1

本对比例提供一种具有图1所示结构的QLED，除量子点发光层50采用的量子点为带有油酸配体的[email protected]绿色量子点外，其他设置均与实施例1相同。

分别对各实施例和对比例1的QLED器件的外量子效率、电流效率、寿命([email protected])进行测试，测试结果如下表1所示(表1中，寿命为恒电流情况下，从1000nit下降至80％的亮度所用的时间)：

表1 QLED性能测试

由表1中的测试结果可知，本发明实施例提供的量子点配体在用作制备QLED的量子发光层的材料时，制备所得的QLED具有更好的外量子效率、更高的电流效率以及更长的寿命。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本发明的专利保护范围内。