本发明公开了一种片式合金箔电阻的制造方法,属于合金箔电阻技术领域,采用匀六甲基二硅胺烷工艺提高了光刻胶的附着力,有效的减少了箔材的侧面刻蚀,采用老化工序提高可靠性,使制造的合金箔片式电阻值精度高、电阻温度系数小、在较宽温度系数范围内,实现温度系数自动补偿,跟踪温度系数极小,噪声小,稳定性高,高频特性好,响应快,分布参数小,可应用在精密测量、数模转换、航空和航海惯导系统、计算机接口电路及一些特殊要求的系统中,适合大范围推广。

本发明公开了一种加热元件及其使用方法。加热元件包括第一端子和第二端子以及在第一端子和第二端子之间延伸的一个或多个加热元件段。该一个或多个加热元件段具有包括至少第一部分和第二部分的电路迹线,该至少第一部分和第二部分构造成使得当在该第一端子和第二端子之间施加电压时,在该至少第一部分和第二部分之间存在表面温度差。加热元件也可以制成三维形状,包括通过将加热元件固定到一个或多个支撑板上而产生的形状。加热元件也可以具有圆柱形状,并且设置在管状构件中的绝缘介质中,以沿着管状构件的长度提供变化的加热能力。

本发明公开了一种水冷型三相滤波电阻器及制作工艺,现市面上实现三相滤波电阻集成在一套电阻装置,具有不能通过水冷散热可实现超大功率负载要求、且整套电阻结构不紧凑和运行温度高的问题,本发明使用三根单独的上述电阻体,焊接金属端头,并按照星形或三角形拓扑进行电气连接,最终实现线引出,整体装置外壳使用PP、PA或PVDF等塑料/非金属材料热塑而成,优选使用PVDF材料。整体装置外壳由顶盖、主壳体和底壳三部分组成,单独注塑成型。在与电阻组件组装后,利用热熔技术进行合模,形成全封闭的电阻外壳,主壳体,分为回水腔、容纳腔和串联孔等多个隔离腔室,配合顶盖和底盖进行密封隔离。

本发明涉及一种热敏电阻的制造方法,具有：基底电极层形成工序(S01),在由热敏电阻材料构成的热敏电阻晶片的两面形成基底电极层；芯片化工序(S02),将所述热敏电阻晶片切断以实现芯片化,获得带基底电极层的热敏电阻芯片；保护膜形成工序(S03),在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的整个面形成由氧化物构成的保护膜；覆盖电极层形成工序(S04),在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的端面涂布导电性浆料进行烧成而形成覆盖电极层；及导通热处理工序(S05),进行热处理以使所述基底电极层与所述覆盖电极层电导通,所述热敏电阻的制造方法形成具有所述基底电极和所述覆盖电极的所述电极部。

本发明提供了一种柱状电阻元件及其制造方法,所述方法利用化学镀膜方式将可电性导通的金属材料形成于柱状电阻元件的两端,并与电阻层电连接。此化学镀膜方法使得电极与电阻接触紧密,避免传统压帽工艺,其在电阻层与电极层间产生缝隙的疑虑,而具有稳定的阻值。

本发明涉及一种热敏电阻的制造方法及热敏电阻,所述热敏电阻的制造方法具有：基底电极层形成工序(S03),在热敏电阻基体的端面涂布导电性浆料进行烧成而形成基底电极层；氧化物层形成工序(S04),在所述基底电极层的表面形成氧化物层；覆盖电极层形成工序(S05),在所述氧化物层的表面涂布导电性浆料进行烧成而形成覆盖电极层；及导通热处理工序(S06),进行热处理以使所述基底电极层与所述覆盖电极层电导通,所述热敏电阻的制造方法形成具有所述基底电极层和所述覆盖电极层的所述电极部,并且在导通热处理工序(S06)之后,具备在所述覆盖电极层的表面形成金属镀敷层的镀敷工序(S07)。