本发明公开了一种直拉单晶装料方法,首先在石英坩埚底部先装填小料,形成80-120mm厚度的小料底层;然后在小料底层上部,依次堆叠大料,并每堆叠一层大料时,再用小料填充大料的间隙,直至填充至坩埚高度的2/3,形成大小料复合层;随后在大小料复合层的上方外围,紧贴坩埚内壁铺设大料,形成大料围合层,同时在大料围合层中间填充小料,形成小料填充层,直至距离石英坩埚顶部50-60mm;最后在大料围合层和小料填充层上部平铺两层以上的片状原料,形成片状料覆盖层。本发明直拉单晶装料方法采用区域化原料配置实现快速化料及避免事故的目的。引入片状硅料封堵坩埚顶部减少热量损失避免低温氩气进入硅料间隙带走热量实现加快化料速度的目的。