无硅盐浴提纯添加剂材料及其使用方法

文档序号:795387 发布日期:2021-04-13 浏览:16次 >En<

阅读说明:本技术 无硅盐浴提纯添加剂材料及其使用方法 (Silicon-free salt bath purification additive material and method of use thereof ) 是由 胡伟 谈宝权 覃文城 于 2019-10-16 设计创作,主要内容包括:一种无硅盐浴提纯添加剂材料及其使用方法。该无硅盐浴提纯添加剂材料,含34-60mol%的碱金属氧化物、30-60mol%的B-2O-3、和8-25mol%的其他氧化物,且所述盐浴提纯添加剂不含二氧化硅成分。该使用方法包括以下步骤:提供待提纯盐浴;将该无硅盐浴提纯添加剂材料添加至该待提纯盐浴中;待该无硅盐浴提纯添加剂材料与该待提纯盐浴的反应一定时间后取出该无硅盐浴提纯添加剂材料。将取出的该无硅盐浴提纯添加剂材料置入纯钠盐盐浴中;待该无硅盐浴提纯添加剂材料与该纯钠盐盐浴的反应一定时间后取出该无硅盐浴提纯添加剂材料待下一次使用。该无硅盐浴提纯添加剂材料具有可以快速吸收盐浴中的锂离子、钠离子,方便快捷取出,以及可重复多次利用的优点。(A silica-free salt bath purification additive material and a method of use thereof. The additive material for purifying silicon-free salt bath contains 34-60 mol% of alkali metal oxide and 30-60 mol% of B 2 O 3 And 8 to 25 mol% of other oxides, and the salt bath purification additive is free of silica components. The using method comprises the following steps: providing a salt bath to be purified; adding the silicon-free salt bath purification additive material to the salt bath to be purified; and taking out the additive material for purifying the silicon-free salt bath after the additive material for purifying the silicon-free salt bath reacts with the salt bath to be purified for a certain time. Putting the taken-out silicon-free salt bath purification additive material into a pure sodium salt bath; and taking out the additive material for purifying the silicon-free salt bath for the next use after the additive material for purifying the silicon-free salt bath reacts with the pure sodium salt bath for a certain time. The silicon-free salt bath purification additive material has the advantages of being capable of rapidly absorbing lithium ions and sodium ions in the salt bath, convenient and fast to take out, and capable of being repeatedly used for many times.)

无硅盐浴提纯添加剂材料及其使用方法

技术领域

本发明涉及化工领域,尤其涉及玻璃化学强化用盐浴的提纯技术领域,具体涉及一种无硅盐浴提纯添加剂材料及其使用方法。

背景技术

在将玻璃置于盐浴进行化学强化处理的过程中,随着盐浴使用时间延长和盐浴所处理的玻璃的数量增多,盐浴中的垃圾离子Na+、Li+的含量也会随之增加,虽然只是PPM级,却也足以严重阻碍正常化学钢化的进行,导致后续的玻璃经过强化后的CS值下降,强度大幅下降,导致最终产品质量难以管控。玻璃经过化学强化后,由于盐浴中的大离子取代玻璃中的小离子,使得玻璃膨胀,从而在玻璃表面形成压应力,达到提高玻璃强度的目的。然而,盐浴中的Li+的增加,会严重削弱锂铝硅玻璃进行化学强化时的钠-锂交换程度,从而导致强化后膨胀程度减少,而化学强化玻璃在手机盖板中的应用对玻璃尺寸的要求是偏差在20微米以内,那么盐浴中的Li+的增加无疑会导致锂铝硅化学强化玻璃的尺寸不良率上升。对于强化领域出现的上述问题,称之为“盐浴中毒”,为了解决以上问题,传统的做法是通过换新盐浴解决,但盐浴换新的过程费时费力,会导致成本增加和效率降低。

目前,业内提出了一种针对盐浴中的杂质离子(锂离子)吸收的方法,其是在盐浴中投入粉末状磷酸钠,磷酸钠在盐浴中溶解,磷酸根则与锂离子形成磷酸锂而沉淀,以此来降低垃圾离子Li的含量。但,磷酸锂引入盐浴后反应需要长达10小时以上的化学反应时间,沉淀的形成会使盐浴浑浊,需要长时间澄清之后才可使用;因此不能实现在线对盐浴和玻璃品质的时时管理,充其量只能做到批次管理;粉末状磷酸钠加入盐浴后,带入了大量钠离子,改变了盐浴本身的有效比例;磷酸钠是显强碱性和吸水性,引入盐浴时同时也引入了大量OH根离子,对玻璃造成强腐蚀,磷酸根侵犯玻璃网络结构中的硅氧键,磷酸根与硅氧键结构,改变了玻璃表面的网络结构,从而进一步破坏玻璃的网络,使用30小时以上,不仅不能增加玻璃强度,还会大幅度降低玻璃强度;沉淀的磷酸锂在盐浴底部形成的“淤泥”过多时,会导致盐浴有效工作区域减少、产量降低,清理困难;使用过久磷酸锂沉淀过多会使其附着在强化玻璃表面,从而使玻璃产生缺陷;盐浴中的残留磷酸强碱盐附着在玻璃表面,玻璃取出盐浴时,与空气中的水接触,对玻璃形成第二次强腐蚀。

另外,业内还提出了另一种针对盐浴中的杂质离子(锂离子)的吸收方法,其是在盐浴中投入含硅离子筛,利用含硅离子筛在盐浴中络合、吸收锂离子。但这种含硅离子筛是基于硅-氧为主要骨干基础形成的,其骨干较小,造成了吸收效率、速率较低;硅的原子序数较大,原子质量也较大,因此离子筛中的活性成份较低,造成了其使用效率较低,若要达到一定的吸收效率,含硅离子筛的消耗量较大,成本较高。且含硅离子筛在长期使用过程中,其少部分会在高温作用下粉化,而其粉化的含硅离子筛包含大量的硅成分物质,在盐浴的高温中易与玻璃表面中的二氧化硅成分形成键合、交联,从而使强化后玻璃成品表面出现颗粒状缺陷,影响成品质量。

此外,在玻璃加工厂中,盐浴炉一般为10吨级甚至更高,一次强化过程处理的玻璃片数高达上万片,如此规模的离子交换环境,如不对盐浴进行环境管控,极易导致强化玻璃出现表面缺陷,批次之间玻璃强度大幅度递减、盐浴逐次失效的情况。

再者,玻璃强化盐浴的主要材料是硝酸钾和硝酸钠,硝酸钾是强氧化剂、易燃、易爆、炸药的主要成份;磷酸钠是强碱弱酸盐,具有强吸水性和腐蚀性;此二者均属于公共安全管制的重点物质。在玻璃加工过程中,这些材料应不能循环利用而需要使用量巨大,这不仅会对环境造成极大的破坏,同时还会导致生产成本居高不下。

故我们急需一种尺寸较大便于从盐浴中取出的、实时在线的对盐浴进行管理的添加剂,实现有效管控盐浴中的杂质离子,给待强化玻璃提供一个稳定的离子交换环境,从而保证强化玻璃批量生产的稳定性及强度。另外,其还能大幅降低硝酸钾和硝酸钠的使用量,能有效减少对环境的污染及破坏程度,提高生产效率、降低生产成本。尺寸大的特点使得其在存储、投放和捞取的作业过程中具有较高的安全性和便捷性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是,针对现有技术中的上述的问题,提供一种无硅盐浴提纯添加剂材料及其使用方法,所述无硅盐浴提纯添加剂材料可以快速吸收用于化学强化玻璃过程中产生在盐浴中的锂离子、钠离子,保证盐浴锂离子、钠离子浓度处于较低水平,保证化学强化玻璃量产尺寸的稳定性、表面应力的稳定性。进一步的,所述无硅盐浴提纯添加剂材料可快速方便快捷取出,减少对生产效率的影响。更进一步的,所述无硅盐浴提纯添加剂材料经过处理释放吸收的杂质离子后可重复多次利用,大幅减小使用量,降低了成本。更值得一提的是,所述无硅盐浴提纯添加剂材料不含二氧化硅,其采用B2O3作为主要架构,Al2O3作为次网络架构,相对于含有二氧化硅的无硅盐浴提纯添加剂材料,其具有更低的合成温度,其熔炼温度可低于1000℃,如此其熔炼设备限制条件将放宽,其熔炼成本将大幅度降低。又进一步的,所述无硅盐浴提纯添加剂材料即使在长期使用过程中部分在高温作用下粉化,由于其主要包含硼成分物质而非含硅成分,故在盐浴的高温中不易与玻璃表面中的二氧化硅成分形成键合、交联,避免出现强化后玻璃成品会出现颗粒状缺陷,保证产品质量良好。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:提供所述无硅盐浴提纯添加剂材料,按摩尔百分比计,包含34-60mol%的碱金属氧化物、30-60mol%的B2O3、以及8-25mol%的其他氧化物,且所述无硅盐浴提纯添加剂材料不含二氧化硅。

作为本发明的无硅盐浴提纯添加剂材料的优选,所述碱金属氧化物的摩尔含量与B2O3的摩尔含量的比值为0.55以上;所述其他氧化物包括Al2O3,Al2O3的含量为B2O3的10%及以上。

作为本发明的无硅盐浴提纯添加剂材料的优选,所述碱金属氧化物包括且仅包括Na2O和/或K2O。

作为本发明的无硅盐浴提纯添加剂材料的优选,所述其他氧化物包括Al2O3,还包括P2O5、ZrO2、SnO2、ZnO、Cr2O3、TiO2中的至少一种。

作为本发明的无硅盐浴提纯添加剂材料的优选,所述无硅盐浴提纯添加剂材料呈颗粒状、片状或多孔状,所述的无硅盐浴提纯添加剂材料在任意一个平面上的正投影至少覆盖一个长宽尺寸为0.5×0.5mm的方形区域。

为解决上述技术问题,本发明还提供了一种如上所述的无硅盐浴提纯添加剂材料的使用方法,包括以下步骤:

步骤S1,提供待提纯盐浴,所述待提纯盐浴中含有钾离子或/和钠离子或/和锂离子;

步骤S2,将所述无硅盐浴提纯添加剂材料添加至所述待提纯盐浴中;

步骤S3,待所述无硅盐浴提纯添加剂材料与所述待提纯盐浴的反应一定时间后取出所述无硅盐浴提纯添加剂材料。

作为本发明提供的使用方法的优选,所述待提纯盐浴的温度为350-550℃,所述无硅盐浴提纯添加剂材料的添加量为所述待提纯盐浴质量的0.3-5wt%,所述无硅盐浴提纯添加剂材料与所述待提纯盐浴的反应时间为至多24h。

作为本发明提供的使用方法的优选,所述使用方法还包括如下步骤:

步骤S4,将所述步骤S3取出的所述无硅盐浴提纯添加剂材料置入纯钠盐盐浴中;

步骤S5,待所述无硅盐浴提纯添加剂材料与所述纯钠盐盐浴的反应一定时间后取出所述无硅盐浴提纯添加剂材料待下一次使用,经所述步骤S5得到的所述无硅盐浴提纯添加剂材料对锂离子或钠离子的吸收效率下降为所述步骤S2中的所述无硅盐浴提纯添加剂材料的50-95%之间。

作为本发明提供的使用方法的优选,所述纯钠盐盐浴的温度为350-550℃,所述无硅盐浴提纯添加剂材料与所述纯钠盐盐浴的反应时间为1-10h。

与现有技术相比,本发明提供的所述无硅盐浴提纯添加剂材料可以快速吸收用于化学强化玻璃过程中产生在盐浴中的锂离子、钠离子,保证盐浴锂离子、钠离子浓度处于较低水平,保证化学强化玻璃量产尺寸的稳定性、表面应力的稳定性。进一步的,所述无硅盐浴提纯添加剂材料可快速方便快捷取出,减少对生产效率的影响。更进一步的,所述无硅盐浴提纯添加剂材料经过处理释放吸收的杂质离子后可重复多次利用,大幅减小使用量,降低了成本。更值得一提的是,所述无硅盐浴提纯添加剂材料不含二氧化硅,其采用B2O3作为主要架构,Al2O3作为次网络架构,相对于含有二氧化硅的无硅盐浴提纯添加剂材料,其具有更低的合成温度,其熔炼温度可低于1000℃,如此其熔炼设备限制条件将放宽,其熔炼成本将大幅度降低。所述无硅盐浴提纯添加剂材料即使在长期使用过程中部分在高温作用下粉化,由于其主要包含硼成分物质而非含硅成分,故在盐浴的高温中不易与玻璃表面中的二氧化硅成分形成键合、交联,避免出现强化后玻璃成品会出现颗粒状缺陷,保证产品质量良好。

具体实施方式

本发明提供一种无硅盐浴提纯添加剂材料,其可吸收玻璃化学强化盐浴中的锂离子或钠离子。众所周知的,在玻璃强化过程中,玻璃化学强化盐浴使用一段时间后,从玻璃中交换出来的杂质金属离子(锂离子或钠离子)在盐浴中会越来越多,从而导致玻璃化学强化盐浴失活、强化玻璃的效果弱化。而在失活的玻璃化学强化盐浴中加入本发明的无硅盐浴提纯添加剂材料,在一定温度下(高于熔融态盐化合物的熔点的温度)进行反应一段时间后,所述无硅盐浴提纯添加剂材料会吸收这些杂质金属离子(锂离子或钠离子),从而增强或恢复玻璃化学强化盐浴的活性。更值得说明的是,本发明的无硅盐浴提纯添加剂材料在吸附了锂离子或钠离子后还可以通过激活处理后释放锂离子或钠离子,达到重复利用的目的。

所述无硅盐浴提纯添加剂材料,按摩尔百分比计,包含30-60mol%的碱金属氧化物、30-65mol%的B2O3、以及8-25mol%的其他氧化物,且所述无硅盐浴提纯添加剂材料不含二氧化硅。其中,所述碱金属氧化物的摩尔含量与B2O3的摩尔含量的比值为0.6以上;所述其他氧化物包括Al2O3,Al2O3的含量为B2O3的10%以上;所述其他氧化物还包括P2O5、ZrO2、SnO2、ZnO、Cr2O3、TiO2中的至少一种。所述碱金属氧化物包括Na2O和/或K2O。

B2O3是作为无硅盐浴提纯添加剂材料的骨干成份,是必备的组分。

所述其他氧化物和B2O3形成共价键组成盐浴提纯添加剂网络结构的骨架的,其组成和含量的选择直接影响到盐浴提纯添加剂网络结构的吸附性能。

碱金属氧化物中的金属元素旨在置换或提取盐浴中的杂质金属离子,经过实验发现,当碱金属氧化物中的至少一种金属氧化物(参与反应的碱金属氧化物不限于全部碱金属氧化物,只要参与反应的部分碱金属氧化物可以将盐浴中的杂质金属离子提取/置换到预定浓度范围便可)的金属原子的化合价的摩尔数总和等于盐浴中的杂质金属离子的化合价的摩尔数总和。

碱金属氧化物包含多种情况,可以是单独一种一价金属氧化物,也可以是两种以上一价金属氧化物的混合物。具体的,该金属氧化物中的金属元素为钾、钠中的至少一种;所述一价金属氧化物的原材料选自碳酸盐、氟化物、硫酸盐、硝酸盐、磷酸盐、氢氧化物、氧化物、氯化物或其混合物。所述一价金属氧化物的原材料是指,在本发明盐浴提纯添加剂的制备过程中,这些原材料经过反应,最后在盐浴提纯添加剂产品中以所述碱金属氧化物形式存在。例如,氧化钾的原料可以为碳酸钾、氟化钾、硫酸钾、硝酸钾、磷酸钾、氢氧化钾、氧化钾、氯化钾或其混合物,那么最终在无硅盐浴提纯添加剂材料中存在的是氧化钾。

优选的,所述的无硅盐浴提纯添加剂材料在任意一个平面上的正投影至少覆盖一个长宽尺寸为0.5×0.5mm的方形区域。如此,其在盐浴正常工作条件下,可顺利的被取出盐浴。

本发明提供的无硅盐浴提纯添加剂材料可以通过如下步骤制备得到:首先,准备碱金属氧化物、B2O3、以及其他氧化物的原材料,进行充分混合,各组分在获得的无硅盐浴提纯添加剂材料产品中的摩尔百分比含量计,碱金属氧化物为30-60mol%、B2O3为30-65mol%、其他氧化物为8-25mol%。碱金属氧化物的原材料的用量使得反应后得到的碱金属氧化物在最终获得的无硅盐浴提纯添加剂材料中的含量为30-60mol%。然后,将所述混合物加热到900℃~1000℃,搅拌至熔融状态,形成亚稳定态的盐浴提纯添加剂前驱体。可选地,当生成亚稳定态的盐浴提纯添加剂前驱体后,将亚稳定态的盐浴提纯添加剂前驱体导入到温度为0~90℃的水中淬冷处理,从而得到颗粒状无硅盐浴提纯添加剂材料。可选地,当生成亚稳定态的盐浴提纯添加剂前驱体后,将亚稳定态的盐浴提纯添加剂前驱体缓冷至400℃~900℃,通过机械外力拉制成型或挤压成型处理,从而得到片状无硅盐浴提纯添加剂材料。可选的,当生成亚稳定液态态的盐浴提纯添加剂前驱体时,加入发泡剂,使其内部及表面呈细小多孔状,待前驱体冷却至室温后,通过机械外力破碎形成颗粒状且内部含有多孔结构的盐浴提纯调加剂材料。

本发明还提供了所述无硅盐浴提纯添加剂材料的使用方法,所述使用方法包括提纯部分和激活部分。

其中,提纯部分的步骤为:

步骤S1,提供待提纯盐浴,所述待提纯盐浴中含有钾离子或/和钠离子或/和锂离子;其中,所述待提纯盐浴即为失活的含有大量的锂离子或钠离子的玻璃化学强化盐浴;优选的,所述待提纯盐浴的温度为350-550℃。

步骤S2,将所述无硅盐浴提纯添加剂材料添加至所述待提纯盐浴中;优选的,所述无硅盐浴提纯添加剂材料的添加量为所述待提纯盐浴质量的0.5-5wt%,

步骤S3,待所述无硅盐浴提纯添加剂材料与所述待提纯盐浴的反应一定时间后取出所述无硅盐浴提纯添加剂材料;优选的,所述无硅盐浴提纯添加剂材料与所述待提纯盐浴的反应时间为至多24h。

使用发现,每1wt%的所述无硅盐浴提纯添加剂材料在前6h内对锂离子的吸收效率为35ppm/h-50PPm/h,每1wt%的所述无硅盐浴提纯添加剂材料在前6h内对钠离子的吸收效率50ppm/h-350PPm/h。

接下来为激活部分,具体包括如下步骤:

步骤S4,将所述步骤S3取出的所述无硅盐浴提纯添加剂材料置入纯钠盐盐浴中;

步骤S5,待所述无硅盐浴提纯添加剂材料与所述纯钠盐盐浴的反应一定时间后取出所述无硅盐浴提纯添加剂材料待下一次使用。经使用发现,经所述步骤S5得到的所述无硅盐浴提纯添加剂材料对锂离子或钠离子的吸收效率下降为所述步骤S2中的所述无硅盐浴提纯添加剂材料的50-95%之间。优选的,所述纯钠盐盐浴的温度为350-550℃(如果是循环使用则温度越高越好,因此最低的温度也必须是IOX温度),所述无硅盐浴提纯添加剂材料与所述纯钠盐盐浴的反应时间为1-10h。

本发明还提供了所述无硅盐浴提纯添加剂材料的另一种使用方法,其可与待强化玻璃同时放入于全新的无杂质离子的盐浴中,在玻璃强化过程中持续吸收盐浴中的离子交换过程产生的杂质离子,使得盐浴中的杂质离子一直稳定在较低的水平。具体步骤如下:

步骤S1,提供待提纯盐浴,所述待提纯盐浴为全新的盐浴,其不含杂质离子(钠离子和锂离子);优选的,所述待提纯盐浴的温度为350-550℃。

步骤S2,将所述无硅盐浴提纯添加剂材料添加至所述待提纯盐浴中;优选的,所述无硅盐浴提纯添加剂材料的添加量为所述待提纯盐浴质量的0.3-5wt%,

步骤S3,待所述无硅盐浴提纯添加剂材料与待强化玻璃同时进入盐浴,并随玻璃取出,不影响强化。

使用发现,在使用上述方式进行盐浴管控,其盐浴中杂质锂离子和或钠离子浓度控制在400PPm以下,优选为200PPm以下,更优选为100PPm以下。

为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现详细说明本发明的具体实施方式。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例1至6

在实施例1-6中,以市售产品为原料采用上文中提到的制备方法,制备得到了6种成分形态不同的无硅盐浴提纯添加剂材料。实施例1至6中的无硅盐浴提纯添加剂材料的组分及形态示于表1中。

表1

表中,β是指无硅盐浴提纯添加剂材料中碱金属氧化物的含量与B2O3的含量的比值;θ是指无硅盐浴提纯添加剂材料中Al2O3的含量与B2O3的含量和的比值。

提纯实验1至6

为了得到真实的实验数据以证明实施例1至6中的无硅盐浴提纯添加剂材料能够吸收劣化的化学强化盐浴中的锂离子和钠离子,在提纯实验1至6中按照上文中提到的无硅盐浴提纯添加剂材料的使用方法的提纯部分的步骤对实施例1至6中的无硅盐浴提纯添加剂材料进行提纯实验。提纯实验1至6过程中的各项条件示于表2。

表2

以上提纯实验1至6可以充分证明所述无硅盐浴提纯添加剂材料可以快速吸收用于化学强化玻璃过程中产生在盐浴中的锂离子、钠离子,且前6个小时内的吸收效率很高,最少的也有31.0ppm/h,相比现有技术,极大的提高了盐浴的提纯效率,利于整体产能的提高。

重复提纯实验1至2

为了得到真实的实验数据以证明本发明提供的无硅盐浴提纯添加剂材料可以释放吸收的锂离子或钠离子从而能够重复利用,在激活实验1至2中按照上文中提到的无硅盐浴提纯添加剂材料的使用方法对实施例3和实施例5中的无硅盐浴提纯添加剂材料进行重复提纯实验。重复提纯实验1至2过程中的各项条件示于表3。

表3

由以上重复提纯实验1至2可以看出,实施例3和实施例5中的无硅盐浴提纯添加剂材料可以多次重复使用。

在线提纯实验1至2

在线提纯实验1至2中按照上文中提到的无硅盐浴提纯添加剂材料的另一种使用方法对实施例3和实施例5中的无硅盐浴提纯添加剂材料进行在线提纯实验。另外,为了证实无硅盐浴提纯添加剂材料能够取得在线提纯效果,还分别进行了空白实验1和空白实验2,空白实验1的各项条件与在线提纯实验1相同区别在于空白实验1中不添加实施例3中的无硅盐浴提纯添加剂材料,空白实验2的各项条件与在线提纯实验2相同区别在于空白实验2中不添加实施例5中的无硅盐浴提纯添加剂材料。在线提纯实验1至2以及空白实验1至2过程中的各项条件示于表4。

实验过程中,将全新无杂质离子的盐浴置于12吨容积盐浴炉,无硅盐浴提纯添加剂材料与待强化玻璃同时进盐浴,每次投入待强化玻璃1.5万片,每次强化时间2-7h。

表4

由以上在线提纯实验1与空白实验1的数据对比可以看出,在线提纯实验1中每个批次强化过程中添加盐浴提纯剂材料可以将盐浴中的锂离子浓度保持在较低的水平,经过七次强化后仍然可以将锂离子浓度控制在113.79ppm以下,而在空白实验1中的同批次的没有添加盐浴提纯剂材料的盐浴中的锂离子浓度已经高达860ppm,处于中毒水平。由以上在线提纯实验2和空白实验2可以看出,在线提纯实验2每个批次强化过程中添加盐浴提纯剂材料可以将盐浴中的钠离子浓度保持在较低的水平,经过七次强化后仍然可以将钠离子浓度控制在193.10ppm以下,而在空白实验2中的同批次的没有添加盐浴提纯剂材料的盐浴中的锂离子浓度已经高达1560ppm,处于中毒水平。综上,将盐浴提纯剂材料与待强化玻璃同时放入盐浴中,其在玻璃强化过程中持续吸收盐浴中的离子交换过程产生的杂质离子,使得盐浴中的杂质离子一直稳定在较低的水平。

总而言之,与现有技术相比,本发明提供的所述无硅盐浴提纯添加剂材料可以快速吸收用于化学强化玻璃过程中产生在盐浴中的锂离子、钠离子,保证盐浴锂离子、钠离子浓度处于较低水平,保证化学强化玻璃量产尺寸的稳定性、表面应力的稳定性。而且,所述无硅盐浴提纯添加剂材料经过处理释放吸收的杂质离子后可重复多次利用,可大幅减小使用量,降低了成本。

另外,由于所述无硅盐浴提纯添加剂材料不含二氧化硅,其是采用B2O3作为主要架构,Al2O3作为次网络架构,相对于含有二氧化硅的无硅盐浴提纯添加剂材料,其具有更低的合成温度,其熔炼温度可低于1000℃,如此其熔炼设备限制条件将放宽,其熔炼成本将大幅度降低。

再者,所述无硅盐浴提纯添加剂材料即使在长期使用过程中部分在高温作用下粉化,由于其主要包含硼成分物质而非含硅成分,故在盐浴的高温中不易与玻璃表面中的二氧化硅成分形成键合、交联,避免出现强化后玻璃成品会出现颗粒状缺陷,保证产品质量良好。

上面对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,这些均属于本发明的保护之内。

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