阅读说明：本技术 超晶格材料和应用 (Superlattice materials and applications ) 是由 C·J·R·P·奥古斯托 于 2014-09-23 设计创作，主要内容包括：本发明涉及超晶格材料和应用,包括第IV族元素的超晶格晶胞重复多次以便形成超晶格。各超晶格晶胞具有彼此平行的多个有序原子平面。超晶格晶胞中的至少两个原子平面具有不同的化学组成。超晶格晶胞中的一个或更多个原子平面的一种或更多种组分选自碳、锡和铅。这些超晶格产生多种应用,包括但不限于晶体管、光传感器和光源。(The present invention relates to superlattice materials and applications, and superlattice cells including group IV elements are repeated multiple times to form a superlattice. Each superlattice cell has a plurality of ordered atomic planes that are parallel to one another. At least two atomic planes in the superlattice cell have different chemical compositions. The one or more components of one or more atomic planes in the superlattice cell are selected from carbon, tin, and lead. These superlattices have led to a variety of applications including, but not limited to, transistors, light sensors, and light sources.)

超晶格材料和应用

本申请是以下申请的分案申请：申请日2014-09-23，申请号 201480063908.5，发明名称为“超晶格材料和应用”。

相关申请

本申请要求2013年9月23日提交的题为“Superlattice Materials” 的美国临时专利申请系列号61/881,378；及还有2013年10月25日提交的 题为“SuperlatticeMaterials and Applications”的美国临时专利申请系列号 61/895,971；及还有2014年6月1日提交的题为“Superlattice Materials and Applications”的美国临时专利申请系列号62/006,182的权益，其各自以其全 部并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体，并且更特别涉及超晶格。

背景技术

半导体用于多种应用，如晶体管、半导体激光器的增益介质和光 传感器的光吸收介质。这些半导体的带隙常常影响这些应用的性能。例如， 半导体激光器的波长输出是增益介质的带隙的函数。由光传感器检测的波长 可以是光吸收介质的带隙的函数。多种晶体管特性如速度可以是半导体能带 结构的函数。有限数量的可用半导体导致了用于这些应用的有限数量的能带 结构。这些应用的性能和通用性可以通过增加可用于这些应用的能带结构选 择的数量来增强。