电气元件

本发明涉及一种元件(1),具有在堆叠方向(z)上相叠布置的第一电极(3)和第二电极(4a、4b),其中所述第一电极(3)和所述第二电极(4a、4b)在重叠区域(6)中彼此重叠,其中在具有所述重叠区域(6)的区域(7)中,所述第一电极(3)在垂直于所述堆叠方向(z)的第一方向(y)上的伸展大于所述第二电极(4a、4b)在所述区域中的伸展。

2021-10-26

访问量：25

一种低阻值负温度系数热敏电阻器及其制作工艺

本发明提供一种低阻值负温度系数热敏电阻器及其制作工艺,涉及电阻器技术领域。该热敏电阻器的制作工艺包括在基板上形成背面电极、第一正面电极、第一电阻层、第二电阻层、第二正面电极等工序。增设第二电阻层,并在第二电阻层上设置第二正面电极,第二正面电极部分覆盖第二电阻层,通过设计第二正面电极的图形尺寸,从而调控负温度系数热敏电阻器的电阻值。通过上述工艺,能够获得阻值范围在1Ω～1KΩ之间的负温度系数热敏电阻器,极大扩展了印刷型热敏电阻器的应用范围。且制作工艺简单,易于实施,能够实现大规模生产。

2021-10-22

访问量：16

一种电阻套管机构

本发明涉及电阻套管技术领域,公开了一种电阻套管机构,其包括支架、输送结构、转盘结构、供料结构、夹持结构、第一打压结构、升降结构、裁切结构和第二打压结构,所述输送结构、所述转盘结构、所述供料结构、所述夹持结构、所述第一打压结构、所述升降结构、所述裁切结构和所述第二打压结构均设于所述支架上。本发明提供了一种电阻套管机构,以达到对电阻的套管效率高和操作人员的工作量小的目的。

2021-10-12

访问量：16

热敏电阻的制造方法

本发明涉及一种热敏电阻的制造方法,具有：基底电极层形成工序(S01),在由热敏电阻材料构成的热敏电阻晶片的两面形成基底电极层；芯片化工序(S02),将所述热敏电阻晶片切断以实现芯片化,获得带基底电极层的热敏电阻芯片；保护膜形成工序(S03),在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的整个面形成由氧化物构成的保护膜；覆盖电极层形成工序(S04),在所述带基底电极层的热敏电阻芯片的端面涂布导电性浆料进行烧成而形成覆盖电极层；及导通热处理工序(S05),进行热处理以使所述基底电极层与所述覆盖电极层电导通,所述热敏电阻的制造方法形成具有所述基底电极和所述覆盖电极的所述电极部。

2021-09-28

访问量：30

热敏电阻的制造方法及热敏电阻

本发明涉及一种热敏电阻的制造方法及热敏电阻,所述热敏电阻的制造方法具有：基底电极层形成工序(S03),在热敏电阻基体的端面涂布导电性浆料进行烧成而形成基底电极层；氧化物层形成工序(S04),在所述基底电极层的表面形成氧化物层；覆盖电极层形成工序(S05),在所述氧化物层的表面涂布导电性浆料进行烧成而形成覆盖电极层；及导通热处理工序(S06),进行热处理以使所述基底电极层与所述覆盖电极层电导通,所述热敏电阻的制造方法形成具有所述基底电极层和所述覆盖电极层的所述电极部,并且在导通热处理工序(S06)之后,具备在所述覆盖电极层的表面形成金属镀敷层的镀敷工序(S07)。

2021-09-21

访问量：31

温度传感器元件

本发明提供一种温度传感器元件,包含一对电极以及与该一对电极相接而配置的感温膜,感温膜包含共轭高分子和基体树脂。

2021-09-21

访问量：23

温度传感器元件

本发明提供一种温度传感器元件,是具备包含有机物的感温膜的热敏电阻型温度传感器元件,其电阻值的重复稳定性优异。本发明提供一种温度传感器元件,包含一对电极以及与该一对电极相接而配置的感温膜,感温膜包含基体树脂和该基体树脂中含有的多个导电性区域,导电性区域包含共轭高分子和掺杂剂,共轭高分子中,构成该共轭高分子的结构单元数为65以下。

2021-09-21

访问量：29

温度传感器元件

本发明提供一种温度传感器元件,是具备包含有机物的感温膜的热敏电阻型温度传感器元件,其电阻值的重复稳定性优异。本发明提供一种温度传感器元件,包含一对电极以及与该一对电极相接配置的感温膜,感温膜包含导电性高分子,导电性高分子包含共轭高分子和掺杂剂,掺杂剂包含分子容积为0.08nm～3以上的掺杂剂。

2021-09-21

访问量：19

温度传感器元件

本发明提供一种温度传感器元件,包含一对电极以及与该一对电极相接而配置的感温膜,感温膜包含氟原子,并且感温膜包含基体树脂和该基体树脂中含有的多个导电性区域,导电性区域包含导电性高分子。

2021-09-21

访问量：23

温度传感器元件

本发明提供一种温度传感器元件,包含一对电极以及与该一对电极相接而配置的感温膜,感温膜包含基体树脂和该基体树脂中含有的多个导电性区域,构成感温膜的基体树脂基于利用X射线衍射法的测定并依照式(I)：分子堆积度(％)＝100×(来自有序结构的峰的面积)/(所有峰的合计面积)而求出的分子堆积度为40％以上。

2021-09-21

访问量：20