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使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
单晶荧光体及晶体的制造方法
本发明提供一种能够得到比较大的尺寸且更均匀的组成的晶体的晶体的制造方法和利用该制造方法得到的新型单晶荧光体。单晶荧光体具有由YAG或LuAG构成的主成分和包含Ce、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Tm及Yb中的至少一种元素的副成分。在单晶荧光体的横截面中,副成分均匀分布的均匀浓度区域位于横截面的中央部,相对于横截面的截面积,均匀浓度区域的面积比例为35%以上。
2021-11-02
访问量:38
含锂氧化物晶体、电池以及含锂氧化物晶体的制造方法
提供没有裂纹且具有大面积的含锂氧化物晶体和使用了该含锂氧化物晶体的电池、以及该含锂氧化物晶体的制造方法。含锂氧化物晶体的制造方法具有:熔融部形成工序,在该熔融部形成工序中,将含有氧的含锂氧化物晶体原料的至少一部分熔融而形成熔融部;以及生长工序,在该生长工序中,从熔融部生长形成含锂氧化物晶体,生长工序中的气氛的露点为-70℃以上-35℃以下的范围,含锂氧化物晶体没有裂纹且具有0.38cm~(2)以上的截面积。
2021-10-22
访问量:49
一种金属单晶制备装置及工艺
本发明公开了一种金属单晶制备装置及工艺,包括炉体以及炉体内自上而下依次设置的籽晶杆、与籽晶杆固定的籽晶、保温层、与保温层固定的坩埚盖、与坩埚盖固定的模具、位于保温层围成的空间内的坩埚以及用于支撑坩埚的坩埚支柱,炉体上设进气口且下设出气口,保温层外壁设有为坩埚加热的感应线圈。本发明大幅度提升铜原料的成晶率,提升制备材料的单晶质量和工艺重复性;通过模具的介入,可以使得铜熔体按照成品件的形状进行拉制,减少加工成本。
2021-10-01
访问量:66
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技术分类
电解法
盐溶剂,例如助熔剂生长
金属溶剂
使用其他溶剂的
使用晶体组成之一种组分作溶剂的
熔融溶液冷却法
熔融态溶剂的蒸发法
使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
由溶液中的化学反应生成的结晶化材料
电解法
加压法,例如水热法
溶液冷却法
用非水溶剂的
用水溶剂的
溶剂蒸发法
常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长;用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00;在保护流体下的入C30B27/00)
添加掺杂材料的
凝胶的单晶生长
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
在气体气氛或等离子体内
在溶液或熔体内
侵蚀
晶体的接合
用电场或磁场或粒子辐射
热处理
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
离子注入法
电磁波辐照或粒子辐射法掺杂
控制或调节
气体供给或排出的装置;气流的变换
衬底夹持器或基座
反应室的加热
反应室;其所用材料的选择
扩散材料为被扩散元素之化合物的
同气态扩散材料接触的
同液态扩散材料接触的
同固态扩散材料接触的
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置
在微重力或零重力条件下的
用机械振荡的
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