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具体实施方式

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下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1所示，本发明提供一种压电性能测试方法。

所述压电性能测试方法应用于待测样品的压电性能测试。其中，所述待测样品包括压电薄膜。

所述压电性能测试方法包括如下步骤：

步骤S1、将交流信号输入至所述待测样品的信号输入端。

步骤S2、通过输入的所述交流信号使所述待测样品通过逆压电效应产生形变，所述待测样品将所述形变转换成电信号输出。

逆压电效应是指当在所述压电薄膜的电介质的极化方向施加电场，这些所述压电薄膜的电介质就在一定方向上产生机械变形或机械压力，当外加电场撤去时，这些变形或应力也随之消失。正压电效应是指通过形变而产生电极化的现象。当对压电材料施以物理压力时，材料体内之电偶极矩会因压缩而变短，此时压电材料为抵抗这变化会在材料相对的表面上产生等量正负电荷，以保持原状。这种通过形变而产生电极化的现象称为“正压电效应”。

步骤S3、获取所述待测样品的信号输出端的输出电信号，所述输出电信号为所述压电薄膜通过正压电效应产生。

步骤S4、将所述输出电信号进行信号放大或者信号处理，以获得所述压电薄膜的压电系数d₃₁。

本实施方式中，所述待测样品还包括后端电路。所述步骤S4中，所述信号放大或者信号处理通过所述后端电路实现。需要指出的是，所述后端电路为本领域常用的电路，设计者根据实际产品需求进行选择具体的电路结构和电路性能指标，在此不作详细描述。

为了更好的实现对压电系数d₃₁测量，减少外界环境对测量的影响，本实施方式中，所述待测样品处于真空状态下进行测试。

本发明提供一种压电性能测试结构100。所述压电性能测试结构100用以实现正压电效应和逆压电效应耦合；而且通过合理优化电极，可在不影响机械性能前提下，获得所述压电材料的电学参数。

(实施例一)

本实施方式为实施例一，请同时参阅图2-3所示，实施例一提供的是一种所述压电性能测试结构100。所述压电性能测试结构100应用所述压电性能测试方法。

具体的，所述压电性能测试结构100包括具有空腔40的衬底4、压电层1以及贴设于所述压电层1相对两侧的上电极2和下电极3。其中，所述压电层1为压电薄膜。

所述压电层1、所述上电极2以及所述下电极3形成一体结构，所述一体结构通过所述下电极3与所述衬底4连接并悬置于所述空腔40上方。即所述一体结构沿所述压电性能测试结构100的厚度方向位于所述空腔40的一侧。

本实施方式中，所述上电极2和所述下电极3分别位于所述压电层1长轴的相对两端。

所述衬底4、所述压电层1、所述上电极2以及所述下电极3共同形成谐振器电路，其中一个所述上电极2或所述下电极3作为信号输入端，另一个所述上电极2或所述下电极3作为信号输出端。

具体的，所述上电极2包括贴设与所述压电层1的同一侧的第一上电极21和第二上电极22，所述第一上电极21作为所述信号输入端，所述第二上电极22作为所述信号输出端。

所述下电极3包括贴设与所述压电层1的另一侧的第一下电极31和第二下电极32，所述第一下电极31和所述第二下电极32均电连接至接地。

本实施方式中，所述压电层1呈矩形。所述第一上电极21和所述第一下电极31正对设置；所述第二上电极22和所述第二下电极32正对设置；所述第一上电极21和所述第二上电极22分别设置于所述压电层1长轴的相对两端。该结构有利于交流信号在所述压电性能测试结构100中进行正压电效应和逆压电效应的转化，从而使得所述压电性能测试结构100的压电系数d₃₁评估和测试更为容易和准确性高。

本实施方式中，所述第一上电极21包括多个；所述第一下电极31包括多个；所述第一上电极21和所述第一下电极31一一对应。所述第二上电极22包括多个。该结构使得交流信号作用于所述第一上电极21和所述第一下电极31更为均衡，从而使得压电层1的逆压电效应更易于产生。

本实施方式中，所述第二下电极32包括多个；所述第二上电极22和所述第二下电极32一一对应。该结构使得所述压电层1形变产生所述输出电信号更易于获得，从而使得所述压电层1的压电系数d₃₁评估和测试更为容易和准确性高。

请参阅图4所示，图4为本发明在不同的所述压电层1的压电系数d₃₁情况下的输出电信号的电压与时间的关系图。W1、W2、W3及W4为所述压电层1(即压电薄膜)的压电系数d₃₁的电压-时间曲线。其中，W1、W2、W3及W4的关系如下：W1为2.0倍的d₃₁，W2为1.5倍的d₃₁，W3为1.0倍的d₃₁，W4为0.5倍的d₃₁，由W1、W2、W3及W4的曲线图可以得出，本发明的所述压电性能测试方法和所述压电性能测试结构100可用于压电系数d₃₁的晶圆级别的测试尤其可以获得超微小的膜层结构的压电系数d₃₁。

综合上述，本发明的所述压电性能测试方法和所述压电性能测试结构100采用正压电效应和逆压电效应耦合，从而实现对所述压电层1的压电系数d₃₁评估和测试。更优的，所述压电性能测试方法和所述压电性能测试结构100直接电驱动、电检测，操作方便，且可用于压电系数d₃₁的晶圆级别的测试尤其可以获得超微小的膜层结构的压电系数d₃₁；并且整个测试系统采用电学测试，测试系统结构简单，同时也易于操作测试。尤其在器件谐振的状态下，可以得到更大的输出电压，有利于信号的检测，且减少工频干扰，所述压电性能测试方法和所述压电性能测试结构100获得压电系数d₃₁的可靠性更高。

(实施例二)

请同时参阅图5-6所示，本发明还提供另一种压电性能测试结构200，所述压电性能测试结构200与所述压电性能测试结构100均应用所述压电性能测试方法。

所述压电性能测试结构200与所述压电性能测试结构100不同的是：所述压电性能测试结构200中的电极在压电薄膜轴向的同一端。

具体的，所述压电性能测试结构200包括具有空腔40a的衬底4a、压电层b以及间隔贴设于所述压电层b相对两侧的多个电极层c。其中，所述电极层c两层且包括上电极层1c、中间电极层2c和下电极层3c。

所述压电层b、所述上电极层1c与所述下电极层3c形成一体结构，所述一体结构的的一端通过所述下电极层3c与所述衬底4a连接，另一端悬置于所述空腔40a上方形成悬臂梁。

所述衬底4a、所述压电层b以及所述电极层c共同形成谐振器电路，其中一个或多个所述电极层c作为信号输入端，其中一个或者多个所述电极层c作为信号输出端，其中一个或者多个所述电极层c悬浮。

本实施方式中，所述悬臂梁为5层堆叠结构。所述压电层b两层且包括第一压电层b1和第二压电层b2。

具体的，所述上电极层1c包括相互间隔的第一段上电极1c11、第二段上电极1c22以及第三段上电极1c33。所述中间电极层2c包括相互间隔的第一段中间电极2c11、第二段中间电极2c22以及第三段中间电极2c33。所述下电极层3c包括相互间隔的第一段下电极3c11、第二段下电极3c22以及第三段下电极3c33。

其中，各个部件的电路连接关系为：

所述第一段中间电极2c11为信号输入端，所述第一段上电极1c11、所述第一段下电极3c11以及所述第二段中间电极2c22均电连接至接地。所述第二段上电极1c22、所述第二段下电极3c22以及所述第三段中间电极2c33均电连接并处于悬浮状态。所述第三段上电极1c33电连接至所述第三段下电极3c33并作为所述信号输出端。

本实施方式中，所述第一段上电极1c11、所述第一段中间电极2c11、所述第一段下电极3c11在设置于所述压电层b的相对两侧的表面时沿着厚度方向的投影有重叠部分。所述第二段上电极1c22、所述第二段中间电极2c22、所述第二段下电极3c22设置于所述压电层b的相对两侧的表面时沿着厚度方向的投影有重叠部分。所述第三段上电极1c33、所述第三段中间电极2c33、所述第三段下电极3c33在分布于所述压电层b相对两侧的表面时沿着厚度方向的投影有重叠部分，以施加电信号时可在所述压电层b内部产生电场。

通过所述压电性能测试结构200的结构和电路连接关系，采用多级的谐振器的器件直接电驱动、电检测，操作方便，且可用于压电系数d₃₁的晶圆级别的测试尤其可以获得超微小的膜层结构的压电系数d₃₁。并且整个测试系统采用电学测试，测试系统结构简单，同时也易于操作测试。尤其在器件谐振的状态下，可以得到更大的输出电压，有利于信号的检测，且减少工频干扰，所述压电性能测试结构200获得压电系数d₃₁的可靠性更高。

与现有技术相比，本发明的压电性能测试方法和压电性能测试结构，该方法包括步骤：步骤S1、将交流信号输入至所述待测样品的信号输入端；步骤S2、通过输入的所述交流信号使所述待测样品通过逆压电效应产生形变，所述待测样品将所述形变转换成电信号输出；步骤S3、获取所述待测样品的信号输出端的输出电信号，所述输出电信号为所述压电薄膜通过正压电效应产生；步骤S4、将所述输出电信号进行信号放大或者信号处理，以获得所述压电薄膜的压电系数。该方法采用正压电效应和逆压电效应耦合，从而实现对所述压电薄膜的压电系数评估和测试，应用于压电薄膜的压电性能测试方法和压电性能测试结构直接电驱动、电检测，操作方便，且可用于压电系数的晶圆级别的测试尤其可以获得超微小的膜层结构的压电系数；并且整个测试系统采用电学测试，测试系统结构简单，同时也易于操作测试。尤其在器件谐振的状态下，可以得到更大的输出电压，有利于信号的检测，且减少工频干扰，因此，压电性能测试方法和所述膜层压电材料的压电性能测试结构获得压电系数的可靠性更高。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。