阅读说明：本技术 一种基片的预处理装置 (Pretreatment device for substrate ) 是由 刘永 于 2020-07-04 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种基片的预处理装置,预处理箱的左侧壁上成型有预处理进料口、右侧壁上成型有预处理出料口；工艺箱的左侧壁上成型有工艺处理进出口；预处理箱的左端面上升降设置有左封闭板；工艺箱和预处理箱之间升降设置有右封闭板；预处理箱内设置有左右传递装置；左右传递装置包括上部的矩形框状的基片限位框和下部的矩形框状的左右移动框；左右移动框左右移动设置在预处理箱内；基片限位框左右移动设置在左右移动框的上端面上；左右移动框的左右侧壁之间成型有若干前后均匀分布的下支撑板。(The invention discloses a pretreatment device of a substrate.A pretreatment feeding hole is formed on the left side wall of a pretreatment box, and a pretreatment discharging hole is formed on the right side wall of the pretreatment box; a process treatment inlet and outlet is formed on the left side wall of the process box; a left closing plate is arranged on the left end face of the pretreatment tank in a lifting manner; a right closing plate is arranged between the process box and the pretreatment box in a lifting way; a left and a right transfer devices are arranged in the pretreatment box; the left and right transfer device comprises a rectangular frame-shaped substrate limiting frame at the upper part and a rectangular frame-shaped left and right moving frame at the lower part; the left and right moving frames are arranged in the pretreatment box in a left-right moving mode; the substrate limiting frame is arranged on the upper end surface of the left-right moving frame in a left-right moving mode; a plurality of lower supporting plates which are uniformly distributed front and back are formed between the left side wall and the right side wall of the left moving frame and the right moving frame.)

一种基片的预处理装置

技术领域

本发明涉及基片预处理的技术领域，具体涉及一种基片的预处理装置。

背景技术

在太阳能电池、液晶显示屏等产品的生产过程中，进行工艺覆膜，或者承载若干硅片进行工艺覆膜的工件，称为基片。基片一般为厚度尺寸相对于幅面尺寸较小的薄板状物体，完成一道完整的工艺制程，基片通常需要经过多道工序，流经设备中的多个不同的工位。

一般来说，在电池生产过程的不同阶段，对基片有不同的温度要求。例如在常见PECVD覆膜工艺中，工艺制程及工艺腔室的温度常保持在200℃以上，而基片在外界大气中一般只有20℃左右的室温。此时，如果能对基片进行合理的预热处理，先将其温度升高至一定的数值，不但可以减少基片在送入该工艺腔室后因承受较大温差而带来的热应力和热变形，还能有效提高基片的温度均一性，从而可以防止基片碎裂或损坏并提高工艺效果。

又比如，基片在完成某一道工艺制程后，需要将其从设备中取出，此时，基片将会有接近200℃左右的高温，若直接将其从设备中取出，不但具有很高的高温危险性，不利于操作，容易造成事故，而且在高温时将基片直接暴露在大气环境下，较大温差产生的热应力和热变形也容易造成工艺薄膜的裂纹、基片的碎裂或损坏等。另外，高温基片还容易跟大气中的氧气、水份等发生化学反应直接影响工艺结果。因此，工艺制程后先对基片进行合理的降温处理再将其从设备中取出就显得很有必要。

针对上述情况，在现有技术中多采用在真空设备中增加一个预热腔或者冷却腔的方式来实现温度调整功能，或者也可以将温度控制与加载腔结合在一起。然而，无论采用前述哪种方式，无疑都需要在加载腔和工艺腔之间增加一个独立的传输腔，造成了设备的占地空间的增加。

发明内容

本发明的目的是现在的基片预处理结构占据空间大的技术问题，提供了一种基片的预处理装置。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种基片的预处理装置，包括预处理箱和工艺箱；预处理箱位于工艺箱的左侧；预处理箱的内顶壁上设置温度控制单元；温度控制单元用于基片加热或者冷却；预处理箱的左侧壁上成型有预处理进料口、右侧壁上成型有预处理出料口；工艺箱的左侧壁上成型有工艺处理进出口；预处理箱的左端面上升降设置有左封闭板；左封闭板用于密封预处理进料口；工艺箱和预处理箱之间升降设置有右封闭板；右封闭板用于密封预处理出料口和工艺处理进出口；预处理箱内设置有左右传递装置；左右传递装置包括上部的矩形框状的基片限位框和下部的矩形框状的左右移动框；左右移动框左右移动设置在预处理箱内；基片限位框左右移动设置在左右移动框的上端面上；左右移动框的左右侧壁之间成型有若干前后均匀分布的下支撑板；工艺箱内设置有上下料装置；上下料装置用于左右传递装置的基片上下料。

作为上述技术方案的优选，预处理箱的左右侧壁下端之间固定有一对前后对称设置的下左右驱动齿条；预处理箱的前后侧壁上分别成型有下左右导条；左右移动框的前后端面分别成型有与下左右导条配合的下左右导槽；左右移动框的左端面上固定有下左右驱动电机；左右移动框的左右侧壁之间枢接有下左右驱动杆；下左右驱动杆的左端与下左右驱动电机的输出轴固定连接；下左右驱动杆的左部和右部分别固定有驱动蜗杆；左右移动框的前后侧壁的左端之间和右端之间分别枢接有从动中心柱；从动中心柱的中心固定有蜗轮；蜗轮与相应侧的驱动蜗杆啮合；从动中心柱的前后两端分别固定有从动齿轮；从动齿轮与相应侧的下左右驱动齿条啮合。

作为上述技术方案的优选，左右移动框的上端面前后端分别成型有前后阻挡板；前后阻挡板上成型有上左右驱动齿条；基片限位框位于一对前后阻挡板之间；基片限位框的前后端面中心分别固定有上驱动电机；上驱动电机的输出轴上固定有上驱动齿轮；上驱动齿轮与相应侧的上左右驱动齿条啮合。

作为上述技术方案的优选，预处理箱和工艺箱之间设置中心隔离室；中心隔离室包围住预处理箱和工艺箱之间的间隙；右封闭板位于中心隔离室内。

作为上述技术方案的优选，上下料装置包括上下料气缸；上下料气缸固定在工艺箱的上端面上；上下料气缸的活塞杆下端固定有吸盘；吸盘位于工艺箱内；工艺箱的下部左右移动设置有工作台；工作台的上端面低于左右移动框的下端面。

作为上述技术方案的优选，工艺箱的右侧壁下端固定有水平设置的居中气缸；工作台呈L型；工作台的竖直部位于其水平部的左端；工作台的竖直部固定在居中气缸的活塞杆左端。

本发明的有益效果在于：结构简单，有效进行基片的传送但是占据空间小，有效进行基片的加热或者冷却。

附图说明

图1为本发明的进料时的剖面的结构示意图；

图2为本发明的预处理时的剖面的结构示意图；

图3为本发明的传递到工艺箱20时的剖面的结构示意图；

图4为本发明的左右传递装置50的俯视的结构示意图。

图中，10、预处理箱；100、预处理进料口；101、预处理出料口；11、下左右驱动齿条；12、下左右导条；20、工艺箱；200、工艺处理进出口；21、上下料气缸；22、吸盘；23、居中气缸；24、工作台；30、左封闭板；40、中心隔离室；41、右封闭板；50、左右传递装置；51、左右移动框；511、下支撑板；512、从动中心柱；513、上左右驱动齿条；52、下左右驱动电机；53、下左右驱动杆；531、驱动蜗杆；54、从动齿轮；55、基片限位框；551、上驱动齿轮；56、蜗轮；60、基片。

具体实施方式

如图1～图4所示，一种基片的预处理装置，包括预处理箱10和工艺箱20；预处理箱10位于工艺箱20的左侧；预处理箱10的内顶壁上设置温度控制单元；温度控制单元用于基片60加热或者冷却；预处理箱10的左侧壁上成型有预处理进料口100、右侧壁上成型有预处理出料口101；工艺箱20的左侧壁上成型有工艺处理进出口200；预处理箱10的左端面上升降设置有左封闭板30；左封闭板30用于密封预处理进料口100；工艺箱20和预处理箱10之间升降设置有右封闭板41；右封闭板41用于密封预处理出料口101和工艺处理进出口200；预处理箱10内设置有左右传递装置50；左右传递装置50包括上部的矩形框状的基片限位框55和下部的矩形框状的左右移动框51；左右移动框51左右移动设置在预处理箱10内；基片限位框55左右移动设置在左右移动框51的上端面上；左右移动框51的左右侧壁之间成型有若干前后均匀分布的下支撑板511；工艺箱20内设置有上下料装置；上下料装置用于左右传递装置50的基片60上下料。

如图1～图4所示，预处理箱10的左右侧壁下端之间固定有一对前后对称设置的下左右驱动齿条11；预处理箱10的前后侧壁上分别成型有下左右导条12；左右移动框51的前后端面分别成型有与下左右导条12配合的下左右导槽；左右移动框51的左端面上固定有下左右驱动电机52；左右移动框51的左右侧壁之间枢接有下左右驱动杆53；下左右驱动杆53的左端与下左右驱动电机52的输出轴固定连接；下左右驱动杆53的左部和右部分别固定有驱动蜗杆531；左右移动框51的前后侧壁的左端之间和右端之间分别枢接有从动中心柱512；从动中心柱512的中心固定有蜗轮56；蜗轮56与相应侧的驱动蜗杆531啮合；从动中心柱512的前后两端分别固定有从动齿轮54；从动齿轮54与相应侧的下左右驱动齿条11啮合。

如图1～图4所示，左右移动框51的上端面前后端分别成型有前后阻挡板；前后阻挡板上成型有上左右驱动齿条513；基片限位框55位于一对前后阻挡板之间；基片限位框55的前后端面中心分别固定有上驱动电机；上驱动电机的输出轴上固定有上驱动齿轮551；上驱动齿轮551与相应侧的上左右驱动齿条513啮合。

如图1～图4所示，预处理箱10和工艺箱20之间设置中心隔离室40；中心隔离室40包围住预处理箱10和工艺箱20之间的间隙；右封闭板41位于中心隔离室40内。

如图1～图4所示，上下料装置包括上下料气缸21；上下料气缸21固定在工艺箱20的上端面上；上下料气缸21的活塞杆下端固定有吸盘22；吸盘22位于工艺箱20内；工艺箱20的下部左右移动设置有工作台24；工作台24的上端面低于左右移动框51的下端面。

如图1～图4所示，工艺箱20的右侧壁下端固定有水平设置的居中气缸23；工作台24呈L型；工作台24的竖直部位于其水平部的左端；工作台24的竖直部固定在居中气缸23的活塞杆左端。

基片的预处理装置的工作原理；

进料时如图1所示，此时左封闭板30处于最下端，预处理进料口100处于打开状态；左右移动框51处于最左端，基片限位框55处于最左端，此时基片限位框55位于预处理箱10的左侧，方便基片60放置在基片限位框55内；

然后基片限位框55相对于左右移动框51向右移动，接着左右移动框51向右移动，然后左封闭板30上升密封住预处理进料口100，这样如图2所示，然后预处理箱10的内顶壁上设置的温度控制单元使得预处理箱10内的温度提升，对基片60进行预加热；

接着右封闭板41上升打开预处理出料口101和工艺处理进出口200，接着左右移动框51向右移动到达最右端，接着基片限位框55相对于左右移动框51向右移动到达最右端，此时如图3所示，基片60位于工艺箱20内，接着上下料装置取下基片60，然后基片限位框55向左移动，接着左右移动框51向左移动，然后右封闭板41下降密封住预处理出料口101和工艺处理进出口200，基片60在工艺箱20进行加工；

加工完后，基片60按上述原理的传送方式进行出料，但是预处理箱10的内顶壁上设置的温度控制单元使得预处理箱10内的温度下降，使得基片60冷却；

这样有效进行基片的传送但是占据空间小，有效进行基片的加热或者冷却。

以上内容仅为本发明的较佳实施方式，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。