一种单晶炉用外置式吸杂加料方法,使用安全壳、吸杂罐和加料器；吸杂罐用于放入安全壳对单晶炉进行吸杂操作,加料器用于放入安全壳对单晶炉进行加料操作；安全壳固定于支架上,其一端通过隔离阀与单晶炉主炉室的炉筒或炉盖连接,安全壳的另一端设置有密封盖,根据吸杂加料操作需要与外界隔离或开放；安全壳底部一侧安装有伸缩机构,伸缩机构上设置有固定吸杂罐的结构,并通过自带的轨道安装于安全壳底部,吸杂罐则安装固定在伸缩机构上,由伸缩机构带动可沿着安全壳内固定的轨道前后移动。该装方法能够对单晶炉吸杂、加料操作,既能够增加单晶炉的单炉投料量和拉棒根数,又能降低多次拉棒所引起的晶棒间的质量差异性,大大提高单晶生长质量。

一种磁场下合成及连续生长磷化物的方法,属于半导体材料制备领域,特别是在静态磁场作用下,采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的方法。方法包括A、加热坩埚,使坩埚内的金属和覆盖物氧化硼融化；B、将红磷浸入坩埚；C、在坩埚外围施加静磁场,调节温度梯度,开始合成；D、合成完毕后,进行晶体生长。采用本发明提供的方法,红磷以固体的形式沉入熔体,气化后从坩埚底部上浮,克服了采用磷泡产生的倒吸等问题；横向静磁场抑制气泡上浮速率,同时抑制温度梯度方向的熔体对流,使合成过程更加平稳、迅速。

本发明公开了一种直拉单晶装料方法,首先在石英坩埚底部先装填小料,形成80-120mm厚度的小料底层；然后在小料底层上部,依次堆叠大料,并每堆叠一层大料时,再用小料填充大料的间隙,直至填充至坩埚高度的2/3,形成大小料复合层；随后在大小料复合层的上方外围,紧贴坩埚内壁铺设大料,形成大料围合层,同时在大料围合层中间填充小料,形成小料填充层,直至距离石英坩埚顶部50-60mm；最后在大料围合层和小料填充层上部平铺两层以上的片状原料,形成片状料覆盖层。本发明直拉单晶装料方法采用区域化原料配置实现快速化料及避免事故的目的。引入片状硅料封堵坩埚顶部减少热量损失避免低温氩气进入硅料间隙带走热量实现加快化料速度的目的。

本发明涉及一种硅料的投料方法,其包括：S1、选择尺寸在第一预设区间范围内的硅料作为第一类硅料,选择尺寸在第二预设区间范围内、且具有圆滑表面的硅料作为第二类硅料,其中所述第一预设区间范围的最小值大于所述第二预设区间范围的最大值；S2、将所述第一类硅料及所述第二类硅料装入装料空间,所述第二类硅料至少部分占据所述第一类硅料之间的空隙；S3、将所述装料空间内的所述第一类硅料及所述第二类硅料投入坩埚；S4、若投入不满足所述坩埚预设的投料需求,重复步骤S2、步骤S3,直至满足所述投料需求停止投料。本发明提高了直拉单晶硅工艺的产出效率。