一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法
阅读说明：本技术 一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法 (Deep energy level transient spectrum testing method for dielectric temperature coefficient correction ) 是由 曾慧中 唐义强 孟奔阳 肖化宇 杨潇 张文旭 张万里 李言荣 于 2021-01-06 设计创作，主要内容包括：本发明属于半导体器件的测试技术领域,具体涉及一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法。本发明通过结合DLTS测试的等效电路,分析了MIS结构中绝缘层电容对DLTS信号的影响,再对DLTS测试数据进行分析,计算出MIS结构中绝缘层电容的影响因子α,然后根据DLTS谱线数据和影响因子对原始的DLTS信号谱经行了修正,得到了准确的DLTS信号谱。解决了介电常数对温度有依赖性的材料制作成MIS结构时,现有DLTS测试不准确的问题,最终本发明准确的得到了该类MIS结构的缺陷能级、陷进浓度和截获面积。(The invention belongs to the technical field of testing of semiconductor devices, and particularly relates to a deep energy level transient spectrum testing method for correcting a dielectric temperature coefficient. The method analyzes the influence of the insulation layer capacitance in the MIS structure on the DLTS signal by combining with an equivalent circuit of the DLTS test, analyzes DLTS test data, calculates the influence factor alpha of the insulation layer capacitance in the MIS structure, and corrects the original DLTS signal spectrum according to the DLTS spectral line data and the influence factor to obtain the accurate DLTS signal spectrum. The method solves the problem that the existing DLTS test is inaccurate when the material with the dielectric constant dependent on the temperature is manufactured into the MIS structure, and finally the defect energy level, the trapping concentration and the trapping area of the MIS structure are accurately obtained.)
技术领域
本发明属于半导体器件的测试技术领域，涉及一种基于锁相放大技术的DLTS测量的方法，更具体的为一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法。
背景技术
深能级瞬态谱(deep level transient spectroscopy，DLTS)是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级和界面态等的重要技术手段。应用于半导体领域时，可给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的DLTS谱；DLTS可以以微观物理量的变化来解释半导体器件电特性退化原因。
DLTS技术最先应用于不对称的PN结或者肖特基结结构的样品。该技术的检测灵敏度通常为半导体材料中掺杂济浓度的万分之一甚至更低的缺陷，可得到如多数载流子陷阱、少数载流子陷阱、陷阱浓度及分布、陷阱能级、截获面积等诸多信息。
随DLTS技术的发展，该技术被应用于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOS场效应晶体管)，其往往为n型Si或p型Si的基底，这种样品中基底的电容和绝缘层的电容在整个温度范围上基本不会发生太大的变化，其介电常数与温度依赖性不强。但是，对于介电常数对温度有依赖性的材料(如氧化哈HfO2、钛酸锶STO)制备的场效应晶体管(MOS结构)，也是金属-绝缘层-半导体结构(MIS结构)。该结构相比于肖特基结结构的样品，新增加的绝缘层会给DLTS测试带来新的影响。在经过Ar+轰击的STO上存在着一种现象：随着温度的降低，被轰击过的STO导电层的电导和电容会急剧增加，介电常数会随温度的变化急剧变化。对于这类样品须考虑介电常数变化对DLTS影响，因此当前DLTS技术的适用性存在一定的局限。
发明内容
针对上述存在问题或不足，本发明的目的在于为介电常数对温度有依赖性的MIS结构器件，提供一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法，以改善DLTS技术的适用性，解决当前DLTS技术面对这种情况不准确的问题。
一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法，包括如下步骤：
步骤1:对目标样品进行DLTS测试，收集不同温度下目标样品的电容瞬态信息，得到不同温度下电容瞬态C-t曲线，然后随机选取两个固定的时间t1，t2所对应的电容相加，以得到不同温度的电容变化量，电容变化量ΔC可表示为：
其中C(t1)、C(t2)是t1，t2时刻的测试电容，nT是陷阱中的电子浓度，C0是单位面积缺陷电容，ND是掺杂浓度，τn时间常数。DLTS信号常常使用ΔC/C0来表示，改变时间t1，t2可以得到多条曲线，得到原始的DLTS信号谱线图。
步骤2：在某个温度上ΔC会存在极值，根据步骤1得到的原始DLTS信号谱线图，对公式1关于τn求导，以得到曲线极值点，即得到极值温度。不同的时间t1，t2可以得到多条曲线，每一条曲线都有一个极值温度和相对应时间常数τn。
假设目标样品存在缺陷能级为ΔE的缺陷，则该缺陷对应的时间常数τn为：
其中，δn是缺陷的截获面积，T是温度，K是玻尔兹曼常数，ΔE是缺陷能级，γn＝3.25×1021(mn/mo)cm-2·s-1·K-1，mn为半导体中电子态密度有效质量，mo是自由电子的有效质量。对式(2)改写为：
通过式(3)确定样品的缺陷能级ΔE，截获面积δn，陷阱浓度NT等参数，完成DLTS测量。
步骤3：对于MIS结构而言，测试获得的电容瞬态C-t曲线中的是总电容值Cm，为绝缘层电容Ci和耗尽层电容Cd的串联电容，还需要考虑耗尽层电容Ci和耗尽层电容Cd的影响，总电容值Cm可以表示为：
其中，Cm(t)是t时刻的总电容值，Ci是绝缘层电容，Cd是耗尽层电容，Cd(t)是t时刻的耗尽层电容。即步骤1测量得到的电容瞬态曲线为Cm-t，总电容的变化ΔCm和耗尽层电容变化ΔCd之间满足可表示为：
通过公式(5)，在DLTS的测试中，ΔCd/Cd(t2)＜＜1，所以上式可以简化表示为：
其中，α为影响因子，在任意时刻t0的耗尽层电容Cd(t0)和稳定后的耗尽层电容Cd(∞)之间的差值都不大；将上式(5)中的Cd(t2)替换成Cd(∞)对α几乎没有影响。α可以表示为：
通过公式(7)和步骤1中DLTS测试数据计算出影响因子α，以得到测试温度和影响因子关系。
步骤4：显而易见，影响因子α>1，由式(7)可知，在对MIS结构的DLTS测试中，由于绝缘层电容的存在给DLTS信号带来一定比例的衰减，其衰减比例等于影响因子α。根据步骤1对样品的测试所得数据和原始DLTS信号谱线图和步骤3中计算的α值对DLTS谱线进行修正，即修正后的DLTS＝初始的DLTS信号×α，并且得到修正后的DLTS信号谱线图、缺陷能级ΔE、截获面积δn和陷阱浓度NT。
本发明通过结合DLTS测试的等效电路，分析了MIS结构中绝缘层电容对DLTS信号的影响，再对DLTS测试数据进行分析，计算出MIS结构中绝缘层电容的影响因子α，然后根据DLTS谱线数据和影响因子对原始的DLTS信号谱经行了修正，得到了准确的DLTS信号谱。解决了介电常数对温度有依赖性的材料制作成MIS结构时，现有DLTS测试不准确的问题，最终本发明准确的得到了该类MIS结构的缺陷能级、陷进浓度和截获面积。
附图说明
图1为本发明DLTS测试修正流程图；
图2为实施例所得目标样品的电容C偏压U的关系图；
图3为实施例目标样品在不同温度下C-t曲线图
图4为实施例步骤1所得原始DLTS信号谱线图；
图5为实施例目标样品的影响因子与温度的关系图；
图6为实施例修正后的DLTS信号谱线图；
图7为实施例修正前后样品发射率和温度的关系图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做进一步的详细说明。
具体实施方式：一种介电温度系数修正的深能级瞬态谱测试方法，本实施例中目标样品为金属-氧化层-半导体层结构的MOS器件。
步骤1:对目标样品经行C-V测试(如图2)并确定样品偏压为-5V，脉冲高度为3V和脉冲宽度为10ms。保证测试参数在测试系统范围内。并对样品经行DLTS测试，收集不同温度下样品的电容瞬态信息进行分析。得到不同温度下电容瞬态C-t曲线，然后选取两个固定的时间t1，t2(如图3)及其所对应的电容变化可表示为：
其中C(t1)、C(t2)是t1，t2时刻的测试电容，nT是陷阱中的电子浓度，C0是单位面积缺陷电容，ND是掺杂浓度，τn时间常数。DLTS信号常常使用ΔC/C0来表示，可以计算得到单一窗率的DLTS信号谱线图。改变时间t1，t2可以得到多条曲线，得到原始的DLTS信号谱线图，如图4所示。可以反映出不同率窗下DLTS曲线峰的峰值高度呈现出很大的梯度差。
步骤2：在某个温度上ΔC会存在极值，根据步骤1得到的原始DLTS信号谱线图，对公式1关于τn求导，可以得到曲线极值点。不同的时间t1，t2可以得到多条曲线，每一条曲线都有一个极值温度和相对应时间常数τn。
假设目标样品存在缺陷能级为ΔE的缺陷，则该缺陷对应的时间常数τn为：
其中，δn是缺陷的截获面积，T是温度，K是玻尔兹曼常数，ΔE是缺陷能级，γn＝3.25×1021(mn/mo)cm-2·s-1·K-1，mn为半导体中电子态密度有效质量，mo是自由电子的有效质量。对式(2)改写为：
通过式(3)确定样品的缺陷能级ΔE为0.2±0.001eV，截获面积δn为1.1×10-15cm2和陷阱浓度NT为3.0×1012cm-3。
步骤3：对于MIS结构而言，测试获得的电容瞬态C-t曲线中的是总电容值Cm，为绝缘层电容Ci和耗尽层电容Cd的串联电容，还需要考虑耗尽层电容Ci和耗尽层电容Cd的影响，总电容值Cm可以表示为：
其中，Cm(t)是t时刻的总电容值，Ci是绝缘层电容，Cd是耗尽层电容，Cd(t)是t时刻的耗尽层电容。即步骤1测量得到的电容瞬态曲线为Cm-t，总电容的变化ΔCm和耗尽层电容变化ΔCd之间满足可表示为：
通过公式5，在DLTS的测试中，ΔCd/Cd(t2)<<1,所以上式可以简化表示为：
其中，α为影响因子，在任意时刻t0的耗尽层电容Cd(t0)和稳定后的耗尽层电容Cd(∞)之间的差值都不大。将上式5中的Cd(t2)替换成Cd(∞)对α几乎没有影响。α可以表示为：
通过公式(7)和步骤1中DLTS测试数据计算出影响因子α，可以得到影响因子与温度的关系图，如图5所示。可以看出样品影响因子与温度的依赖关系，这使得低温下DLTS信号出现极大的误差，同时，也会使得不同率窗下DLTS曲线峰的峰值高度呈现出很大的梯度差。计算出来缺陷能级，截获面积和陷阱浓度存在误差。
步骤4：对DLTS测试谱线修正，根据步骤1对样品的测试所得数据和DLTS谱线和步骤2中计算的α对原始的DLTS信号谱线进行修正(如图4所示)，可以得到样品修正后的DLTS信号谱线图(如图6所示)。通过计算可以得出缺陷能级ΔE为0.17±0.001eV，截获面积δn为8.4×10-16cm2和陷阱浓度NT为6.8×1011cm-3。通过对修正前后数据分析，可以得到修正前后缺陷能级、截获面积和陷阱浓度有明显的变化(如图7所示)。修正前后的两样品的发射率e＝1/τ和温度T之间的关系，由图7可知，在低温下，修正前后的两曲线在斜率和截距上都出现了较大的偏差，其中，斜率也有一定变化，修正前后的曲线出现了较大的分离。说明介电常数会随着温度变化而变化会使得计算结果产生偏差，必须通过对数据经行修正，才能得到精确的结果。
通过上述实施例可见，本发明通过结合DLTS测试的等效电路，分析了MIS结构中绝缘层电容对DLTS信号的影响，再对DLTS测试数据进行分析，计算出MIS结构中绝缘层电容的影响因子α，然后对原始的DLTS信号谱经行了修正，得到了准确的DLTS信号谱。解决了介电常数对温度有依赖性的材料制作成MIS结构时，现有DLTS测试不准确的问题，本发明准确的得到了该类MIS结构的缺陷能级、陷进浓度和截获面积，切实有效。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，本说明书中所公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换；所公开的所有特征、或所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以任何方式组合。
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