具体实施方式

以下说明本发明的实施方式。另外，对于相同的构成标注相同的附图标记而省略其说明。

实施方式1.

参照图1对本实施方式的电力变换装置1的电路构成的一例进行说明。本实施方式的电力变换装置1例如是DC－DC转换器。电力变换装置1具备逆变器电路2、变压器电路3、整流电路4、包括线圈装置100在内的平滑电路5和控制电路6。电力变换装置1将向输入端子110输入的直流电压V_i变换成直流电压V_o，从输出端子111输出直流电压V_o。

逆变器电路2包括开关元件7a、7b、7c、7d。开关元件7a、7b、7c、7d分别例如是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或者绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。开关元件7a、7b、7c、7d分别由硅(Si)、碳化硅(SiC)或者氮化镓(GaN)那样的半导体材料形成。

变压器电路3包括变压器101。变压器101包括一次侧线圈导体120、内芯10(参照图2至图5)和二次侧线圈导体121。例如，一次侧线圈导体120是高电压侧线圈导体，二次侧线圈导体121是低电压侧线圈导体。一次侧线圈导体120与逆变器电路2连接。二次侧线圈导体121与整流电路4连接。二次侧线圈导体121经由内芯10而与一次侧线圈导体120磁耦合。

整流电路4具备二极管8a、8b、8c、8d。二极管8a、8b、8c、8d分别由Si、SiC或者GaN那样的半导体材料形成。平滑电路5包括电容器9a和作为平滑线圈的线圈装置100。

电力变换装置1在逆变器电路2的前段具备电容器9b和作为平滑线圈的线圈装置102。电力变换装置1在逆变器电路2与变压器电路3之间具备作为共振线圈的线圈装置103。

向电力变换装置1例如输入100V以上且600V以下的直流电压V_i。电力变换装置1例如输出12V以上且16V以下的直流电压V_o。具体来讲，输入至输入端子110的直流电压V_i由逆变器电路2变换成第1交流电压。第1交流电压由变压器电路3变换成比第1交流电压低的第2交流电压。第2交流电压由整流电路4整流。平滑电路5使从整流电路4输出的电压平滑化。电力变换装置1将从平滑电路5输出的直流电压V_o从输出端子111输出。

输入端子110、输出端子111、开关元件7a、7b、7c、7d、二极管8a、8b、8c、8d以及电容器9a、9b中的至少一者例如搭载于电路基板(第1电路基板15、第2电路基板16(参照图2至图5))。电路基板安装于散热构件60(参照图2至图5)。散热构件60例如是电力变换装置1的框体。也可以在电路基板上搭载其他电子部件。包括输入端子110、输出端子111、开关元件7a、7b、7c、7d、二极管8a、8b、8c、8d以及电容器9a、9b中的至少一者在内的电子部件也可以搭载在电力变换装置1的框体上。

参照图2至图5说明本实施方式的电路装置105。电力变换装置1包括电路装置105。另外，电力变换装置1也可以包括实施方式2～11的电路装置105b～105i中的任一者来替代实施方式1的电路装置105。电路装置105例如是电力变换装置1所包含的变压器101。电路装置105也可以是线圈装置100、102、103中的任一者。电路装置105具备内芯10、第1电路基板15、第2电路基板16、散热构件60、第1传热构件50和第2传热构件51。

内芯10包括磁性材料。内芯10例如是猛－锌(Mn－Zn)类铁素体或是镍－锌(Ni－Zn)类铁素体那样的铁素体内芯、非晶内芯或者铁粉内芯。内芯10例如包括第1内芯部分10a和第2内芯部分10b。例如，内芯10是EI型内芯，第1内芯部分10a具有I形状，第2内芯部分10b具有E形状。第2内芯部分10b具有第1腿部11a、第2腿部11b以及第3腿部11c。第2腿部11b位于第1腿部11a与第3腿部11c之间。第1内芯部分10a配置在散热构件60的凹部60b内。第2内芯部分10b重叠在第1内芯部分10a上。内芯10的形状没有特别限定，内芯10也可以是EE型内芯、U型内芯、UU型内芯、EER型内芯或者ER型内芯。

第1电路基板15包括第1基板30和第1线圈图形20。第1电路基板15例如是印刷基板。第1基板30包括面向散热构件60的表面60a的第1主面30a和与第1主面30a相反侧的第2主面30b。第1基板30由具有电绝缘性的材料形成，是绝缘基板。第1基板30例如由玻璃纤维强化环氧树脂、酚醛树脂、聚苯硫醚(PPS)、聚醚醚酮(PEEK)等形成。第1基板30也可以由氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)等陶瓷材料形成。也可以在第1基板30设置从第1主面30a延伸至第2主面30b的第1贯通孔30h。内芯10的第2腿部11b插入在第1贯通孔30h中。内芯10的第2腿部11b贯穿第1电路基板15(第1基板30)。

第1线圈图形20与一次侧线圈导体120(参照图1)相当。第1线圈图形20设在第1主面30a上、第2主面30b上或者第1基板30中。第1电路基板15例如是第1线圈图形20设在第1主面30a上或者第2主面30b上的单面配线基板。第1线圈图形20由具有相比第1基板30低的电阻率以及高的热导率的材料构成。第1线圈图形20由铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锡(Sn)、铜(Cu)合金、镍(Ni)合金、金(Au)合金、银(Ag)合金或者锡(Sn)合金等导电性材料形成。第1线圈图形20例如是具有1μm以上且5000μm以下的厚度的薄的导体层。

第1线圈图形20将内芯10的至少一部分包围。第1线圈图形20例如包围第1腿部11a、第2腿部11b以及第3腿部11c中的至少一者。具体来讲，第1线圈图形20例如经过第1腿部11a与第2腿部11b之间的空间以及第2腿部11b与第3腿部11c之间的空间，将内芯10的第2腿部11b包围。第1线圈图形20包围内芯10的至少一部分是指第1线圈图形20围绕内芯10的至少一部分卷绕半匝以上。在本说明书中，线圈图形具有一个圈数(匝数)是指线圈图形将处于第2腿部11b周围的由第1内芯部分10a和第2内芯部分10b包围的全部空间贯穿一次。第1线圈图形20的一部分也可以位于第1内芯部分10a与第2内芯部分10b之间。

如图2至图4所示那样，构成逆变器电路2(参照图1)的第1电子部件40搭载在第1电路基板15以及第2电路基板16中的至少一者上。具体来讲，第1电子部件40可以搭载在第1电路基板15的第2主面30b上。第1电子部件40例如是开关元件7a、7b、7c、7d(参照图1)。第1电子部件40与第1线圈图形20电连接。

第2电路基板16包括第2基板31和第2线圈图形21。第2电路基板16例如是印刷基板。第2基板31包括面对第1电路基板15的第3主面31a和与第3主面31a相反侧的第4主面31b。第2基板31由具有电绝缘性的材料形成，是绝缘基板。第2基板31例如由玻璃纤维强化环氧树脂、酚醛树脂、聚苯硫醚(PPS)、聚醚醚酮(PEEK)等形成。第2基板31也可以由氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)等陶瓷材料形成。也可以在第2基板31设置从第3主面31a延伸至第4主面31b的第2贯通孔31h。内芯10的第2腿部11b插入在第2贯通孔31h中。内芯10的第2腿部11b贯穿第2电路基板16(第2基板31)。

第2线圈图形21与二次侧线圈导体121(参照图1)相当。第2线圈图形21设在第3主面31a上、第4主面31b上或者第2基板31中。第2电路基板16例如是第2线圈图形21设在第3主面31a上或者第4主面31b上的单面配线基板。第2线圈图形21设在与第1线圈图形20不同的基板上。因而，第2线圈图形21在形状、厚度、匝数等方面可容易独立于第1线圈图形20来进行设计。第2线圈图形21由具有相比第2基板31低的电阻率以及高的热导率的材料构成。第2线圈图形21由铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锡(Sn)、铜(Cu)合金、镍(Ni)合金、金(Au)合金、银(Ag)合金或者锡(Sn)合金等导电性材料形成。

第2线圈图形21例如是具有1μm以上且5000μm以下的厚度的薄的导体层。第2线圈图形21的厚度也可以与第1线圈图形20的厚度不同。例如，在电力变换装置1为降压DC/DC转换器的场合，在与一次侧线圈导体120对应的第1线圈图形20中流动的第1电流小于在与二次侧线圈导体121对应的第2线圈图形21中流动的第2电流。因而，也可以使第1线圈图形20的厚度小于第2线圈图形21的厚度。

第2线圈图形21将内芯10的至少一部分包围。第2线圈图形21例如将第1腿部11a、第2腿部11b以及第3腿部11c中的至少一者包围。具体来讲，第2线圈图形21例如经过第1腿部11a与第2腿部11b之间的空间以及第2腿部11b与第3腿部11c之间的空间，将内芯10的第2腿部11b包围。第2线圈图形21包围内芯10的至少一部分是指第2线圈图形21围绕内芯10的至少一部分卷绕半匝以上。第2线圈图形21的一部分也可以位于第1内芯部分10a与第2内芯部分10b之间。

关于内芯10的至少一部分(例如内芯10的第2腿部11b)，第2线圈图形21在与第1线圈图形20不同的方向上卷绕。第2线圈图形21经由内芯10而与第1线圈图形20磁耦合。第2电路基板16覆盖第1电路基板15的至少一部分，机械式地保护第1电路基板15。

如图2至图4所示那样，构成整流电路4(参照图1)的第2电子部件41、42搭载在第1电路基板15以及第2电路基板16中的至少一者上。具体来讲，第2电子部件41、42也可以搭载在第2电路基板16的第4主面31b上。第2电子部件41、42例如是二极管8a、8b、8c、8d(参照图1)。第2电子部件41、42与第2线圈图形21电连接。

散热构件60支撑内芯10、第1电路基板15和第2电路基板16。散热构件60还支撑第1传热构件50和第2传热构件51。散热构件60具有面对第1电路基板15的表面60a。凹部60b设在散热构件60的表面60a上。内芯10的一部分(第1内芯部分10a)收容在凹部60b内。散热构件60与内芯10(第1内芯部分10a)呈面接触。当使电流流向第1线圈图形20和第2线圈图形21而使电路装置105动作时，会在内芯10中发生因磁力损失造成的能量损失，内芯10发热。在内芯10中产生的热会以低的热阻向散热构件60传递。可抑制电路装置105动作时的内芯10的温度上升以及内芯10中的电力损失。

内芯10、第1电路基板15和第2电路基板16也可以利用螺钉、螺丝或者铆钉那样的固定构件70(参照图25)而固定于散热构件60。内芯10、第1电路基板15和第2电路基板16也可以通过由弹簧(未图示)向散热构件60按压而固定于散热构件60。

散热构件60例如构成对内芯10、第1电路基板15以及第2电路基板16进行收容的电力变换装置1的框体的一部分。因而，仅通过将内芯10、第1电路基板15、第2电路基板16、第1传热构件50和第2传热构件51固定于散热构件60，就可将电路装置105(变压器101)搭载于电力变换装置1。由于无需在将电路装置105搭载于电力变换装置1之前预先组装电路装置105，所以可削减电力变换装置1的制造成本。进而，由于不需要电路装置105自身的框体，所以具备电路装置105的电力变换装置1可小型化。散热构件60具有0.1W/(m·K)以上的热导率。散热构件60也可以具有1.0W/(m·K)以上的热导率，还可以具有10.0W/(m·K)以上的热导率。散热构件60也可以电力接地。

散热构件60例如由铜(Cu)、铝(Al)、铁(Fe)、SUS304那样的铁(Fe)合金、磷青铜那样的铜(Cu)合金、或者ADC12那样的铝(Al)合金等金属材料形成。散热构件60也可以由含有导热性填料的树脂材料形成。散热构件60所使用的树脂材料例如是聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚苯硫醚(PPS)或者聚醚醚酮(PEEK)等。散热构件60例如由非磁性材料形成。散热构件60通过切削、压铸、锻造、或者使用模具的成型等方法来制造。

第1传热构件50配置在第1电路基板15与散热构件60之间，且与第1电路基板15和散热构件60呈面接触。第1电路基板15、第1传热构件50和散热构件60相互层叠。第1传热构件50将第1电路基板15以相对低的热阻热连接于散热构件60。第1传热构件50是第1传热片。第1传热构件50也可以具有电绝缘性。具有电绝缘性的第1传热构件50也可以与第1线圈图形20呈面接触。第1传热构件50也可以与内芯10接触。

第1传热构件50也可以由硅酮、聚氨酯、环氧、丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚苯硫醚(PPS)、酚醛或聚酰亚胺等树脂材料、玻璃纤维或者聚芳酰胺纤维那样纤维材料、或者氧化铝或氮化铝等陶瓷材料形成。第1传热构件50也可以是硅酮橡胶片或者聚氨酯橡胶片。第1传热构件50也可以由硅酮凝胶、硅酮润滑脂或者硅酮粘接剂形成。

第1传热构件50具有比第1基板30以及第2基板31高的热导率。第1传热构件50具有0.1W/(m·K)以上的热导率。第1传热构件50也可以具有1.0W/(m·K)以上的热导率，还可以具有10.0W/(m·K)以上的热导率。第1传热构件50也可以具有弹性。也可以通过将第1电路基板15向散热构件60按压，将第1传热构件50挤压变形。

第2传热构件51配置在第1电路基板15与第2电路基板16之间，且与第1电路基板15和第2电路基板16呈面接触。第1电路基板15、第2传热构件51和第2电路基板16相互层叠。第2传热构件51是第2传热片。第2传热构件51以相对低的热阻将第2电路基板16热连接于第1电路基板15。第2传热构件51也可以具有电绝缘性。具有电绝缘性的第2传热构件51也可以与第1线圈图形20以及第2线圈图形21中的至少一者呈面接触。第2传热构件51也可以与内芯10接触。

第2传热构件51也可以由硅酮、聚氨酯、环氧、丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚苯硫醚(PPS)、酚醛或聚酰亚胺等树脂材料、玻璃纤维或聚芳酰胺纤维那样的纤维材料、或者氧化铝或氮化铝等陶瓷材料形成。第2传热构件51也可以是硅酮橡胶片或者聚氨酯橡胶片。第2传热构件51也可以由硅酮凝胶、硅酮润滑脂或者硅酮粘接剂形成。第2传热构件51既可以由与第1传热构件50相同的材料形成，也可以由与第1传热构件50不同的材料形成。

第2传热构件51具有比第1基板30以及第2基板31高的热导率。第2传热构件51既可以具有与第1传热构件50相同的热导率，也可以具有与第1传热构件50不同的热导率。第2传热构件51具有0.1W/(m·K)以上的热导率。第2传热构件51也可以具有1.0W/(m·K)以上的热导率，还可以具有10.0W/(m·K)以上的热导率。第2传热构件51也可以具有弹性。也可以通过向第1电路基板15按压第2电路基板16，将第2传热构件51挤压变形。

对本实施方式的电路装置105以及电力变换装置1的效果进行说明。

本实施方式的电路装置105具备内芯10、第1电路基板15、第2电路基板16、散热构件60、第1传热构件50和第2传热构件51。第1电路基板15包括第1基板30和第1线圈图形20。第1线圈图形20将内芯10的至少一部分包围。第2电路基板16包括第2基板31和第2线圈图形21。第2线圈图形21将内芯10的至少一部分包围。散热构件60支撑内芯10、第1电路基板15和第2电路基板16。第1传热构件50配置在第1电路基板15与散热构件60之间，且与第1电路基板15和散热构件60呈面接触。第2传热构件51配置在第1电路基板15与第2电路基板16之间，且与第1电路基板15和第2电路基板16呈面接触。

当使电流流向第1线圈图形20和第2线圈图形21而使电路装置105动作时，在第1线圈图形20以及第2线圈图形21中产生热。第1线圈图形20中产生的热经由第1传热构件50，以相对低的热阻向散热构件60传递。第2线圈图形21中产生的热经由第2传热构件51、第1电路基板15以及第1传热构件50，以相对低的热阻向散热构件60传递。因而，可抑制电路装置105动作时的电路装置105的温度上升以及电力损失。

在电路装置105动作时在第1电子部件40中产生的热经由第1电路基板15以及第1传热构件50，以相对低的热阻向散热构件60传递。在电路装置105动作时在第2电子部件41、42中产生的热经由第2电路基板16、第2传热构件51、第1电路基板15以及第1传热构件50，以相对低的热阻向散热构件60传递。因而，可抑制电路装置105动作时的电路装置105的温度上升以及电力损失。

本实施方式的电力变换装置1具备电路装置105和控制在第1线圈图形20中流动的电流的逆变器电路。当使电流流向第1线圈图形20和第2线圈图形21而使电力变换装置1动作时，在第1线圈图形20以及第2线圈图形21中产生热。第1线圈图形20中产生的热经由第1传热构件50，以相对低的热阻向散热构件60传递。第2线圈图形21中产生的热经由第2传热构件51、第1电路基板15以及第1传热构件50，以相对低的热阻向散热构件60传递。因而，可抑制电力变换装置1动作时的电力变换装置1的温度上升以及电力损失。

实施方式2.

参照图6以及图7对实施方式2涉及的电路装置105b进行说明。本实施方式的电路装置105b虽具备与实施方式1的电路装置105同样的构成，但主要在以下方面不同。

在电路装置105b中，第1电路基板15包括将内芯10的至少一部分(例如内芯10的第2腿部11b)包围的第3线圈图形22。第3线圈图形22在第1基板30的厚度方向与第1线圈图形20分离。第3线圈图形22设在第1主面30a上、第2主面30b上或者第1基板30中。第1电路基板15例如是第1线圈图形20设在第2主面30b上且第3线圈图形22设在第1主面30a上的双面配线基板。在俯视第2主面30b时，第3线圈图形22既可以具有与第1线圈图形20相同的形状，也可以具有与第1线圈图形20不同的形状。

第3线圈图形22经过第1通孔电极27而与第1线圈图形20电连接。第1通孔电极27沿着第1基板30的厚度方向延伸。第1通孔电极27也可以从第1主面30a延伸至第2主面30b。第1通孔电极27既可以通过在沿着第1基板30的厚度方向延伸的孔内充填导电材料(例如金属材料)来形成，也可以通过在沿着第1基板30的厚度方向延伸的孔的表面上堆积导电膜(例如金属膜)来形成。

在电路装置105b中，第2电路基板16包括将内芯10的至少一部分包围的第4线圈图形23。第4线圈图形23在第2基板31的厚度方向与第2线圈图形21分离。第4线圈图形23设在第3主面31a上、第4主面31b上或者第2基板31中。第2电路基板16例如是第2线圈图形21设在第4主面31b上且第4线圈图形23设在第3主面31a上的双面配线基板。在俯视第4主面31b时，第4线圈图形23既可以具有与第2线圈图形21相同的形状，也可以具有与第2线圈图形21不同的形状。

第4线圈图形23经过第2通孔电极28而与第2线圈图形21电连接。第2通孔电极28沿着第2基板31的厚度方向延伸。第2通孔电极28也可以从第3主面31a延伸至第4主面31b。第2通孔电极28既可以通过在沿着第2基板31的厚度方向延伸的孔内充填导电材料(例如金属材料)来形成，也可以通过在沿着第2基板31的厚度方向延伸的孔的表面上堆积导电膜(例如金属膜)来形成。

具有电绝缘性的第1传热构件50也可以与第3线圈图形22和散热构件60呈面接触。具有电绝缘性的第2传热构件51也可以与第1线圈图形20和第4线圈图形23呈面接触。

电路装置105b只要包括第3线圈图形22以及第4线圈图形23中的至少一者即可。第1电路基板15也可以包括3层以上的线圈图形。第2电路基板16也可以包括3层以上的线圈图形。例如，第1电路基板15也可以在第1基板30的内部进一步包括线圈图形(未图示)。第2电路基板16也可以在第2基板31的内部进一步包括线圈图形(未图示)。

本实施方式的电路装置105b发挥与实施方式1的电路装置105同样的以下效果。

在本实施方式的电路装置105b中，第1电路基板15包括将内芯10的至少一部分包围的第3线圈图形22。第3线圈图形22在第1基板30的厚度方向与第1线圈图形20分离，且经过第1通孔电极27而与第1线圈图形20电连接。

当使电流流向第1线圈图形20、第2线圈图形21和第3线圈图形22而使电路装置105b动作时，在第1线圈图形20、第2线圈图形21以及第3线圈图形22中产生热。第1线圈图形20以及第3线圈图形22中产生的热经由第1传热构件50，以相对低的热阻向散热构件60传递。第2线圈图形21中产生的热经由第2传热构件51、第1电路基板15以及第1传热构件50，以相对低的热阻向散热构件60传递。由于第1线圈图形20中产生的热向第3线圈图形22传递，所以可抑制第1线圈图形20过热。因而，可抑制电路装置105b动作时的电路装置105b的温度上升以及电力损失。

在本实施方式的电路装置105b中，第2电路基板16包括将内芯10的至少一部分包围的第4线圈图形23。第4线圈图形23在第2基板31的厚度方向与第2线圈图形21分离，且经过第2通孔电极28而与第2线圈图形21电连接。

当使电流流向第1线圈图形20、第2线圈图形21和第4线圈图形23而使电路装置105b动作时，在第1线圈图形20、第2线圈图形21以及第4线圈图形23中产生热。第1线圈图形20中产生的热经由第1传热构件50，以相对低的热阻向散热构件60传递。第2线圈图形21以及第4线圈图形23中产生的热经由第2传热构件51、第1电路基板15以及第1传热构件50，以相对低的热阻向散热构件60传递。由于第2线圈图形21中产生的热向第4线圈图形23传递，所以可抑制第2线圈图形21过热。因而，可抑制电路装置105b动作时的电路装置105b的温度上升以及电力损失。

实施方式3.

参照图8至图11说明实施方式3涉及的电路装置。本实施方式的电路装置虽然具备与实施方式2的电路装置105b同样的构成，但主要在以下方面不同。

在本实施方式中，第1电路基板15中的第1发热量大于第2电路基板16中的第2发热量。在本说明书中，第1电路基板15中的第1发热量是指形成于第1电路基板15的所有线圈图形(例如第1线圈图形20以及第3线圈图形22)中产生的热量。第2电路基板16中的第2发热量是指形成于第2电路基板16的所有线圈图形(例如第2线圈图形21以及第4线圈图形23)中产生的热量。以使第1电路基板15中的第1发热量大于第2电路基板16中的第2发热量的方式来设计第1线圈图形20至第4线圈图形23。第1电路基板15相比第2电路基板16配置在发热量多且靠近散热构件60的位置。因而，能降低本实施方式的电路装置的温度上升。

根据电路装置以及电力变换装置的规格，确定一次侧线圈导体120以及二次侧线圈导体121的匝数比。根据匝数比，确定施加于一次侧线圈导体120的电压与施加于二次侧线圈导体121的电压之间的比、和在一次侧线圈导体120中流动的电流与在二次侧线圈导体121中流动的电流之间的比。根据匝数比，确定形成于第1电路基板15以及第2电路基板16的线圈图形的形状以及层数。即，根据匝数比，确定形成于第1电路基板15以及第2电路基板16的线圈图形的长度。以使第1电路基板15中的第1发热量大于第2电路基板16中的第2发热量的方式，确定形成于第1电路基板15以及第2电路基板16的线圈图形的宽度、厚度或者电阻率中的至少一者。

以下，对在第1电路基板15形成有一次侧线圈导体120且在第2电路基板16形成有二次侧线圈导体121的场合进行研究。如图8以及图9所示那样，第1线圈图形20以及第3线圈图形22分别围绕内芯10的第2腿部11b卷绕7/8匝。第1线圈图形20以及第3线圈图形22利用第1通孔电极27而相互串联地电连接。第1线圈图形20以及第3线圈图形22作为整体围绕内芯10的第2腿部11b卷绕二匝。即，一次侧线圈导体120是二匝的一个串联导体。

如图10以及图11所示那样，第2线圈图形21以及第4线圈图形23分别围绕内芯10的第2腿部11b卷绕一匝。第2线圈图形21以及第4线圈图形23利用第2通孔电极28以及第3通孔电极28a而相互并联地电连接。即，二次侧线圈导体121是一匝的二个并联导体。一次侧线圈导体120与二次侧线圈导体121之间的匝数比是2:1。

若将施加于一次侧线圈导体120的第1电压(V)设为V₁，将在一次侧线圈导体120中流动的第1电流(A)设为I₁，将一次侧线圈导体120的第1电阻值(Ω)设为R₁，则一次侧线圈导体120的发热量W₁(W)由式(1)给出。

W₁＝I₁×V₁＝I₁ ²×R₁ (1)

若将施加于二次侧线圈导体121的第2电压(V)设为V₂，将在二次侧线圈导体121中流动的第2电流(A)设为I₂，将二次侧线圈导体121的第2电阻值(Ω)设为R₂，则二次侧线圈导体121的发热量W₂(W)由式(2)给出。

W₂＝I₂×V₂＝I₂ ²×R₂ (2)

第1线圈图形20具有b₁(m)的宽度、L₁(m)的长度、t₁(m)的厚度和ρ₁(Ω·m)的电阻率。第2线圈图形21具有b₂(m)的宽度、L₂(m)的长度、t₂(m)的厚度和ρ₂(Ω·m)的电阻率。第3线圈图形22具有b₃(m)的宽度、L₃(m)的长度、t₃(m)的厚度和ρ₃(Ω·m)的电阻率。第4线圈图形23具有b₄(m)的宽度、L₄(m)的长度、t₄(m)的厚度和ρ₄(Ω·m)的电阻率。一次侧线圈导体120的第1电阻值R₁由式(3)给出。二次侧线圈导体121的第2电阻值R₂由(4)给出。

[数式1]

[数式2]

由于一次侧线圈导体120与二次侧线圈导体121之间的匝数比是2:1，所以V₁:V₂＝2:1，且I₁:I₂＝1:2。在此，在ρ₁～ρ₄彼此相等，b₁～b₄彼此相等，L₁～L₄彼此相等，t₁和t₃彼此相等，t₂和t₄彼此相等的场合，一次侧线圈导体120的发热量W₁相对于二次侧线圈导体121的发热量W₂之比由式(5)给出。以使W₁/W₂大于1的方式，确定第1线圈图形20的厚度t₁和第2线圈图形21的厚度t₂。

W₁/W₂＝t₂/2t₁ (5)

另外，即便在t₁和t₃彼此不同且t₂和t₄彼此不同的场合，也能以使W₁/W₂大于1的方式，确定第1线圈图形20的厚度t₁、第2线圈图形21的厚度t₂、第3线圈图形22的厚度t₃和第4线圈图形23的厚度t₄。另外，在二次侧线圈导体121的发热量W₂大于一次侧线圈导体120的发热量W₁的场合，二次侧线圈导体121形成在第1电路基板15，且一次侧线圈导体120形成在第2电路基板16。

第1电路基板15也可以包括3层以上的线圈图形。第2电路基板16也可以包括3层以上的线圈图形。例如，第1电路基板15也可以在第1基板30的内部进一步包括线圈图形(未图示)。第2电路基板16也可以在第2基板31的内部进一步包括线圈图形(未图示)。

实施方式4.

参照图12至图14说明实施方式4涉及的电路装置105c。本实施方式的电路装置105c虽具备与实施方式1的电路装置105同样的构成，但主要在以下方面不同。

在电路装置105c中，第1电路基板15包括贯穿第1基板30的传热通孔29。传热通孔29与第1传热构件50和第2传热构件51接触。传热通孔29沿着第1基板30的厚度方向延伸，从第3主面31a延伸至第4主面31b。传热通孔29既可以通过向从第3主面31a延伸至第4主面31b的孔内充填导热材料(例如金属材料)来形成，也可以通过在从第3主面31a延伸至第4主面31b的孔的表面上堆积导热膜(例如金属膜)来形成。传热通孔29具有比第1基板30高的热导率。

第1电路基板15还可以包括设在第1主面30a上的第3线圈图形22。第1电路基板15还可以包括设在第1主面30a上的第1导电图形26a。第1导电图形26a由与第3线圈图形22相同的材料形成。第1导电图形26a也可以与线圈图形(例如第1线圈图形20、第2线圈图形21以及第3线圈图形22)电绝缘。

第1电路基板15还可以包括设在第2主面30b上的第2导电图形26b。第2导电图形26b由与第1线圈图形20相同的材料形成。第2导电图形26b也可以与线圈图形(例如第1线圈图形20、第2线圈图形21以及第3线圈图形22)电绝缘。传热通孔29也可以与第1导电图形26a和第2导电图形26b接触。传热通孔29也可以作为将第2导电图形26b与第1导电图形26a电连接的第3通孔电极发挥功能。

本实施方式的电路装置105c发挥与实施方式1的电路装置105同样的以下效果。

在本实施方式的电路装置105c中，第1电路基板15包括贯穿第1基板30的传热通孔29。传热通孔29与第1传热构件50和第2传热构件51接触。当使电流流向第1线圈图形20、第2线圈图形21和第3线圈图形22而使电路装置105c动作时，在第1线圈图形20、第2线圈图形21以及第3线圈图形22中产生热。第1线圈图形20以及第3线圈图形22中产生的热经由第1传热构件50，以相对低的热阻向散热构件60传递。第2线圈图形21中产生的热经由第2传热构件51、传热通孔29以及第1传热构件50，以更低的热阻向散热构件60传递。因而，可抑制电路装置105c动作时的电路装置105c的温度上升以及电力损失。

实施方式5.

参照图15说明实施方式5涉及的电路装置105d。本实施方式的电路装置105d虽具备与实施方式1的电路装置105同样的构成，但主要在以下方面不同。

散热构件60包括从表面60a向第2电路基板16突出的第1突出部62。第1突出部62也可以是与除了第1突出部62以外的散热构件60的部分分开的构件。第1突出部62也可以由与散热构件60不同的材料构成。

电路装置105d还具备第3传热构件52。第3传热构件52配置在第2电路基板16与第1突出部62之间，且与第2电路基板16和第1突出部62呈面接触。第2电路基板16、第3传热构件52和第1突出部62相互层叠。第3传热构件52将第2电路基板16与第1突出部62热连接。第3传热构件52是第3传热片。第3传热构件52也可以具有电绝缘性。

第3传热构件52也可以由硅酮或聚氨酯等橡胶材料、丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚苯硫醚(PPS)、环氧、酚醛或聚酰亚胺等树脂材料、或者氧化铝或氮化铝等陶瓷材料形成。第3传热构件52也可以由硅酮凝胶、硅酮润滑脂或者硅酮粘接剂形成。

第3传热构件52具有0.1W/(m·K)以上的热导率。第1传热构件50也可以具有1.0W/(m·K)以上的热导率，还可以具有10.0W/(m·K)以上的热导率。第3传热构件52也可以具有弹性。也可以通过向散热构件60按压第2电路基板16，将第3传热构件52挤压变形。

本实施方式的电路装置105d除了实施方式1的电路装置105的效果以外还发挥以下的效果。

本实施方式的电路装置105d还具备第3传热构件52。散热构件60包括面向第1电路基板15的表面60a和从表面60a向第2电路基板16突出的第1突出部62。第3传热构件52配置在第2电路基板16与第1突出部62之间，且与第2电路基板16和第1突出部62呈面接触。

当使电流流向第1线圈图形20和第2线圈图形21而使电路装置105d动作时在第2线圈图形21中产生的热，经过包括第2传热构件51、第1电路基板15以及第1传热构件50在内的第1散热路径、和包括第3传热构件52在内的第2散热路径，以更低的热阻向散热构件60传递。因而，可抑制电路装置105d动作时的电路装置105d的温度上升以及电力损失。

第2电路基板16经由第3传热构件52而由第1突出部62支撑。因而，可抑制因施加于电路装置105d的振动或冲击导致第2电路基板16变形以及受到机械性损伤。

实施方式6.

参照图16至图18说明实施方式6涉及的电路装置105e。本实施方式的电路装置105e虽具备与实施方式1的电路装置105同样的构成，但主要在以下方面不同。

散热构件60包括从表面60a向第2电路基板16突出的第1突出部62。第1突出部62也可以是与除了第1突出部62以外的散热构件60的部分分开的构件。第1突出部62也可以由与散热构件60的该部分不同的材料构成。

内芯10的一部分(例如内芯10的第2腿部11b)以及第1突出部62插入在第1贯通孔30h中。内芯10的一部分(例如内芯10的第2腿部11b)插入在第2贯通孔31h中，而第1突出部62没有插入在第2贯通孔31h中。第1突出部62贯穿第1电路基板15(第1基板30)，但不贯穿第2电路基板16(第1基板30)。

第2传热构件51配置在第2电路基板16与第1突出部62之间，且与第2电路基板16和第1突出部62呈面接触。第2电路基板16、第2传热构件51和第1突出部62相互层叠。第2传热构件51将第2电路基板16与第1突出部62热连接。在俯视散热构件60的表面60a时，第1突出部62也可以与第2线圈图形21的一部分重叠。

本实施方式的电路装置105e除了实施方式1的电路装置105的效果以外还发挥以下的效果。

在本实施方式的电路装置105e中，散热构件60包括面对第1电路基板15的表面60a和从表面60a向第2电路基板16突出的第1突出部62。第2传热构件51配置在第2电路基板16与第1突出部62之间，且与第2电路基板16和第1突出部62呈面接触。在第1基板30设有第1贯通孔30h。内芯10的一部分(内芯10的第2腿部11b)以及第1突出部62插入在第1贯通孔30h中。

当使电流流向第1线圈图形20和第2线圈图形21而使电路装置105e动作时在第2线圈图形21中产生的热，经过包括第2传热构件51、第1电路基板15以及第1传热构件50在内的第1散热路径、和包括第2传热构件51以及第1突出部62在内的第2散热路径，以更低的热阻向散热构件60传递。因而，可抑制电路装置105e动作时的电路装置105e的温度上升以及电力损失。

第2电路基板16经由第2传热构件51而由第1突出部62支撑。因而，可抑制因施加于电路装置105e的振动或冲击导致第2电路基板16变形以及受到机械性损伤。

内芯10的一部分(内芯10的第2腿部11b)以及第1突出部62插入在第1贯通孔30h中。因而，第1电路基板15以及内芯10可相对于散热构件60对位。可防止因施加于电路装置105e的振动或冲击导致第1电路基板15以及内芯10相对于散热构件60在沿着散热构件60的表面60a的方向发生位移。

在本实施方式的电路装置105e中，在俯视散热构件60的表面60a时，第1突出部62也可以与第2线圈图形21的一部分重叠。因而，当使电流流向第1线圈图形20和第2线圈图形21而使电路装置105e动作时在第2线圈图形21中产生的热，经过包括第2传热构件51以及第1突出部62在内的第2散热路径，以更低的热阻向散热构件60传递。可抑制电路装置105e动作时的电路装置105e的温度上升以及电力损失。

实施方式7.

参照图19至图21说明实施方式7涉及的电路装置105f。本实施方式的电路装置105f虽然具备与实施方式6的电路装置105e同样的构成，但主要在以下方面不同。

散热构件60还包括从表面60a向第2电路基板16突出的第2突出部63。第2突出部63也可以是与除了第1突出部62以及第2突出部63以外的散热构件60的部分分开的构件。第2突出部63也可以由与散热构件60的该部分不同的材料构成。

内芯10的一部分(例如内芯10的第2腿部11b)、第2突出部63插入在第1贯通孔30h中。内芯10的一部分(例如内芯10的第2腿部11b)插入在第2贯通孔31h中，而第2突出部63没有插入在第2贯通孔31h中。第2突出部63贯穿第1电路基板15(第1基板30)，但没有贯穿第2电路基板16(第2基板31)。内芯10的一部分(例如内芯10的第2腿部11b)配置在第1突出部62与第2突出部63之间。

第2传热构件51配置在第2电路基板16与第2突出部63之间，且与第2电路基板16和第2突出部63呈面接触。第2电路基板16、第2传热构件51和第2突出部63相互层叠。第2传热构件51将第2电路基板16与第2突出部63热连接。

本实施方式的电路装置105f除了实施方式6的电路装置105e的效果以外还发挥以下效果。

在本实施方式的电路装置105f中，散热构件60还包括从表面60a向第2电路基板16突出的第2突出部63。第2传热构件51配置在第2电路基板16与第2突出部63之间，且与第2电路基板16和第2突出部63呈面接触。在第1基板30设有第1贯通孔30h。内芯10的一部分(内芯10的第2腿部11b)、第1突出部62以及第2突出部63插入在第1贯通孔30h中。

当使电流流向第1线圈图形20和第2线圈图形21而使电路装置105f动作时在第2线圈图形21中产生的热，经过包括第2传热构件51、第1电路基板15以及第1传热构件50在内的第1散热路径、包括第2传热构件51以及第1突出部62在内的第2散热路径、和包括第2传热构件51以及第2突出部63在内的第3散热路径，以更低的热阻向散热构件60传递。因而，可抑制电路装置105f动作时的电路装置105f的温度上升以及电力损失。

第2电路基板16经由第2传热构件51而由第1突出部62以及第2突出部63支撑。因而，可抑制因施加于电路装置105f的振动或冲击导致第2电路基板16变形以及受到机械性损伤。

内芯10的一部分(内芯10的第2腿部11b)、第1突出部62以及第2突出部63插入在第1贯通孔30h中。因而，第1电路基板15以及内芯10可相对于散热构件60对位。可防止因施加于电路装置105f的振动或冲击导致第1电路基板15以及内芯10相对于散热构件60在沿着散热构件60的表面60a的方向位移。

实施方式8.

参照图22说明实施方式8涉及的电路装置105g。本实施方式的电路装置105g虽具备与实施方式1的电路装置105同样的构成，但主要在以下方面不同。

在电路装置105g中，第2传热构件51由多个传热局部层(例如第1传热局部层57以及第2传热局部层58)构成。多个传热局部层相互层叠。例如，第2传热构件51通过层叠第1传热局部层57以及第2传热局部层58而形成。第1传热局部层57与第1电路基板15呈面接触。第2传热局部层58与第2电路基板16呈面接触。多个传热局部层(例如第1传热局部层57以及第2传热局部层58)分别具有电绝缘性。多个传热局部层既可以具有彼此相同的厚度，也可以具有彼此不同的厚度。多个传热局部层既可以由彼此相同的材料构成，也可以由彼此不同的材料构成。

第2线圈图形21设在第3主面31a上。具有电绝缘性的第2传热构件51与第1线圈图形20和第2线圈图形21呈面接触。

本实施方式的电路装置105g的效果除了实施方式1的电路装置105的效果以外还发挥以下的效果。在本实施方式的电路装置105g中，第2传热构件51由多个传热局部层构成。多个传热局部层相互层叠。多个传热局部层分别具有电绝缘性。因而，即便假设多个传热局部层的一部分层包含空隙并在电路装置105g动作时多个传热局部层的该一部分的层发生绝缘破坏，多个传热局部层的其余层也能确保第1线圈图形20与第2线圈图形21之间的电绝缘。在电路装置105g动作时，可抑制因空隙导致在第1线圈图形20与第2线圈图形21之间产生放电(例如局部放电或者电晕放电)。第2线圈图形21能更可靠地与第1线圈图形20电绝缘。

实施方式9.

参照图23以及图24说明实施方式9涉及的电路装置105h。本实施方式的电路装置105h虽然具备与实施方式8的电路装置105g同样的构成，发挥与实施方式8的电路装置105g同样的效果，但主要在以下方面不同。

在本实施方式的电路装置105h中，第2传热构件51包括第1传热局部层57、第2传热局部层58和第3传热局部层59。第1传热局部层57、第2传热局部层58和第3传热局部层59相互层叠。第1传热局部层57具有电绝缘性，且与第1电路基板15呈面接触。第2传热局部层58具有电绝缘性，且与第2电路基板16呈面接触。第3传热局部层59配置在第1传热局部层57与第2传热局部层58之间。第3传热局部层59具有比第1传热局部层57以及第2传热局部层58高的热导率。第3传热局部层59例如具有10.0W/(m·K)以上的热导率。

第3传热局部层59既可以具有导电性，也可以具有电绝缘性。第3传热局部层59例如由铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锡(Sn)、铁(Fe)、铜(Cu)合金、镍(Ni)合金、金(Au)合金、银(Ag)合金、锡(Sn)合金、铁(Fe)合金等金属材料形成。第3传热局部层59也可以由石墨或陶瓷等非金属材料形成。第3传热局部层59利用第1传热局部层57而与第1线圈图形20电绝缘。第3传热局部层59利用第2传热局部层58而与第2线圈图形21电绝缘。第3传热局部层59没有与第1线圈图形20以及第2线圈图形21磁耦合。因而，在电路装置105h动作时，第3传热局部层59不发热。

对本实施方式涉及的电路装置105h的效果进行说明。本实施方式的电路装置105h除了实施方式8的电路装置105g的效果以外还发挥以下效果。

在本实施方式的电路装置105h中，第2传热构件51包括第1传热局部层57、第2传热局部层58和第3传热局部层59。第1传热局部层57、第2传热局部层58和第3传热局部层59相互层叠。第1传热局部层57具有电绝缘性，且与第1电路基板15呈面接触。第2传热局部层58具有电绝缘性，且与第2电路基板16呈面接触。第3传热局部层59配置在第1传热局部层57与第2传热局部层58之间，且具有比第1传热局部层57以及第2传热局部层58高的热导率。因而，第3传热局部层59将第1线圈图形20以及第2线圈图形21中产生的热在第3传热局部层59延伸的方向(沿着散热构件60的表面60a的方向)扩散。在电路装置105h动作时，可防止电路装置105h局部过热。可抑制电路装置105h动作时的电路装置105h的温度上升以及电力损失。

实施方式10.

参照图25以及图26说明实施方式10涉及的电路装置105i。本实施方式的电路装置105i虽具备与实施方式1的电路装置105同样的构成，但主要在以下方面不同。

在电路装置105i中，第2电路基板16的第2厚度d₂大于第1电路基板15的第1厚度d₁。在第1电路基板15中第1线圈图形20形成在第1主面30a上或者第2主面30b上的场合，第1电路基板15的第1厚度d₁被定义为第1基板30的厚度与第1线圈图形20的厚度之和。在第1电路基板15中第1线圈图形20形成在第1基板30中的场合，第1电路基板15的第1厚度d₁被定义为第1基板30的厚度。

在第2电路基板16中第2线圈图形21形成在第3主面31a上或者第4主面31b上的场合，第2电路基板16的第2厚度d₂被定义为第2基板31的厚度与第2线圈图形21的厚度之和。在第2电路基板16中第2线圈图形21形成在第2基板31中的场合，第2电路基板16的第2厚度d₂被定义为第2基板31的厚度。第1电路基板15以及第2电路基板16使用螺钉、螺丝或者铆钉那样的固定构件70被固定于散热构件60。

本实施方式的电路装置105i除了实施方式1的电路装置105的效果以外还发挥以下的效果。在实施方式的电路装置105i中，第2电路基板16的第2厚度d₂大于第1电路基板15的第1厚度d₁。因而，第2电路基板16具有比第1电路基板15大的刚性。可防止因施加于电路装置105i的振动或冲击导致电路装置105i受到机械性损伤。

实施方式11.

参照图27说明实施方式11涉及的电路装置以及电力变换装置。本实施方式的电路装置以及电力变换装置虽具备与实施方式1的电路装置105以及电力变换装置1同样的构成，但主要在以下方面不同。

在本实施方式的电路装置以及电力变换装置中，对构成逆变器电路2(参照图1)的第1电子部件40、43进行控制的控制电路6配置在第1电路基板15以及第2电路基板16中的至少一者上。例如，控制电路6配置在第1电路基板15(具体是第2主面30b)上。

第1电路基板15以及第2电路基板16中的至少一者包括第3导电图形25。第3导电图形25将控制电路6电连接于第1电子部件40、43，例如第1电路基板15包括设在第1基板30(具体是第2主面30b)上的第3导电图形25。在第3导电图形25中流动的电流小于在第1线圈图形20以及第2线圈图形21中流动的电流。因而，第3导电图形25的厚度也可以小于第1线圈图形20的厚度。第3导电图形25的厚度也可以小于第2线圈图形21的厚度。

本实施方式的电路装置以及电力变换装置除了发挥实施方式1的效果还发挥以下效果。在本实施方式的电路装置以及电力变换装置1中，控制第1电子部件40、43的控制电路6搭载在第1电路基板15以及第2电路基板16中的至少一者上。第1电路基板15以及第2电路基板16中的至少一者包括第3导电图形25。第3导电图形25将控制电路6电连接于第1电子部件40、43。

因而，省略了用于将控制电路6和第1电子部件40、43电连接的电缆以及连接器，电路装置以及电力变换装置可小型化。进而，能够缩短将控制电路6和第1电子部件40、43连接的第3导电图形25的长度，因此可降低对第1电子部件40、43的电磁干扰的影响。

应认为此次公开的实施方式1～11在所有方面均为例示而并非限制性质。只要不存在矛盾，也可以组合此次公开的实施方式1～11中的至少2个。例如，电力变换装置1具备实施方式1～11的电路装置105、105b、105c、105d、105e、105f、105g、105h、105i中的任一者。本发明的范围并非是上述的说明而是由权利要求书表示，意在包括与权利要求书均等的意思及范围内的所有变更。

附图标记的说明

1电力变换装置；2逆变器电路；3变压器电路；4整流电路；5平滑电路；6控制电路；7a、7b、7c、7d开关元件；8a、8b、8c、8d二极管；9a、9b电容器；10内芯；10a第1内芯部分；10b第2内芯部分；11a第1腿部；11b第2腿部；11c第3腿部；15第1电路基板；16第2电路基板；20第1线圈图形；21第2线圈图形；22第3线圈图形；23第4线圈图形；25第3导电图形；26a第1导电图形；26b第2导电图形；27第1通孔电极；28第2通孔电极；28a第3通孔电极；29传热通孔；30第1基板；30a第1主面；30b第2主面；30h第1贯通孔；31第2基板；31a第3主面；31b第4主面；31h第2贯通孔；40、43第1电子部件；41、42第2电子部件；50第1传热构件；51第2传热构件；52第3传热构件；57第1传热局部层；58第2传热局部层；59第3传热局部层；60散热构件；60a表面；60b凹部；62第1突出部；63第2突出部；70固定构件；100、102、103线圈装置；101变压器；105、105b、105c、105d、105e、105f、105g、105h、105i电路装置；110输入端子；111输出端子；120一次侧线圈导体；121二次侧线圈导体。