一种低成本、高产率SiC单晶的生长方法

本发明涉及一种低成本、高产率SiC单晶的生长方法,该方法采用双侧生长坩埚进行,所述的双侧生长坩埚包括坩埚体,坩埚体内设置有两个纵向间隔的多孔石墨片,多孔石墨片将坩埚体的内腔分割成左夹层、生长腔和右夹层,本发明的生长方法采用双侧生长坩埚进行,在坩埚的两个夹层放置SiC粉料,使SiC籽晶的两个面均存在一定浓度的SiC生长气相组分,有效避免了晶体高温生长时籽晶分解的现象,降低大直径SiC籽晶粘接不良导致的SiC单晶合格率低的问题,大大提高了SiC单晶的制备效率,降低了SiC单晶成本。制备的SiC单晶质量优于或相当于现有技术制备的SiC单晶质量,能够用于新能源汽车、光伏发电、5G通讯等领域。

2021-11-02

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一种Ni-(3)Al基单晶高温合金及其制备方法

本发明属于合金技术领域,特别涉及一种Ni-(3)Al基单晶高温合金及其制备方法。本发明提供的Ni-(3)Al基单晶高温合金,以质量百分含量计,包括以下元素：Al 7.0～8.1％、Mo 8.0～9.5％、Ta 3.0～5.0％、Re 2～3.5％、Hf0.05～0.1％、Y 0.0005～0.001％、Ce 0.001～0.005％、C 0.001～0.005％、余量的Ni和不可避免的杂质。本发明提供的Ni-(3)Al基单晶高温合金具有承温能力高的特点,高温拉伸强度高且稳定,高温抗氧化性能优异。

2021-10-29

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一种单晶高温合金转子叶片及其制备方法

本发明公开了一种单晶高温合金转子叶片及其制备方法,旨在解决叶片缘板杂晶缺陷的同时,显著降低引晶条接入带来的再结晶形成风险。为此,本发明实施例一方面提供的单晶高温合金转子叶片制备方法,在组装蜡树时,在叶片蜡模上粘贴引晶条,利用引晶条将叶身的底端与叶身上部的缘板连接起来,然后经制壳、脱蜡、型壳焙烧、浇注、脱壳、热处理及切割完成叶片的制备,所述引晶条具有顺次连接的水平段和倾斜段,所述水平段与所述缘板的侧部垂直连接,且平行于所述缘板向外延伸设置,所述倾斜段的一端与所述水平段远离所述缘板的一端连接,另一端朝下向内倾斜延伸直至与所述叶身的底端连接。

2021-10-29

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一种单晶高温合金的选晶方法及单晶高温合金铸件

本发明公开了一种单晶高温合金的选晶方法及单晶高温合金铸件,旨在有效减小单晶高温合金的取向偏离,提高单晶高温合金的性能。为此,本发明实施例一方面提供的单晶高温合金选晶方法,将选晶器的起晶段和螺旋选晶段偏心连接,使得定向凝固过程中,起晶段芯部取向较小的晶粒从螺旋选晶段的底部偏向螺旋选晶段的起始延伸方向一侧进入螺旋选晶段内,从而获得生长优势,淘汰起晶段外侧取向偏离较大的晶粒,以此获得取向偏离较小的单晶高温合金铸件。

2021-10-29

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一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法

本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法,包括：(1)将类单晶硅锭的开方尺寸相同的单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部,形成籽晶层；并利用该籽晶层制得类单晶硅锭；(2)将类单晶硅锭的底面朝上,将底面上的籽晶拼接缝用缝隙标记线标出,并使其延伸至类单晶硅锭的四个侧面；对类单晶硅锭开方得到多个第一硅块,且在开方前使开方钢线与籽晶拼接缝对齐,将第一硅块对应坩埚底部和开口的两个端面打磨平整后,再切割掉其上的籽晶区域,得到回收后的多块单晶硅籽晶,并标记每块的类型；(3)将步骤(2)得到的籽晶按步骤(1)的方法进行再利用。该方法可实现籽晶的多次高质量重复利用,降低了铸造类单晶的籽晶成本。

2021-10-29

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一种五氧化三钛晶体的制备方法

本发明公开了一种五氧化三钛晶体的制备方法,属于五氧化三钛的制备领域,本发明采用分阶段升温的方法,第一阶段：常温升至1050℃；第二阶段：1050℃升至1150℃,当温度达到1150℃时采用0.3L/min-0.8L/min的流量充入惰性保护气体；第三阶段：继续保持0.8L/min的流量充入惰性保护气体,1150℃保温1-2小时；本发明通过加大惰性保护气体的通入流量,从而加大坩埚内原料的反应速率,进而有利于五氧化三钛的合成,实现降低了加热温度、减少能源消耗的技术效果。

2021-10-26

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一种定向FeAl基合金及其制备方法

本发明公开了一种定向FeAl基合金的制备方法,所述的FeAl合金成分按原子百分比记为Fe-(a)Al-(b),其中37≤a≤45,55≤b≤63,a+b=100,其组织为柱状晶；其步骤为：根据FeAl二元合金体系相图选择合适成分；采用水冷铜坩埚和真空非自耗电弧熔炼炉制备圆柱棒母合金；采用Bridgman晶体生长装置对母合金棒进行定向凝固,得到所述具有定向柱状晶组织的FeAl基合金。对比等轴晶的FeAl基合金,本发明制备的定向FeAl基合金拥有更加优异的综合力学性能。

2021-10-22

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一种高温合金定向凝固装置及凝固方法

本发明公开了一种高温合金定向凝固装置及凝固方法,属于金属铸造技术领域,旨在解决锚形模壳散热不均匀导致的晶体组织中雀斑等缺陷性问题和高温合金定向凝固过程中的晶体的浪费问题。本发明通过加热器便可以实现合金液的保温或过热状态,通过提拉杆将锚形模壳以恒定速度向上提拉,再对锚形模壳上设置水冷系统,此时锚形模壳逐渐浮出恒温流质使液面的部分热量散失,从而产生温度梯度,迫使接触子晶的合金液向下定向凝固形成单晶体,可以有效的解决锚形模壳的散热问题,也避免了晶体组织中雀斑等缺陷性问题,降低了定向凝固过程中的晶体的浪费。

2021-10-19

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一种生长CZT单晶锭的方法

本发明公开了一种生长CZT单晶锭的方法,属于半导体材料制造工艺技术领域,该种生长CZT单晶锭的方法,包括以下步骤：步骤A、将无定形无定形三氧化二硼和微米级石墨粉质量比混合形成混合浆料；步骤B、将混合浆料以刷浆法或脉冲电弧放电沉积法均匀涂覆在热解氮化硼坩埚内壁上；步骤C、将碲化锌多晶体合成料置于热解氮化硼坩埚内放肩区,并在籽晶区放入籽晶,然后将热解氮化硼坩埚放入石英容器内,加热熔融、冷却、CZT单晶锭生长,生长完成后获得一种CZT单晶锭。且本发明将无定形三氧化二硼和石墨粉混合形成混合浆料涂覆在热解氮化硼坩埚内壁上,使得生长平面和切割面的夹角小于4°,减小CZT衬底片上不同区域的Zn元素含量波动。

2021-10-19

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一种磁场下浸入式磷化物合成及生长装置

一种磁场下浸入式磷化物合成及生长装置,属于半导体材料制备领域,特别是在静态磁场作用下,采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的装置。包括主炉体、主炉体内的坩埚、坩埚外围的加热器和保温层,所述合成及生长装置还包括连接驱动装置的注入合成系统,注入合成系统承载红磷,在驱动装置的作用下,沉入坩埚。采用本发明提供的装置,红磷以固体的形式沉入熔体,气化后从坩埚底部上浮,克服了采用磷泡产生的倒吸等问题；横向静磁场抑制气泡上浮速率,同时抑制温度梯度方向的熔体对流,使合成过程更加平稳、迅速。

2021-10-19

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