一种低介电损耗CaCu3Ti4O12陶瓷的负压烧结方法
阅读说明：本技术 一种低介电损耗CaCu3Ti4O12陶瓷的负压烧结方法 (Low dielectric loss CaCu3Ti4O12Negative pressure sintering method of ceramic ) 是由 李旺 唐鹿 于 2020-12-14 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种制备低介电损耗、高介电常数的钛酸铜钙CaCu-3Ti-4O-(12)(CCTO)陶瓷的负压烧结方法,以解决现有烧结技术制备的CCTO陶瓷介电损耗较高的技术问题。本发明的技术方案是：CCTO陶瓷坯体在气氛炉中经过常压空气气氛下的升温阶段1、常压空气气氛下的保温阶段1、负压空气气氛下的升温阶段2、负压空气气氛下的保温阶段2、高含量氧气的氧氮混合气氛下的降温阶段1、高含量氧气的氧氮混合气氛下的保温阶段3和常压空气气氛下随炉冷却的降温阶段2后而得到CCTO陶瓷。本发明技术方案所得的CCTO陶瓷不仅介电常数得到提高,而且介电损耗明显降低,介电损耗值低达0.02。(The invention discloses a method for preparing calcium copper titanate CaCu with low dielectric loss and high dielectric constant 3 Ti 4 O 12 A negative pressure sintering method of (CCTO) ceramics aims to solve the technical problem that the CCTO ceramics prepared by the existing sintering technology have higher dielectric loss. The technical scheme of the invention is as follows: the CCTO ceramic body is subjected to a heating stage 1 under the atmosphere of normal pressure air, a heat preservation stage 1 under the atmosphere of normal pressure air, a heating stage 2 under the atmosphere of negative pressure air, a heat preservation stage 2 under the atmosphere of negative pressure air, a cooling stage 1 under the atmosphere of oxygen and nitrogen with high oxygen content, a heat preservation stage 3 under the atmosphere of oxygen and nitrogen with high oxygen content and a cooling stage 2 along with furnace cooling under the atmosphere of normal pressure air in an atmosphere furnace to obtain the CCTO ceramic. The CCTO ceramic obtained by the technical scheme of the invention not only has a dielectric constantThe number is increased, the dielectric loss is obviously reduced, and the dielectric loss value is as low as 0.02.)
技术领域
本发明涉及功能陶瓷烧结工艺领域，特别是涉及一种低介电损耗的CaCu3Ti4O12陶瓷的烧结方法。
背景技术
高介电常数的介电材料一直是微电子领域研究和开发的重点材料之一。近年来，钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料凭借高达104～105级的介电常数得到了学术界和工业界的广泛关注。CCTO陶瓷材料不仅具有超高的介电常数，而且高的介电常数在室温附近相当宽的温度范围内还展现出良好的温度稳定性。这些特征使CCTO陶瓷材料在未来新型电子器件的小型化应用领域极具前景。但同时，CCTO陶瓷也具有相对较高的介电损耗，在实际器件应用时会产生大量热量而影响器件的稳定性，这也是目前限制CCTO陶瓷商业化应用的重要技术瓶颈之一。目前现有的研究文献表明，合适元素的掺杂改性的方法可以降低CCTO陶瓷的介电损耗，但另一方面，掺杂的方法一般都会造成介电常数的下降，或者是介电常数虽能保持原有水平，但介电损耗降低不明显，介电损耗值仍在0.05以上，CCTO陶瓷材料的综合介电性能还难以满足在实际电子器件中应用要求。另外，对于未经掺杂改性的CCTO材料，通过现有常规仅在空气气氛下烧结所得的CCTO陶瓷在1kHz频率下的介电损耗通常在0.1以上，介电损耗值相对较高，限制了CCTO陶瓷的在实际器件中的广泛应用。
发明内容
为解决现有技术的不足，本发明提供一种结合负压气氛烧结CCTO陶瓷的方法，该方法在CCTO陶瓷烧结过程中引入负压气氛烧结和富含氧气氛冷却、保温的工艺步骤实现对CCTO陶瓷晶粒和晶界电阻的协同调控,从而达到降低CCTO陶瓷介电损耗并提高电常数的有益效果。
本发明采用的技术方案为：将成型的CCTO陶瓷坯体放入气氛炉中后经过常压空气气氛下的升温阶段1、常压空气气氛下的保温阶段1、负压空气气氛下的升温阶段2、负压空气气氛下的保温阶段2、高含量氧气的混合气体气氛下的降温阶段1、高含量氧气的混合气体气氛下的保温阶段3和在常压空气气氛下随炉自然冷却的降温阶段2后而得到烧成的CCTO介电陶瓷。
具体的，为解决现有技术的不足，本发明提供的一种低介电损耗CCTO陶瓷的负压烧结方法的实施过程中，采用气氛炉对CCTO陶瓷坯体进行烧结。当把CCTO陶瓷坯体放置于气氛炉中后，依次实施如下工艺步骤：
S1升温阶段1：使气氛炉的炉内温度从室温升温到650℃，在此升温过程中，气氛炉的升温速率为8～10℃/min，同时并保持气氛炉内部与外界大气相通，使气氛炉内部处于常压空气气氛；
S2保温阶段1：当气氛炉的温度升温到650℃后，在常压空气气氛下保温40～60min；
S3升温阶段2：当完成保温阶段1后，使气氛炉内部与外界空气隔绝，并通过抽真空的方法使气氛炉内部产生相对真空度为-40kPa～-20kPa的负压，同时采用6～8℃/min的升温速率使气氛炉的炉内温度升温到1070～1110℃；
S4保温阶段2：当气氛炉的炉内温度升高到1070～1110℃后，调节气氛炉内部气压使其保持在相对真空度为-20kPa～-15kPa的负压气氛下，进行保温6～8小时；
S5降温阶段1：当完成保温阶段2后，使气氛炉炉内温度以30～45℃/min的降温速率降低到780℃，同时并在降温阶段1的过程中，向气氛炉内部持续通入氧气体积含量为40～45％的氧气和氮气的混合气体；
S6保温阶段3：当气氛炉的炉内温度降低到780℃时，向气氛炉中通入氧气体积含量为50～60％的氧气和氮气的混合气体，并在780℃时保温2～3小时；
S7降温阶段2：当完成保温阶段3后，在常压空气气氛下随炉温自然冷却到室温，得到CCTO陶瓷的烧结体。
本发明技术方案具备以下有益效果：本发明技术方案不仅可以提高CCTO陶瓷的介电常数，而且还可以同时降低CCTO陶瓷的介电损耗。通过本发明技术方案中的烧结方法所得CCTO陶瓷的介电性能得到明显改善，所得的CCTO陶瓷在1kHz频率下介电常数高达4×104，同时介电损耗低于0.02，解决了背景技术中存在的技术缺陷。另外，本发明的技术方案中的陶瓷烧结过程中涉及的温度控制和气氛控制可以通过气氛炉的控制程序实现，程序设置可一步完成，操作简单。
本发明技术方案是这样达到有益效果的：通过本发明技术方案所得的CCTO陶瓷，由于经过步骤S3升温阶段2和步骤S4保温阶段2，即在负压空气气氛下进行升温和保温烧结，使得CCTO陶瓷内部晶粒的氧空位浓度比在常压空气气氛下升温和烧结明显提高，这样进而导致CCTO陶瓷晶粒的导电能力明显提高。同时，在步骤S5降温过程1中，由于向气氛炉中通入高含量氧气的氧氮混合气体，这样，CCTO陶瓷晶粒外表面的晶界首先处于富氧的气氛下，因此，在高温下晶界的氧空位首先得到补偿，而使得晶界绝缘性明显提高；同时在S5降温阶段中采用了30～45℃/min相对较快的降温速率降温，这样，晶粒内部的氧空位来不及得到补偿，即位于晶界处的氧原子由于温度的降低而来不及进入到晶粒内部就停止扩散或者不能有效扩散到晶粒内部，从而保有了CCTO陶瓷晶粒在步骤S4保温阶段2形成的高导电性。另外，在S6保温阶段3中，在相对较低的温度780℃下进行保温，晶界处的氧原子向晶粒内部扩散时的扩散速率十分缓慢，因此晶界处的氧原子难以扩散到晶粒内部，而对于晶粒表面处的晶界由于处于富氧的气氛下，晶界的氧空位将继续得到补偿从而继续增加晶界的绝缘性，而晶粒内的氧空位则不会受到明显影响。因此，在本发明所提供的技术方案中，CCTO陶瓷的晶粒导电性由于采用了负压空气气氛升温和负压空气气氛保温过程而得到提高，同时由于在富氧气氛下快速冷却和保温而造成晶界的绝缘性的显著提高，从而增强了CCTO陶瓷的介电响应而提高了介电常数；而更重要的是晶界电阻的显著提高而大幅降低了CCTO陶瓷的介电损耗。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明；
图1是本发明提供的一种低介电损耗CCTO陶瓷负压烧结方法的工艺步骤流程图；
图2是采用本发明的技术方案的实施例1和采用常规烧结方法的对比例1所得的CCTO陶瓷在20Hz～1MHz频率范围内介电常数的对比结果；
图3是采用本发明的技术方案的实施例1和采用常规烧结方法的对比例1所得的CCTO陶瓷在20Hz～1MHz频率范围内介电损耗的对比结果。
具体实施方式
现在结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本方案，因此其仅显示与本发明有关的方案。
附图1是本发明提供的一种低介电损耗CCTO陶瓷的负压烧结方法的工艺步骤流程图。参照附图1，本发明的技术方案为：将成型的CCTO陶瓷坯体放入气氛炉中后经过S1常压空气气氛下的升温阶段1、S2常压空气气氛下的保温阶段1、S3负压空气气氛下的升温阶段2、S4负压空气气氛下的保温阶段2、S5高含量氧气的氧氮混合气氛下的降温阶段1、S6高含量氧气的氧氮混合气氛下的保温阶段3和S7常压空气气氛下随炉冷却的降温阶段2后而最终得到烧成的CCTO介电陶瓷。
具体的，本发明的一个较佳实施例1中，采用管式气氛炉进行CCTO陶瓷的烧结，其中管式气氛炉的炉管内部直径为20cm。在实施例的实施过程中，将成型的直径为10mm、厚度约为2mm的CCTO陶瓷坯体放置于刚玉垫板上，然后放入气氛炉中，参照附图1，依次实施以下步骤：
S1升温阶段1：将气氛炉的炉内温度从室温升温到650℃，在此升温过程中的升温速率为8～10℃/min，同时打开气氛炉内部与外界大气连通气路开关，使气氛炉炉管内部为常压空气气氛。
S2保温阶段1：当气氛炉的温度升温到650℃后，在空气气氛下进行保温，保温时间为40～60min；优选的，在本实施例1中采用的保温时间为50min。
S3升温阶段2：当完成S2保温阶段1后，关闭气氛炉内部与外界大气连通的气路，同时通过抽真空的方法使气氛炉内的产生相对真空度为-40kPa～-20kPa的负压，并使气氛炉的炉内温度升温到1070～1110℃，其中升温速率为6～8℃/min；优选的，在本实施例1中的步骤S3升温过程中，气氛炉内的气压维持在相对真空度为-30±5kPa的负压状态，采用6～8℃/min的升温速率使气氛炉的炉内温度升温到1100±5℃。
S4保温阶段2：当气氛炉的炉内温度升高到1100±5℃后，通过抽真空装置调节气氛炉内的气压，使气氛炉炉管内在相对真空度为-20kPa～-15kPa的负压气氛下进行保温，保温时间为6～8小时；优选的，本实施例1中的保温时间为8小时。
S5降温阶段1：当完成S4保温阶段2后，关闭气氛炉的抽真空的管路，同时打开气氛炉内与外界大气相通的气路开关，并通过气氛炉的另一管路向气氛炉内通入氧气和氮气的混合气体；在S5降温阶段1过程中，控制气氛炉的炉内温度以30～45℃/min的降温速率降低到780℃；在本实施例1中，向气氛炉中通入的氧氮混合气体中氧气体积含量约为40～45％，通入氧氮混合气体时的气体流量为3.0±0.5L/min。
S6保温阶段3：当气氛炉的炉内温度降低到780℃时，关闭S5步骤中的通入氧氮混合气体的管路，同时通过气氛炉的另一管路向气氛炉内通入氧气体积含量为50～60％的氧氮混合气体，并在780℃时保温2～3小时；优选的，实施例1向气氛炉内通入氧氮混合气体时的气体流量约为0.3～0.4L/min，在780℃时保温2.5小时。
S7降温阶段2：当完成S6保温阶段3后，关闭S6中的通入氧氮混合气体的管路，同时关闭气氛炉的加热电源，并打开气氛炉内部与外界大气相通的管路，使气氛炉在常压空气气氛下随炉温自然冷却到室温。
经过以上S1-S7工艺步骤后，得到本发明技术方案实施例1所得CCTO陶瓷烧结体。
为了进一步表明本发明提供的一种低介电损耗CCTO陶瓷的负压烧结方法的有益效果，采用现有常规仅在空气气氛下的烧结方法进行了CCTO陶瓷的制备，并以此作为对比例1。在对比例1中，采用与实施例1中相同的气氛炉和CCTO陶瓷坯体，其中对比例1中将CCTO陶瓷坯体放置于气氛炉中后依次实施如下工艺步骤：
(1)升温阶段1：将气氛炉的炉内温度从室温升温到650℃，在此升温过程中的升温速率为8～10℃/min，同时打开气氛炉与外界大气连通气路开关，使气氛炉内部为常压空气气氛。
(2)保温阶段1：当气氛炉的温度升温到650℃后，在常压空气气氛下进行保温，保温时间为50min。
(3)升温阶段2：当完成保温阶段1后，在常压空气气氛下采用6～8℃/min的升温速率使气氛炉的炉内温度升温到1100±5℃。
(4)保温阶段2：当气氛炉的炉内温度升高到1100±5℃后，在常压空气气氛下进行保温8小时。
(5)降温阶段1：当完成保温阶段2后，关闭气氛炉的加热电源，使气氛炉的温度在常压空气气氛下随炉温自然冷却到室温。
经过以上工艺步骤，得到对比例1中的CCTO陶瓷烧结体。
对上述采用本发明技术方案实施例1和采用现有常规技术的对比例1所得的CCTO陶瓷烧结体分别进行电极制作后，测试介电常数和介电损耗，其中介电常数的对比结果如附图2所示，介电损耗的对比结果如附图3所示。
从附图2可以明显看出，采用本发明技术方案的实施例1所得CCTO陶瓷的介电常数在20Hz～1MHz的整个测试频率范围内均明显高于采用现有常规技术的对比例1所得的CCTO陶瓷。特别是在1kHz的频率下，实施例1所得陶瓷的介电常数高达44672，而对比例1所得陶瓷的介电常数仅为16895。
从附图3可以明显看出，采用本发明技术方案的实施例1所得CCTO陶瓷的介电损耗在20Hz～1MHz的整个测试频率范围内均低于采用现有常规技术的对比例1所得的CCTO陶瓷。特别是在1kHz的频率下，实施例1所得陶瓷的介电损耗低达0.0194，而对比例1所得陶瓷的介电损耗则高达0.154。
附图2和附图3的对比结果可以清楚表明本发明技术方案产生的有益效果：相对于现有常规技术，采用本发明技术方案所得CCTO陶瓷不仅介电损耗得到显著降低，而且介电常数也同时得到提高，从而解决了背景技术中的现有技术存在的技术缺陷。
本发明的技术方案是这样达到有益效果的：现有的文献研究已表明，CCTO陶瓷由带绝缘晶界的半导化晶粒构成的，也就是说CCTO陶瓷的晶粒具有相对较高的导电性，而处于晶粒边缘处的晶界却是高绝缘性的。根据内部阻挡层电容器原理，在外电场的作用下，由于晶界与晶粒之间的电导率相差很大而导致大量电荷在晶粒边界处积聚，从而在陶瓷内部形成大量的阻挡层电容器，而表现为高的介电常数。因此，提高CCTO陶瓷晶粒的导电性，同时并增强晶界的绝缘性，有利于增强CCTO陶瓷的介电响应而提高介电常数。对于介电损耗，晶界绝缘性的提高将会很大程度上减小CCTO陶瓷内部晶粒与晶粒之间的漏电流，从而降低介电损耗。基于这一原理，采用本发明技术方案所得的CCTO陶瓷，由于经过步骤S3升温阶段2和步骤S4保温阶段2，即在负压空气气氛下进行升温和保温烧结，使得CCTO陶瓷内部晶粒的氧空位浓度比在常压空气气氛下升温和烧结时明显提高，这样进而导致CCTO陶瓷晶粒的导电能力明显提高；同时，在步骤S5降温过程1中，由于向气氛炉中通入高含量氧气的氧氮混合气体，这样，CCTO陶瓷晶粒外表面的晶界首先处于富氧的气氛下。与常压空气气氛下相比，在富含氧气的气氛下，处于高温下的晶界中的氧空位更容易得到补偿，进而使得晶界绝缘性明显提高。同时在S5降温阶段中采用了30～45℃/min相对较快的降温速率降温，这样，晶粒内部的氧空位来不及得到补偿，即位于晶界处的氧原子由于温度的降低而来不及进入到晶粒内部就停止扩散或者不能有效扩散到晶粒内部，从而保有了CCTO陶瓷晶粒在步骤S4保温阶段2形成的高导电性。另外，在S6保温阶段3中，在相对较低的温度780℃下进行保温，晶界处的氧原子向晶粒内部扩散时的扩散速率十分缓慢，因此晶界处的氧原子难以扩散到晶粒内部，而对于晶粒表面处的晶界由于处于富氧的气氛下，晶界的氧空位将继续得到补偿从而继续增加晶界的绝缘性，而晶粒内的氧空位则不会受到明显影响。因此，在本发明所提供的技术方案中，由于采用了负压气氛升温和负压气氛保温过程而提高了CCTO陶瓷的晶粒导电性，同时由于在富氧气氛下的快速冷却和保温而使晶界的绝缘性进一步提高，从而增强了CCTO陶瓷的介电响应而提高了介电常数；而更重要的是因为晶界电阻的显著提高，CCTO陶瓷的介电损耗也得到了大幅降低。
为了进一步表明本发明技术方案的有益效果，特别是更加清楚说明本发明技术方案中步骤S3、S4中采用负压空气气氛对增强晶粒导电能力的作用以及步骤S5、S6中采用富含氧气气氛对于提高晶界绝缘性的作用，下面将结合采用本发明技术方案的实施例2和对比例2、对比例3、对比例4进行说明。
本发明的另一个较佳实施例2中，采用管式气氛炉进行CCTO陶瓷的烧结，其中管式气氛炉的炉管内部直径为20cm。在实施例的实施过程中，将成型的直径为10mm、厚度约为2mm的CCTO陶瓷坯体放置于刚玉垫板上，然后放入气氛炉中，参照附图1，依次实施以下步骤：
S1升温阶段1：将气氛炉的炉内温度从室温升温到650℃，在此升温过程中的升温速率为8～10℃/min，同时打开气氛炉与外界大气连通气路开关，使气氛炉炉管内部为常压空气气氛。
S2保温阶段1：当气氛炉的温度升温到650℃后，在空气气氛下进行保温，保温时间为40min。
S3升温阶段2：当完成S2保温阶段1后，关闭气氛炉与外界大气连通的气路开关，同时通过抽真空的方法使气氛炉内的产生负压，并使气氛炉内的气压维持在相对真空度为-35±5kPa的负压条件下升温到1090±5℃，其中升温速率为6～8℃/min。
S4保温阶段2：当气氛炉的炉内温度升高到1090±5℃后，通过抽真空的装置调节气氛炉内气压，使气氛炉炉内在相对真空度为-20kPa～-15kPa的负压气氛下进行保温，保温时间为6小时。
S5降温阶段1：当完成S4保温阶段2后，关闭气氛炉的抽真空的管路，同时打开气氛炉内与外界大气相通的气路开关，并通过气氛炉的另一管路向气氛炉内通入氧气和氮气的混合气体；在S5降温阶段1过程中，控制气氛炉的炉内温度以30～45℃/min的降温速率降低到780℃；在本实施例2中，向气氛炉中通入氧氮混合气体中氧气体积含量约为40～45％，通入氧氮混合气体时的气体流量为2.5±0.5L/min。
S6保温阶段3：当气氛炉的炉内温度降低到780℃时，关闭S5步骤中的通入氧氮混合气体的管路，同时通过气氛炉的另一管路向气氛炉内通入氧气体积含量为50～60％的氧氮混合气体，通入的氧氮混合气体时的气体流量约为0.3～0.4L/min；在实施例2中，在780℃时的保温时间为2小时。
S7降温阶段2：当完成S6保温阶段3后，关闭S6中通入氧氮混合气体的管路，同时关闭气氛炉的加热电源，使气氛炉的温度在常压空气气氛下随炉温自然冷却到室温。
经过以上工艺步骤后，得到本发明技术方案实施例2中的CCTO陶瓷烧结体。
在对比例2中CCTO陶瓷的烧结过程中，采用与实施例2中相同的气氛炉和CCTO陶瓷坯体进行样品的制备，采用的烧结工艺是：参照实施例2中的烧结工艺步骤，对比例2的工艺步骤除步骤S3和S4中工艺条件与实施例2不同外，其他工艺步骤及相应的工艺条件与实施例2完全相同。在对比例2中，步骤s3和s4的工艺条件分别为：
s3升温阶段2：当完成S2保温阶段1后，在常压空气气氛下采用6～8℃/min的升温速率使气氛炉的炉内温度升温到1090±5℃。
s4保温阶段2：当气氛炉的炉内温度升高到1090±5℃后，在常压空气气氛下保温时间为6小时。
需要说明的是，对比例2和实施例2是用来表明：本发明技术方案中在进行S3和S4步骤时，气氛炉内为负压空气气氛对于CCTO陶瓷晶粒导电能力的提升作用。
在对比例3中CCTO陶瓷的烧结过程中，采用与实施例2中相同的气氛炉和CCTO陶瓷坯体进行样品的制备，采用的烧结工艺是：参照实施例2中的烧结工艺步骤，对比例3的工艺步骤除步骤S5工艺条件与实施例2不同外，其他工艺步骤及相应的工艺条件与实施例2完全相同。在对比例3中，步骤s5降温阶段1的工艺条件为：当完成S4保温阶段2后，关闭气氛炉的抽真空的管路，同时打开气氛炉内与外界大气相通的气路开关，并通过气氛炉的另一管路向气氛炉内通入空气，通入空气时的气体流量为2.5±0.5L/min；在s5降温阶段1过程中，控制气氛炉的炉内温度以30～45℃/min的降温速率降低到780℃。
需要说明的是，对比例3和实施例2是用来表明：本发明技术方案中在进行S5步骤时，向气氛炉内通入富含氧气的混合气体对于CCTO陶瓷晶界绝缘性的提升作用。
在对比例4中CCTO陶瓷的烧结过程中，采用与实施例2中相同的气氛炉和CCTO陶瓷坯体进行样品的制备，采用的烧结工艺是：参照实施例2中的烧结工艺步骤，对比例4的工艺步骤除步骤S6工艺条件与实施例2不同外，其他工艺步骤及相应的工艺条件与实施例2完全相同。在对比例4中，步骤s6保温阶段3的工艺条件为：当气氛炉的炉内温度降低到780℃时，向气氛炉内通入空气，通入空气的流量为0.3～0.4L/min,并在780℃时保温2小时。
需要说明的是，对比例4和实施例2是用来表明：本发明技术方案中在进行S6步骤时，向气氛炉内通入富含氧气的混合气体对于CCTO陶瓷晶界绝缘性以及介电损耗的进一步优化作用。
对上述实施例2和对比例2、3、4所得的CCTO陶瓷烧结体进行电极制作，然后测试介电性能和阻抗谱测试，并通过阻抗谱推导计算出各个陶瓷样品的晶粒电阻和晶界电阻，相关结果如表1所示。
表1为实施例2和对比例2、3、4所得CCTO陶瓷的烧结过程中关键工艺信息和性能测试结果。通过实施例2和对比例2的结果可知，对比例2中，在实施步骤s3和s4时把炉内气氛更换为常压空气气氛后，所得CCTO陶瓷的晶粒电阻为52.2Ω，明显高于本发明技术方案的实施例2。说明本发明技术方案中在负压空气气氛下实施步骤S3和S4时是有利于提高CCTO陶瓷晶粒的导电性的，进而有利于CCTO陶瓷介电常数的提高。
通过表1中实施例2和对比例3可知,对比例3中在实施步骤s5时采用在常压空气气氛下快速降温所得陶瓷的晶界电阻为6.87×107Ω，明显低于实施例2中的晶界电阻9.62×108Ω，同时对比例3的介电损耗也高达0.3235。以上结果说明，本发明技术方案中的步骤S5中在富氧气氛下快速降温对于降低CCTO陶瓷的介电损耗起到重要作用。
另外，通过表1中实施例2和对比例4可知，对比例4中在实施步骤s6时采用在常压空气气氛中保温所得CCTO陶瓷的晶界电阻也低于实施例2，相应的介电损耗也高于实施例2。因此，可以证明本发明技术方案中的步骤S6中采用在富氧气氛下保温的方法是可以进一步降低CCTO陶瓷的介电损耗的。
表1实施例2和对比例2、3、4所得CCTO陶瓷性能测试结果
以上依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。