本发明公开了一种片式合金箔电阻的制造方法,属于合金箔电阻技术领域,采用匀六甲基二硅胺烷工艺提高了光刻胶的附着力,有效的减少了箔材的侧面刻蚀,采用老化工序提高可靠性,使制造的合金箔片式电阻值精度高、电阻温度系数小、在较宽温度系数范围内,实现温度系数自动补偿,跟踪温度系数极小,噪声小,稳定性高,高频特性好,响应快,分布参数小,可应用在精密测量、数模转换、航空和航海惯导系统、计算机接口电路及一些特殊要求的系统中,适合大范围推广。