具体实施方式

以下，参照附图对本公开的非限定性的示例的实施方式进行说明。在所有附图中，对相同或对应的构件或部件标注相同或对应的附图标记，而省略重复的说明。

[第1实施方式]

(基板处理装置)

参照图1和图2，对第1实施方式的基板处理装置进行说明。图1是表示第1实施方式的基板处理装置的构成例的图。

基板处理装置1具有：处理部10、气体导入部20、气体排出部30、加热部40以及控制部90。

处理部10包括：处理容器11、喷射器12、13、排气口14以及遮挡件15。

处理容器11形成为纵长，在内部容纳晶舟WB。处理容器11具有下端开放的有顶的大致圆筒形状。处理容器11可以是单管构造，也可以是双管构造。处理容器11包括例如由石英等耐热材料形成的反应管和设于反应管的下端的由不锈钢形成的歧管。

晶舟WB呈架状将多张半导体晶圆(以下称为“晶圆W”)在上下方向上具有预定间隔地保持。晶舟WB载置于盖体CP之上，利用升降机构(未图示)与盖体CP一起升降。晶舟WB通过向上方移动而向处理容器11内送入，利用盖体CP气密地堵塞处理容器11的下端的开口。另一方面，晶舟WB通过向下方移动而从处理容器11内送出，处理容器11的下端的开口开放。另外，晶舟WB可以自由旋转。此外，在图1中，表示晶舟WB从处理容器11内送出来的状态。

喷射器12贯穿处理容器11地设置。喷射器12包括：原料气体供给管121、稀释气体供给管122、连接管123以及气体喷出孔124。

原料气体供给管121在处理容器11内沿着处理容器11的长度方向设置，并且原料气体供给管121的下端呈L字状弯曲并以贯穿处理容器11的方式被支承。在原料气体供给管121的设于处理容器11外的连接口121a连接有后述的原料气体导入管21b。在原料气体供给管121内，借助原料气体导入管21b导入原料气体、清洁气体以及吹扫气体。在原料气体供给管121，沿着其长度方向以预定间隔形成有多个气体喷出孔124。气体喷出孔124朝向水平方向喷出原料气体、清洁气体以及吹扫气体。由此，与晶圆W的主面大致平行地供给原料气体、清洁气体以及吹扫气体。预定间隔例如设定为与支承于晶舟WB的晶圆W的间隔相同。另外，高度方向上的位置设定为气体喷出孔124位于在上下方向上相邻的晶圆W间的中间。由此，能够高效地向晶圆W间的空间部供给原料气体、清洁气体以及吹扫气体。

稀释气体供给管122在处理容器11内沿着处理容器11的长度方向设置，并且稀释气体供给管122的下端呈L字状弯曲并以贯穿处理容器11的方式被支承。在稀释气体供给管122的设于处理容器11外的连接口122a连接有后述的稀释气体导入管23b。在稀释气体供给管122内，借助稀释气体导入管23b导入稀释气体。稀释气体供给管122借助连接管123向原料气体供给管121供给稀释气体。

连接管123是连接原料气体供给管121的上部与稀释气体供给管122的上部的管状的构件，使原料气体供给管121的内部与稀释气体供给管122的内部连通。在本实施方式中，原料气体供给管121与稀释气体供给管122由1根连接管123连接，但原料气体供给管121与稀释气体供给管122也可以由两根以上的连接管123连接。

喷射器13贯穿处理容器11地设置。喷射器13包括反应气体供给管131和气体喷出孔132。

反应气体供给管131在处理容器11内沿着处理容器11的长度方向设置，并且反应气体供给管131的下端呈L字状弯曲并以贯穿处理容器11的方式被支承。在反应气体供给管131的设于处理容器11外的连接口131a连接有后述的反应气体导入管24b。在反应气体供给管131内，借助反应气体导入管24b导入反应气体和吹扫气体。在反应气体供给管131，沿着其长度方向以预定间隔形成有多个气体喷出孔132。气体喷出孔132朝向水平方向喷出反应气体和吹扫气体。由此，与晶圆W的主面大致平行地供给反应气体和吹扫气体。预定间隔例如设定为与支承于晶舟WB的晶圆W的间隔相同。另外，高度方向上的位置设定为气体喷出孔132位于在上下方向上相邻的晶圆W间的中间。由此，能够高效地向晶圆W间的空间部供给反应气体和吹扫气体。

排气口14设于处理容器11的下部的侧壁。排气口14构成为能够排出处理容器11内的气体。

遮挡件15具有比处理容器11的下端的开口大的大致圆盘形状。遮挡件15构成为能够在气密地堵塞处理容器11的下端的开口的位置与开放处理容器11的下端的开口的位置之间在水平方向上移动。遮挡件15例如在晶舟WB从处理容器11内送出的情况下气密地堵塞处理容器11的下端的开口。此外，在图1中，表示遮挡件15位于开放处理容器11的下端的开口的位置的情况。

气体导入部20包括：原料气体导入部21、清洁气体导入部22、稀释气体导入部23、反应气体导入部24、第1通气部25以及第2通气部26。此外，气体导入部20也可以还包括导入其他气体的气体导入部。

原料气体导入部21经由喷射器12的一端的连接口121a向喷射器12内导入原料气体。原料气体导入部21包括原料气体源21a、原料气体导入管21b以及阀21c。

原料气体源21a向原料气体导入管21b供给原料气体。原料气体源21a也可以包括控制向原料气体导入管21b供给的原料气体的流量的流量控制器和暂时地贮存原料气体而使之升压的贮存部(缓冲罐)等。

原料气体导入管21b的一端与原料气体源21a连接，另一端与原料气体供给管121的连接口121a连接。原料气体导入管21b向原料气体供给管121内导入从原料气体源21a供给的原料气体。原料气体例如是用于利用原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法、化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法进行的成膜的气体。作为原料气体的例子，列举出硅原料气体、金属原料气体等。原料气体例如借助原料气体供给管121被向加热到热分解温度以上的温度的处理容器11内供给。

阀21c设于原料气体导入管21b，使原料气体导入管21b内的流体的通路开闭。在本实施方式中，在原料气体导入管21b设有1个阀21c，但也可以设有两个以上的阀21c。

清洁气体导入部22经由喷射器12的一端的连接口121a向喷射器12内导入清洁气体。清洁气体导入部22包括清洁气体源22a、清洁气体导入管22b以及阀22c。

清洁气体源22a向清洁气体导入管22b供给清洁气体和吹扫气体。清洁气体源22a也可以包括控制向清洁气体导入管22b供给的清洁气体和吹扫气体的流量的流量控制器等。

清洁气体导入管22b的一端与清洁气体源22a连接，另一端与原料气体导入管21b连接。清洁气体导入管22b经由原料气体导入管21b向原料气体供给管121内导入从清洁气体源22a供给的清洁气体和吹扫气体。清洁气体是为了去除堆积在处理容器11内、喷射器12内等的堆积物而使用的气体，根据原料气体的种类而选择。作为清洁气体的例子，列举出含有氟、氯、溴等卤素的气体。吹扫气体是为了置换残留在处理容器11内、喷射器12内等的气体而使用的气体。作为吹扫气体的例子，列举出氮气(N₂)、氩气(Ar)等非活性气体。

阀22c设于清洁气体导入管22b，使清洁气体导入管22b内的流体的通路开闭。在本实施方式中，在清洁气体导入管22b设有1个阀22c，但也可以设有两个以上的阀22c。

稀释气体导入部23经由喷射器12的另一端的连接口122a向喷射器12内导入稀释气体。稀释气体导入部23包括稀释气体源23a、稀释气体导入管23b以及阀23c。

稀释气体源23a向稀释气体导入管23b供给稀释气体。稀释气体源23a也可以包括控制向稀释气体导入管23b供给的稀释气体的流量的流量控制器等。

稀释气体导入管23b的一端与稀释气体源23a连接，另一端与稀释气体供给管122的连接口122a连接。稀释气体导入管23b向稀释气体供给管122内导入从稀释气体源23a供给的稀释气体。稀释气体是为了稀释原料气体而使用的气体。作为稀释气体的例子，列举出N₂气体、Ar气体等非活性气体、氢气(H₂)等。

阀23c设于稀释气体导入管23b，使稀释气体导入管23b内的流体的通路开闭。在本实施方式中，在稀释气体导入管23b设有1个阀23c，但也可以设有两个以上的阀23c。

反应气体导入部24包括反应气体源24a、反应气体导入管24b以及阀24c。

反应气体源24a向反应气体导入管24b供给反应气体和吹扫气体。反应气体源24a也可以包括控制向反应气体导入管24b供给的反应气体和吹扫气体的流量的流量控制器等。

反应气体导入管24b的一端与反应气体源24a连接，另一端与反应气体供给管131的连接口131a连接。反应气体导入管24b向喷射器13内导入从反应气体源24a供给的反应气体和吹扫气体。反应气体是与原料气体反应而使原料氧化、氮化等的气体。作为反应气体的例子，列举出氧化气体、氮化气体等。作为吹扫气体的例子，列举出N₂气体、Ar气体等非活性气体。

阀24c设于反应气体导入管24b，使反应气体导入管24b内的流体的通路开闭。在本实施方式中，在反应气体导入管24b设有1个阀24c，但也可以设有两个以上的阀24c。

第1通气部25包括通气管25b和阀25c。通气管25b连接原料气体导入管21b与后述的排气管31。阀25c设于通气管25b，控制原料气体导入管21b与排气管31的连通状态。即，当阀25c打开时，原料气体导入管21b与排气管31连通，当阀25c关闭时，原料气体导入管21b与排气管31的连通被阻断。在本实施方式中，在通气管25b设有1个阀25c，但也可以设有两个以上的阀25c。

第2通气部26包括通气管26b和阀26c。通气管26b连接稀释气体导入管23b与后述的排气管31。阀26c设于通气管26b，控制稀释气体导入管23b与排气管31的连通状态。即，当阀26c打开时，稀释气体导入管23b与排气管31连通，当阀26c关闭时，稀释气体导入管23b与排气管31的连通被阻断。在本实施方式中，在通气管26b设有1个阀26c，但也可以设有两个以上的阀26c。

气体排出部30包括排气管31、压力调整阀32以及真空泵33。排气管31的一端与排气口14连接，另一端与真空泵33连接。压力调整阀32设于排气管31，通过调整排气管31的流导来调整处理容器11内的压力。真空泵33借助排气管31使处理容器11内排气。真空泵33例如包括机械增压泵和干式泵。

加热部40具有大致圆筒形状，以在处理容器11的周围覆盖处理容器11的方式设置。加热部40例如包括发热体和隔热体，利用发热体的发热来加热在处理容器11内容纳的晶圆W。

控制部90控制基板处理装置1整体的动作。控制部90例如可以是计算机。另外，进行基板处理装置1整体的动作的计算机的程序存储在存储介质(未图示)中。存储介质例如可以是软盘、光盘、硬盘、闪存、DVD等。

(基板处理装置的动作)

参照图3，对基板处理装置1的动作的一例进行说明。图3是表示图1的基板处理装置1的动作的一例的流程图。此外，在初始状态下，基板处理装置1的压力调整阀32和阀21c～阀26c设为关闭。

首先，控制部90控制基板处理装置1的各部的动作，执行成膜处理(步骤S1)。在本实施方式中，控制部90控制升降机构，使保持了多张晶圆W的晶舟WB向处理容器11内送入。接着，控制部90控制压力调整阀32从而将处理容器11内调整为预定的压力，并且控制加热部40将晶圆W加热到预定的温度。接着，通过控制部90控制阀21c、23c、24c的开闭，向处理容器11内供给原料气体、稀释气体以及反应气体，而在晶圆W形成预定的膜。接着，控制部90使处理容器11内回到大气压，并控制升降机构，使晶舟WB从处理容器11内送出。

接着，控制部90判断是否需要喷射器12的清洁(步骤S2)。在本实施方式中，控制部90在成膜处理的执行时间超过预定的时间的情况下判断为需要喷射器12的清洁，在成膜处理的执行时间未超过预定的时间的情况下判断为不需要喷射器12的清洁。在判断为不需要喷射器12的清洁的情况下，控制部90使处理返回步骤S1。即，控制部90不执行喷射器12的清洁处理而继续成膜处理。另一方面，在判断为需要喷射器12的清洁的情况下，控制部90执行喷射器12的清洁处理(步骤S3)，结束处理。

参照图4，对喷射器12的清洁处理(清洁方法)的一例进行说明。图4是表示喷射器12的清洁处理的一例的流程图。

首先，控制部90对处理容器11内进行减压(步骤S31)。在本实施方式中，控制部90控制遮挡件15而利用遮挡件15气密地堵塞处理容器11的下端的开口。接着，控制部90打开压力调整阀32而借助排气管31使处理容器11内与真空泵33连通，使处理容器11内排气从而减压。在处理容器11内到达预定的真空度后，控制部90关闭压力调整阀32。

接着，控制部90对喷射器12内进行减压(步骤S32)。在本实施方式中，控制部90打开阀26c而借助通气管26b使喷射器12的稀释气体供给管122内与真空泵33连通，使稀释气体供给管122内排气从而减压。

接着，控制部90向喷射器12内导入清洁气体(步骤S33)。在本实施方式中，控制部90通过打开阀22c，从清洁气体源22a向原料气体供给管121内导入清洁气体。此时，稀释气体供给管122内被减压。因此，借助气体喷出孔124向处理容器11内喷出的清洁气体的比例变小，在稀释气体供给管122和通气管26b中流通并利用真空泵33排出的清洁气体的比例变大。即，向原料气体供给管121导入的清洁气体选择性地在稀释气体供给管122和通气管26b中流通。其结果为，能够选择性地清洁喷射器12的内部。另外，在步骤S33中，控制部90优选为打开阀24c而从喷射器13向处理容器11内供给吹扫气体。由此，即使在清洁气体借助喷射器12的气体喷出孔124向处理容器11内喷出的情况下，由于处理容器11内也填充有吹扫气体，因此能够抑制利用清洁气体清洁处理容器11内的情况。此外，控制部90在经过预定的时间后关闭阀22c，从而停止向原料气体供给管121内导入清洁气体。预定的时间例如可以是为了将原料气体供给管121内和稀释气体供给管122内的堆积物全部去除所需要的时间。

接着，控制部90利用吹扫气体对喷射器12内进行置换(步骤S34)。在本实施方式中，控制部90通过打开阀22c，向原料气体供给管121内导入吹扫气体。此时，稀释气体供给管122内被减压。因此，借助气体喷出孔124向处理容器11内喷出的吹扫气体的比例变小，在稀释气体供给管122和通气管26b中流通并且利用真空泵33排出的吹扫气体的比例变大。即，向原料气体供给管121导入的吹扫气体选择性地在稀释气体供给管122和通气管26b中流通。由此，能够利用真空泵33高效地排出原料气体供给管121内和稀释气体供给管122内的清洁残渣。此外，控制部90在经过预定的时间后关闭阀22c，从而停止向原料气体供给管121内导入吹扫气体。另外，控制部90关闭阀26c，结束处理。

像以上说明的那样，根据第1实施方式的基板处理装置1，在喷射器12的一端连接有原料气体导入管21b和清洁气体导入管22b，在另一端连接有通气管26b。由此，能够从喷射器12的一端的连接口121a导入原料气体和清洁气体，并从喷射器12的另一端的连接口122a排出喷射器12内的气体。因此，能够针对处理容器11的内部选择性地清洁喷射器12的内部。

另外，根据第1实施方式的基板处理装置1，其具有在晶舟WB从处理容器11内送出的情况下气密地堵塞处理容器11的下端的开口的遮挡件15。由此，在将保持执行了成膜处理后的晶圆W的晶舟WB从处理容器11内送出而对其进行冷却(降温)的期间，能够清洁喷射器12的内部。因此，能够有效利用晶圆冷却时间，使生产率提高。

[第2实施方式]

(基板处理装置)

参照图5，对第2实施方式的基板处理装置进行说明。图5是表示第2实施方式的基板处理装置的构成例的图。

第2实施方式的基板处理装置1A在构成为清洁气体导入部22经由喷射器12的另一端的连接口122a向喷射器12内导入清洁气体这一点上与第1实施方式的基板处理装置1不同。以下，以与第1实施方式的基板处理装置1不同的点为中心进行说明。

基板处理装置1A具有：处理部10、气体导入部20A、气体排出部30、加热部40以及控制部90。

气体导入部20A包括：原料气体导入部21、清洁气体导入部22、稀释气体导入部23、反应气体导入部24、第1通气部25、第2通气部26以及吹扫气体导入部27。此外，气体导入部20A也可以还包括导入其他气体的气体导入部。

清洁气体导入部22经由喷射器12的另一端的连接口122a向喷射器12内导入清洁气体。清洁气体导入部22包括清洁气体源22a、清洁气体导入管22b以及阀22c。

清洁气体源22a向清洁气体导入管22b供给清洁气体和吹扫气体。清洁气体源22a也可以包括控制向清洁气体导入管22b供给的清洁气体和吹扫气体的流量的流量控制器等。

清洁气体导入管22b的一端与清洁气体源22a连接，另一端与稀释气体供给管122的连接口122a连接。清洁气体导入管22b向稀释气体供给管122内导入从清洁气体源22a供给的清洁气体和吹扫气体。

阀22c设于清洁气体导入管22b，使清洁气体导入管22b内的流体的通路开闭。在本实施方式中，在清洁气体导入管22b设有1个阀22c，但也可以设有两个以上的阀22c。

稀释气体导入部23经由喷射器12的另一端的连接口122a向喷射器12内导入稀释气体。稀释气体导入部23包括稀释气体源23a、稀释气体导入管23b以及阀23c。

稀释气体源23a向稀释气体导入管23b供给稀释气体。稀释气体源23a也可以包括控制向稀释气体导入管23b供给的稀释气体的流量的流量控制器等。

稀释气体导入管23b的一端与稀释气体源23a连接，另一端与清洁气体导入管22b连接。稀释气体导入管23b借助清洁气体导入管22b向稀释气体供给管122内导入从稀释气体源23a供给的稀释气体。

阀23c设于稀释气体导入管23b，使稀释气体导入管23b内的流体的通路开闭。在本实施方式中，在稀释气体导入管23b设有1个阀23c，但也可以设有两个以上的阀23c。

吹扫气体导入部27经由喷射器12的一端的连接口121a向喷射器12内导入吹扫气体。吹扫气体导入部27包括吹扫气体源27a、吹扫气体导入管27b以及阀27c。

吹扫气体源27a向吹扫气体导入管27b供给吹扫气体。吹扫气体源27a也可以包括控制向吹扫气体导入管27b供给的吹扫气体的流量的流量控制器等。

吹扫气体导入管27b的一端与吹扫气体源27a连接，另一端与原料气体导入管21b连接。吹扫气体导入管27b借助原料气体导入管21b向原料气体供给管121内导入从吹扫气体源27a供给的吹扫气体。吹扫气体是为了置换在处理容器11内、喷射器12内等残留的气体而使用的气体。作为吹扫气体的例子，列举出N₂气体、Ar气体等非活性气体。

阀27c设于吹扫气体导入管27b，使吹扫气体导入管27b内的流体的通路开闭。在本实施方式中，在吹扫气体导入管27b设有1个阀27c，但也可以设有两个以上的阀27c。

(基板处理装置的动作)

参照图3，对基板处理装置1A的动作的一例进行说明。此外，在初始状态下，基板处理装置1A的压力调整阀32和阀21c～阀27c设为关闭。

首先，控制部90控制基板处理装置1A的各部的动作，执行成膜处理(步骤S1)。在本实施方式中，控制部90控制升降机构，使保持了多张晶圆W的晶舟WB向处理容器11内送入。接着，控制部90控制压力调整阀32从而将处理容器11内调整为预定的压力，并且控制加热部40将晶圆W加热到预定的温度。接着，通过控制部90控制阀21c、23c、24c、27c的开闭，向处理容器11内供给原料气体、稀释气体、反应气体以及吹扫气体，而在晶圆W形成预定的膜。接着，控制部90使处理容器11内回到大气压，并控制升降机构，使晶舟WB从处理容器11内送出。

接着，控制部90判断是否需要喷射器12的清洁(步骤S2)。在本实施方式中，控制部90在成膜处理的执行时间超过预定的时间的情况下判断为需要喷射器12的清洁，在成膜处理的执行时间未超过预定的时间的情况下判断为不需要喷射器12的清洁。在判断为不需要喷射器12的清洁的情况下，控制部90使处理返回步骤S1。即，控制部90不执行喷射器12的清洁处理而继续成膜处理。另一方面，在判断为需要喷射器12的清洁的情况下，控制部90执行喷射器12的清洁处理(步骤S3)，结束处理。

参照图4，对喷射器12的清洁处理的一例进行说明。

首先，控制部90对处理容器11内进行减压(步骤S31)。在本实施方式中，控制部90控制遮挡件15而利用遮挡件15气密地堵塞处理容器11的下端的开口。接着，控制部90打开压力调整阀32而借助排气管31使处理容器11内与真空泵33连通，使处理容器11内排气从而减压。在处理容器11内到达预定的真空度后，控制部90关闭压力调整阀32。

接着，控制部90对喷射器12内进行减压(步骤S32)。在本实施方式中，控制部90打开阀25c而借助通气管25b使喷射器12的原料气体供给管121内与真空泵33连通，使原料气体供给管121内排气从而减压。

接着，控制部90向喷射器12内导入清洁气体(步骤S33)。在本实施方式中，控制部90通过打开阀22c，从清洁气体源22a向稀释气体供给管122内导入清洁气体。此时，原料气体供给管121内被减压。因此，借助气体喷出孔124向处理容器11内喷出的清洁气体的比例变小，在原料气体供给管121和通气管25b中流通并利用真空泵33排出的清洁气体的比例变大。即，向稀释气体供给管122导入的清洁气体选择性地在原料气体供给管121和通气管25b中流通。其结果为，能够选择性地清洁喷射器12的内部。另外，在步骤S33中，控制部90优选为打开阀24c而从喷射器13向处理容器11内供给吹扫气体。由此，即使在清洁气体借助喷射器12的气体喷出孔124向处理容器11内喷出的情况下，由于在处理容器11内也填充有吹扫气体，因此能够抑制利用清洁气体清洁处理容器11内的情况。此外，控制部90在经过预定的时间后关闭阀22c，从而停止向稀释气体供给管122内导入清洁气体。预定的时间例如可以是为了将原料气体供给管121内和稀释气体供给管122内的堆积物全部去除所需要的时间。

接着，控制部90利用吹扫气体对喷射器12内进行置换(步骤S34)。在本实施方式中，控制部90通过打开阀22c，向稀释气体供给管122内导入吹扫气体。此时，原料气体供给管121内被减压。因此，借助气体喷出孔124向处理容器11内喷出的吹扫气体的比例变小，在原料气体供给管121和通气管25b中流通并且利用真空泵33排出的吹扫气体的比例变大。即，向稀释气体供给管122导入的吹扫气体选择性地在原料气体供给管121和通气管25b中流通。由此，能够利用真空泵33高效地排出原料气体供给管121内和稀释气体供给管122内的清洁残渣。此外，控制部90在经过预定的时间后关闭阀22c，从而停止向原料气体供给管121内导入吹扫气体。另外，控制部90关闭阀25c，结束处理。

此外，在上述的实施方式中，连接口121a是第1连接口的一例，连接口122a是第2连接口的一例。另外，原料气体供给管121是第1气体管的一例，稀释气体供给管122是第2气体管的一例。另外，阀22c是第1阀的一例，阀25c、阀26c是第2阀的一例，压力调整阀32是第3阀的一例。另外，晶圆W是基板的一例。

像以上说明的那样，根据第2实施方式的基板处理装置1A，在喷射器12的一端连接有原料气体导入管21b和通气管25b，在另一端连接有清洁气体导入管22b。由此，能够从喷射器12的另一端的连接口122a导入清洁气体，并从喷射器12的另一端的连接口121a排出喷射器12内的气体。因此，能够针对处理容器11的内部选择性地清洁喷射器12的内部。

另外，根据第2实施方式的基板处理装置1A，具有在晶舟WB从处理容器11内送出的情况下气密地堵塞处理容器11的下端的开口的遮挡件15。由此，在将保持执行了成膜处理后的晶圆W的晶舟WB从处理容器11内送出而对其进行冷却(降温)的期间，能够清洁喷射器12的内部。因此，能够有效利用晶圆冷却时间，使生产率提高。

应当认为此次公开的实施方式在所有方面都是示例的而并非限制性的。上述的实施方式在不脱离权利要求书及其主旨的情况下，也可以以各种各样的方式进行省略、置换、变更。