本发明公开一种高性能Bi-(2)Te-(2.7)Se-(0.3)-石墨复合热电材料的制备方法,包括如下步骤：1)液相剪切剥离：将由固相合成的Bi-(2)Te-(2.7)Se-(0.3)粉末和石墨粉末组成的混合物和无水乙醇加入到高速剪切机中,充分混合和粉碎,得到复合粉体分散液；2)将复合粉体分散液脱除液体后的得到干燥粉体；3)将干燥粉体倒入模具中,通过放电等离子烧结后,脱模得到致密陶瓷块体。本发明所采用的方法具有产量高、能耗低、操作简单、设备成本低、设备体积小等优点,适合实验室及工业大规模生产。

本发明公开了一种S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜及其制备方法,属于纳米能源热电材料技术领域。所述制备方法包括：将Na-(2)SeO-(3)和SnCl-(2)·2H-(2)O溶解于溶剂A中得到溶液A,将单质S溶解于溶液A中,得到溶液B,将CNTs超声分散在溶液B中,得到溶液C；将溶液C进行溶剂热反应得到产物体系,将产物体系经过离心清洗后干燥制得干燥的产物D；将干燥的产物D超声分散于溶剂B中后进行真空抽滤得到薄膜E,干燥后得到S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜,所得S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜为SnSe-(1-x)S-(x)/CNTs复合柔性薄膜,0＜x≤0.05。采用上述制备方法制得的S掺杂SnSe/CNTs复合柔性薄膜,在保持复合薄膜柔韧性的同时提高了电导率。

本发明公开了一种激光辐照PbS量子点嵌入SnSe热电材料及其制备方法和应用,属于热电材料与器件技术领域。所述制备方法包括：将PbS均匀分散于溶剂中得到溶液A,将溶液A在超声中通过非聚焦激光器辐照处理得到溶液B；将SnCl-(2)·2H-(2)O均匀分散于溶剂中得到溶液C,将NaSeO-(3)均匀分散于溶液C中得到溶液D；将溶液B和溶液D混合均匀得到溶液E,将NaOH均匀分散于溶液E中后进行溶剂热反应,将所得产物体系经清洗后干燥得到固体产物；将固体产物通过放电等离子烧结压制处理,制得激光辐照PbS量子点嵌入SnSe热电材料。制得的激光辐照PbS量子点嵌入SnSe热电材料提高了电导率和塞贝克系数,能够应用于制备深空航天器超长寿命电源或用于制备自供电无限传感器等应用场合。

本发明公开了一种p型ZnO/Bi-(0.5)Sb-(1.5)Te-(3)复合热电材料及其制备方法与应用,将ZnO和Bi-(0.5)Sb-(1.5)Te-(3)原料研磨混合后,利用放电等离子体烧结的方法可制备该复合材料,制备工艺简单,成本低廉。该复合材料的p型导电类型通过赛贝克系数和霍尔系数测量确定,与n型ZnO基材料可分别作为ZnO基热电器件的p型和n型热电臂材料。通过改变原料Bi-(0.5)Sb-(1.5)Te-(3)与ZnO的摩尔比,可调节赛贝克系数和电导率等参数,提升复合材料的热电性能,所制备的复合材料在可见光区域吸收强度优于ZnO,可用于制备ZnO基光探测材料或光催化材料。

本发明属于热电材料制备技术领域,具体公开一种Bi-(2)S-(3)块体热电材料及其高压制备方法,是以Bi粉、S粉为原料,利用高温高压快速合成Bi-(2)S-(3)相,再将所述Bi-(2)S-(3)相粉碎后进行放电等离子体烧结制得。本发明提供的高压制备技术可以实现Bi-(2)S-(3)基块体材料的快速制备,提高合成效率,并有效提高材料的热电性能。

本发明公开了一种p型碲化铋制备方法,包括：根据p型碲化铋的化学式,确定原料配比,并根据原料配比,将原料装入石英管中；对石英管进行洗气操作,并将石英管进行抽真空操作和密封操作；对经过密封操作的石英管中的原料进行熔炼操作和冷却操作,以得到铸锭,并将铸锭磨成原料细粉,将原料细粉装入石墨模具中进行放电等离子烧结操作,以得到所述p型碲化铋。本发明还公开了一种p型碲化铋制备装置、系统和计算机可读存储介质。本发明通过将制备p型碲化铋的原料根据原料配比放入真空密封的石英管,并对石英管中的原料进行熔炼操作和放电等离子烧结操作,最终得到p型碲化铋,提高了p型碲化铋的热电性能和机械性能。

本发明涉及一种制备热电厚膜的方法,包括：确定热电材料的脆性-塑性转变温度；将块状热电材料在其脆性-塑性转变温度及其以上且熔点以下的温度区间内进行辊压处理；所述辊压处理的参数包括：辊筒的线速度为0.01～10 mm/s、优选0.1～5mm/s,控制每次下压辊筒的下压量为0.0005～0.1mm、优选0.001～0.05mm；重复辊压处理所述直至得到规定厚度的热电厚膜；以及将所得热电厚膜进行退火处理；所述退火处理的温度为100～800℃,优选300～500℃；所述退火处理的时间为10～500小时,优选为100～300小时。

本发明公开了一种共掺杂Cu和Bi提高n型PbTe基热电材料性能的方法,是按照Pb-(0.999)Bi-(0.001)Te-xat％Cu-2Te的化学计量比,在n型PbTe基热电材料中掺杂Cu和Bi,从而提高其性能,其中x的范围在1.0-5.0。本发明具有工艺简单、设备成本低、经济性高、可重复性高等优点,所制备的PbTe基热电材料具有高的功率因子的同时具有较低的热导率,其ZT值在n型PbTe基材料中处于较高水平,具有广阔的应用前景。

本发明公开一种n型碲化铋基室温热电材料及其制备方法,所述n型碲化铋基室温热电材料的化学式为Bi-(2-x)Sb-xTe-3,其中,x＝0-1.3。所述n型Bi-(2-x)Sb-xTe-3热电材料在室温附近具有较佳的热电优值,由于n型Bi-(2-x)Sb-xTe-3与p型Bi-(2-x)Sb-xTe-3的组成元素相同,所以两者不仅应用温区匹配,机械力学上更加匹配,进而能够大幅度提升热电器件的使用寿命与成品率。本发明提供的制备方法简单、成本低、可重复性好。