阅读说明：本技术 互补金属氧化物半导体(cmos)管芯上的集成声学滤波器 (Integrated acoustic filter on Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) die ) 是由 S·格科特佩里 S·A·法内利 楚云海 于 2019-01-11 设计创作，主要内容包括：一种射频前端RFFE装置,包括管芯(302),管芯具有在有源装置(310)上的前侧电介质层(304)。有源装置在第一衬底(320)上。RFFE装置还包括微机电系统MEMS装置(370、470)。MEMS装置在与有源装置不同的层处集成在管芯上。MEMS装置包括由管芯的前侧电介质层中的腔构成的帽层(380)。前侧电介质层中的腔在第一衬底和第二衬底(352)之间。帽耦合到前侧电介质层。MEMS装置的电极可以是后端制程BEOL互连(330),该MEMS装置可以是声学滤波器。(A radio frequency front end RFFE device includes a die (302) having a front-side dielectric layer (304) over an active device (310). The active device is on a first substrate (320). The RFFE device also includes a microelectromechanical system MEMS device (370, 470). The MEMS device is integrated on the die at a different layer than the active device. The MEMS device includes a cap layer (380) comprised of a cavity in the front-side dielectric layer of the die. A cavity in the front-side dielectric layer is between the first substrate and the second substrate (352). The cap is coupled to the front-side dielectric layer. The electrodes of the MEMS device may be back-end-of-line BEOL interconnects (330), and the MEMS device may be an acoustic filter.)

互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯上的集成声学滤波器

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月29日提交的题为“互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯上的集成声学滤波器”的美国专利申请16/116,744的权益，其要求于2018年3月1日提交的题为“互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片上的集成声学滤波器”的美国临时专利申请62/637,284的权益，其公开内容通过引用全部明确地并入本文中。

技术领域

本公开的各方面一般涉及集成电路(IC)。更具体地说，本公开的各方面涉及将微机电系统(MEMS)装置(例如，声学滤波器)集成在互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片上。

背景技术

设计移动射频(RF)芯片(例如，移动RF收发器)由于添加了用于支持通信增强的电路功能(例如，第五代(5G)无线系统)而变得复杂。移动RF收发器的进一步设计挑战包括模拟/RF性能考虑，包括失配、噪声和其它性能考虑。设计这些移动RF收发器可以包括使用附加的无源装置，例如用于抑制谐振，和/或用于执行滤波、旁路和耦合。

可以使用RF滤波器来设计这些移动RF收发器。例如，无线通信系统中的移动RF收发器通常依赖于RF(例如，声学)滤波器来处理无线通信系统中承载的信号。许多无源装置可以被包括在这些RF滤波器中。实际上，这些无源装置中的每一个无源装置均可以包括许多电感器和电容器。

这些RF滤波器可以包括表面声波(SAW)以及体声波(BAW)滤波器。声学滤波器的成功操作通常涉及对压电效应的依赖。压电效应是材料的在机械域和电域之间交换能量的特殊性质。例如，在BAW谐振器中，利用逆压电性(例如，装置尺寸随施加的电场而变化)。在该示例中，当RF可变信号被施加到电极时，在材料中产生声学纵波。

当前的SAW滤波器以及BAW滤波器封装包括在封盖晶圆上的2D电感器。封盖晶圆能够控制滤波器的质量以及声学和电学特性。不幸的是，在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆上集成高性能声学(例如SAW/BAW)滤波器是有问题的。尤其是极其复杂的工艺通常阻止了声学滤波器与CMOS晶圆的集成。将声学滤波器集成在CMOS管芯上将是期望的。

发明内容

描述了一种射频(RF)前端(RFFE)装置。RFFE装置包括具有在有源装置上的前侧电介质层的管芯。有源装置在第一衬底上。RFFE装置还包括微机电系统(MEMS)装置。MEMS装置在与有源装置不同的层处集成在管芯上。MEMS装置包括由管芯的前侧电介质层中的腔构成的帽层。前侧电介质层中的腔在第一衬底和第二衬底之间。帽耦合到前侧电介质层。

在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆上集成声学滤波器的方法包括在CMOS晶圆的前侧电介质层中图案化和蚀刻腔。前侧电介质层中的腔可以远离CMOS晶圆的有源装置层。该方法还包括将CMOS晶圆的前侧电介质层接合到包括声学滤波器的部分的半导体处理晶圆的前侧。声学滤波器可以包括在前侧电介质层中具有腔的帽层。

描述了一种射频(RF)前端(RFFE)装置。RFFE装置包括RFFE管芯。RFFE管芯包括有源装置上的前侧电介质层。RFFE装置还包含集成在RFFE管芯上的声学滤波器。声学滤波器具有由管芯的前侧电介质层中的腔组成的在第一衬底与第二衬底之间的帽层。帽层耦合到前侧电介质层。RFFE装置还包含耦合到声学滤波器的输出上的天线。

这相当广泛地概述了本公开的特征和技术优点，以便可以更好地理解下面的详细描述。将在下面描述本公开的另外的特征和优点。本领域技术人员应当理解，本公开可以容易地用作修改或设计用于执行本公开的相同目的其他结构的基础。本领域技术人员还应当认识到，这种等同构造不脱离如所附权利要求中阐述的本公开的教导。当结合附图考虑时，从以下描述中将更好地理解被认为是本公开的特征的关于其组织和操作方法的新颖特征以及进一步的目的和优点。然而，应明确地理解，提供所述图中的每一个图仅出于说明和描述的目的，并且不意图作为对本公开的限制的定义。

附图说明

为了更完整地理解本公开，现在结合附图参考以下描述。

图1是具有无线局域网模块和用于芯片组的射频(RF)前端模块的无线装置的示意图。

图2A到2D示出在层转移工艺期间射频(RF)集成电路的截面图。

图3是根据本公开的各方面的集成在互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯上的体声波(BAW)滤波器的截面图。

图4是根据本公开的各方面的集成在互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯上的表面声波(SAW)滤波器的截面图。

图5A-5F示出根据本公开的各方面的使用层转移工艺将声学滤波器集成在互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯上的工艺。

图6示出根据本公开的各方面的制造图3的BAW滤波器的工艺。

图7是示出根据本公开的各方面的使用层转移工艺将声学滤波器集成在互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯上的方法的工艺流程图。

图8是示出示例性的无线通信系统的框图，可以在该无线通信系统中有利地使用本公开的一个方面。

图9是示出用于半导体组件的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的框图，半导体组件例如是上面公开的绝缘体上RF滤波器装置。

具体实施方式

下文结合附图所陈述的详细描述旨在作为对各种配置的描述并且不旨在表示可实践本文所描述的概念的仅有配置。具体描述包括用于提供各种概念的透彻理解的具体细节。然而，对于本领域技术人员来说，显然可以在没有这些具体细节的情况下实践这些概念。在一些情况下，以框图形式展示众所周知的结构和组件以便避免混淆这些概念。

如本文所述，术语“和/或”的使用旨在表示“包含性的或”，而术语“和/或”的使用旨在表示“排除性的或”。如本文所述，在整个说明书中使用的术语“示例性”意味着“用作示例、实例或说明”，并且不必一定被解释为比其它示例性配置优选或有利。如本文所述，在本说明书中使用的术语“耦合”表示“连接，无论是直接连接还是通过中间连接(例如，开关)、电、机械或其他方式间接连接”，并且不一定限于物理连接。附加地，连接可以是使得对象永久地连接或可释放地连接。可以通过开关进行连接。如本文所述，在整个说明书中使用的术语“近似”是指“邻近、非常近、紧邻或接近”。如本文所述，在本说明书中使用的术语“在……上”在一些配置中指“直接在……上”，而在其它配置中指“间接在……上”。

由于成本和功耗的考虑，移动射频(RF)芯片(例如，移动RF收发器)已经迁移到深亚微米工艺节点。移动RF芯片是用于推进电子器件小型化的主要驱动力。虽然正在实现用于小型化无线通信子系统、例如移动RF收发器的巨大改进，但声学滤波器尚未经历这样的改进。

可以使用RF滤波器来设计这些移动RF收发器。例如，无线通信系统中的移动RF收发器通常依赖于RF(例如，声学)滤波器来处理无线通信系统中承载的信号。许多无源装置可以包括在这些RF滤波器中。实际上，这些无源装置中的每一个无源装置均可以包括许多电感器和电容器。为移动RF收发器设计RF滤波器涉及模拟/RF性能考虑，包括失配、噪声和其它性能考虑。在移动RF收发器中设计这些RF滤波器可以包括使用附加的无源装置，例如用于抑制谐振和/或用于执行滤波、旁路和耦合。

这些RF滤波器可以包括表面声波(SAW)以及体声波(BAW)滤波器。声学滤波器的成功操作通常涉及对压电效应的依赖。压电效应是材料的在机械域和电域之间交换能量的特殊性质。例如，在BAW谐振器中，利用逆压电性(例如，装置尺寸随施加的电场而变化)。在该示例中，当RF可变信号被施加到电极时，在材料中产生声学纵波。

SAW滤波器是与BAW滤波器不同类型的滤波器。在SAW滤波器中，电输入信号被SAW滤波器的压电衬底上的叉指式换能器(IDT)转换成声波。叉指式换能器可以由用于发射和接收声波的交错导电电极组成。在SAW滤波器中，电信号被转换成声波，并且然后再转换成电信号。

当前的SAW滤波器以及BAW滤波器封装包括在封盖晶圆上的2D电感器。封盖晶圆能够控制滤波器的质量以及声学和电学特性。不幸的是，在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆上集成高性能声学(例如SAW/BAW)滤波器是有问题的。尤其是极其复杂的工艺通常阻止了声学滤波器在CMOS晶圆上的集成。

本公开的各方面提供了用于使用层转移工艺将声学滤波器集成在CMOS管芯上的技术。用于层转移的绝缘体上RF滤波器晶圆的半导体制造的工艺流程可以包括前端制程(FEOL)工艺、中间制程(MOL)工艺和后端制程(BEOL)工艺。应当理解，术语“层”包括膜，并且不应当被解释为表示垂直或水平厚度，除非另有说明。如本文所述，术语“衬底”可以指切割的晶圆的衬底，或者可以指未切割的晶圆的衬底。类似地，术语“芯片”和“管芯”可以互换使用。

本公开的各方面涉及使用层转移工艺集成在CMOS管芯上的微机电系统(MEMS)装置(例如，声学滤波器)。在本公开的这个方面中，射频(RF)前端(RFFE)装置包括互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯，该互补金属氧化物半导体管芯包括有源装置上的前侧电介质层，其中该有源装置在第一衬底(例如，绝缘体上半导体(SOI)晶圆)上。RFFE装置还包括集成在CMOS管芯上的与有源装置处于不同层上的声学滤波器。在本公开的这个方面中，声学滤波器包括帽层，帽层具有在CMOS管芯的前侧电介质层中的腔，腔在第一衬底和耦合到前侧电介质层的第二衬底(例如，半导体处理晶圆)之间。

在本公开的一个方面中，声学滤波器的半导体处理晶圆被接合到CMOS管芯的前侧电介质层以形成片上声学滤波器。片上声学滤波器可以包括用于使用专有的层转移工艺来实现BAW滤波器的滤波器层(例如，压电层)。压电层可以由钽酸锂(LT)和/或铌酸锂(LN)材料或其它类似的压电材料构成。片上声学滤波器还可以被实现为SAW滤波器。可以使用绝缘体上半导体(SOI)晶圆、体半导体晶圆或其他类似的CMOS晶圆来实现CMOS管芯。

图1是根据本公开的各方面的具有片上声学滤波器的无线装置100(例如，蜂窝电话或智能电话)的示意图。无线装置可以包括用于芯片组110的无线局域网(WLAN)(例如，WiFi)模块150和RF前端模块170。WiFi模块150包括将天线162可通信地耦合到无线局域网模块(例如，WLAN模块152)的第一双信器160。RF前端模块170包括通过双工器180(DUP)将天线192可通信地耦合到无线收发器120(WTR)上的第二双信器190。

在该配置中，WiFi模块150的无线收发器120和WLAN模块152耦合到由电源102通过功率管理集成电路(PMIC)140供电的调制解调器(MSM，例如，基带调制解调器)130。芯片组110还包括电容器112和114以及电感器116，以提供信号完整性。PMIC140、调制解调器130、无线收发器120和WLAN模块152各自包括电容器(例如，142、132、122和154)且根据时钟118操作。芯片组110中的各种电感器和电容器组件的几何形状和布置可以减少组件之间的电磁耦合。

无线装置100的无线收发器120通常包括移动RF收发器，以发送和接收用于双向通信的数据。移动RF收发器可以包括用于发送数据的发送部分和用于接收数据的接收部分。为了发送数据，发送部分调制带有数据的RF载波信号以获得调制的RF信号，使用功率放大器(PA)放大调制的RF信号以获得具有适当输出功率电平的放大的RF信号，并且经由天线192将放大的RF信号发送到基站。为了接收数据，接收部分可以经由天线192获得接收的RF信号，其中使用低噪声放大器(LNA)放大接收的RF信号，并且处理该接收的RF信号以恢复通过基站在通信信号中发送的数据。

无线收发器120可以包括用于放大这些通信信号的一个或多个电路。放大器电路(例如，LNA/PA)可以包括一个或多个放大器级，该一个或多个放大器级可以具有一个或多个驱动器级和一个或多个放大器输出级。每个放大器级包括以各种方式配置的一个或多个晶体管，以放大通信信号。存在各种选择用于制造被配置成放大由无线收发器120发送和接收的通信信号的晶体管。

在图1中，可以使用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术来实现无线收发器120和RF前端模块170。该CMOS技术可以用于制造无线收发器120的和RF前端模块170的晶体管，这有助于减少RF前端模块170中的带外高次谐波。在图2A至2D中描述了用于进一步将有源装置与支撑衬底分离的层转移(LT)工艺。

图2A到2D示出根据本公开的各方面的在层转移工艺期间的射频(RF)集成电路200的截面图。如在图2A中所示，RF装置包括在由牺牲衬底201(例如，体晶圆)支撑的隔离层220上的有源装置210。RF装置还包括在第一电介质层206内耦合到有源装置210上的互连250。如在图2B中所示，处理衬底202接合到RF装置的第一电介质层206。此外，去除牺牲衬底201。使用层转移工艺去除牺牲衬底201，通过增加电介质厚度，能够实现高性能、低寄生的RF装置。也就是说，RF装置的寄生电容与电介质厚度成比例，电介质厚度确定有源装置210和处理衬底202之间的距离。

如在图2C中所示，一旦固定了处理衬底202并且去除了牺牲衬底201，就将RF装置翻转。如在图2D中所示，使用例如常规互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺来执行后层转移金属化工艺。

本公开的各方面提供了用于制造片上声学滤波器的技术，所述片上声学滤波器诸如图3中所示的片上体声波(BAW)滤波器或图4中所示的片上表面声波(SAW)滤波器。尽管参考声学滤波器进行了描述，但是应当认识到，本公开的各方面还涉及微机电系统(MEMS)装置，诸如MEMS滤波器或其他类似的滤波器装置。

图3是根据本公开的各方面的集成在互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯上的体声波(BAW)滤波器的截面图。尽管参考CMOS管芯进行描述，但是应当认识到，本公开的各方面不限于CMOS管芯。例如，根据本公开的各方面的管芯可以包括化合物半导体管芯、射频(RF)管芯、或其他类似的半导体管芯。

在该配置中，射频(RF)前端(RFFE)装置300包括被接合到CMOS管芯302的前侧电介质层304的声学滤波器350。声学滤波器350可以包括半导体处理晶圆352，半导体处理晶圆具有通过接合层354接合到CMOS管芯302的前侧电介质层304上的前侧。接合层354可以被提供在两个晶圆上或仅布置在所述晶圆中的一个晶圆上。

在本公开的这个方面中，声学滤波器350包括在CMOS管芯302的前侧电介质层304中具有腔的帽层380。在传统的声学滤波器中，封盖晶圆使得能够控制滤波器的质量以及声学和电学特性。在该配置中，由CMOS管芯302的前侧电介质层304提供封盖晶圆。在该示例中，声学滤波器350被实现为BAW滤波器，包括在第一电极370-1和第二电极370-2之间的压电材料360。声学滤波器350可以可选地包括在半导体处理晶圆352中的腔中的填充有惰性气体的惰性层390。惰性气体也可填充前侧电介质层304中的腔。在一种配置中，对半导体处理晶圆352中的腔抽真空以形成低压惰性气体作为惰性层390。

CMOS管芯302可以包括在有源装置310和声学滤波器350的第一电极370-1之间的第一后端制程(BEOL)互连330-1。CMOS管芯302还可以包括在金属间电介质(IMD)层306中并耦合到声学滤波器350的第二电极370-2上的第二BEOL互连330-2。CMOS管芯302可以包括隔离层320(例如，用于绝缘体上半导体(SOI)实施方案)。CMOS管芯302还被示出为包括背侧电介质层340中的背侧金属化342。

图4是根据本公开的各方面的集成在互补金属氧化物半导体(CMOS)装置上的表面声波(SAW)滤波器的截面图。在该配置中，RFFE装置400包括被接合到CMOS管芯402的前侧电介质层404的声学滤波器450。声学滤波器450也包括半导体处理晶圆452，半导体处理晶圆具有通过接合层454接合到CMOS管芯402的前侧电介质层404上的前侧。接合层454可以被提供在两个晶圆上或仅布置在所述晶圆中的一个晶圆上。

在本公开的这个方面中，声学滤波器450也包括在CMOS管芯402的前侧电介质层404中具有腔的帽层480。在该配置中，CMOS管芯402的前侧电介质层404提供封盖晶圆以控制声学滤波器450的质量以及声学和电学特性。在该示例中，声学滤波器450被实现为SAW滤波器，SAW滤波器包括在半导体处理晶圆452的前侧表面上的压电层460。声学滤波器450也包括在压电层460上的第一电极470-1和第二电极470-2。

CMOS管芯402包括在有源装置410(例如，开关晶体管)和声学滤波器450的第一电极470-1之间的第一BEOL互连430-1。CMOS管芯402也包括在金属间电介质(IMD)层406中并耦合到声学滤波器450的第二电极470-2上的第二BEOL互连430-2。CMOS管芯402可以具有隔离层420(例如，用于绝缘体上半导体(SOI)实施方案)。CMOS管芯402还被示出成包括背侧电介质层440中的背侧金属化442。

根据本公开的各方面，可以根据图5A-5F中所示的层转移工艺来制造片上声学滤波器。图5A-5F示出根据本公开的各方面的使用层转移工艺将声学滤波器集成在互补金属氧化物半导体(CMOS)管芯上的工艺500。根据本公开的各方面，工艺500可以使得能够制造例如图4的RFFE装置400，包括CMOS管芯402上的声学滤波器450。

在图5A中所示的步骤1中，在半导体处理晶圆452上制造声学滤波器450的第一部分。还如图4中所示，声学滤波器450的第一部分包括在半导体处理晶圆452的前侧表面上的压电层460。声学滤波器450也包括在压电层460上的第一电极470-1和第二电极470-2。

在图5B中所示的步骤2中，接合层454沉积在声学滤波器450的压电层460、第一电极470-1和第二电极470-2上。在图5C中所示的步骤3中，图案化并且蚀刻接合层454，以暴露压电层460的部分以及声学滤波器450的第一电极470-1的和第二电极470-2的部分。在图5D中所示的步骤4中，接合层408沉积在CMOS管芯402的前侧电介质层404上。前侧电介质层404上的接合层408和声学滤波器450上的接合层454可以由电介质构成以形成电介质-电介质接合。

备选地，接合层454可以是沉积在CMOS管芯402上的多晶硅和沉积在声学滤波器450上的氧化物，以形成硅-电介质接合。在图5E中所示的步骤5中，CMOS管芯402被图案化和蚀刻以在前侧电介质层404中形成腔(例如，帽层480)。用于提供帽层480的腔远离CMOS管芯402的有源装置层(例如，有源装置410)。帽层480可以具有亚微米范围(例如，0.1至0.2微米)的深度。在图5F中所示的步骤6中，前侧电介质层404上的接合层408和声学滤波器450上的接合层454被压力接合，以完成包括集成的片上声学滤波器的RFFE装置400的形成。

图6示出根据本公开的各方面的基于体声波(BAW)滤波器工艺制造图3的声学滤波器350的BAW工艺600。根据本公开的各方面，BAW工艺600可以使得能够制造例如图3的RFFE装置300、RFFE装置包括BAW滤波器作为CMOS管芯302上的声学滤波器350。

在步骤1中，在半导体处理晶圆352上沉积电介质层356(例如，氮化硅(SiN))。电介质层356被图案化和蚀刻以形成腔。然后，在电介质层356上沉积牺牲材料358(例如，氧化物/电介质)以填充腔，并且牺牲材料358经受化学机械抛光(CMP)以形成与电介质层356共面的牺牲材料358。

如图6中进一步所示，在步骤2中，第一导电材料沉积在牺牲材料358和电介质层356的共面表面上，并且被图案化以形成第一电极370-1。在步骤3中，压电材料360(例如，氮化铝(AlN))沉积并图案化在第一电极370-1上。在步骤4中，第二导电材料沉积在压电材料360、牺牲材料358和电介质层356上，并且被图案化以形成第二电极370-2。在步骤5中，牺牲材料358被暴露于蚀刻工艺(例如，氢氟酸(HF)蒸气蚀刻)以去除所有牺牲材料358，从而形成惰性层390并且完成声学滤波器350的形成。注意，该结构是3D结构，尽管在图6中被示为2D结构。可以在Z方向(垂直于纸平面)上接近牺牲材料358以使牺牲材料358暴露于蚀刻工艺并且形成惰性层390。

本公开的方面描述用于制造集成的片上声学滤波器的层转移和接合工艺，例如，如在图3和4中所示。尽管参考BAW滤波器和SAW滤波器进行了描述，但是应当认识到，可以根据本公开的各方面制造其他RF微机电系统(MEMS)滤波器，例如，如在图7中所示。

图7是示出根据本公开的各方面的使用层转移工艺将声学滤波器集成在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆上的方法700的工艺流程图。在框702处，对CMOS晶圆进行图案化和蚀刻，以在CMOS晶圆的前侧电介质层中形成腔。例如，如在图3中所示，帽层380形成在前侧电介质层中，并且远离CMOS管芯302的有源装置层(例如，有源装置310)。

在框704中，CMOS晶圆的前侧电介质层接合到声学滤波器的半导体处理晶圆的前侧。如在图3中所示，声学滤波器350包括帽层380，帽层具有在CMOS管芯302的前侧电介质层304中的腔。如在图5A中所示，声学滤波器450通过接合层408和接合层454接合到CMOS管芯402。接合层可以由电介质-电介质接合和/或半导体-电介质接合组成。

在备选的配置中，通过将CMOS管芯402的前侧电介质层404真空接合到半导体处理晶圆452的前侧而将声学滤波器450接合到CMOS管芯402。此外，例如，如在图4中所示，可以使用低温接合将CMOS管芯402的前侧电介质层404接合到半导体处理晶圆452的前侧。可以执行图案化和蚀刻接合层454以暴露压电层460的一部分以及声学滤波器450的第一电极470-1的和第二电极470-2的部分。如在图3中所示，声学滤波器350包括半导体处理晶圆352，半导体处理晶圆具有通过接合层354接合到CMOS管芯302的前侧电介质层304上的前侧。接合层354可以被提供在两个晶圆上或仅布置在所述晶圆中的一个晶圆上。

根据本公开的另一个方面，描述了一种集成的片上声学滤波器。所述集成的片上声学滤波器包含用于处理所述集成的片上声学滤波器的器件。该处理器件可以是半导体处理晶圆352/452，例如，如在图3至6中所示。在另一个方面中，上述器件可以是被配置为执行由上述器件所列举的功能的任何模块、层或任何设备。

图8是示出可以在其中有利地使用本公开的一个方面的示例性的无线通信系统800的框图。出于说明的目的，图8展示三个远程单元820、830和850和两个基站840。将认识到，无线通信系统可以具有更多的远程单元和基站。远程单元820、830和850包括IC装置825A、825C和825B，所述IC装置包括所公开的集成的片上声学滤波器。将认识到，其它装置也可以包括所公开的集成的片上声学滤波器，诸如基站、交换装置和网络设备。图8示出从基站840向远程单元820、830和850的前向链路信号880，以及从远程单元820、830和850向基站840的反向链路信号890。

在图8中，远程单元820被展示为移动电话，远程单元830被展示为便携式计算机，并且远程单元850被展示为无线本地环路系统中的固定位置远程单元。例如，远程单元可以是移动电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、诸如个人数字助理(PDA)等的便携式数据单元、GPS使能的装置、导航装置、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、诸如仪表读取设备等的固定位置数据单元，或存储或检索数据或计算机指令的其它通信装置，或其组合。尽管图8说明根据本公开的各方面的远程单元，但本公开不限于这些示例性所说明的单元。本公开的各方面可以适当地用于许多装置中，其包括所公开的集成的片上声学滤波器。

图9是示出用于RF组件的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的框图，所述RF组件诸如是上面公开的片上声学滤波器。设计工作站900包括硬盘901，硬盘包含操作系统软件、支持文件和诸如Cadence或OrCAD等的设计软件。设计工作站900还包括显示器902以方便电路设计910或集成的片上声学滤波器912。提供存储介质904以用于有形地存储电路设计910或集成的片上声学滤波器912。电路设计910或集成的片上声学滤波器912可以以诸如GDSII或GERBER等文件格式存储在存储介质904上。存储介质904可以是CD-ROM、DVD、硬盘、闪存或其它适当的装置。此外，设计工作站900包括用于从存储介质904接受输入或向存储介质写入输出的驱动设备903。

记录在存储介质904上的数据可以指定逻辑电路配置、用于光刻掩模的图案数据、或用于诸如电子束光刻等的串行写入工具的掩模图案数据。数据还可以包括逻辑验证数据，诸如与逻辑仿真相关联的时序图或网络电路。在存储介质904上提供数据，使得通过减少用于设计半导体晶圆的工艺的数量来设计电路设计910或集成的片上声学滤波器912变得容易。

对于固件和/或软件实施方案，可以使用执行本文所描述的功能的模块(例如，过程、函数等)来实施所述方法。有形地体现指令的机器可读介质可以用于实施本文所描述的方法。例如，软件代码可以存储在存储器中并且由处理器单元执行。存储器可以在处理器单元内或处理器单元外实现。如本文所使用的那样，术语“存储器”指代长期、短期、易失性、非易失性或其它存储器的类型，并且不限于特定类型的存储器或特定数量的存储器，或上面存储有存储器的介质类型。

如果以固件和/或软件实施，那么所述功能可以作为一个或多个指令或代码存储在计算机可读介质上。示例包括编码有数据结构的计算机可读介质和编码有计算机程序的计算机可读介质。计算机可读介质包括物理计算机存储介质。存储介质可以是可以由计算机访问的可用介质。通过示例而非限制，这种计算机可读介质可以包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可以用以存储呈指令或数据结构形式的期望的程序代码并且可以由计算机访问的其它介质；如本文所使用的那样，磁盘和光盘包括压缩光盘(CD)、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常磁性地再现数据，而光盘用激光光学地再现数据。以上的组合也应包括在计算机可读介质的范围内。

除了在计算机可读介质上存储之外，指令和/或数据可以作为信号被提供在被包括在通信设备中的传输介质上。例如，通信设备可以包括具有指示指令和数据的信号的收发器。所述指令和数据被配置成引起一个或多个处理器实施权利要求中概述的功能。

尽管已经详细描述了本公开及其优点，但是应当理解，在不背离由所附权利要求限定的本公开的技术的情况下，可以在此进行各种改变、替换和变更。例如，诸如“上方”和“下方”的关系术语是相对于衬底或电子装置而使用的。当然，如果衬底或电子装置被倒置，则上方变为下方，并且反之亦然。附加地，如果侧向取向，则上方和下方可以指衬底或电子装置的侧面。此外，本申请的范围不旨在限于说明书中描述的工艺、机器、制造和物质组成、器件、方法和步骤的特定配置。如本领域普通技术人员将从本公开容易理解的，根据本公开可以利用目前存在的或以后开发的、执行与本文描述的对应配置基本相同的功能或实现与本文描述的对应配置基本相同的结果的工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这些工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法或步骤包括在其范围内。