一种单晶炉用外置式吸杂加料方法

一种单晶炉用外置式吸杂加料方法,使用安全壳、吸杂罐和加料器；吸杂罐用于放入安全壳对单晶炉进行吸杂操作,加料器用于放入安全壳对单晶炉进行加料操作；安全壳固定于支架上,其一端通过隔离阀与单晶炉主炉室的炉筒或炉盖连接,安全壳的另一端设置有密封盖,根据吸杂加料操作需要与外界隔离或开放；安全壳底部一侧安装有伸缩机构,伸缩机构上设置有固定吸杂罐的结构,并通过自带的轨道安装于安全壳底部,吸杂罐则安装固定在伸缩机构上,由伸缩机构带动可沿着安全壳内固定的轨道前后移动。该装方法能够对单晶炉吸杂、加料操作,既能够增加单晶炉的单炉投料量和拉棒根数,又能降低多次拉棒所引起的晶棒间的质量差异性,大大提高单晶生长质量。

2021-11-02

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一种晶体制备装置

本说明书涉及一种晶体制备装置。该装置包括：炉膛；温场,所述温场至少部分位于所述炉膛内,所述温场与真空装置密封连接；提拉杆,所述提拉杆的至少一部分位于所述温场内；以及运动装置,所述运动装置与所述提拉杆传动连接以带动所述提拉杆上下运动和/或旋转。

2021-11-02

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一种超大尺寸铌酸锂晶体的生长装置和方法

本发明公开了一种超大尺寸铌酸锂晶体的生长装置和方法,包括铂金坩埚和位于生长装置内的可以旋转升降的籽晶杆；所述铂金坩埚外包覆保温层；所述保温层上缠绕加热线圈；所述籽晶杆穿过保温层并深入铂金坩埚中；所述铂金坩埚的上方设有上窄下宽的水冷罩,所述水冷罩的内部中空；所述水冷罩底端的宽度大于或等于铌酸锂晶体的直径；所述籽晶杆贯穿水冷罩的正中央；所述水冷罩上分别设有进水管和出水管,所述进水管和出水管分别贯穿保温层与外部连通；所述水冷罩上设有控制水冷罩上下移动的升降杆,所述升降杆贯穿保温层。本发明能够解决溶体对流缓慢,晶体生长界面处温度梯度小等问题,适合8～12英寸晶圆的制备。

2021-10-26

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含锂氧化物晶体、电池以及含锂氧化物晶体的制造方法

提供没有裂纹且具有大面积的含锂氧化物晶体和使用了该含锂氧化物晶体的电池、以及该含锂氧化物晶体的制造方法。含锂氧化物晶体的制造方法具有：熔融部形成工序,在该熔融部形成工序中,将含有氧的含锂氧化物晶体原料的至少一部分熔融而形成熔融部；以及生长工序,在该生长工序中,从熔融部生长形成含锂氧化物晶体,生长工序中的气氛的露点为-70℃以上-35℃以下的范围,含锂氧化物晶体没有裂纹且具有0.38cm～(2)以上的截面积。

2021-10-22

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一种晶体生长装置及晶体生长方法

本发明公开了一种晶体生长装置及晶体生长方法,晶体生长装置包括：壳体,设置第一通孔；籽晶杆移动组件,设置于壳体外；籽晶杆,与籽晶杆移动组件连接并穿过第一通孔；坩埚,位于壳体内,并用于装载熔体,坩埚位于籽晶杆下方；加热装置,围绕坩埚设置；红外测温器,设置于壳体,红外测温器用于检测熔体的温度；升降装置,设置于所述坩埚的底部,并用于根据测温器测量的温度调整坩埚的位置；或设置于加热装置的底部,并用于根据测温器测量的温度调整加热装置的位置。通过红外测温器测量熔体的温度,并根据测温器测量的温度调整坩埚的位置或加热装置的位置,从而确保熔体的液面处的温度稳定,以确保晶体稳定生长,提高晶体的质量。

2021-10-19

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一种磁场下浸入式磷化物合成及生长装置

一种磁场下浸入式磷化物合成及生长装置,属于半导体材料制备领域,特别是在静态磁场作用下,采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的装置。包括主炉体、主炉体内的坩埚、坩埚外围的加热器和保温层,所述合成及生长装置还包括连接驱动装置的注入合成系统,注入合成系统承载红磷,在驱动装置的作用下,沉入坩埚。采用本发明提供的装置,红磷以固体的形式沉入熔体,气化后从坩埚底部上浮,克服了采用磷泡产生的倒吸等问题；横向静磁场抑制气泡上浮速率,同时抑制温度梯度方向的熔体对流,使合成过程更加平稳、迅速。

2021-10-19

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一种具有可控冷却装置的单晶硅直拉炉

本发明公开了一种具有可控冷却装置的单晶硅直拉炉,属于单晶硅直拉炉领域,一种具有可控冷却装置的单晶硅直拉炉,技术人员则可以根据单晶硅锭的冷却需要,调节冷却装置的冷却效果,由于尖端放电效应,在静电网接通后电子会沿着导热柱迁移到导热柱远离静电网的一端并存储,由于导热柱自身的电阻率不同,电阻率越低的导热柱上月越容易积攒静电,容易形成立直状态,使得高导热性能的导热部裸露在外,增加与水冷管之间的热交换效率,增加降温效率,可以通过对静电网上静电的控制来实现对绝缘隔热基体内侧各位置的导热柱的状态进行改变,进而实现对单晶硅硅锭不同位置实现精准的差异型冷却效率控制,增加单晶硅硅锭的成型效果。

2021-10-15

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一种使用碎硅料同时拉制多根硅芯的装置

一种使用碎硅料同时拉制多根硅芯的装置,涉及人工晶体制备领域,本发明通过在坩埚(9)的上方设置硅芯成型机构(4),在硅芯成型机构的上方设置籽晶夹头(2),通过在硅芯成型机构上设置多个拉制孔(406),并通过冷却介质对硅芯成型机构底面以上的空间冷却形成低温区,即形成下高上低的温度梯度,同时还可以实现降低硅芯成型机构底面硅料融液的温度,增加硅料融液的粘稠度,利于硅料融液跟随籽晶结晶,可以对硅芯(13)进行冷却,进而提高硅芯的拉制速度及降低拉制硅芯的椭圆度,本发明在实现多根硅芯同时拉制的同时还可以提高硅芯的拉制速度,有效的避免了碎硅料的资源浪费,适合大范围的推广和应用。

2021-10-15

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一种提升拉晶质量的视觉检测装置

本发明涉及视觉检测技术领域,提供一种提升拉晶质量的视觉检测装置,包括：图像采集单元、滤光片切换单元以及上位机；所述图像采集单元,包括：相机；所述相机与上位机信号连接；滤光片切换单元,包括：多个滤光片,多个滤光片中包含一个可见光滤光片以及多个红外滤光片；所述滤光片切换单元,用于在相机前方切换不同的滤光片；相机,分别采集经过滤光片滤光后的炉内图像,并传输给上位机；上位机,用炉内图像的亮度来表征对应的波长强度,得出各个波段的强度曲线；并将各个波段的强度曲线与维恩曲线进行对比,从而得到炉内对应点的温度。本发明能够实现更高质量图片的采集,得出精度更好的尺寸和温度,从而实现对拉晶过程中控制精度的提升。

2021-10-08

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一种用于提升单晶生长速度的装置及方法

本发明公开了一种用于提升单晶生长速度的装置,包括坩埚本体(1)、硅溶液(2)、导流筒(3)、水冷热屏(4)和单晶硅棒(5),水冷热屏(4)的主体内部设有循环管路(4a),循环管路(4a)的进口与进水管路(6)相连、出口与出水管路(7)相连；水冷热屏(4)的内表面设为散热面(4b),散热面(4b)上连接一组散热片(8),散热片(8)的宽度由上至下逐渐减小,散热片(8)的外侧(8a)与散热面(4b)相连、内侧(8b)正对着单晶硅棒(5)设置,且每个散热片(8)的内侧(8b)到单晶硅棒(5)的最短距离相同。本发明的优点是提高水冷热屏的散热效果,增强单晶硅棒生长速度,提升生产产量,节约成本。

2021-10-08

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