本发明提供了一种铸造单晶硅的籽晶铺设方法,包括：提供坩埚,在所述坩埚底部间隔铺设上下表面平整的垫片,形成垫片层；在所述垫片层上铺设至少一个支撑片,以形成覆盖所述垫片及其之间空隙的支撑片层；依次交替设置所述垫片层和支撑片层,以形成(AB)-(n)排布形式的架空结构,其中,A为垫片层,B为支撑片层,n为大于或等于1的整数；在所述架空结构上铺设单晶硅籽晶,形成籽晶层。通过在籽晶层上设置价格便宜的架空结构,可以减少所用籽晶的数量、降低单晶硅的铸造成本,并降低所得单晶硅锭的尾部红区。本发明还提供了一种单晶硅锭及其铸造方法。

本发明公开了一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法,包括以下步骤：(1)采用提拉法制备小尺寸晶体；在小尺寸晶体生长结束后提拉一段细颈；在细颈提拉结束后,进入扩肩、等径和收尾阶段,完成超大尺寸铌酸锂单晶的生长；(2)超大尺寸铌酸锂单晶生长结束后,冷却,将超大尺寸铌酸锂单晶与细颈分离,获得超大尺寸铌酸锂单晶。本发明解决了提拉法制备超大尺寸铌酸锂单晶在扩肩时,由中心热量对流不利而导致的凹陷这一现象,将显著满足新一代声学芯片大规模量产最亟需的战略大尺寸晶体材料的需求。

本发明公开了一种金属单晶制备装置及工艺,包括炉体以及炉体内自上而下依次设置的籽晶杆、与籽晶杆固定的籽晶、保温层、与保温层固定的坩埚盖、与坩埚盖固定的模具、位于保温层围成的空间内的坩埚以及用于支撑坩埚的坩埚支柱,炉体上设进气口且下设出气口,保温层外壁设有为坩埚加热的感应线圈。本发明大幅度提升铜原料的成晶率,提升制备材料的单晶质量和工艺重复性；通过模具的介入,可以使得铜熔体按照成品件的形状进行拉制,减少加工成本。