本发明提供一种能够得到比较大的尺寸且更均匀的组成的晶体的晶体的制造方法和利用该制造方法得到的新型单晶荧光体。单晶荧光体具有由YAG或LuAG构成的主成分和包含Ce、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Tm及Yb中的至少一种元素的副成分。在单晶荧光体的横截面中,副成分均匀分布的均匀浓度区域位于横截面的中央部,相对于横截面的截面积,均匀浓度区域的面积比例为35％以上。

提供没有裂纹且具有大面积的含锂氧化物晶体和使用了该含锂氧化物晶体的电池、以及该含锂氧化物晶体的制造方法。含锂氧化物晶体的制造方法具有：熔融部形成工序,在该熔融部形成工序中,将含有氧的含锂氧化物晶体原料的至少一部分熔融而形成熔融部；以及生长工序,在该生长工序中,从熔融部生长形成含锂氧化物晶体,生长工序中的气氛的露点为-70℃以上-35℃以下的范围,含锂氧化物晶体没有裂纹且具有0.38cm～(2)以上的截面积。

本发明公开了一种金属单晶制备装置及工艺,包括炉体以及炉体内自上而下依次设置的籽晶杆、与籽晶杆固定的籽晶、保温层、与保温层固定的坩埚盖、与坩埚盖固定的模具、位于保温层围成的空间内的坩埚以及用于支撑坩埚的坩埚支柱,炉体上设进气口且下设出气口,保温层外壁设有为坩埚加热的感应线圈。本发明大幅度提升铜原料的成晶率,提升制备材料的单晶质量和工艺重复性；通过模具的介入,可以使得铜熔体按照成品件的形状进行拉制,减少加工成本。