阅读说明：本技术 晶圆缺陷的检测方法、检测系统和计算机可读存储介质 (Wafer defect detection method, detection system and computer readable storage medium ) 是由 周静兰 谢真良 徐杨喆 于 2020-07-31 设计创作，主要内容包括：本申请提供了一种晶圆缺陷的检测方法、检测系统和计算机可读存储介质。该方法包括：晶圆缺陷的检测系统接收光刻机台生成的检测数据,检测数据包括晶圆的缺陷信息,晶圆缺陷的检测系统将检测数据转换为预定格式,预定格式为晶圆缺陷的检测系统的数据的标准格式。由于该检测数据包括缺陷信息,因此,无需其他扫描仪器再专门获取缺陷信息而传输至晶圆缺陷的检测系统,该晶圆缺陷的检测系统后续利用该预定格式的检测数据就可以进一步检测缺陷的情况。该方法中,将光刻机台的检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统中进行进一步应用,进而解决了现有技术中难以对光刻机台的检测数据进行充分利用而导致的数据资源浪费的技术问题。(The application provides a wafer defect detection method, a wafer defect detection system and a computer readable storage medium. The method comprises the following steps: the wafer defect detection system receives detection data generated by the photoetching machine, the detection data comprise defect information of the wafer, the wafer defect detection system converts the detection data into a preset format, and the preset format is a standard format of the data of the wafer defect detection system. Because the inspection data includes defect information, the inspection data does not need to be acquired by other scanning instruments and transmitted to the wafer defect inspection system, and the wafer defect inspection system can further inspect the defect condition by using the inspection data in the predetermined format. In the method, the detection data of the photoetching machine is transmitted to the detection system of the wafer defects for further application, so that the technical problem of data resource waste caused by the fact that the detection data of the photoetching machine is difficult to be fully utilized in the prior art is solved.)

晶圆缺陷的检测方法、检测系统和计算机可读存储介质

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种晶圆缺陷的检测方法、检测系统、计算机可读存储介质和处理器。

背景技术

光刻工艺机台中自带的晶圆检测功能，是其检测精度为300×300μm，一般在检测过程中生成检测数据，检测数据为RGB颜色数据，通过RGB颜色数据反映缺陷信息。很多时候，不仅是真实缺陷造成RGB颜色的缺失，除真实缺陷外的其他参数如厚度等也能造成RGB颜色的缺失，因此，通过检测数据无法明确地定义缺陷的类型。

目前，难以利用光刻机台的检测数据进行缺陷的详细分析等，没有对该检测数据进行充利用，造成数据的浪费。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种晶圆缺陷的检测方法、检测系统、计算机可读存储介质和处理器，以解决现有技术中的光刻机台的检测数据没有被充分利用而导致的数据资源浪费的问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种晶圆缺陷的检测方法，包括：晶圆缺陷的检测系统接收光刻机台生成的检测数据，所述检测数据包括晶圆的缺陷信息；所述晶圆缺陷的检测系统将所述检测数据转换为预定格式，所述预定格式为所述晶圆缺陷的检测系统的数据的标准格式。

可选地，在所述晶圆缺陷的检测系统将所述检测数据转换为预定格式之后，所述检测方法还包括：所述晶圆缺陷的检测系统根据所述预定格式的所述检测数据，生成检测图像，所述检测图像中包括缺陷位置标识。

可选地，在所述晶圆缺陷的检测系统根据所述预定格式的所述检测数据，生成检测图像之后，所述检测方法还包括：所述晶圆缺陷的检测系统确定所述检测图像中的所述缺陷位置标识的数量是否大于预定数量；在所述缺陷位置标识的数量大于所述预定数量的情况下，所述晶圆缺陷的检测系统控制对所述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取扫描图像，所述扫描图像中与单位面积的所述晶圆的表面对应的区域为第一区域，所述检测图像中与单位面积的所述晶圆的表面对应的区域为第二区域，所述第一区域大于所述第二区域。

可选地，所述缺陷信息包括缺陷的大小、缺陷的位置以及缺陷的数量。

可选地，所述晶圆缺陷的检测系统包括晶圆缺陷分析系统，所述预定格式为所述晶圆缺陷分析系统的数据的标准格式。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种晶圆缺陷的检测方法，包括：光刻机台对晶圆进行检测，得到检测数据；所述光刻机台将所述检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统；所述晶圆缺陷的检测系统将所述检测数据转换为预定格式，所述预定格式为所述晶圆缺陷的检测系统的数据的标准格式。

根据本发明实施例的再一方面，还提供了一种晶圆缺陷的检测系统，包括：接收单元，用于晶圆缺陷的检测系统接收光刻机台生成的检测数据，所述检测数据包括晶圆的缺陷信息；转换单元，用于将所述检测数据转换为预定格式，所述预定格式为所述晶圆缺陷的检测系统的数据的标准格式。

可选地，所述检测系统还包括：图像生成单元，用于在将所述检测数据转换为所述预定格式之后，根据所述预定格式的所述检测数据，生成检测图像，所述检测图像中包括缺陷位置标识。

根据本发明实施例的又一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的晶圆缺陷的检测方法。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的晶圆缺陷的检测方法。

在本发明实施例中，晶圆缺陷的检测系统接收光刻机台的检测数据，即通常所说的WIS(Wafer Inspection Scan，晶圆检测扫描)数据，并将该检测数据转换为预定格式的数据，由于该检测数据包括缺陷信息，因此，无需其他扫描仪器再专门获取缺陷信息而传输至晶圆缺陷的检测系统，该晶圆缺陷的检测系统后续利用该预定格式的检测数据就可以进一步检测缺陷的情况。该方法中，将光刻机台的检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统中进行进一步应用，进而解决了现有技术中难以对光刻机台的检测数据进行充分利用而导致的数据资源浪费的技术问题。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本申请的实施例的一种晶圆缺陷的检测方法的流程示意图；

图2示出了根据本申请的实施例的晶圆缺陷的检测系统生成的检测图像；

图3示出了根据本申请的实施例的另一种晶圆缺陷的检测方法的流程示意图；以及

图4示出了根据本申请的实施例的一种晶圆缺陷的检测系统的结构示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。

正如背景技术中所说的，现有技术中难以对光刻机台的检测数据进行充分利用而导致的数据资源浪费，为了解决上述问题，本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种晶圆缺陷的检测方法、检测系统、计算机可读存储介质和处理器。

根据本申请的实施例，提供了一种晶圆缺陷的检测方法。图1是根据本申请实施例的一种晶圆缺陷的检测方法的流程示意图。如图1所示，该方法包括以下步骤：

步骤S101，晶圆缺陷的检测系统接收光刻机台生成的检测数据，上述检测数据包括晶圆的缺陷信息；

步骤S102，上述晶圆缺陷的检测系统将上述检测数据转换为预定格式，上述预定格式为上述晶圆缺陷的检测系统的数据的标准格式。

上述的方案中，晶圆缺陷的检测系统接收光刻机台的检测数据，即通常所说的WIS(Wafer Inspection Scan，晶圆检测扫描)数据，并将该检测数据转换为预定格式的数据，由于该检测数据包括缺陷信息，因此，无需其他扫描仪器再专门获取缺陷信息而传输至晶圆缺陷的检测系统，该晶圆缺陷的检测系统后续利用该预定格式的检测数据就可以进一步检测缺陷的情况。该方案中，将光刻机台的检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统中进行进一步应用，进而解决了现有技术中难以对光刻机台的检测数据进行充分利用而导致的数据资源浪费的技术问题。

需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

需要说明的是，本申请的上述将检测数据转换为预定格式的数据可以采用任何可行的方式，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的转换方式。在具体的实施过程中，可以包括编程计算和格式转换等过程。

本申请的一种实施例中，在上述晶圆缺陷的检测系统将上述检测数据转换为预定格式之后，上述检测方法还包括：上述晶圆缺陷的检测系统根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像，上述检测图像中包括缺陷位置标识，该缺陷位置标识表明其所在位置存在一个缺陷。这样就可以根据检测数据生成检测图像，如图2所示，检测图像包括有缺陷位置标识01，图中的缺陷位置标识01为十字形标识。这样通过该检测图像能够知晓晶圆中缺陷位置标识以及缺陷的数量，使得后续可以根据这二者合理地确定下一步的操作。

本申请的又一种实施例中，在上述晶圆缺陷的检测系统根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，上述检测方法还包括：上述晶圆缺陷的检测系统确定上述检测图像中的上述缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，在上述缺陷位置标识的数量大于上述预定数量的情况下，上述晶圆缺陷的检测系统控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第一扫描图像，上述第一扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第一区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第二区域，上述第一区域大于上述第二区域。该方法中根据缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，确定下一步的操作，在大于预定数量的情况下，控制晶圆的缺陷所在的实际位置区域进行扫描，第一扫描图像对晶圆表面的放大倍数大于检测图像对晶圆表面的放大倍数，就可以进一步得到缺陷的清晰的图像，后续可以根据该清晰的图像来准确确定该缺陷的类型和/或成因等信息。

需要说明的是，预定数量可以为10个，也可以为15个，或者为其他的预定数量，本领域技术人员可以根据实际工艺的缺陷容忍度来确定合适的预定数量。

具体地，本申请的一种实施例中，上述缺陷信息包括缺陷的大小(面积)、缺陷的位置以及缺陷的数量。这样对应的转换为预定格式的检测数据也包括这些信息，且根据转换为预定格式的检测信息生成的检测图像中，可以同时显示这些信息，这样使得后续可以根据该检测图像更准确地确定下一步的操作。

本申请的另一种实施例中，上述缺陷信息包括缺陷的大小(面积)、缺陷的位置以及缺陷的数量，在上述晶圆缺陷的检测系统根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，上述检测方法还包括：上述晶圆缺陷的检测系统确定上述检测图像中的任意一个上述缺陷的面积是否大于预定面积；在任意一个上述缺陷的面积大于上述预定面积的情况下，上述晶圆缺陷的检测系统控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第二扫描图像，上述第二扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第三区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第二区域，上述第三区域大于上述第二区域。该实施例中，无论缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，只要缺陷的面积大于预定面积，则控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描。

本申请的另一种实施例中，上述缺陷信息包括缺陷的大小(面积)、缺陷的位置以及缺陷的数量，在上述晶圆缺陷的检测系统根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，上述检测方法还包括：上述晶圆缺陷的检测系统确定上述检测图像中的任意一个上述缺陷的面积是否大于预定面积；在任意一个上述缺陷的面积大于上述预定面积的情况下，上述晶圆缺陷的检测系统控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第三扫描图像，上述第三扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第四区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第二区域，上述第四区域大于上述第二区域；在所有的上述缺陷的面积不大于上述预定面积的情况下，上述晶圆缺陷的检测系统确定上述检测图像中的上述缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，在上述缺陷位置标识的数量大于上述预定数量的情况下，上述晶圆缺陷的检测系统控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第四扫描图像，上述第四扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第五区域，上述第五区域大于上述第二区域。

实际的应用过程中，该缺陷控制系统可以控制摄像头对缺陷的实际位置进行扫描拍照，以获得扫描图像。

需要说明的是，缺陷信息并不限于上述的几种，缺陷信息还包括缺陷所在的结构层、缺陷的序号、曲线的面积、缺陷的分类、缺陷的横向大小以及缺陷相对晶圆级别的坐标等信息，本领域技术人员可以根据实际情况获取缺陷信息。格式转换后，这些缺陷信息还存在，并且可能还会计算得到新的信息，比如缺陷在裸片(die)级别的坐标以及裸片的坐标，且输出的检测图像仍然保留和记录缺陷的坐标，缺陷的数量，缺陷所在的结构层等等信息，这与良率改善系统中的摄像头获取的信息一致，可以为良率改善复核提供需要的缺陷信息，从而实现替代良率改善系统中的摄像头的作用，得到缺陷大小、位置以及图像。需要说明的是，本申请中的裸片实际上为对晶圆划分形成的一个区域，裸片级别的坐标就是缺陷在以该区域的一点为坐标原点建立的坐标系中的坐标。

本申请的再一种实施例中，上述晶圆缺陷的检测系统包括晶圆缺陷分析系统(例如，Klarity子系统)，上述预定格式为晶圆缺陷分析系统的数据的标准格式。这样就能够将检测数据转换为标准的格式，从而进一步减少数据资源浪费。当然，实际的应用过程中，其还可以包括其他用于实现上述方法的子系统、设备或者装置。该晶圆缺陷分析系统可以采用产品Klarity defect。

本申请的另一种实施例中，在上述晶圆缺陷的检测系统将上述检测数据转换为预定格式之后，上述方法还包括：步骤S103，根据预定格式的检测数据确定缺陷的种类。

图3是根据本申请实施例的另一种晶圆缺陷的检测方法的流程示意图。如图3所示，该方法包括以下步骤：

步骤S201，光刻机台对晶圆进行检测，得到检测数据；

步骤S202，上述光刻机台将上述检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统；

步骤S203，上述晶圆缺陷的检测系统将上述检测数据转换为预定格式，上述预定格式为上述晶圆缺陷的检测系统的数据的标准格式。

上述的方案中，光刻机台对晶圆检测后得到检测数据，即通常所说的WIS数据，将检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统，并将该检测数据转换为预定格式的数据，由于该检测数据包括缺陷信息，因此，无需其他扫描仪器再专门获取缺陷信息而传输至晶圆缺陷的检测系统，该晶圆缺陷的检测系统后续利用该预定格式的检测数据就可以进一步检测缺陷的情况。该方案中，将光刻机台的检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统中进行进一步应用，进而解决了现有技术中难以对光刻机台的检测数据进行充分利用而导致的数据资源浪费的技术问题。

需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

需要说明的是，本申请的上述将检测数据转换为预定格式的数据可以采用任何可行的方式，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的转换方式。在具体的实施过程中，可以包括编程计算和格式转换等过程。

本申请的一种实施例中，在上述晶圆缺陷的检测系统将上述检测数据转换为预定格式之后，上述检测方法还包括：上述晶圆缺陷的检测系统根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像，上述检测图像中包括缺陷位置标识，该缺陷位置标识表明其所在位置存在一个缺陷。这样就可以根据检测数据生成检测图像，如图2所示，检测图像包括有缺陷位置标识，图中的缺陷位置标识01为十字形标识。这样通过该检测图像能够知晓晶圆中缺陷位置标识以及缺陷的数量，使得后续可以根据这二者合理地确定下一步的操作。

本申请的又一种实施例中，在上述晶圆缺陷的检测系统根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，上述检测方法还包括：上述晶圆缺陷的检测系统确定上述检测图像中的上述缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，在上述缺陷位置标识的数量大于上述预定数量的情况下，上述晶圆缺陷的检测系统控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第五扫描图像，上述第五扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第六区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第七区域，上述第六区域大于上述第七区域。该方法中根据缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，确定下一步的操作，在大于预定数量的情况下，控制晶圆的缺陷所在的实际位置区域进行扫描，第五扫描图像对晶圆表面的放大倍数大于检测图像对晶圆表面的放大倍数，就可以进一步得到缺陷的清晰的图像，后续可以根据该清晰的图像来准确确定该缺陷的类型和/或成因等信息。

需要说明的是，预定数量可以为10个，也可以为15个，或者为其他的预定数量，本领域技术人员可以根据实际工艺的缺陷容忍度来确定合适的预定数量。

具体地，本申请的一种实施例中，上述缺陷信息包括缺陷的大小(面积)、缺陷的位置以及缺陷的数量。这样对应的转换为预定格式的检测数据也包括这些信息，这样根据转换为预定格式的检测信息生成的检测图像中，可以同时显示这些信息，这样使得后续可以根据该检测图像更准确地确定下一步的操作。

本申请的另一种实施例中，上述缺陷信息包括缺陷的大小(面积)、缺陷的位置以及缺陷的数量，在上述晶圆缺陷的检测系统根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，上述检测方法还包括：上述晶圆缺陷的检测系统确定上述检测图像中的任意一个上述缺陷的面积是否大于预定面积；在任意一个上述缺陷的面积大于上述预定面积的情况下，上述晶圆缺陷的检测系统控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第六扫描图像，上述第六扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第八区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第七区域，上述第八区域大于上述第七区域。该实施例中，无论缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，只要缺陷的面积大于预定面积，则控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描。

本申请的另一种实施例中，上述缺陷信息包括缺陷的大小(面积)、缺陷的位置以及缺陷的数量，在上述晶圆缺陷的检测系统根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，上述检测方法还包括：上述晶圆缺陷的检测系统确定上述检测图像中的任意一个上述缺陷的面积是否大于预定面积；在任意一个上述缺陷的面积大于上述预定面积的情况下，上述晶圆缺陷的检测系统控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第七扫描图像，上述第七扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第九区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第七区域，上述第九区域大于上述第七区域；在所有的上述缺陷的面积不大于上述预定面积的情况下，上述晶圆缺陷的检测系统确定上述检测图像中的上述缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，在上述缺陷位置标识的数量大于上述预定数量的情况下，上述晶圆缺陷的检测系统控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第八扫描图像，上述第八扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第十区域，上述第十区域大于上述第七区域。

实际的应用过程中，该缺陷控制系统可以控制摄像头对缺陷的实际位置进行扫描拍照，以获得扫描图像。

需要说明的是，缺陷信息并不限于上述的几种，缺陷信息还包括缺陷所在的结构层、缺陷的序号、曲线的面积、缺陷的分类、缺陷的横向大小以及缺陷相对晶圆级别的坐标等信息，本领域技术人员可以根据实际情况获取缺陷信息。格式转换后，这些缺陷信息还存在，并且可能还会计算得到新的信息，比如缺陷在裸片(die)级别的坐标以及裸片的坐标，且输出的检测图像仍然保留和记录缺陷的坐标，缺陷的数量，缺陷所在的结构层等等信息，这与良率改善系统中的摄像头获取的信息一致，可以为良率改善复核提供需要的缺陷信息，从而实现替代良率改善系统中的摄像头的作用，得到缺陷大小、位置以及图像。需要说明的是，本申请中的裸片实际上为对晶圆划分形成的一个区域，裸片级别的坐标就是缺陷在以该区域的一点为坐标原点建立的坐标系中的坐标。

本申请的再一种实施例中，上述晶圆缺陷的检测系统包括晶圆缺陷分析系统(例如，Klarity子系统)，上述预定格式为晶圆缺陷分析系统的数据的标准格式。这样就能够将检测数据转换为标准的格式，从而进一步减少数据资源浪费。当然，实际的应用过程中，其还可以包括其他用于实现上述方法的子系统、设备或者装置。该晶圆缺陷分析系统可以采用产品Klarity defect。

本申请的另一种实施例中，在上述晶圆缺陷的检测系统将上述检测数据转换为预定格式之后，上述方法还包括：根据预定格式的检测数据确定缺陷的种类。

本申请实施例还提供了一种晶圆缺陷的检测系统，需要说明的是，本申请实施例的晶圆缺陷的检测系统可以用于执行本申请实施例所提供的用于晶圆缺陷的检测方法。以下对本申请实施例提供的晶圆缺陷的检测系统进行介绍。

图4是根据本申请实施例的晶圆缺陷的检测系统的结构示意图。如图4所示，该系统包括：

接收单元10，用于晶圆缺陷的检测系统接收光刻机台生成的检测数据，上述检测数据包括晶圆的缺陷信息；

第一转换单元20，用于将上述检测数据转换为预定格式，上述预定格式为上述晶圆缺陷的检测系统的数据的标准格式。

上述的系统中，接收单元接收光刻机台的检测数据，即通常所说的WIS数据，第一转换单元将该检测数据转换为预定格式的数据，由于该检测数据包括缺陷信息，因此，无需其他扫描仪器再专门获取缺陷信息而传输至晶圆缺陷的检测系统，该晶圆缺陷的检测系统后续利用该预定格式的检测数据就可以进一步检测缺陷的情况。该系统中，将光刻机台的检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统中进行进一步应用，进而解决了现有技术中难以对光刻机台的检测数据进行充分利用而导致的数据资源浪费的技术问题。

需要说明的是，本申请的第一转换单元可以采用任何可行的方式将上述将检测数据转换为预定格式的数据，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的第一转换单元。在具体的实施过程中，可以包括编程计算和格式转换等过程。

本申请的一种实施例中，上述系统还包括第一图像生成单元，用于在将上述检测数据转换为上述预定格式之后，根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像，上述检测图像中包括缺陷位置标识，该缺陷位置标识表明其所在位置存在一个缺陷。这样就可以根据检测数据生成检测图像，如图2所示，检测图像包括有缺陷位置标识，图中的缺陷位置标识01为十字形标识。这样通过该检测图像能够知晓晶圆中缺陷位置标识以及缺陷的数量，使得后续可以根据这二者合理地确定下一步的操作。

本申请的又一种实施例中，上述系统还包括第一确定单元和第一获取单元，第一确定单元用于在根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，确定上述检测图像中的上述缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，第一获取单元用于在上述缺陷位置标识的数量大于上述预定数量的情况下，控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第一扫描图像，上述第一扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第一区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第二区域，上述第一区域大于上述第二区域。该系统中根据缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，确定下一步的操作，在大于预定数量的情况下，控制晶圆的缺陷所在的实际位置区域进行扫描，第一扫描图像对晶圆表面的放大倍数大于检测图像对晶圆表面的放大倍数，就可以进一步得到缺陷的清晰的图像，后续可以根据该清晰的图像来准确确定该缺陷的类型和/或成因等信息。

需要说明的是，预定数量可以为10个，也可以为15个，或者为其他的预定数量，本领域技术人员可以根据实际工艺的缺陷容忍度来确定合适的预定数量。

具体地，本申请的一种实施例中，上述缺陷信息包括缺陷的大小(面积)、缺陷的位置以及缺陷的数量。这样对应的转换为预定格式的检测数据也包括这些信息，这样根据转换为预定格式的检测信息生成的检测图像中，可以同时显示这些信息，这样使得后续可以根据该检测图像更准确地确定下一步的操作。

本申请的另一种实施例中，上述缺陷信息包括缺陷的大小(面积)、缺陷的位置以及缺陷的数量，上述系统还包括第二确定单元和第二获取单元，第二确定单元用于在根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，确定上述检测图像中的任意一个上述缺陷的面积是否大于预定面积，第二获取单元用于在任意一个上述缺陷的面积大于上述预定面积的情况下，控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第二扫描图像，上述第二扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第三区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第二区域，上述第三区域大于上述第二区域。该实施例中，无论缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，只要缺陷的面积大于预定面积，则控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描。

上述系统还包括第三确定单元、第三获取单元、第四确定单元，第四获取单元，其中，第三确定单元用于在根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，确定上述检测图像中的任意一个上述缺陷的面积是否大于预定面积，第三获取单元用于在任意一个上述缺陷的面积大于上述预定面积的情况下，控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第三扫描图像，上述第三扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第四区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第二区域，上述第四区域大于上述第二区域；第四确定单元用于在所有的上述缺陷的面积不大于上述预定面积的情况下，确定上述检测图像中的上述缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，第四获取单元用于在上述缺陷位置标识的数量大于上述预定数量的情况下，控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第四扫描图像，上述第四扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第五区域，上述第五区域大于上述第二区域。

实际的应用过程中，该缺陷控制系统可以控制摄像头对缺陷的实际位置进行扫描拍照，以获得扫描图像。

需要说明的是，缺陷信息并不限于上述的几种，缺陷信息还包括缺陷所在的结构层、缺陷的序号、曲线的面积、缺陷的分类、缺陷的横向大小以及缺陷相对晶圆级别的坐标等信息，本领域技术人员可以根据实际情况获取缺陷信息。格式转换后，这些缺陷信息还存在，并且可能还会计算得到新的信息，比如缺陷在裸片(die)级别的坐标以及裸片的坐标，且输出的检测图像仍然保留和记录缺陷的坐标，缺陷的数量，缺陷所在的结构层等等信息，这与良率改善系统中的摄像头获取的信息一致，可以为良率改善复核提供需要的缺陷信息，从而实现替代良率改善系统中的摄像头的作用，得到缺陷大小、位置以及图像。需要说明的是，本申请中的裸片实际上为对晶圆划分形成的一个区域，裸片级别的坐标就是缺陷在以该区域的一点为坐标原点建立的坐标系中的坐标。

本申请的再一种实施例中，上述晶圆缺陷的检测系统包括晶圆缺陷分析系统(例如，Klarity子系统)，晶圆缺陷分析系统包括上述接收单元和第一转换单元等，上述预定格式为晶圆缺陷分析系统的数据的标准格式。这样就能够将检测数据转换为标准的格式，从而进一步减少数据资源浪费。当然，实际的应用过程中，其还可以包括其他用于实现上述方法的子系统、设备或者装置。该晶圆缺陷分析系统可以采用产品Klarity defect。

本申请的另一种实施例中，在上述检测系统还包括缺陷种类确定单元，用于将上述检测数据转换为预定格式之后，根据预定格式的检测数据确定缺陷的种类。

本申请实施例还提供了另一种晶圆缺陷的检测系统，需要说明的是，本申请实施例的晶圆缺陷的检测系统可以用于执行本申请实施例所提供的用于晶圆缺陷的检测方法。以下对本申请实施例提供的晶圆缺陷的检测系统进行介绍。该系统包括：

检测单元，用于光刻机台对晶圆进行检测，得到检测数据；

传输单元，用于上述光刻机台将上述检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统；

第二转换单元，用于上述晶圆缺陷的检测系统将上述检测数据转换为预定格式，上述预定格式为上述晶圆缺陷的检测系统的数据的标准格式。

上述的系统中，检测单元在光刻机台对晶圆检测后得到检测数据，即通常所说的WIS数据，传输单元将检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统，第二转换单元将该检测数据转换为预定格式的数据，由于该检测数据包括缺陷信息，因此，无需其他扫描仪器再专门获取缺陷信息而传输至晶圆缺陷的检测系统，该晶圆缺陷的检测系统后续利用该预定格式的检测数据就可以进一步检测缺陷的情况。该系统中，将光刻机台的检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统中进行进一步应用，进而解决了现有技术中难以对光刻机台的检测数据进行充分利用而导致的数据资源浪费的技术问题。需要说明的是，WIS数据在TEL机台端会生成缺陷信息文件，通过编程计算和格式转化将其数据转化为标准文件格式。

需要说明的是，本申请的第二转换单元可以采用任何可行的方式将上述将检测数据转换为预定格式的数据，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的第二转换单元。在具体的实施过程中，可以包括编程计算和格式转换等过程。

本申请的一种实施例中，上述系统还包括第二图像生成单元，用于在将上述检测数据转换为上述预定格式之后，根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像，上述检测图像中包括缺陷位置标识，该缺陷位置标识表明其所在位置存在一个缺陷。这样就可以根据检测数据生成检测图像，如图2所示，检测图像包括有缺陷位置标识，图中的缺陷位置标识01为十字形标识。这样通过该检测图像能够知晓晶圆中缺陷位置标识以及缺陷的数量，使得后续可以根据这二者合理地确定下一步的操作。

本申请的又一种实施例中，上述系统还包括第四确定单元和第四获取单元，第四确定单元用于在根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，确定上述检测图像中的上述缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，第四获取单元用于在上述缺陷位置标识的数量大于上述预定数量的情况下，控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第五扫描图像，上述第五扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第六区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第七区域，上述第六区域大于上述第七区域。该系统中根据缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，确定下一步的操作，在大于预定数量的情况下，控制晶圆的缺陷所在的实际位置区域进行扫描，第五扫描图像对晶圆表面的放大倍数大于检测图像对晶圆表面的放大倍数，就可以进一步得到缺陷的清晰的图像，后续可以根据该清晰的图像来准确确定该缺陷的类型和/或成因等信息。

需要说明的是，预定数量可以为10个，也可以为15个，或者为其他的预定数量，本领域技术人员可以根据实际工艺的缺陷容忍度来确定合适的预定数量。

具体地，本申请的一种实施例中，上述缺陷信息包括缺陷的大小(面积)、缺陷的位置以及缺陷的数量。这样对应的转换为预定格式的检测数据也包括这些信息，这样根据转换为预定格式的检测信息生成的检测图像中，可以同时显示这些信息，这样使得后续可以根据该检测图像更准确地确定下一步的操作。

本申请的另一种实施例中，上述缺陷信息包括缺陷的大小(面积)、缺陷的位置以及缺陷的数量，上述系统还包括第五确定单元和第五获取单元，第五确定单元用于在根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，确定上述检测图像中的任意一个上述缺陷的面积是否大于预定面积，第五获取单元用于在任意一个上述缺陷的面积大于上述预定面积的情况下，控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第六扫描图像，上述第六扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第八区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第七区域，上述第八区域大于上述第七区域。该实施例中，无论缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，只要缺陷的面积大于预定面积，则控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描。

本申请的另一种实施例中，上述缺陷信息包括缺陷的大小(面积)、缺陷的位置以及缺陷的数量，上述系统还包括第六确定单元、第六获取单元、第七确定单元和第七获取单元，其中，第六确定单元用于在上述晶圆缺陷的检测系统根据上述预定格式的上述检测数据，生成检测图像之后，确定上述检测图像中的任意一个上述缺陷的面积是否大于预定面积；第六获取单元用于在任意一个上述缺陷的面积大于上述预定面积的情况下，上述晶圆缺陷的检测系统控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第七扫描图像，上述第七扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第九区域，上述检测图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第七区域，上述第九区域大于上述第七区域；第七确定单元用于在所有的上述缺陷的面积不大于上述预定面积的情况下，确定上述检测图像中的上述缺陷位置标识的数量是否大于预定数量，第七获取单元用于在上述缺陷位置标识的数量大于上述预定数量的情况下，控制对上述缺陷位置标识对应的晶圆的实际位置区域进行扫描，获取第八扫描图像，上述第八扫描图像中与单位面积的上述晶圆的表面对应的区域为第十区域，上述第十区域大于上述第七区域。

实际的应用过程中，该缺陷控制系统可以控制摄像头对缺陷的实际位置进行扫描拍照，以获得扫描图像。

需要说明的是，缺陷信息并不限于上述的几种，缺陷信息还包括缺陷所在的结构层的信息等等，本领域技术人员可以根据实际情况获取缺陷信息。由于格式转换后，输出的检测图像仍然保留和记录缺陷的坐标，缺陷的数量，缺陷所在的结构层等等信息，这与良率改善系统中的摄像头获取信息一致，可以为良率改善复核提供需要的确定信息，从而实现替代良率改善系统中的摄像头的作用，得到缺陷大小、位置以及图像。

本申请的另一种实施例中，在上述检测系统还包括缺陷种类确定单元，用于将上述检测数据转换为预定格式之后，根据预定格式的检测数据确定缺陷的种类。

上述检测系统包括处理器和存储器，上述接收单元和转换单元等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。

处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来通过充分利用光刻机台的检测数据避免数据资源浪费。

存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存储芯片。

本发明实施例提供了一种存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述晶圆缺陷的检测方法。

本发明实施例提供了一种处理器，上述处理器用于运行程序，其中，上述程序运行时执行上述晶圆缺陷的检测方法。

本发明实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现至少以下步骤：

步骤S101，晶圆缺陷的检测系统接收光刻机台生成的检测数据，上述检测数据包括晶圆的缺陷信息；

步骤S102，上述晶圆缺陷的检测系统将上述检测数据转换为预定格式，上述预定格式为上述晶圆缺陷的检测系统的数据的标准格式。

本文中的设备可以是服务器、PC、PAD、手机等。

本申请还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有至少如下方法步骤的程序：

步骤S101，晶圆缺陷的检测系统接收光刻机台生成的检测数据，上述检测数据包括晶圆的缺陷信息；

步骤S102，上述晶圆缺陷的检测系统将上述检测数据转换为预定格式，上述预定格式为上述晶圆缺陷的检测系统的数据的标准格式。

在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如上述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。

上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例上述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：

1)、本申请的晶圆缺陷的检测方法，晶圆缺陷的检测系统接收光刻机台的检测数据，即通常所说的WIS数据，并将该检测数据转换为预定格式的数据，由于该检测数据包括缺陷信息，因此，无需其他扫描仪器再专门获取缺陷信息而传输至晶圆缺陷的检测系统，该晶圆缺陷的检测系统后续利用该预定格式的检测数据就可以进一步检测缺陷的情况。该方案中，将光刻机台的检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统中进行进一步应用，进而解决了现有技术中难以对光刻机台的检测数据进行充分利用而导致的数据资源浪费的技术问题。

2)、本申请的另一种晶圆缺陷的检测方法，光刻机台对晶圆检测后得到检测数据，即通常所说的WIS数据，将检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统，并将该检测数据转换为预定格式的数据，由于该检测数据包括缺陷信息，因此，无需其他扫描仪器再专门获取缺陷信息而传输至晶圆缺陷的检测系统，该晶圆缺陷的检测系统后续利用该预定格式的检测数据就可以进一步检测缺陷的情况。该方案中，将光刻机台的检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统中进行进一步应用，进而解决了现有技术中难以对光刻机台的检测数据进行充分利用而导致的数据资源浪费的技术问题

3)、本申请的晶圆缺陷的检测系统，接收单元接收光刻机台的检测数据，即通常所说的WIS数据，第一转换单元将该检测数据转换为预定格式的数据，由于该检测数据包括缺陷信息，因此，无需其他扫描仪器再专门获取缺陷信息而传输至晶圆缺陷的检测系统，该晶圆缺陷的检测系统后续利用该预定格式的检测数据就可以进一步检测缺陷的情况。该系统中，将光刻机台的检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统中进行进一步应用，进而解决了现有技术中难以对光刻机台的检测数据进行充分利用而导致的数据资源浪费的技术问题。

4)、本申请的另一种晶圆缺陷的检测系统，检测单元在光刻机台对晶圆检测后得到检测数据，即通常所说的WIS数据，传输单元将检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统，第二转换单元将该检测数据转换为预定格式的数据，由于该检测数据包括缺陷信息，因此，无需其他扫描仪器再专门获取缺陷信息而传输至晶圆缺陷的检测系统，该晶圆缺陷的检测系统后续利用该预定格式的检测数据就可以进一步检测缺陷的情况。该系统中，将光刻机台的检测数据传输至晶圆缺陷的检测系统中进行进一步应用，进而解决了现有技术中难以对光刻机台的检测数据进行充分利用而导致的数据资源浪费的技术问题。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。