本发明公开一种超高温蠕变夹具用单晶合金及其制备方法,涉及高温合金技术领域,它由重量百分比的Al：7.0％～7.5％；Ta：3％～5％；Mo：6.2％～8.5％；W：5％～6.8％；Cr：1.0～2.6％；其余为Ni组成；制备步骤为先制备母合金锭,再制备单晶试棒/高温蠕变夹具,最后采用固溶处理和两次时效过程的热处理,与现有技术相比,本发明合金无初熔、1200℃/1000h热暴露TCP相析出,使用合金制备的高温夹具在1200℃使用超1000h,展现优良的超高温性能,合金中未添加贵重元素Re,合金成本降低约70%,使1200℃使用的单晶合金夹具实现推广应用。

本发明提供一种Li～(+)掺杂的零维钙钛矿结构金属卤化物闪烁晶体及其制备方法与应用,所述闪烁晶体的化学式为Cs-(3-x)Cu-(2)I-(5):xLi,其中x的取值范围为0.003≤x≤0.3。将CuI粉体、CsI粉体和LiI粉体在惰性气氛下以摩尔比为2：(3-x)：x进行配料,充分混合后作为原料粉体通过自发成核坩埚下降法生长所述Cs-(3-x)Cu-(2)I-(5):xLi零维钙钛矿结构金属卤化物闪烁晶体。晶体激发后可发射350-550 nm的宽带蓝光,且强度远高于原纯组分晶体。由于Li～(+)的存在,其应用范围由原有的X/伽马射线探测进一步拓展至中子探测领域。

本发明涉及一种大体块高质量闪烁晶体及其制备方法与应用,所述闪烁晶体为以CsMgX-(3)晶体为基质,掺杂或不掺杂稀土元素和/或碱金属；稀土元素为Eu、Pr、的一种；碱金属为～(6)Li,使用布里基曼法首次生长出了大体块高质量无裂纹单晶。本发明得到的闪烁晶体为新型全无机卤素钙钛矿体块晶体,本发明的闪烁晶体为新型全无机卤素钙钛矿体块晶体,体块晶体尺寸大,晶体直径为10-25mm,晶体质量好,透过率高、折射率小。衰减时间极短,只有几纳秒,具有此类发光的闪烁晶体可实现中子、γ射线双探测,具有高原子序数和较小带隙,是非常有应用前景的闪烁晶体。

一种中远红外晶体LiGaGe-2Se-6多晶原料合成方法及其单晶体生长方法,它涉及中远红外激光材料制备技术。它是要解决现有技术中8～10μm的远红外波段缺乏合适的频率转换材料的技术问题,本方法如下：单质硒放置于石英管底部,镓、锗和锂放置于圆底PBN坩埚中,并将坩埚放入石英管中,石英管经抽真空、熔封后放入倾斜旋转电阻炉中。电阻炉经加热、保温、降温、冷却熔融,获得LiGaGe-2Se-6多晶原料。再采用水冷式垂直三温区单晶生长炉,利用LiGaGe-2Se-6多晶原料生长LiGaGe-2Se-6单晶,生长过程中加入适量抑制剂抑制LiGaGe-2Se-6的分解,本发明的LiGaGe-2Se-6晶体可用于中、远红外激光领域。