阅读说明：本技术 一种改善led芯片外观的测试方法 (Test method for improving appearance of LED chip ) 是由 王克来 曹来志 白继锋 徐培强 张银桥 王向武 潘彬 于 2020-07-14 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种改善LED芯片外观的测试方法,该方法通过在电极透明导电膜上设置一个与4寸晶片形状大小一致的凸槽,将待测试的4寸晶片放置在测试机金属盘上,所述测试机金属盘上均匀分布着抽气孔,再将电极透明导电膜上的凸槽对应重叠覆盖在待测试的4寸晶片上,测试机上的抽气系统通过抽气孔抽气,使得晶片与电极透明导电膜紧密结合,测试完成后关掉测试机的抽气系统,即可轻易将电极透明导电膜移除,避免了撕去导电膜时造成晶片的破裂以及在晶片表面留下脏污；测试过程中,测试探针没有直接与P电极接触,极大的改善了芯片的外观。(The invention discloses a test method for improving the appearance of an LED chip, which comprises the steps of arranging a convex groove with the shape and the size consistent with that of a 4-inch wafer on an electrode transparent conductive film, placing the 4-inch wafer to be tested on a metal disc of a test machine, uniformly distributing air extraction holes on the metal disc of the test machine, correspondingly overlapping and covering the convex groove on the electrode transparent conductive film on the 4-inch wafer to be tested, exhausting air by an air extraction system on the test machine through the air extraction holes to enable the wafer to be tightly combined with the electrode transparent conductive film, turning off the air extraction system of the test machine after the test is finished, and easily removing the electrode transparent conductive film, so that the breakage of the wafer and the dirt left on the surface of the wafer when the conductive film is torn off are avoided; in the testing process, the testing probe is not directly contacted with the P electrode, so that the appearance of the chip is greatly improved.)

一种改善LED芯片外观的测试方法

技术领域

本发明涉及半导体发光二极管领域，具体为一种改善LED芯片外观的测试方法。

背景技术

LED具有高光效、低能耗、长寿命、高环保等优势，早已成为日常生活中不可或缺的光电元器件，目前已广泛应用于高效固态照明领域中，如数码管、显示屏、背光源、汽车用灯、交通信号灯、景观照明等。LED芯片在完成生产加工后，需要对其光电参数进行测试。随着封装技术的发展，LED芯片尺寸越来越小，现阶段市场对LED芯片的外观提出了更高更严格的要求，进而提高了对测试方法的要求。AlGaInP基LED芯片P/N两个电极通常在不同面，测试过程中P面朝上，测试探针直接扎到P电极上。由于测试探针比较尖锐，扎在P电极上会留下针痕，如果需要对芯片进行复测，会出现多针痕，随着探针的磨损，针痕会变得越来越大；此外，操作人员在作业时测试探针没有对准电极中心，会出现针痕偏移的现象。针痕过大、过多、偏移严重影响了LED芯片的外观，对后续封装工艺产生不良影响。

CN109755144A公开了一种提高GaN基LED芯片外观良率的测试方法，将异方性导电膜覆盖在芯片上面，通过加热使二者黏合，利用异方性导电胶在X/Y方向绝缘，在Z轴方向电气导通的特性，在导电膜无需与芯片电极对位的情况下，实现了测试探针与芯片电极的非接触测量，该方法所用的异方性导电膜需要加热才能使导电膜贴合在基板表面，撕下后无法再次使用，异方性导电膜主要应用在薄膜软板或者玻璃贴合等不需移除导电膜的制程中，并不完成适用于LED测试中。此外，为了保持异方性导电膜的粘合力，需要在低温下保存。测试完成后，由于异方性导电膜是粘附在晶片表面，在撕掉异方性导电膜的过程中易造成晶片破裂。

发明内容

本发明的目的是针对背景技术中存在的缺点和问题加以改进和创新，提供一种改善LED芯片外观的测试方法。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种改善LED芯片外观的测试方法，包括如下步骤：

(1)制作电极透明导电膜，并在电极透明导电膜上设置一个与4寸晶片形状大小一致的凸槽；

(2)先将待测试的4寸晶片放置在测试机金属盘上，所述测试机金属盘上均匀分布着抽气孔，再将电极透明导电膜上的凸槽对应重叠覆盖在待测试的4寸晶片上，测试机上的抽气系统通过抽气孔抽气，使得晶片与电极透明导电膜紧密贴合；

(3)测试机对待测试的4寸晶片进行扫描，透过电极透明导电膜识别芯粒的P电极，将测试探针扎到电极透明导电膜接触P电极，开始测试；

(4)测试完毕后，关闭测试机的抽气系统，将电极透明导电膜移除。

在本实施例中：所述电极透明导电膜由导电粒子和树脂黏着剂组成，导电粒子为镀镍或者镀金树脂粒子，粒径在3-5μm之间，树脂黏着剂选用热固性树脂。

在本实施例中：所述电极透明导电膜包括基座和凸槽，所述基座的截面现状是正方形，正方形的边长为150mm，基座的厚度在20-100μm之间，透光率≥70％，基座上设置有与4寸晶片形状大小一致的凸槽。

在本实施例中：所述抽气孔的直径为100μm。

在本实施例中：所述电极透明导电膜上的凸槽高度为120～220μm。

在本实施例中：所述电机透明导电膜可重复循环使用。

在本实施例中：所述4寸晶片被分割成很多芯粒，所述芯粒下端固定连接成一体，芯粒上端互不接触，每个芯粒包括一个P电极。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：

(1)本发明测试时将电极透明导电膜的凸槽对应覆盖4寸晶片，通过测试机的抽气系统对晶片和电极透明导电膜进行抽气，依靠大气压力使待测晶片和电极透明导电膜紧密贴合，然后透过电极透明导电膜识别芯粒的P电极，将测试探针扎到电极透明导电膜接触P电极，进行测试，测试完成后关掉测试机的抽气系统，即可轻易将电极透明导电膜移除，避免了撕去导电膜时造成晶片的破裂以及在晶片表面留下脏污；

(2)测试过程中，测试探针没有直接与P电极接触，极大的改善了芯片的外观；

(3)由于不需要通过粘合剂使得导电膜与晶片黏合，相比其他方法，操作更加简便，电极透明导电膜可重复使用，降低了测试成本。

(4)电极透明导电膜上的导电粒子相互隔离，电机透明导电膜受到测试探针的压力后，使得纵向的导电粒子相接触，导致电极透明导电膜纵向导通，而横向不导电，测试过程中不会受到其他芯粒的干扰，测试过程中不受芯粒电极之间距离的影响，将4寸晶片切割成任意大小的芯粒，本发明的电极透明导电膜皆可适用。

附图说明

图1为带凸槽的电极透明导电膜示意图；

图2为待测试的4寸晶片覆盖电极透明导电膜后俯视示意图；

图3为待测试的4寸晶片覆盖电极透明导电膜后主视示意图；

图4为本发明测试完成后的芯片P电机外貌；

图5为传统方法测试完成后的芯片P电机外貌；

附图标记：测试机金属盘1、4寸晶片2、芯粒的P电极3、测试探针4、电极透明导电膜5、抽气孔6、芯粒7、凸槽51。

具体实施方式

下面结合附图1～5，对实施例进行详细说明。

本发明提供一种改善LED芯片外观的测试方法，包括以下步骤：

(1)制作电极透明导电膜5，该电极透明导电膜5如附图1所示，由导电粒子和树脂黏着剂组成，导电粒子为镀镍或者镀金树脂粒子，粒径在3-5μm之间，树脂黏着剂选用热固性树脂，电极透明导电膜5的厚度在20-100μm之间，透光率≥70％，电极透明导电膜5上的导电粒子相互隔离，电极透明导电膜5包括基座52和凸槽51，所述基座52截面形状是边长为150㎜的正方形，基座52厚度在20-100μm之间，基座52上面设置有与4寸晶片2形状大小一致的凸槽51；

(2)如附图2所示，将待测试的4寸晶片2放置在测试机金属盘1上，测试机金属盘1上均匀分布着直径为100μm的抽气孔6，电极透明导电膜5对应重叠覆盖在待测试的4寸晶片2上，开启测试机的抽气系统，抽气系统通过抽气孔6抽气，依靠大气压力使得4寸晶片2与电极透明导电膜5紧密贴合，所述4寸晶片2被分割成很多芯粒7，所述芯粒7下端固定连接成一体，芯粒7上端互不接触，每个芯粒7包括一个P电极；

(3)测试机对待测试的4寸晶片2进行扫描，透过电极透明导电膜5识别芯粒的P电极3，将测试探针4扎到电极透明导电膜5上接触P电极，进行测试，电极透明导电膜5上的导电粒子相互隔离，电机透明导电膜5受到测试探针4的压力后，使得纵向的导电粒子相接触，导致电极透明导电膜纵向导通，而横向不导电，测试过程中不会受到其他芯粒7的干扰；

(4)对4寸晶片2上的芯粒7完成测试之后，关闭测试机的抽气系统，将电极透明导电膜5移除，晶片继续往下一工序续流，由于不需要依靠黏合剂与晶片进行接触，不存在黏合剂失效的问题，因此电极透明导电膜5可重复使用。测试完成后的芯片电极表面没有留下针痕，如附图4所示。

对比例：采用传统方法测试芯片

测试用芯片与本实施例相同，采用传统方法测试芯片，测试探针直接扎在芯片的P电极上，结果如附图5所示，芯片P电极上留下了过大的针痕。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。