本发明涉及一种基于Cu-(2)O介质层生长单层单晶石墨烯的方法,该方法将铜箔经预氧化和氢气处理后,在表面制备出一层薄Cu-(2)O介质层,再以Cu-(2)O介质层为基底进行生长石墨烯,使石墨烯生长机制由边缘附着限制变为扩散限制,可显著降低石墨烯的成核密度,同时相对于纯铜箔来说,Cu-(2)O介质层能够减少碳原子的亚表面吸附,有效阻止第二层石墨烯的成核生长,保证单层单晶石墨烯生长。本发明的方法有效减少了铜箔晶界的数量,同时使其变为统一(111)晶面,平坦少晶界的铜箔表面为石墨烯的生长提供了良好的生长环境,同时Cu-(2)O介质层可以降低石墨烯成核密度,加快其生长速度,同时显著抑制石墨烯第二层成核,便于大尺寸单层单晶石墨烯生长。

本申请公开了一种表面清洁度高的籽晶及其清洁方法,属于半导体材料清洁技术领域。使用该清洁方法清洁籽晶后,能够降低籽晶生长面上的颗粒数量,提高籽晶的面型质量,并且使用该籽晶产出的晶体质量好,能够有效减少微管、多型及位错等晶体缺陷。其中籽晶生长面上,颗粒粒径＞1μm的颗粒个数＜10个,粒径在0.5μm-1μm的颗粒个数＜20个,粒径在0.1μm-0.5μm的颗粒个数＜30个,粒径在0.02μm-0.1μm的颗粒个数＜70个。

本发明公开了碳化硅晶体生长技术领域内的一种HTCVD法碳化硅晶体生长控制方法及系统。该控制方法在碳化硅晶体生长过程中,通过维持生长炉内每个阶段的温度,并调节反应气体的进气量来实现对碳化硅晶体生长速率的控制；同时,通过实时获取晶体图像来计算出晶体直径,实现对晶体扩径生长阶段的晶体直径的实时监控,并结合调整提拉旋转杆的提升和旋转参数,使得晶体在预计时间内达到目标直径。该控制方法可以实时监控晶体生长情况,并通过设定程序自动反馈调节,使得晶体各阶段生长更符合预期情况,提高了晶体生产的产品良率。

本发明公开一种黑磷单晶片的制备方法,该方法涉及大尺寸二维单晶材料生长方面。制备方法是将磷源、催化剂按照一定质量比例加入密封反应器中,再进行烧结,最终得到大尺寸黑磷单晶片。本方法获得的黑磷单晶片水平尺寸可达厘米级,片状结构完整性高,且成功实现单晶片之间分散成核生长,不互相粘连,能够获得高质量无损单晶黑磷单晶片,有利于下游应用。

本发明公开一种黑磷单晶线的制备方法,该方法涉及大尺寸单晶材料生长方面。制备方法是将磷源、催化剂按照一定质量比例加入密封反应器中,再进行烧结,最终得形貌均一的黑磷单晶线。本方法获得的黑磷单晶线纵向尺寸可达厘米级,径向尺寸在5～100um,具有一定的柔性,且成功实现分散成核生长,黑磷单晶线之间不互相粘连,有利于获得高质量无损单晶黑磷单晶线。

本发明公开了一种Zn-P-As单晶的制备方法,单质As与单质P放置处定义为a端,与a端相对应的用于结晶的另一端定义为c端,a端和c端之间的ZnO放置处定义为b端；保护性气氛或真空的密闭环境下,将单质As、单质P和ZnO按位置放好后,控制a端温度为870℃～890℃,c端温度为810℃～830℃,经保温晶体生长得到Zn-P-As单晶。本发明得到一种新型半导体单晶材料,具有与化学计量比为3:5:2.6的Zn-3P-5As-(2.6)晶体材料一致的结构,正交晶系,空间群为Cmcm；与单晶Si(E-g:1.1～1.3eV)的带隙接近,在新型电子器件以及光伏领域具有潜在的应用前景。

一种M形同轴天线915MHz微波等离子体化学气相沉积装置。包括微波入口、上圆柱谐振腔、真空石英环、M形同轴天线、下圆柱谐振腔、测温窗口、第二调谐结构、排气口、第一调谐结构、沉积台、衬底、等离子体区、进气口、偏压电极。M形同轴天线的M形顶角对微波具有强汇聚作用,可提高微波耦合效率,并强化电场和等离子体强度。真空石英环置于M形同轴天线顶部。M形同轴天线底部中心放置偏压电极,偏压电极无需从M形同轴天线底部进一步突出就可形成强偏压电场,避免偏压电极伸出影响微波耦合；沉积台、第一调谐结构、第二调谐结构均可上下运动,调谐电场和等离子体。本装置主要用于制备单晶金刚石和多晶金刚石膜,可实现高功率、高或低腔压下单一等离子体高效沉积。

本发明公开一种提高SiC晶体生长效率及质量的方法及装置,所述方法包括步骤：通过液态Si获取气态Si；通入气态CH-4,CH-4在设定温度下裂解,然后与气态Si发生反应,在保护气氛围下提拉、旋转籽晶以实现SiC晶体生长前沿热场的调控、稳定以及大质量SiC单晶的生长,得到SiC晶锭。所述装置用于实现所述方法包括：坩埚隔离层,加热单元；坩埚内部设有隔离单元,隔离单元设有第一出口,隔离单元上方设有连接第一气源的第一入口,坩埚的上方设有连接气体处理单元的第二出口,坩埚内部的顶部设有籽晶旋转提拉单元,籽晶旋转提拉单元的下方设有籽晶；并通过增加激光束的设置,以提供晶体生长前沿热场的调控,进而利于晶体径向生长均匀度优化和轴向温度梯度的调整。