本发明提供一种硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法,包括：采用金属有机物化学气相沉积工艺于硅衬底上形成GaN-HEMT外延结构,包括成核层、缓冲层、碳掺杂的GaN高阻层、非掺杂的GaN沟道层、AlN空间层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层；所述GaN-HEMT外延结构的外延生长所采用的气源包括有机金属源和氮源,以H-(2)和N-(2)作为载气,其中,氮源的载气H-(2)与N-(2)的体积比为1.75～2.5之间,有机金属源的载气H-(2)与N-(2)的体积比为0.4～1之间。本发明可有效提高GaN-HEMT外延生长过程中的不同区域生长速率均匀性、厚度均匀性、AlGaN势垒层的Al组分均匀性以及2DEG密度和二维电子气的迁移率。

本发明提供一种处理单晶金刚石籽晶的方法,本发明通过对单晶金刚石籽晶进行清洗、制备遮挡掩体、将样品按一定要求放置、再通过电感耦合等离子体处理,解决现有MPCVD生长中籽晶表面表面缺陷富集的问题,可以有效提高外延生长金刚石质量。

本发明涉及二维半导体单晶材料和器件制备技术领域,特别涉及一种在云母衬底上制备二维碲单晶的方法。以In-(2)Te-(3)为生长源,剥离后的云母剥离面为衬底,将剥离后的两片云母片叠放在石英舟的上方,然后将石英舟放置在管式炉内通过气相沉积的方法,制备得到二维碲,本发明具有所需设备和制备工艺简单、生长时间短,可直接得到结晶良好、纯度高、尺寸大的二维碲单晶等优点。

本发明的一种生长大面积金刚石单晶的方法,属于大面积金刚石单晶制备技术领域。在清洗过的衬底表面先生长一层(100)取向金刚石织构层；对生长的(100)金刚石织构层进行抛光,用磁控溅射或者真空镀膜方法在抛光的金刚石织构层上沉积铱纳米膜,然后在沉积了铱纳米膜的金刚石织构层上继续生长,利用金刚石生长过程中的横向生长,得到金刚石单晶外延层。本发明提出了一种生长大面积金刚石单晶的新方法,解决了金刚石单晶生长面积小的问题,具有较高的发展前景跟经济价值。

本申请公开了一种多孔钪氮化铝单晶材料及其制备方法、应用,所述多孔钪氮化铝单晶材料是多孔钪氮化铝单晶薄膜和/或多孔钪氮化铝单晶晶体；所述多孔钪氮化铝单晶晶体和所述多孔钪氮化铝单晶薄膜的尺寸为0.1cm～15cm。本发明是基于气相生长原理制备多孔钪氮化铝,通过调控制试验参数,获得低应力的无开裂的高质量多孔氮化铝体单晶。若以多孔钪氮化铝单晶作为钪氮化铝基器件的外延衬底,可以起到应力释放和减少位错的作用,比无孔钪氮化铝单晶衬底相比较,更具优势。该方法成本低,容易操作,易于重复。

本发明公开了一种制备InGaN外延层的方法,其单个周期内的生长源通入时序包括以下三个不分先后的步骤：在第一时间段内,持续通入In源,Ga源和N源,生长一段时间t1的InGaN；在第二时间段内,保持N源通入,In源与Ga源中断一段时间t2；在第三时间段t-(N)内,中断N源；再经过一段时间tGa和tIn后,分别通入Ga源和In源。本发明结合了表面吸附原子的调控过程,以及Ga原子表面迁移的增强过程,既通过控制生长源的中断调控了表面吸附原子的含量,抑制了失配位错的产生,又通过中断N源途中引入金属源的方法增强Ga原子迁移,阻止了堆垛层错和沟槽缺陷的形成,从而获得了缺陷密度大幅降低,结晶质量显著提高,光学性质优越的InGaN外延层。

本申请公开了一种氧化锌单晶材料、其制备方法及应用。所述氧化锌单晶材料具有交联网状结构,所述交联网状结构的交联部分为单晶结构。所述氧化锌单晶材料具有特殊的交联网状结构,可以大大提高PEC的水氧化性能,具有良好的作为PEC光电阳极的应用前景。

本申请公开了一种表面颗粒物少的晶片及其处理方法,属于半导体材料制备技术领域。该晶片的厚度不低于100μm,所述晶片具有第一表层、中间层和第二表层；所述第一表层和/或第二表层中,粒径＞10μm的碳包裹体数量＜1个,粒径在5μm-10μm的碳包裹体数量＜5个,粒径在1μm-5μm的碳包裹体数量＜10个,粒径0.5μm-1μm的碳包裹体数量＜20个,粒径在0.1μm-0.5μm的碳包裹体数量＜50个；所述第一表层和第二表层中的碳包裹体数量小于所述中间层中的碳包裹体的数量,所述第一表层和第二表层的厚度为5-20μm。将该晶片制备碳化硅晶体时,能够减少长晶过程中微管、多型、位错、空洞等缺陷的产生。

本发明公开了一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法,包括如下步骤：生长用GaN衬底在多温区多气氛的管式生长炉中的装配；GaN衬底在高温下氧化性气氛中氧化制备表面具有氧化镓层的衬底；具有氧化镓层的GaN衬底在腐蚀气体气氛中干刻蚀制备多孔GaN衬底；多孔GaN衬底上生长GaN单晶；生长工艺结束后控制氨气通入量实现界面出GaN分解；降温后烘箱静置得到自剥离GaN单晶。

降低异质外延偏压阈值的方法,它为了解决BEN工艺为获得合适外延形核率时偏压阈值较大的问题。降低偏压阈值的方法：一、在衬底上蒸镀一层铱薄膜,然后进行退火处理,衬底的背面和侧面沉积金膜,得到Ir复合导电衬底；二、对CVD腔体抽真空；三、升高CVD腔体内气压和微波发生器的功率分别至22～32Torr和1300W～1900W,衬底升温；四、通入甲烷气体,开启偏压电源,升高偏压至250～325V；五、金刚石生长过程。本发明通过降低CVD腔体气压有效的降低获得足够高外延形核率时所需的偏压阈值,起到了节省能源,降低成本的作用,同时获得足够高的形核密度以及良好的形核均匀性。