本发明公开了一种用于垂直型分子束外延生长设备的薄膜材料生长用钼盘托,属于半导体材料生长领域。两用生长钼盘由两部分构成,第一部分为主体部分圆形钼盘托,背面有测温片放置槽；第二部分为背面有测温孔的测温片,使用接触控温时将测温片放入第一部分测温槽中使用。所述两用为：当主体部分不使用测温片时进行非接触式测温,可进行高温材料生长；当两部分组合使用时可采用接触测温,生长温度要求高及材料生长窗口范围窄的材料。本发明在进行材料生长时,不需要二次粘片,解决了衬底掉片的问题；与此同时,使用本发明的钼盘托,安装测温片时在有氮气保护的loading腔内安装即可,不会暴露于大气中,有效的解决了沾污问题。

本发明涉及一种快速生长高质量碳化硅的方法,属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有气相传输法制备碳化硅晶体生长速度下降的问题,本发明提供了一种快速生长高质量碳化硅的方法,首先制备不同孔径和孔隙率的多孔碳化硅原料片,然后在坩埚底部依次铺设常规碳化硅粉料、小孔径多孔碳化硅原料片和大孔径多孔碳化硅原料片,以气相传输法进行碳化硅晶体生长。大孔径多孔碳化硅原料片能够防止在碳化硅气体在原料表面结晶,将碳化硅晶体生长速度提高了20～30％；小孔径的多孔碳化硅原料片能够过滤气体组分中的碳颗粒,减少碳化硅晶体生长过程中产生的包裹物、微管、位错等缺陷,从而获得具有较高质量的碳化硅晶体。

本发明涉及铁磁性材料及异质结薄膜的制备技术领域,公开了一种磁性拓扑异质结薄膜的制备方法,包括以下步骤：a、Bi-(2)Se-(3)薄膜的制备：将片清洗后固定在磁控溅射设备样品台上；于高纯Ar气保护下溅射纯度为99.99％的Bi-(2)Se-(3)靶材3～5min；b、Bi-(2)Se-(3)薄膜的退火处理：将按照a步骤制备完成的Bi-(2)Se-(3)薄膜封存于石英管中,并将石英管置于管式炉中,进行退火成相处理；c、Fe-(7)Se-(8)/Bi-(2)Se-(3)异质结薄膜的制备：将经b步骤退火处理后的Bi-(2)Se-(3)薄膜固定在磁控设备样品台上,于高纯Ar气保护下溅射纯度为99.99％的Fe-(7)Se-(8)靶材5～10min；d、Fe-(7)Se-(8)/Bi-(2)Se-(3)异质结薄膜的退火处理：在400～450℃的管式炉中退火2h。本发明制备的异质结薄膜制备成本低,对环境污染少,制备工艺简单易实现,适于大批量生产。

本发明公布了一种利用物理气相输运法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法,设计包含蒸气饱和微腔的坩埚结构,微腔内部可抽真空和充气；在AlN生长初期,通过采用蒸气饱和微腔抑制初期SiC的正向分解升华并实现AlN的生长,通过留有微弱气孔的粘接剂覆盖抑制初期SiC的侧向升华,AlN多晶隔离片逐渐背升华并沉积在SiC表面；多晶隔离片升华消失后,AlN源粉处升华得到的Al原子输运至生长表面；在AlN多晶隔离片和AlN粘接剂升华之后,在SiC籽晶上的AlN层覆盖,SiC侧面的AlN粘接剂升华离开坩埚区域,使得SiC侧向升华分解,SiC籽晶层逐步消失,由此得到无SiC的AlN籽晶。采用本发明方法可制得单晶率高、杂质含量低的无裂纹的AlN籽晶。

本发明公开了一种基于优异电学性能的二维铋薄膜的器件及其制备方法,包括基底和电极。利用电子束蒸镀的工艺首次在纯硅片基底上制备出高导电性能的二维铋薄膜,并通过光刻和电子束蒸镀的工艺在二维铋薄膜上制作出特定形状的电极。该方法工艺可控,可大规模制备高导电性能的二维铋器件,二维铋导电薄膜与基底材料以层状/层状形式复合,使二维铋薄膜具有长平均自由程、高载流子迁移率、高热电转换效率的特征。具有表面平整度高、材料厚度可调、化学性质稳定等优点,且使用寿命长、材料耐久性好。

本发明公开了一种Ce掺杂拓扑绝缘体碲化铋单晶薄膜的制备方法,属于单晶薄膜制备方法技术领域,将Ce源、Bi源和Te源作为蒸发源,对衬底除气后,将衬底传至分子束外延设备的分子束外延腔,然后调节衬底温度,待其稳定后,使蒸发源和衬底在预设的源温度下生长。MBE技术可以生长出高掺杂浓度的薄膜,已知工作中,有报道了最高x＝0.06浓度Ce元素掺杂的单晶块材工作,通过本申请的方法,我们可以生长出掺杂浓度提升将近一倍的单晶薄膜。

本发明涉及一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法,属于电子元件领域。其具有(111)取向的高性能PMN-PT铁电单晶衬底,高性能PMN-PT铁电单晶衬底上表面设有外延生长特性的钙钛矿型LaVO-3反铁磁薄膜；通过控制施加在该多铁异质结构上的直流电场强度,使得高性能PMN-PT铁电单晶衬底诱导出压电应变,该应变通过刚性的外延界面传递至钙钛矿型LaVO-3反铁磁薄膜,从而实现当直流电场撤去时LaVO-3薄膜应变和电阻回到初始态,或者不会回到初始态这两种不同的状态。本方法制备反铁磁/铁电多铁异质结构方法简单,生产方便,具有广泛的实用性。

本发明属于超导性薄膜材料技术领域,提供一种具有超导特性的无限层型镍酸盐薄膜的制备方法,用以解决现有技术薄膜沉积速度慢、有裂痕、薄膜易脱落及操作困难等问题。本发明首先制备镍酸盐靶材以匹配脉冲激光沉积法；然后通过脉冲激光沉积法在SiTO-3衬底上生长单晶钙钛矿型镍酸盐(Nd-(0.8)Sr-(0.2)NiO-3)薄膜,操作简单,所生长的薄膜与靶材成分高度一致,薄膜内部钙钛矿型镍酸盐各元素分布均匀,薄膜表面更加平整且厚度均匀,结合紧密,使用性能更好；最后经过退火还原后得到具有超导特性的无限层型镍酸盐(Nd-(0.8)Sr-(0.2)NiO-2)薄膜。综上,本发明操作简单、制备成本低、具有良好的重复性,且制备的薄膜致密性好、稳定性高、附着力强、生长速度快。

本公开提供了一种具有AlN的发光二极管外延片的制备方法,属于发光二极管技术领域。交替在衬底的表面溅射第一AlN膜与第二AlN膜以最终形成AlN缓冲层。并且溅射第一AlN膜时的靶间距为第一靶间距,溅射第二AlN膜时的靶间距为第二靶间距,第一靶间距大于第二靶间距。较大的第一靶间距溅射得到的第一AlN膜的厚度与均匀性会较好。较小的第二靶间距溅射第二AlN膜的速度会较快,提高第二AlN膜的沉积速率。而交替得到的第一AlN膜与第二AlN膜的内部应力得到释放,AlN缓冲层的整体质量得到提高,并且AlN缓冲层的生长速率也得到提高。降低发光二极管外延片的制备周期的同时有效提高发光二极管外延片的晶体质量。

本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括在第一基板上依次生长单晶氧化锌薄膜、单晶氮化铝成核层、单晶氮化铝薄膜；然后在单晶氮化铝薄膜上沉积键合层；将第二基板与键合层键合；最后去除第一基板和氧化锌薄膜。本发明通过生长氧化锌薄膜,降低了氮化铝薄膜与基板之间的晶格失配。采用PLD沉积法,沉积温度低,降低了薄膜制备过程由于热效应造成的缺陷,从而提高了氮化铝薄膜的晶体质量。本发明制备的氮化铝薄膜上方有一层氮化铝薄膜,其可以继续生长氮化铝薄膜,从而控制氮化铝薄膜的厚度。