半导体器件及其制造方法

根据实施例,利用多重图案化工艺形成存储器阵列。在实施例中,在多层堆叠件内形成第一沟槽,并且沉积第一导电材料到第一沟槽中。在沉积第一导电材料后,在多层堆叠件内形成第二沟槽,并且将第二导电材料沉积到第二沟槽中。蚀刻第一导电材料和第二导电材料。本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。

2021-11-02

访问量：103

半导体器件及其制造方法

提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中,通过在不同且独立的工艺过程中制造字线的部分来形成存储器阵列,从而允许首先形成的部分在之后的工艺过程中用作结构支撑,否则将对结构造成不期望的损坏。

2021-11-02

访问量：75

铁电随机存取存储器器件及其形成方法

形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的方法包括：在衬底上方形成层堆叠件,其中,层堆叠件包括第一介电材料和字线(WL)材料的交替层；形成垂直延伸穿过层堆叠件的第一沟槽；填充第一沟槽,其中,填充第一沟槽包括在第一沟槽中形成铁电材料、铁电材料上方的沟道材料和沟道材料上方的第二介电材料；在填充第一沟槽之后,形成垂直延伸穿过层堆叠件的第二沟槽,第二沟槽与第一沟槽交错；以及填充第二沟槽,其中,填充第二沟槽包括在第二沟槽中形成铁电材料、铁电材料上方的沟道材料和沟道材料上方的第二介电材料。本申请的实施例还涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。

2021-11-02

访问量：49

存储结构、存储器装置及其制造方法

一种存储器装置包括晶体管结构及存储器弧形壁结构。存储器弧形壁结构嵌置在晶体管结构中。晶体管结构包括介电柱、源极电极及漏极电极、闸极电极层及沟道壁结构。源极电极与漏极电极位于介电柱的相对的侧边上。闸极电极层围绕介电柱、源极电极及漏极电极。沟道壁结构从源极电极延伸到漏极电极且环绕介电柱。沟道壁结构设置在闸极电极层与源极电极之间、闸极电极层与漏极电极之间以及闸极电极层与介电柱之间。存储器弧形壁结构在所述沟道壁结构上延伸并贯穿所述沟道壁结构。

2021-11-02

访问量：39

半导体器件及其形成方法

公开了用于3D存储器阵列的布线布置及其形成方法。在实施例中,半导体器件包括：存储器阵列,包括接触第一字线和第二字线的栅极介电层；以及氧化物半导体(OS)层,接触源极线和位线,栅极介电层设置在OS层和第一字线以及第二字线的每个之间；互连结构,位于存储器阵列上方,第二字线和互连结构之间的距离小于第一字线和互连结构之间的距离；以及集成电路管芯,接合至与存储器阵列相对的互连结构,集成电路管芯通过电介质至电介质接合和金属至金属接合而接合至互连结构。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

2021-10-22

访问量：46

存储器单元、存储器器件及其形成方法

存储器单元包括位于半导体衬底上方的薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括：接触字线的存储器膜；以及接触源极线和位线的氧化物半导体(OS)层,其中,存储器膜设置在OS层和字线之间,其中,源极线和位线均包括接触OS层的第一导电材料,以及其中第一导电材料具有小于4.6的功函数。存储器单元还包括将源极线和位线隔开的电介质材料。本发明的实施例还公开了存储器器件及其形成方法。

2021-10-22

访问量：62

三维存储器件及其形成方法

形成三维(3D)存储器件的方法包括：在衬底上方形成层堆叠件,该层堆叠件包括第一介电材料与第二介电材料的交替层；形成延伸穿过层堆叠件的沟槽；将第二介电材料替换成导电材料以形成字线(WL)；用铁电材料内衬沟槽的侧壁和底部；用第三介电材料填充沟槽；形成垂直延伸穿过第三介电材料的位线(BL)和源极线(SL)；去除第三介电材料的一部分,以在第三介电材料中的BL和SL之间形成开口；沿开口的侧壁形成沟道材料；并用第四介电材料填充开口。本申请的实施例还涉及三维(3D)存储器件。

2021-10-22

访问量：53

存储器件及其形成方法

提供了一种存储器件及其形成方法。该存储器件包括位于衬底上的第一层和位于第一层上的第二层。第一层包括第一层堆叠件；穿过第一层堆叠件的第一栅电极；第一层堆叠件和第一栅电极之间的第一沟道层；以及第一沟道层和第一栅电极之间的第一铁电层。第二层包括第二层堆叠件；穿过第二层堆叠件的第二栅电极；第二层堆叠件和第二栅电极之间的第二沟道层；以及第二沟道层和第二栅电极之间的第二铁电层。

2021-10-19

访问量：25

存储器阵列及其制造方法

公开了包括伪导电线的3D存储器阵列及其形成方法。在实施例中,一种存储器阵列包括在半导体衬底上方的铁电(FE)材料,该FE材料包括与字线接触的竖直侧壁；在FE材料上的氧化物半导体(OS)层,该OS层接触源极线和位线,该FE材料在OS层与字线之间；晶体管,包括FE材料的一部分、字线的一部分、OS层的一部分、源极线的一部分以及位线的一部分；以及晶体管与半导体衬底之间的第一伪字线,该FE材料还包括与第一伪字线接触的第一锥形侧壁。本发明的实施例还涉及存储器阵列及其制造方法。

2021-10-19

访问量：30

存储器件及其形成方法

一种存储器件包括：第一晶体管,位于半导体衬底上方,其中,第一晶体管包括在半导体衬底上方延伸的第一字线；第二晶体管,位于半导体衬底上方,其中,第二晶体管包括在第一字线上方延伸的第二字线；第一气隙,在第一字线和第二字线之间延伸；存储器膜,沿着第一字线和第二字线延伸并且接触第一字线和第二字线；沟道层,沿着存储器膜延伸；源极线,沿着沟道层延伸,其中,存储器膜位于源极线和字线之间；位线,沿着沟道层延伸,其中,存储器膜位于位线和字线之间；以及隔离区域,位于源极线和位线之间。本申请的实施例提供了存储器件及其形成方法。

2021-10-19

访问量：34